專利名稱：一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本實用新型涉及一種水處理裝置，特別是一種能夠用于大流量、高硬度循環(huán)水系統(tǒng)防垢的智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器。背景技術(shù)：
[0002]自20世紀(jì)40年代比利時工程師弗米侖(Th. Vermeiren)發(fā)現(xiàn)磁致防垢現(xiàn)象以來， 許多國家的科學(xué)工作者和工程技術(shù)人員對磁場、電場防垢除垢的效果及機(jī)理進(jìn)行了廣泛的研究和探索。實踐證明，磁場和電場都有一定的防垢除垢作用，但只能使被處理的水暫時失去在受熱面上結(jié)硬垢的能力，而且只有磁場和電場的強度達(dá)到一定程度時才有顯著的防垢效果。[0003]比利時愛盤羅公司、美國的水動力公司、英國水垢控制系統(tǒng)公司、加拿大的約克能量守恒公司及國內(nèi)知名企業(yè)先后推出過一些頗具影響的永磁防垢產(chǎn)品、工頻電磁防垢產(chǎn)品、高頻電磁防垢產(chǎn)品和高壓靜電防垢產(chǎn)品。近年來，國內(nèi)又出現(xiàn)了將高頻電磁和高壓靜電復(fù)合在一起的名為“列變水處理器”的防垢產(chǎn)品。現(xiàn)有的列變水處理器的電極設(shè)置有兩種形式一是將高頻電磁場電極和高壓靜電場電極沿軸向平行設(shè)置在同一管道的軸線上。二是在同一管道中沿軸向設(shè)置高頻電磁場電極、沿徑向設(shè)置高壓靜電場電極，兩電極相互垂直呈L狀。[0004]高頻電磁場中電場能和磁場能相互依存，且電場平面與磁場平面相互垂直。將高頻電磁場電極和高壓靜電場電極平行設(shè)置，不能使高頻電磁場中的交變電場與高壓靜電場形成有益關(guān)聯(lián)。將高頻電磁場電極和高壓靜電場電極垂直設(shè)置在同一段管道中，又會產(chǎn)生場強分布不均和場能利用不充分的問題。況且，“列變水處理器”這一名稱不能揭示這種高頻電磁場和高壓靜電場復(fù)合型水處理器的本質(zhì)，容易引起歧異和誤解。[0005]現(xiàn)有的高頻電磁水處理器的輸出頻率、高壓靜電場水處理器的輸出電壓基本上都是固定的，不能根據(jù)不同 的水質(zhì)條件和運行條件自動調(diào)節(jié)輸出頻率和電壓，時常出現(xiàn)防垢效果不穩(wěn)定和能源浪費現(xiàn)象。雖然CN201020010368. 3公開了一種變頻智能水處理器，但仍然需要借助PLC電控單元通過人機(jī)對話調(diào)節(jié)磁場強度，不僅制造成本較高而且需要人工照料。[0006]除了上述技術(shù)層面問題之外，國內(nèi)還有一種不顧客觀實際蓄意渲染磁電防垢產(chǎn)品的思想傾向。例如，CN200610077527. X發(fā)明專利的審定受權(quán)說明書和CN200420042216. 6實用新型說明書中，把弗米侖吹捧成“諾貝爾獎金獲得者，比利時科學(xué)家”，并稱其“開創(chuàng)了以高頻電磁場處理水的新技術(shù)領(lǐng)域”；一些廠家居然鼓吹其高頻電子水處理器能使被處理的水產(chǎn)生一系列物理化學(xué)變化，甚至不經(jīng)軟化就可以直接作為鍋爐用水；還有部分廠家給列變水處理集結(jié)了諸如“差轉(zhuǎn)屏蔽效應(yīng)”、“多點陣列組合”、“欽激重疊發(fā)生模塊”、“高壓電暈效應(yīng)場”等一系列高新科技術(shù)語，讓人難以認(rèn)識其真正面目。
發(fā)明內(nèi)容[0007](一 )要解決的技術(shù)問題[0008]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實用新型的目的是提供一種能夠自動調(diào)節(jié)輸出頻率和電壓的高頻電磁場與高壓靜電場復(fù)合式水處理器，即，一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器。[0009]( 二)所采用的技術(shù)方案[0010]1、本實用新型命名的科學(xué)緣由[0011]關(guān)于磁場防垢的機(jī)理目前有兩種顯論一是磁致防垢現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)者弗米侖、愛盤羅公司的工程師安德烈昂森、美國的麥克林博士等主張的溶質(zhì)離子價健變化說，認(rèn)為水中的溶質(zhì)離子流經(jīng)磁場后，其價電子或離子鍵會因能級改變、電子激發(fā)等原因而發(fā)生變化，進(jìn)而影響析出結(jié)晶的特性。二是業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)同的水分子極化說，認(rèn)為水分子經(jīng)強磁場處理后能引起電子云分布的改變，從而導(dǎo)致分子內(nèi)的鍵角和分子間的氫鍵的變化，原來由十幾個水分子締合成的大分子團(tuán)，斷裂成五六個分子的小分子團(tuán)和單個水分子。水中溶解的正負(fù)離子(垢分子)被單個水分子包圍，使水中的鈣、鎂等結(jié)垢物的針狀結(jié)晶改變?yōu)榱罱Y(jié)晶體，相互粘附與聚積特性受到了破壞，從而在受熱面或管理壁上不結(jié)硬垢。同時由于水分子偶極距增大，使其與鹽類正負(fù)離子吸引力增大，還能夠使受熱爐壁、管壁上原有的舊垢逐淅開裂、疏松、自行脫落。[0012]事實上，磁場或電場對水分子的締合狀態(tài)和溶質(zhì)的運動狀態(tài)都有影響，以上兩種解釋都忽視了磁場、電場對運動電荷的動力學(xué)作用。按照經(jīng)典電磁場理論[0013]水中的陰陽離子流經(jīng)高頻電磁時，既要受到磁場洛侖茲力的作用，又要受到電場庫侖力的作用，彼此相遇、相撞的幾率顯著增加，容易復(fù)合成“溶解態(tài)的溶質(zhì)分子”。這種“溶解態(tài)的溶質(zhì)分子”進(jìn)入升溫環(huán)境后就在水中析出大量微小的結(jié)晶核，這種結(jié)晶核在析晶過程中不斷長大，成逐步成長為顆粒狀的水垢，并隨著循環(huán)水流動，失去與器壁吸附的能力。 當(dāng)水垢顆粒的直徑接近毫米級時，開始沉淀在設(shè)備的底部，通過定 期排放污水即可清除水垢。[0014]當(dāng)然，高壓靜電場、高頻電磁場對水分子或水分子團(tuán)也有動力學(xué)影響，因為水分子是極性分子，當(dāng)其流經(jīng)磁場、電場時，單個分子及分子團(tuán)的極化狀態(tài)必然要發(fā)生程度不同的改變。檢測表明，經(jīng)強磁場處理的水分子會呈現(xiàn)“磁致偏轉(zhuǎn)”，其H-O-H鍵角暫時由105度減少到103度，原來由13個分子締合而成的大分子團(tuán)水變成了只有6個分子的小分子團(tuán)水和單個水分子，這種“活化水”的浸潤能力、溶解能力都會大大增加，能使顆粒狀水垢轉(zhuǎn)化為絮狀水渣。[0015]綜上所述，不論是永磁場的磁致防垢、高壓靜電場的電致防垢、還是高頻電磁場的磁電雙效防垢，歸根結(jié)底都是“場致防垢”，或者說是一種“場效應(yīng)”。水分子團(tuán)及溶解于其中的成垢離子在高頻電磁場和高壓靜電場復(fù)合型水處理器中，會受到洛侖茲力、庫侖力、重力、流體動力等多重作用，其防垢除垢作用是磁場、電場、重力場的協(xié)同效應(yīng)，將高頻電磁場和高壓靜電場復(fù)合型水處理器簡稱為“復(fù)合場水處理器”，是一種科學(xué)的簡化和理性的概括。[0016]應(yīng)當(dāng)說明的是，磁場、電場及其復(fù)合場對水體的作用效果是復(fù)雜的，不僅有防垢、 除垢作用，而且有防銹、緩蝕、殺菌、滅藻等作用。[0017]2、本實用新型選定的技術(shù)方案[0018]一種智能調(diào)控制式復(fù)合場水處理器，包括主機(jī)和輔機(jī)，其特征在于所述的主機(jī)是由標(biāo)準(zhǔn)工控機(jī)箱和安裝在其中的智能控制模塊、高頻電磁發(fā)生模塊、高壓靜電發(fā)生模塊組成的電控裝置；所述的輔機(jī)是由水處理管腔及其內(nèi)部設(shè)置的電導(dǎo)率感應(yīng)電極、高頻電磁場電極、高壓靜電場電極和進(jìn)水口連接管、出水口大小頭連接管、集污池、排污閥、補水閥、底座構(gòu)成的水處理裝置；主機(jī)與輔機(jī)通過同軸電纜經(jīng)設(shè)置在輔機(jī)外殼的電氣接線盒實現(xiàn)電連接。[0019]進(jìn)一步，所述的水處理管腔呈L型，其長臂內(nèi)沿軸線通過支承架經(jīng)絕緣至少設(shè)有一支高頻電磁場電極，短臂內(nèi)沿軸線通過支承架經(jīng)絕緣至少設(shè)有一支高壓靜電場電極，頂部經(jīng)絕緣設(shè)有一支電導(dǎo)率感應(yīng)電極。[0020]更進(jìn)一步，所述的高頻電磁場電極、高壓靜電場電極均為鈦或鈦合金，且外表面鍍有鉬層或釕層，其構(gòu)造形式因電極數(shù)目而異，單電極獨立設(shè)置時呈圓筒形，雙電極并列設(shè)置時呈半圓形或新月形，四電極并列設(shè)置時呈四分之一圓形、新月形、角鐵形或圓筒形。[0021]再進(jìn)一步，所述的高頻電磁場電極、高壓靜電場電極均與相應(yīng)電氣模塊的正極連接；輔機(jī)機(jī)殼與電氣模塊負(fù)極連接，并通過底座實現(xiàn)機(jī)殼接地。[0022]優(yōu)選地，所述的高頻電磁發(fā)生模塊由壓控振蕩源、驅(qū)動級、功放輸出級、穩(wěn)壓電源組成，其中，壓控振蕩源既能通過連續(xù)可調(diào)電阻器在設(shè)備安裝時對RC常數(shù)實現(xiàn)手動粗調(diào)， 又能通過變?nèi)荻O管在運行過程中對RC常數(shù)實現(xiàn)自動微調(diào)；功放輸出級可以是一路輸出， 也可以是兩路輸出，還可以是四路輸出。[0023]優(yōu)選地，所述的高壓靜電發(fā)生模塊由初級電壓調(diào)控電路、振蕩升壓電路和倍壓整流電路組成，其中，初級電壓調(diào)控電路既能通過連續(xù)可調(diào)變壓器在設(shè)備安裝時實現(xiàn)手動粗調(diào)，又能通過可控硅元件在運行過程中實現(xiàn)自動微調(diào)。[0024]一般地，所述的電導(dǎo)率感應(yīng)電極能接收水中的離子濃度信息，并能通過傳感回路將該信息反饋給智能控制模塊。[0025]限定地，所述的智能分析控制模塊的芯片中貯存著對應(yīng)于各種水質(zhì)特征的調(diào)控數(shù)據(jù)，能將 傳感系統(tǒng)反饋的電導(dǎo)率信號轉(zhuǎn)化成適宜的調(diào)控電壓，分別加載于高頻電磁發(fā)生模塊的振蕩源和高壓靜電發(fā)生模塊的初級電壓調(diào)控電路的調(diào)控元件，從而自動調(diào)節(jié)高頻電磁發(fā)生模塊的輸出頻率和高壓靜電發(fā)生模塊的輸出電壓。[0026]必要地，所述的輔機(jī)的進(jìn)水口連接管上設(shè)有補水閥；所述的輔機(jī)的底部設(shè)有集污池和排污閥。[0027](三)能產(chǎn)生的有益效果[0028]與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，這種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，具有一些顯著而可靠的有益效果第一，通過外置調(diào)控元件可以根據(jù)用戶水質(zhì)條件和使用環(huán)境在設(shè)備安裝時設(shè)定輸出頻率與輸出電壓的基準(zhǔn)水平，保證了防垢除垢的可靠性;第二，電導(dǎo)率感應(yīng)電極及智能分析控制模塊能準(zhǔn)確地動態(tài)地調(diào)整不同運行狀態(tài)下的有效振蕩頻率和輸出電壓，能確保防垢除垢的時效性。第三，將高頻電磁場電極、高壓靜電場電極分別垂直地設(shè)置在L型管腔的長臂和短臂，能避免高頻電磁場與高壓靜電場之間的相互干擾，更好地發(fā)揮二者的協(xié)同、互補作用。第四，在鈦或鈦合金電極朝外的一面鍍上鉬或釕，能確保電極的穩(wěn)定耐用，不以犧牲陽極為代價；第五，環(huán)型或類環(huán)型的水流通道，既能保證被處理水充分地受到電磁場作用，又能保證循環(huán)水在流量、流速方面的均衡，避免湍流引起的負(fù)面效應(yīng)。同時，通過加大水流通徑減小因設(shè)置電極帶來的水阻，能減輕水流對電極的沖擊。第六，集污池和排污閥的設(shè)置，能及時排除沉降到處理器底部的絮狀水渣；第七，通過補水閥門能及時補充因排污而流失的水分，維持循環(huán)水量的相對穩(wěn)定。
[0029]圖1為本實用新型主機(jī)的電氣模塊框圖。[0030]圖2為本實用新型輔機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖。[0031]圖3為實施例一的高頻電磁發(fā)生模塊電路圖。[0032]圖4為實施例一的高壓靜電發(fā)生模塊電路圖。[0033]圖5為電導(dǎo)率傳感及智能控制框圖。[0034]圖6為單獨設(shè)置的圓筒狀電極示意圖。[0035]圖7為并列設(shè)置的2支半圓形電極示意圖。[0036]圖8為并列設(shè)置的2支新月形電極示意圖。[0037]圖9為并列設(shè)置的4支角鐵形電極示意圖。[0038]圖10為并列設(shè)置的4支四分之一圓形電極示意圖。[0039]圖11為并列設(shè)置的4支新月形電極示意圖。[0040]圖12為并列設(shè)置的4支圓筒形電極示意圖。圖中，Al、智能控制模塊;A2、高頻電磁發(fā)生模塊;A3、高壓靜電發(fā)生模塊；B1、水處理管腔;B2、出水口大小頭連接管；B3、高壓靜電場電極；B4、橫向絕緣子；B5、支承架；B6、縱向絕緣子；B7、高頻電磁場電極；B8、集污池；B9、排污閥；B10、底座；B11、進(jìn)水口連接管； B12、補水閥；B13、電導(dǎo)率感應(yīng)電極；B14、電極電纜；B15、電氣接線盒。
具體實施方式
[0042]接下來參照說明書附圖對本實用新型作以下詳細(xì)地說明。[0043]實施例一[0044]一種四通道的智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，包括主機(jī)和輔機(jī)，其特征在于所述的主機(jī)是由標(biāo)準(zhǔn)工控機(jī)箱和安裝在其中的智能控制模塊Al、高頻電磁發(fā)生模塊A2、高壓靜電發(fā)生模塊A3組成的電控裝置；所述的輔機(jī)是由水處理管腔BI及其內(nèi)部設(shè)置的電導(dǎo)率感應(yīng)電極B13、高頻電磁場電極B7、高壓靜電場電極B3和進(jìn)水口連接管BI1、出水口大小頭連接管B2、集污池B8、排污閥B9、補水閥B12、底座BIO構(gòu)成的水處理裝置；主機(jī)與輔機(jī)通過同軸電纜經(jīng)設(shè)置在輔機(jī)外殼的電氣接線盒B15實現(xiàn)電連接。參見圖1與圖2。[0045]所述的水處理管腔BI呈L型，其長臂內(nèi)沿軸線通過支承架B5經(jīng)絕緣設(shè)有四支高頻電磁場電極B7，短臂內(nèi)沿軸線通過支承架經(jīng)絕緣設(shè)有一支高壓靜電場電極B3，頂部經(jīng)絕緣設(shè)有一支電導(dǎo)率感應(yīng)電極B13。[0046]所述的高頻電磁場電極B7、高壓靜電場電極B3均為鈦合金，且外表面鍍有鉬層或釕層，其中，一支獨設(shè)置的高壓靜電場電極B3為圓筒形，四支并列設(shè)置的高頻電磁場電極 B7可以是四分之一圓形，也可以是新月形，還可以是角鐵形或圓筒形，若是四分之一圓形電極，則應(yīng)鑲嵌在非金屬內(nèi)芯之上。具體情形如圖9-圖12。[0047]所述的高頻電磁場電極B7、高壓靜電場電極B3均與相應(yīng)電氣模塊的正極連接；輔機(jī)機(jī)殼與電氣模塊負(fù)極連接，并通過底座BlO實現(xiàn)機(jī)殼接地。[0048]所述的高頻電磁發(fā)生模塊A2由壓控振蕩源、驅(qū)動級、功放輸出級、穩(wěn)壓電源組成。 壓控振蕩源采用分立元件搭成的多諧振蕩器，兩只晶體管的集電極輸出分別至兩路驅(qū)動級的輸入端，調(diào)整振蕩源的RC常數(shù)，可改變輸出頻率，頻率調(diào)整范圍大于1MHz。具體調(diào)節(jié)方式是既能通過連續(xù)可調(diào)電阻器在設(shè)備安裝時對RC常數(shù)實現(xiàn)手動粗調(diào)，又能通過變?nèi)荻O管在運行過程中對RC常數(shù)實現(xiàn)自動微調(diào)。兩路驅(qū)動級電路結(jié)構(gòu)相同，均由兩極互補的推挽電路構(gòu)成，兩路驅(qū)動級輸出的方波信號極性相反，兩對功率MOSFET管交替工作。功放輸出級是由四對功率MOSFET管子構(gòu)成的四聯(lián)體結(jié)構(gòu)相同的推挽放大電路，大功率高頻信號通過緊耦合的變換器輸出。功率MOSFET管的G與S極間的過壓保護(hù)電路是起相位作用的肖特二極管，輸出級的另一耦合支路由L、R、C、D和LED構(gòu)成的工作指示電路。電路概況如圖3。[0049]所述的高壓靜電發(fā)生模塊A3由初級電壓調(diào)控電路、振蕩升壓電路和倍壓整流電路組成。初級電壓調(diào)控電路既能通過連續(xù)可調(diào)變壓器在設(shè)備安裝時實現(xiàn)手動粗調(diào)，又能通過可控硅元件在運行過程中實現(xiàn)自動微調(diào)。振蕩升壓電路由電阻R1-R3、電容C1-C3、晶閘管子VT1-VT3、二極管VD1-VD6和升壓變壓器T1-T3組成。倍壓整流電路由二極管VD7-VD16 和電容C4-C13組成。電路概況如圖4。[0050]所述的電導(dǎo)率感應(yīng)電極B13能接收水中的離子濃度信息，并能通過傳感回路將該信息反饋給智能控制模塊Al。傳導(dǎo)原理如圖5。[0051]所述的智能分析控制模塊Al的芯片中貯存著對應(yīng)于各種水質(zhì)特征的調(diào)控數(shù)據(jù)， 能將傳感系統(tǒng)反饋的電導(dǎo)率信號轉(zhuǎn)化成適宜的調(diào)控電壓，分別加載于高頻電磁發(fā)生模塊A2 的振蕩源和高壓靜電發(fā)生模塊A3的初級電壓調(diào)控電路的調(diào)控元件，從而在線調(diào)節(jié)高頻電磁發(fā)生 模塊A2的輸出頻率和聞壓靜電發(fā)生模塊A3的輸出電壓。[0052]所述的輔機(jī)的進(jìn)水口連接管Bll上設(shè)有補水閥B12 ;所述的輔機(jī)的底部設(shè)有集污池B8和排污閥B9。[0053]此實施例適用于超大流量的高硬度循環(huán)水系統(tǒng)，特別適用于集中供熱站的大型熱交換器，以及火力發(fā)電廠復(fù)水器的循環(huán)冷卻水系統(tǒng)。[0054]實施例二 [0055]一種雙通道的智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其技術(shù)方案與實施例一基本一致，所不同的是主機(jī)的高頻電磁發(fā)生模塊A3中只有一路驅(qū)動級和兩路功放輸出級；輔機(jī)中并列設(shè)置兩個高頻電磁場電極B7，其結(jié)構(gòu)形式可以是半圓形的，也可以是新月形的，具體情況如圖7、圖8。[0056]本實施例適用于大流量高硬度循環(huán)水，可廣泛應(yīng)用于火電熱電、集中供熱、鋼鐵冶金、石油化工、輕工印染等熱能動力領(lǐng)域。[0057]實施例三[0058]—種單通道的智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器,其技術(shù)方案與實施例一基本上相同， 所不同的是主機(jī)的高頻電磁發(fā)生模塊A3中只有一路驅(qū)動級和一路功放輸出級；輔機(jī)中只設(shè)有一個高頻電磁場電極B7，其結(jié)構(gòu)形式為圓形，具體情況如圖6。[0059]本實施例適用于大中流量高硬度循環(huán)水，可廣泛應(yīng)用于火電熱電、集中供熱、鋼鐵冶金、石油化工、輕工印染、城市供水系統(tǒng)及污水處理系統(tǒng)。[0060]以上所述實施例，只是本實用新型優(yōu)先選用的實施方式，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范 圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，包括主機(jī)和輔機(jī)，其特征在于所述的主機(jī)是由標(biāo)準(zhǔn)工控機(jī)箱和安裝在其中的智能分析控制模塊(Al)、高頻電磁發(fā)生模塊(A2)、高壓靜電發(fā)生模塊(A3)組成的電控裝置；所述的輔機(jī)是由水處理管腔(BI)及其內(nèi)部設(shè)置的電導(dǎo)率感應(yīng)電極(B13)、高頻電磁場電極(B7)、高壓靜電場電極(B3)和進(jìn)水口連接管(B11)、出水口大小頭連接管(B2)、集污池(B8)、排污閥(B9)、補水閥(B12)、底座(BlO)構(gòu)成的水處理裝置；主機(jī)與輔機(jī)通過同軸電纜經(jīng)設(shè)置在輔機(jī)外殼的電氣接線盒(B14)實現(xiàn)電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的水處理管腔(BI)呈L型，其長臂內(nèi)沿軸線通過支承架(B5)經(jīng)絕緣至少設(shè)有一支高頻電磁場電極(B7)，短臂內(nèi)沿軸線通過支承架(B5)經(jīng)絕緣至少設(shè)有一支高壓靜電場電極(B3)，頂部經(jīng)絕緣設(shè)有一支電導(dǎo)率感應(yīng)電極(B13)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的高頻電磁場電極(B7)、高壓靜電場電極(B3)的均為鈦或鈦合金，且外表面鍍有鉬層或釕層，其構(gòu)造形式因電極數(shù)目而異，單電極獨立設(shè)置時呈圓筒形，雙電極并列設(shè)置時呈半圓形或新月形，四電極并列設(shè)置時呈四分之一圓形、新月形、角鐵形或圓筒形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的高頻電磁場電極(B7)、高壓靜電場電極(B3)均與相應(yīng)電氣模塊的正極連接；輔機(jī)機(jī)殼與電氣模塊負(fù)極連接，并通過底座(BlO)實現(xiàn)機(jī)殼接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的高頻電磁發(fā)生模塊(A2)由壓控振蕩源、驅(qū)動級、功放輸出級、穩(wěn)壓電源組成，其中，壓控振蕩源既能通過連續(xù)可調(diào)電阻器在設(shè)備安裝時對RC常數(shù)實現(xiàn)手動粗調(diào)，又能通過變?nèi)荻O管在運行過程中對RC常數(shù)實現(xiàn)自動微調(diào)；功放輸出級可以是單通道的，也可以是雙通道的，還可以是四通道的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的高壓靜電發(fā)生模塊(A3)由初級電壓調(diào)控電路、振蕩升壓電路和倍壓整流電路組成，其中，初級電壓調(diào)控電路既能通過連續(xù)可調(diào)變壓器在設(shè)備安裝時實現(xiàn)手動粗調(diào)，又能通過可控硅元件在運行過程中實現(xiàn)自動微調(diào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的電導(dǎo)率感應(yīng)電極(B13)能接收水中的離子濃度信息，并能通過傳感回路將該信息反饋給智能控制模塊(Al)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的智能分析控制模塊(Al)的芯片中貯存著對應(yīng)于各種水質(zhì)特征的調(diào)控數(shù)據(jù)，能將傳感系統(tǒng)反饋的電導(dǎo)率信號轉(zhuǎn)化成適宜的調(diào)控電壓，分別加載于高頻電磁發(fā)生模塊(A2)的振蕩源和高壓靜電發(fā)生模塊(A3)的初級電壓調(diào)控電路的調(diào)控元件，從而在線調(diào)節(jié)高頻電磁發(fā)生模塊 (A2)的輸出頻率和高壓靜電發(fā)生模塊(A3)的輸出電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，其特征在于所述的輔機(jī)的進(jìn)水口連接管(Bll)上設(shè)有補水閥(B12);所述的輔機(jī)的底部設(shè)有集污池(B8)和排污閥 (B9)。
專利摘要本實用新型公開了一種智能調(diào)控式復(fù)合場水處理器，包括主機(jī)和輔機(jī)，所述的主機(jī)是由標(biāo)準(zhǔn)工控機(jī)箱和安裝在其中的智能分析控制模塊(A1)、高頻電磁發(fā)生模塊(A2)、高壓靜電發(fā)生模塊(A3)組成的電控裝置；所述的輔機(jī)是由水處理管腔(B1)及其內(nèi)部設(shè)置的電導(dǎo)率感應(yīng)電極(B13)、高頻電磁場電極(B7)、高壓靜電場電極(B3)和進(jìn)水口連接管(B11)、出水口大小頭連接管(B2)、集污池(B8)、排污閥(B9)、補水閥(B12)、底座(B10)構(gòu)成的水處理裝置；主機(jī)與輔機(jī)通過同軸電纜經(jīng)設(shè)置在輔機(jī)外殼的電氣接線盒(B14)實現(xiàn)電連接。本實用新型巧妙解決了高頻電磁場和高壓靜電場相互干擾及場能分布不均的問題，能根據(jù)用戶水質(zhì)條件和運行環(huán)境隨時調(diào)整電氣模塊的輸出頻率和輸出電壓，能充分發(fā)揮高頻電磁場和高壓靜電場的阻垢除垢效應(yīng)。
文檔編號C02F1/48GK202849133SQ20122040298
公開日2013年4月3日 申請日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月15日
發(fā)明者羅招全 申請人:羅招全