專利名稱：一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器技術(shù)領(lǐng)域：
[0001]本實(shí)用新型涉及一種水處理裝置，特別是一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理裝置。背景技術(shù)：
[0002]目前利用高頻電磁場處理水的裝置有螺線管式和電極式兩種，尚未見到利用高頻旋轉(zhuǎn)磁場處理水的技術(shù)和產(chǎn)品，更沒有見到將高頻旋轉(zhuǎn)磁場和輻射狀的高頻電磁場復(fù)合在一起的水處理裝置。
發(fā)明內(nèi)容[0003](一 )要解決的技術(shù)問題[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種基于可控式高頻電磁信號發(fā)生技術(shù)和三相異步電機(jī)原理的高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理裝置。[0005]( 二)所采用的技術(shù)方案[0006]由于水是一種離子型導(dǎo)體，具有良好的導(dǎo)電性能，這就決定了外部電磁場對它的可作用性，使得我們能夠用施加外部磁場、電場的方式改變水分子的極化程度，也能夠借助洛侖茲力、庫侖力影響溶質(zhì)離子的運(yùn)動行為，加大正負(fù)離子相遇、碰撞及吸附的幾率，進(jìn)而影響其在高溫環(huán)境中的析晶過程，達(dá)到阻垢、除垢、防銹、緩蝕、殺菌、滅藻等目的。[0007]又因?yàn)樗堑湫偷牧黧w，能在壓力的推動下流過任意形狀的通道，我們可以使其在順利通過由環(huán)型電磁陣列和柱狀電極造成的環(huán)形通道的過程中，均勻而充分地受到旋轉(zhuǎn)磁場和輻射狀電磁場的雙重作用，并使流體動力、重力、向心力、洛侖茲力、庫侖力同時作用于水體，能夠進(jìn)一步加強(qiáng)處理效果。[0008]就目前的電子技術(shù)水平而言，我們可以通過變?nèi)荻O管、可變電阻等電子元件以手動和自動方式改變高頻電磁信號發(fā)生器的輸出頻率和輸出功率，在水處理器中產(chǎn)生一個轉(zhuǎn)速和場強(qiáng)連續(xù)可調(diào)的空間旋轉(zhuǎn)磁場，并利用此高速旋轉(zhuǎn)磁場來處理流經(jīng)其間的水流，以期望更進(jìn)一步地強(qiáng)化有關(guān)效應(yīng)。[0009]基此種種，本實(shí)用新型選定如下技術(shù)方案[0010]—種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器,包括外殼、環(huán)型電磁陣列、水處理室、電磁場發(fā)射電極和高頻信號發(fā)生器，其特征在于所述的外殼由筒體和兩個端蓋組成；所述的環(huán)型電磁陣列由環(huán)型鐵芯、線圈繞組、絕 緣襯片、磁性槽楔組成；所述的水處理室為薄壁無縫的非鐵金屬管件，其內(nèi)沿軸線通過支承架、前絕緣套管、后絕緣套管設(shè)有一個電磁場發(fā)射電極，高頻信號發(fā)生器的輸出導(dǎo)線穿過外殼和水處理室的管壁與電磁場發(fā)射電極實(shí)現(xiàn)電連接；所述的水處理室的兩端分別連接有進(jìn)水口大小頭連接管和出水口大小頭連接管，環(huán)型電磁陣列固定在水處理室的外壁，外殼通過聯(lián)接裝置與水處理室外壁密封連接。[0011]進(jìn)一步，所述的環(huán)型電磁陣列的環(huán)型鐵芯沿軸向設(shè)有12η個嵌線槽，其中，η = 1， 2,3,……，且槽口朝向外圓周；所述的線圈繞組嵌于環(huán)型鐵芯的線槽內(nèi)或繞在槽齒上，并在環(huán)型鐵芯和線圈繞組之間鋪設(shè)絕緣襯片；完成嵌線或繞線的環(huán)型鐵芯的槽口用磁性槽楔封閉。[0012]進(jìn)一步，所述的磁性槽楔4的橫截面為三角形，裝配時在與線圈、槽齒的接觸面上全部涂膠。[0013]更進(jìn)一步，所述環(huán)型電磁陣列的線圈繞組為內(nèi)三角外星形接線，線圈繞組接線的每條支路由互差180°電角度的二相繞組構(gòu)成，共十二相繞組，這十二相繞組互差30°電角度構(gòu)成對稱的十二相繞組結(jié)構(gòu)，線圈繞組的引出線頭經(jīng)絕緣與電氣接線盒實(shí)現(xiàn)電連接。[0014]進(jìn)一步，所述的電磁場發(fā)射電極為鈦或鈦合金圓管，其外面鍍有鉬層或釕層。[0015]進(jìn)一步，所述的高頻信號輸出導(dǎo)線(5)為同軸電纜。[0016]進(jìn)一步，所述的高頻信號發(fā)生器設(shè)有四路功放輸出，其中的三路輸出為環(huán)型電磁陣列的三相繞組提供信號源，另一路輸出為高頻電磁場發(fā)射電極提供信號源。[0017]更進(jìn)一步，所述的通入環(huán)形電磁陣列的三路高頻信號頻率相同；其與通入電磁場發(fā)射電極的高頻信號的頻率可以相同，也可以不同。[0018]進(jìn)一步,所述的前絕緣套管的前端設(shè)有錐形分流梭。[0019]進(jìn)一步，所述的外殼的筒體沿軸向設(shè)有若干散熱翼和加強(qiáng)筋。[0020](三)能產(chǎn)生的有益效果[0021 ] 與現(xiàn)有的高頻電磁場水處理裝置相比，本實(shí)用新型具有以下顯著而可靠的有益效果一是電磁場分布均勻，能使水流受到充分的作用；二是能根據(jù)水質(zhì)條件和運(yùn)行環(huán)境隨時調(diào)節(jié)電磁場的頻率和強(qiáng)度，增加水處理的針對性和有效性；三是能使多種力量同時作用于水體，使其物理性質(zhì)發(fā)生廣泛而深刻的變化。
[0022]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；[0023]圖2為環(huán)型電磁陣列鐵芯的徑向截面圖?！0024]圖中，1、夕卜殼；2、環(huán)型電磁陣列；3、水處理室；4、電磁場發(fā)射電極；5、高頻信號輸出導(dǎo)線；6、高頻信號發(fā)生器；7、后絕緣套管；8、進(jìn)水口大小頭連接管；9、聯(lián)接法蘭；10、支承架；11、前絕緣套管；12、環(huán)形水流通道；13、底座；14、聯(lián)接裝置；15、出水口大小頭連接管。
具體實(shí)施方式
[0025]接下來結(jié)合圖1、圖2對本實(shí)用新型作以下詳細(xì)說明。[0026]實(shí)施例一[0027]—種24槽的高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器,包括外殼1、環(huán)型電磁陣列2、水處理室3、電磁場發(fā)射電極4和高頻信號發(fā)生器6，其特征在于所述的外殼I由筒體和兩個端蓋組成； 所述的環(huán)型電磁陣列2由環(huán)型鐵芯2-1、線圈繞組2-2、絕緣襯片2-3、磁性槽楔2-4組成；所述的水處理室3為薄壁無縫的不銹鋼管，其內(nèi)沿軸線通過支承架10、前絕緣套管11、后絕緣套管7設(shè)有一個電磁場發(fā)射電極4,高頻信號發(fā)生器6的輸出導(dǎo)線穿過外殼I和水處理室3 的管壁與電磁場發(fā)射電極4實(shí)現(xiàn)電連接；所述的水處理室3的兩端分別連接有進(jìn)水口大小頭連接管8和出水口大小頭連接管15，環(huán)型電磁陣列2固定在水處理室3的外壁，外殼通過聯(lián)接裝置14與水處理室3外壁密封連接。所述的環(huán)型電磁陣列的環(huán)型鐵芯2-1沿軸向設(shè)有24個嵌線槽，且槽口朝向外圓周；所述的線圈繞組2-2嵌于環(huán)型鐵芯2-1的線槽內(nèi)或繞在槽齒上，并在環(huán)型鐵芯2-1和線圈繞組2-2之間鋪設(shè)絕緣襯片2-3 ;完成嵌線或繞線的環(huán)型鐵芯2-1的槽口用磁性槽楔2-4封閉。所述的磁性槽楔4的橫截面為三角形，裝配時在與線圈、槽齒的接觸面上全部涂膠。所述環(huán)型電磁陣列2的線圈繞組2-2為內(nèi)三角外星形接線，線圈繞組2-2接線的每條支路由互差180°電角度的二相繞組構(gòu)成，共十二相繞組， 這十二相繞組互差30°電角度構(gòu)成對稱的十二相繞組結(jié)構(gòu)，線圈繞組2-2的引出線頭經(jīng)絕緣與電氣接線盒5實(shí)現(xiàn)電連接。所述的電磁場發(fā)射電極4為鈦合金圓管，其外面鍍有鉬層。 所述的高頻信號輸出導(dǎo)線(5)為同軸電纜。所述的高頻信號發(fā)生器6設(shè)有四路功放輸出， 其中的三路輸出為環(huán)型電磁陣列2的三相繞組提供信號源，另一路輸出為高頻電磁場發(fā)射電極4提供信號源。所述的通入環(huán)形電磁陣列2的三路高頻信號頻率相同，其與通入電磁場發(fā)射電極4的高頻信號的頻率相同。所述的前絕緣套管11的前端設(shè)有錐形分流梭。所述的外殼I的筒體沿軸向設(shè)有若干散熱翼和加強(qiáng)筋。[0028]實(shí)施例二 [0029]一種48槽的高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一基本一致，所不同是除環(huán)型電磁陣列的環(huán)型鐵芯2-1沿軸向設(shè)有48個嵌線槽；水處理室3為薄壁鋁合金管件；電磁場發(fā)射電極4為鈦質(zhì)圓管且外面鍍有釕層；通入電磁陣列2的三路高頻信號頻率相同，但與通入電磁場發(fā)射電極4的高頻信號的頻率不同。[0030]以上所述實(shí)施例，只是本實(shí)用新型優(yōu)先選用的兩種實(shí)施方式，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方 案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，包括外殼(I)、環(huán)型電磁陣列(2)、水處理室(3)、電磁場發(fā)射電極(4)和高頻信號發(fā)生器￠)，其特征在于所述的外殼(I)由筒體和兩個端蓋組成；所述的環(huán)型電磁陣列(2)由環(huán)型鐵芯(2-1)、線圈繞組(2-2)、絕緣襯片(2-3)、磁性槽楔(2-4)組成；所述的水處理室(3)為薄壁無縫的非鐵金屬管件，其內(nèi)沿軸線通過支承架(10)、前絕緣套管(11)、后絕緣套管(7)設(shè)有一個電磁場發(fā)射電極(4)，高頻信號輸出導(dǎo)線 (5)穿過外殼⑴和水處理室(3)的管壁與電磁場發(fā)射電極⑷實(shí)現(xiàn)電連接；所述的水處理室(3)的兩端分別連接有進(jìn)水口大小頭連接管(8)和出水口大小頭連接管(15)，環(huán)型電磁陣列(2)固定在水處理室(3)的外壁，外殼通過聯(lián)接裝置(14)與水處理室(3)外壁密封連接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的環(huán)型電磁陣列的環(huán)型鐵芯(2-1)沿軸向設(shè)有12η個嵌線槽，其中，η = 1，2，3，……，且槽口朝向外圓周； 所述的線圈繞組(2-2)嵌于環(huán)型鐵芯(2-1)的線槽內(nèi)或繞在槽齒上，并在環(huán)型鐵芯(2-1) 和線圈繞組(2-2)之間鋪設(shè)絕緣襯片(2-3);完成嵌線或繞線的環(huán)型鐵芯(2-1)的槽口用磁性槽楔(2-4)封閉。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的磁性槽楔(4)的橫截面為三角形，裝配時在與線圈、槽齒的接觸面上全部涂膠。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述環(huán)型電磁陣列(2)的線圈繞組(2-2)為內(nèi)三角外星形接線，線圈繞組(2-2)接線的每條支路由互差 180°電角度的二相繞組構(gòu)成，共十二相繞組，這十二相繞組互差30°電角度構(gòu)成對稱的十二相繞組結(jié)構(gòu)，線圈繞組(2-2)的引出線頭經(jīng)絕緣與電氣接線盒(5)實(shí)現(xiàn)電連接。
5.如權(quán)利要求1所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的電磁場發(fā)射電極(4)為鈦或鈦合金圓管，其外面鍍有鉬層或釕層。
6.如權(quán)利要求1所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的高頻信號輸出導(dǎo)線(5)為同軸電纜。
7.如權(quán)利要求1所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的高頻信號發(fā)生器(6)設(shè)有四路功放輸出，其中的三路輸出為環(huán)型電磁陣列(2)的三相繞組提供信號源， 另一路輸出為高頻電磁場發(fā)射電極(4)提供信號源。
8.如權(quán)利要求1所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的通入環(huán)型電磁陣列(2)的三路高頻信號頻率相同，其與通入電磁場發(fā)射電極(4)的高頻信號的頻率可以相同，也可以不同。
9.如權(quán)利要求1所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的前絕緣套管(11)的前端設(shè)有錐形分流梭。
10.如權(quán)利要求1所述的一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，其特征在于所述的外殼(I)的筒體沿軸向設(shè)有若干散熱翼和加強(qiáng)筋。
專利摘要一種高頻旋轉(zhuǎn)磁場水處理器，包括外殼、環(huán)型電磁陣列、水處理室、電磁場發(fā)射電極和高頻信號發(fā)生器，其特征在于所述的外殼由筒體和兩個端蓋組成；所述的環(huán)型電磁陣列由環(huán)型鐵芯、線圈繞組、絕緣襯片、磁性槽楔組成；所述的水處理室為薄壁無縫的非鐵金屬管件，其內(nèi)沿軸線通過支承架經(jīng)絕緣設(shè)有一個電磁場發(fā)射電極；高頻信號發(fā)生器的輸出導(dǎo)線穿過外殼和水處理室的管壁與電磁場發(fā)射電極實(shí)現(xiàn)電連接；所述的水處理室的兩端分別連接有進(jìn)水口大小頭連接管和出水口大小頭連接管；環(huán)型電磁陣列固定在水處理室的外壁，外殼通過聯(lián)接裝置與水處理室外壁密封連接。本實(shí)用新型將環(huán)型旋轉(zhuǎn)磁場和軸心輻射電磁場組合在一起，場能分布均勻，能使水流受到充分的作用。
文檔編號C02F1/48GK202849132SQ201220402938
公開日2013年4月3日 申請日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月15日
發(fā)明者羅招全 申請人:羅招全