專利名稱：外強磁柱式水處理器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及水處理裝置，具體而言是外強磁柱式水處理器。
背景技術(shù)：
水管外壁上貼吸永磁元件形成外強磁管段，水流經(jīng)該管段時，水分子鏈被磁力線切割，鹽類物質(zhì)型態(tài)被改變，使得結(jié)垢離子不再附壁。由于上述外強磁管段水處理裝置有利于除垢、防垢，故被廣泛采用?，F(xiàn)有的外強磁管段水處理裝置，因進(jìn)入管內(nèi)磁場的磁密度低而導(dǎo)致處理效果不好。因此設(shè)計出一種結(jié)構(gòu)簡單、防垢效果好并且安裝、使用、維護(hù)方便的外強磁柱式水處理器十分必要。

發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、防垢效果好并且安裝、使用、維護(hù)方便的外強磁柱式水處理器。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下技術(shù)方案一種外強磁柱式水處理器，包括輸水管和貼吸在水管外壁上沿輸水管軸向間隔布置的永磁元件圈，其特征是所述永磁元件圈由永磁元件沿輸水管周向布置而成，相鄰永磁元件之間的距離為6mm-20mm，相鄰永磁元件圈之間的距離為50mm-80mm。進(jìn)一步地，所述永磁元件圈由永磁元件沿輸水管周向均勻布置而成，相鄰永磁元件之間的距離為6mm。進(jìn)一步地，所述永磁元件圈沿輸水管軸向均勻布置，相鄰永磁元件圈之間的距離為 50mm。本實用新型工作時，整個鋼管被磁化，進(jìn)入管內(nèi)磁場的磁密度高，在管內(nèi)形成強磁場，對經(jīng)過的水流產(chǎn)生徑向洛侖茲力，使管內(nèi)各點的鏈狀水分了斷裂成單個極性水分子，有效防止了水垢形成。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、防垢效果好并且安裝、使用、維護(hù)方便。

圖I為本實用新型結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖I的左視圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述，但該實施例不應(yīng)理解為對本實用新型的限制。圖中所示的外強磁柱式水處理器，包括輸水管I和貼吸在水管外壁上沿輸水管I軸向間隔布置的永磁兀件圈2,所述永磁兀件圈2由永磁兀件3沿輸水管I周向布置而成，相鄰永磁元件3之間的距離為6mm-20mm，相鄰永磁元件圈2之間的距離為50mm-80mm。優(yōu)選的實施例是在上述方案中，所述永磁元件圈2由永磁元件3沿輸水管I周向均勻布置而成，相鄰永磁元件3之間的距離為6_。優(yōu)選的實施例是在上述方案中，所述永磁元件圈2沿輸水管I軸向均勻布置，相鄰永磁元件圈2之間的距離為50mm。本說明書中未作詳細(xì)描述的內(nèi)容，屬于本專業(yè)技術(shù)人員公知的現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求1.一種外強磁柱式水處理器，包括輸水管(I)和貼吸在水管外壁上沿輸水管(I)軸向間隔布置的永磁元件圈(2)，其特征在于所述永磁元件圈(2)由永磁元件(3)沿輸水管(I)周向布置而成，相鄰永磁元件(3)之間的距離為6mm-20mm，相鄰永磁元件圈(2)之間的距離為 50mm-80mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的外強磁柱式 水處理器，其特征在于所述永磁元件圈(2)由永磁元件(3)沿輸水管(I)周向均勻布置而成，相鄰永磁元件(3)之間的距離為6mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的外磁水處理器，其特征在于所述永磁元件圈(2)沿輸水管(I)軸向均勻布置，相鄰永磁元件圈(2)之間的距離為50mm。
專利摘要本實用新型涉及外強磁柱式水處理器，它包括輸水管和貼吸在水管外壁上沿輸水管軸向間隔布置的永磁元件圈，其特征是所述永磁元件圈由永磁元件沿輸水管周向布置而成，相鄰永磁元件之間的距離為6mm-20mm，相鄰永磁元件圈之間的距離為50mm-80mm。本實用新型工作時，整個鋼管被磁化，進(jìn)入管內(nèi)磁場的磁密度高，在管內(nèi)形成強磁場，對經(jīng)過的水流產(chǎn)生徑向洛侖茲力,使管內(nèi)各點的鏈狀水分了斷裂成單個極性水分子，有效防止了水垢形成。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單、防垢效果好并且安裝、使用、維護(hù)方便。
文檔編號C02F5/00GK202785819SQ201220495949
公開日2013年3月13日 申請日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者方家寧, 田明勇, 費德, 王杉 申請人:武漢鋼鐵(集團(tuán))公司