專利名稱：電子組件破壞裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品銷毀設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種電子組件破壞裝置。
背景技術(shù)：
可攜式存儲(chǔ)設(shè)備，諸如隨身碟、行動(dòng)硬盤，帶給現(xiàn)代人諸多訊息傳遞與儲(chǔ)存上的方便。舉具有體積小、重量輕、可熱拔插優(yōu)點(diǎn)之隨身碟為例，其外型通常具有塑料或金屬外殼與一突出于該外殼的USB連接頭，該USB連接頭是為一磁性物質(zhì)，故可透過(guò)具有磁力的物質(zhì)吸引該USB連接頭。隨著可攜式存儲(chǔ)設(shè)備的容量不斷擴(kuò)增，單一個(gè)可攜式存儲(chǔ)設(shè)備即儲(chǔ)存有大量的信息，當(dāng)該些被儲(chǔ)存的信息需要被徹底銷毀時(shí)，僅以計(jì)算機(jī)的操作是統(tǒng)進(jìn)行刪除并不符合特殊的保密需求，因?yàn)楝F(xiàn)今已有許多將已刪除之檔案復(fù)原的方法。有鑒于此，現(xiàn)有技術(shù)公開有多種將存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)徹底銷毀的方法，且該方法大致可分為機(jī)械式破壞或非機(jī)械式破壞兩種。其中，非機(jī)械式破壞，如美國(guó)第US 7，852，590號(hào)專利案所示，其是將一存儲(chǔ)設(shè)備暴露于一微波能量的高磁場(chǎng)之中，以徹底消除任何可能存在于存儲(chǔ)設(shè)備的信息。至于機(jī)械式破壞方式，如美國(guó)第US 2010/0294865號(hào)公開專利案所示，其是利用一施壓臂將存儲(chǔ)設(shè)備抵頂于一高速旋轉(zhuǎn)的砂輪表面，該砂輪將該存儲(chǔ)設(shè)備徹底磨碎成小顆粒，使該存儲(chǔ)設(shè)備無(wú)法再行組裝。另一種機(jī)械式破壞方式，如美國(guó)第2011/0252934號(hào)公開專利案所示，其先利用一夾持設(shè)備固定一存儲(chǔ)設(shè)備，再利用一切割設(shè)備將該存儲(chǔ)設(shè)備切割成多個(gè)小塊，以徹底破懷該存儲(chǔ)設(shè)備的結(jié)構(gòu)。如前所述的前案皆是用以破壞體積較大的行動(dòng)硬盤，并無(wú)法適用于破壞小體積的隨身碟，且該些前案的構(gòu)件復(fù)雜與成本高昂，亦無(wú)法執(zhí)行大規(guī)模的銷毀作業(yè)，因此，仍具有多個(gè)尚待改進(jìn)的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種成本低廉，并可大規(guī)模銷毀小型電子組件的破壞裝置。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種電子組件破壞裝置，包括傳遞單元和破壞單元，所述傳遞單元包括有一放置多個(gè)電子組件的收集平面、至少一相對(duì)該收集平面旋轉(zhuǎn)而形成有一輸送路徑的挑揀臂、一連接該收集平面且于該輸送路徑擋止電子組件繼續(xù)移動(dòng)的阻擋部、以及一位于阻擋部旁側(cè)用于電子組件脫離所述輸送路徑的釋放通道，該挑揀臂包括有一沿該輸送路徑位移的用于磁吸電子組件的磁吸部，當(dāng)電子元件受到阻擋部的阻擋時(shí)，電子元件與磁吸部脫離并落入釋放通道內(nèi)；所述破壞單元設(shè)置于釋放通道的下方，該破壞單元包括有多個(gè)切割組件，相鄰切割組件之間形成與釋放通道相通的切割路徑，電子組件從釋放通道離開后進(jìn)入到該切割路徑。優(yōu)選的，所述收集平面與水平面之間具有便于集中電子組件的傾斜角度，該傾斜角度為15°至35°。
其中，所述傳遞單元包括有一穿設(shè)所述收集平面且垂直于該收集平面的轉(zhuǎn)軸，以及一驅(qū)動(dòng)該轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)的電動(dòng)馬達(dá)，該轉(zhuǎn)軸連動(dòng)該挑揀臂旋轉(zhuǎn)而形成一平行于該收集平面的旋轉(zhuǎn)平面。其中，所述傳遞單元包括有一穿設(shè)該收集平面且相對(duì)于該收集平面之法向量具有一偏離角度的轉(zhuǎn)軸，以及一驅(qū)動(dòng)該轉(zhuǎn)軸的電動(dòng)馬達(dá)，該轉(zhuǎn)軸連動(dòng)該挑揀臂旋轉(zhuǎn)而形成一相對(duì)該收集平面傾斜的旋轉(zhuǎn)平面；所述偏離角度為5°至25°。其中，所述傳遞單元包括有一連接該阻擋部且環(huán)設(shè)于該收集平面的側(cè)壁。其中，所述磁吸部的材質(zhì)為鐵、鈷、鎳、鐵化鈷(CoFe )、鐵化鎳(N i Fe )、鉬化鈷(CoPt)、鐵硼化鈷(CoFeB)中的一種或兩種以上的混合物；
或者所述磁吸部的材質(zhì)為鐵的氧化物、鈷的氧化物、鎳、鐵化鈷的氧化物、鐵化鎳的氧化物、鉬化鈷的氧化物、鐵硼化鈷的氧化物中的一種或兩種以上的混合物。其中，所述破壞單元包括有一驅(qū)動(dòng)該些切割組件的電動(dòng)馬達(dá)。進(jìn)一步，電子組件破壞裝置還包括有一相對(duì)應(yīng)設(shè)置于該切割路徑的回收單元。更進(jìn)一步，電子組件破壞裝置還包括有一設(shè)置于該傳遞單元與該回收單元之間用于容置所述破壞單元的中間殼體，該中間殼體開設(shè)有與所述切割路徑相對(duì)應(yīng)的排出口。本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明提供了一種電子組件破壞裝置，包括傳遞單元和破壞單元，本發(fā)明電子組件破壞裝置利用該傳遞單元的磁吸部將多個(gè)電子組件依次傳送至該破壞單元，該破壞單元再利用多個(gè)切割組件將該電子組件破壞，因?yàn)樗龃盼垦刂鲚斔吐窂街貜?fù)移動(dòng)，故經(jīng)過(guò)一段時(shí)間即可把所有放置于該收集平面的電子裝置以磁吸的方式帶動(dòng)至所述破壞單元進(jìn)行破壞，故本發(fā)明電子組件破壞裝置可自動(dòng)化的破壞大量電子組件，節(jié)省大量的人力與成本，實(shí)用性強(qiáng)。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例一的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例一的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例一的左視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例一的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本發(fā)明實(shí)施例二的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實(shí)施例與附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明，實(shí)施方式提及的內(nèi)容并非對(duì)本發(fā)明的限定。如圖1和圖2所示為本發(fā)明實(shí)施例一的外觀立體結(jié)構(gòu)示意圖及主視圖的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，本發(fā)明揭露一種電子組件破壞裝置，主要是利用磁性將電子組件I攜帶至一切割路徑進(jìn)行破壞，故該電子組件I包括有一本體部10與一連接該本體部10的磁性部11，該電子組件I可為通用串行總線(USB)、隨身碟、或無(wú)線接收器，但并不用以限制本發(fā)明，任何具備有磁性物質(zhì)的電子組件皆可適用。該破壞裝置包括有一輸送待處理之電子組件I的傳遞單元2，以及一破壞該待處理之電子組件I的破壞單元3。該傳遞單元2包括有一放置多個(gè)電子組件I的收集平面20、一穿設(shè)該收集平面20的轉(zhuǎn)軸21、一驅(qū)動(dòng)該轉(zhuǎn)軸21的電動(dòng)馬達(dá)26、以及一連接該轉(zhuǎn)軸21且相對(duì)該收集平面20旋轉(zhuǎn)而形成有一輸送路徑220 (見圖4)的挑揀臂22，該挑揀臂22包括有一沿該輸送路徑220位移的用于磁吸電子組件I的磁吸部221，當(dāng)電子元件I受到阻擋部的阻擋時(shí)，電子元件I與磁吸部221脫離并落入釋放通道24內(nèi)；其中，該磁性部11與該磁吸部221的材質(zhì)為鐵、鈷、鎳、鐵化鈷(CoFe )、鐵化鎳(NiFe )、鉬化鈷(CoPt)、鐵硼化鈷(CoFeB)中的一種或兩種以上的混合物；或者該磁性部11與該磁吸部221的材質(zhì)為鐵的氧化物、鈷的氧化物、鎳、鐵化鈷的氧化物、鐵化鎳的氧化物、鉬化鈷的氧化物、鐵硼化鈷的氧化物中的一種或兩種以上的混合物。較佳地，所述收集平面20相對(duì)于一水平面具有一傾斜角度a，故該收集平面20可區(qū)分為一下降區(qū)塊與一連接該下降區(qū)塊的上升區(qū)塊，該電子組件I于該收集平面20受重力的牽引而集中于該收集平面20的下降區(qū)塊，所述傳遞單元包括有一穿設(shè)所述收集平面20且垂直于該收集平面20的轉(zhuǎn)軸21，即該轉(zhuǎn)軸21平行于該收集平面20的法向量，使該轉(zhuǎn)軸21連動(dòng)該挑揀臂22旋轉(zhuǎn)而形成一平行于該收集平面20的旋轉(zhuǎn)平面，該輸送路徑220位于該旋轉(zhuǎn)平面的外周緣，優(yōu)選的實(shí)施方式是該傾斜角度a為20°，當(dāng)然，該傾斜角度a還可以為15°、30°或15°至35°之間的其它任意數(shù)值，可根據(jù)上升區(qū)塊和下降區(qū)塊的大小具體設(shè)定。更進(jìn)一步，見圖1、圖2和圖4，所述傳遞單元2包括有一放置多個(gè)電子組件的收集平面20、至少一相對(duì)該收集平面20旋轉(zhuǎn)而形成有一輸送路徑220的挑揀臂22、一連接該收集平面20且于該輸送路徑220擋止電子組件I繼續(xù)移動(dòng)的阻擋部23、以及一位于阻擋部旁側(cè)用于電子組件I脫離所述輸送路徑220的釋放通道24，以及一連接該阻擋部23且環(huán)設(shè)于該收集平面20的側(cè)壁25。該阻擋部23于該輸送路徑220擋止該本體部10，在本實(shí)施例中，該阻擋部23相對(duì)應(yīng)設(shè)置于該收集平面20的上升區(qū)塊，而該些電子組件I受該側(cè)壁25的限位而不致脫離該收集平面20。見圖3，在本實(shí)施例一中，所述破壞單元3設(shè)置于釋放通道24的下方，該破壞單元3包括有多個(gè)切割組件30，驅(qū)動(dòng)所述切割組件30轉(zhuǎn)動(dòng)的電動(dòng)馬達(dá)32，相鄰切割組件30之間形成與釋放通道24相通的切割路徑31，電子組件I從釋放通道24離開后進(jìn)入到該切割路徑31。更進(jìn)一步，為方便回收經(jīng)過(guò)切割路徑31的電子組件1，本發(fā)明電子組件破壞裝置包括有一相對(duì)應(yīng)設(shè)置于該切割路徑31的回收單元5，該中間殼體4設(shè)置于該傳遞單元2與該回收單元5之間，且該中間殼體4具有一對(duì)應(yīng)該切割路徑30的排出口 41，故，上述電子組件I可通過(guò)該釋放通道24、切割路徑31、以及排出口 41而集中于該回收單元5。見圖4，圖4為本發(fā)明實(shí)施例一進(jìn)行傳遞動(dòng)作時(shí)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖，首先，將多個(gè)電子組件I放置于該收集平面20上，因?yàn)樵撌占矫?0相對(duì)于一水平面具有一傾斜角度a,故該些電子組件I集中于該收集平面20的下降區(qū)塊，接著，該挑揀臂22受該電動(dòng)馬達(dá)26(見圖2)的驅(qū)動(dòng)而相對(duì)該收集平面20旋轉(zhuǎn)，該磁吸部221于該收集平面20吸附該電子組件I的磁性部11，該磁吸部221受該挑揀臂22的帶動(dòng)而沿該輸送路徑220位移至該阻擋部23，由于該本體部10不具有磁性而不受該磁吸部221的吸引，因此，該本體部10會(huì)偏離該輸送路徑220，當(dāng)該本體部10移動(dòng)至該阻擋部23時(shí)，會(huì)受該阻擋部23的阻擋而使該磁性部11脫離該磁吸部221，此時(shí)，如圖3所示，該電子組件I掉落至該釋放通道24而進(jìn)入該切割路徑31中，所述切割組件30受該電動(dòng)馬達(dá)32 (見圖2)驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)，并對(duì)位于切割路徑31中移動(dòng)的電子組件I進(jìn)行切割，使該電子組件I被徹底破壞，最后，被破壞的電子組件
I經(jīng)過(guò)該排出口 41而掉落至該回收單元5，待該回收單元5收集有一定份量后，即可再行集中處理進(jìn)行回收作業(yè)。須注意的是，該磁吸部221吸附該電子組件I的數(shù)量依據(jù)該磁吸部221的磁力而有所變化，本發(fā)明的磁吸部221可吸引一個(gè)電子組件1，但可以根據(jù)吸附數(shù)量的需要設(shè)置磁吸部221的磁力強(qiáng)度。綜上所述，本發(fā)明電子組件破壞裝置是用以破壞具備有磁性部的電子組件，該破壞裝置包括有一傳遞單元以及一破壞單元，該傳遞單元具有一傾斜于水平面的收集平面、一相對(duì)該收集平面旋轉(zhuǎn)而于一輸送路徑吸附該電子組件的磁吸部、以及一于該輸送路徑將該電子組件釋放至一釋放通道的阻擋部，該破壞單元相對(duì)應(yīng)設(shè)置于該釋放通道，以將掉落至該釋放通道的電子組件破壞。采用本發(fā)明的破壞裝置，使用者可將大量的待處理電子組件置放于該傳遞單元內(nèi)，該傳遞單元再以該挑揀臂輸送適當(dāng)數(shù)量的電子組件至該釋放通道，再由該破壞單元破壞該電子組件，本發(fā)明電子組件破壞裝置可自動(dòng)化的破壞大量電子組件，節(jié)省大量的人力與成本，性價(jià)比高，實(shí)用性強(qiáng)。如圖5所示為本發(fā)明實(shí)施例二的主視圖的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，與上述實(shí)施例一的不同之處在于除了該收集平面20相對(duì)于一水平面具有該傾斜角度a外，該轉(zhuǎn)軸21相對(duì)于該收集平面20之法向量亦具有一偏離角度b，使該轉(zhuǎn)軸21連動(dòng)該挑揀臂22旋轉(zhuǎn)而形成一相對(duì)該收集平面20傾斜所述偏離角度b的旋轉(zhuǎn)平面。優(yōu)選的實(shí)施方式是偏離角度b為10°，當(dāng)然，該偏離角度b還可以為5°、25°或5°至25°之間的其它任意數(shù)值，可根據(jù)挑揀臂22推送電子組件I的數(shù)量和效果合理設(shè)定。上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)現(xiàn)方案，除此之外，本發(fā)明還可以其它方式實(shí)現(xiàn)，在不脫離本發(fā)明發(fā)明構(gòu)思的前提下任何顯而易見的替換均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.電子組件破壞裝置，包括傳遞單元和破壞單元，其特征在于所述傳遞單元包括有一放置多個(gè)電子組件的收集平面、至少一相對(duì)該收集平面旋轉(zhuǎn)而形成有一輸送路徑的挑揀臂、一連接該收集平面且于該輸送路徑擋止電子組件繼續(xù)移動(dòng)的阻擋部、以及一位于阻擋部旁側(cè)用于電子組件脫離所述輸送路徑的釋放通道，該挑揀臂包括有一沿該輸送路徑位移的用于磁吸電子組件的磁吸部，當(dāng)電子元件受到阻擋部的阻擋時(shí)，電子元件與磁吸部脫離并落入釋放通道內(nèi)； 所述破壞單元設(shè)置于釋放通道的下方，該破壞單元包括有多個(gè)切割組件，相鄰切割組件之間形成與釋放通道相通的切割路徑，電子組件從釋放通道離開后進(jìn)入到該切割路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件破壞裝置，其特征在于所述收集平面與水平面之間具有便于集中電子組件的傾斜角度，該傾斜角度為15°至35°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件破壞裝置，其特征在于所述傳遞單元包括有一穿設(shè)所述收集平面且垂直于該收集平面的轉(zhuǎn)軸，以及一驅(qū)動(dòng)該轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)的電動(dòng)馬達(dá)，該轉(zhuǎn)軸連動(dòng)該挑揀臂旋轉(zhuǎn)而形成一平行于該收集平面的旋轉(zhuǎn)平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件破壞裝置，其特征在于所述傳遞單元包括有一穿設(shè)該收集平面且相對(duì)于該收集平面之法向量具有一偏離角度的轉(zhuǎn)軸，以及一驅(qū)動(dòng)該轉(zhuǎn)軸的電動(dòng)馬達(dá)，轉(zhuǎn)軸連動(dòng)該挑揀臂旋轉(zhuǎn)而形成一相對(duì)該收集平面傾斜的旋轉(zhuǎn)平面；所述偏離角度為5°至25°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件破壞裝置，其特征在于所述傳遞單元包括有一連接該阻擋部且環(huán)設(shè)于該收集平面的側(cè)壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件破壞裝置，其特征在于所述磁吸部的材質(zhì)為鐵、鈷、鎳、鐵化鈷、鐵化鎳、鉬化鈷、鐵硼化鈷中的一種或兩種以上的混合物； 或者所述磁吸部的材質(zhì)為鐵的氧化物、鈷的氧化物、鎳、鐵化鈷的氧化物、鐵化鎳的氧化物、鉬化鈷的氧化物、鐵硼化鈷的氧化物中的一種或兩種以上的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件破壞裝置，其特征在于所述破壞單元包括有一驅(qū)動(dòng)該些切割組件的電動(dòng)馬達(dá)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子組件破壞裝置，其特征在于還包括有一相對(duì)應(yīng)設(shè)置于該切割路徑的回收單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子組件破壞裝置，其特征在于還包括有一設(shè)置于該傳遞單元與該回收單元之間用于容置所述破壞單元的中間殼體，該中間殼體開設(shè)有與所述切割路徑相對(duì)應(yīng)的排出口。
全文摘要
本發(fā)明涉及電子產(chǎn)品銷毀設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種電子組件破壞裝置，包括有一傳遞單元以及一破壞單元，該傳遞單元具有一傾斜于水平面的收集平面、一相對(duì)該收集平面旋轉(zhuǎn)而于一輸送路徑吸附該電子組件的磁吸部、以及一于該輸送路徑將該電子組件釋放至一釋放通道的阻擋部，該破壞單元相對(duì)應(yīng)設(shè)置于該釋放通道，以將掉落至該釋放通道的電子組件破壞。采用本發(fā)明的破壞裝置，使用者可將大量的待處理電子組件置放于該傳遞單元內(nèi)，該傳遞單元再以該挑揀臂輸送適當(dāng)數(shù)量的電子組件至該釋放通道，再由該破壞單元破壞該電子組件，本發(fā)明電子組件破壞裝置可自動(dòng)化的破壞大量電子組件，節(jié)省大量的人力與成本，性價(jià)比高，實(shí)用性強(qiáng)。
文檔編號(hào)B09B3/00GK103028590SQ20121021807
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月28日
發(fā)明者柯約瑟 申請(qǐng)人:柯約瑟