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電磁波損傷防護(hù)噴頭的制作方法

文檔序號:4830635閱讀:293來源:國知局
專利名稱:電磁波損傷防護(hù)噴頭的制作方法
專利說明
所述技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型涉及一種電磁波損傷防護(hù)噴頭。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是電磁波損傷防護(hù)噴頭包括長柄和噴頭蓋,噴頭蓋旋蓋在長柄的出水口上,在噴頭蓋內(nèi)側(cè)還設(shè)有防護(hù)介質(zhì)盤。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括活性炭芯層。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括硫磺石層。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括固體中草藥芳香添加劑層。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括無紡布層。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括導(dǎo)電銅絲網(wǎng)層。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括全塑骨架。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括吸附海綿層。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以包括活性炭芯層并包括硫磺石層、固體中草藥芳香添加劑層、無紡布層、導(dǎo)電銅絲網(wǎng)層、全塑骨架和吸附海綿層中的任何一部分或幾部分,該活性炭芯可以設(shè)在防護(hù)介質(zhì)盤中部,其余部分可以從活性炭芯周邊起向防護(hù)介質(zhì)盤周邊順序排列,各部分的排列順序可以隨意設(shè)置。
所述防護(hù)介質(zhì)盤可以由中心向周邊依次設(shè)有活性炭芯層、硫磺石層、固體中草藥芳香添加劑層、無紡布層、導(dǎo)電銅絲網(wǎng)層、全塑骨架和吸附海綿層。
本實(shí)用新型的有益之處在于活性炭芯可以吸附水中的有害物質(zhì),活化沐浴水,吸附人體上的靜電和電磁波,提高皮膚活力;硫磺石層可以抑制和滅活人體上的有害微生物,養(yǎng)護(hù)皮膚;導(dǎo)電銅絲網(wǎng)和無紡布層可以消除人體上的靜電和電磁波;固體中草藥芳香添加劑層可以釋放出令人喜歡的氣味,使人感到舒適和愉快。使用該噴頭沐浴,可以防止和修復(fù)電磁波以及微生物等有害因素給人體造成的損傷,提高健康水平。另外,該噴頭的外觀和使用方式同現(xiàn)有普通噴頭一樣,使用方便,成本低。
本實(shí)施例的防護(hù)介質(zhì)盤3呈圓盤形,各層防護(hù)介質(zhì)層呈同軸的空心柱形。
防護(hù)噴頭的使用同普通噴頭相同,安裝在沐浴用水管上即可。
權(quán)利要求1.一種電磁波損傷防護(hù)噴頭,包括長柄和噴頭蓋,噴頭蓋旋蓋在長柄的出水口上,其特征在于在噴頭蓋內(nèi)側(cè)還設(shè)有防護(hù)介質(zhì)盤。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤包括活性炭芯層。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤包括硫磺石層。
4.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤包括固體中草藥芳香添加劑層。
5.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤包括無紡布層。
6.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤包括導(dǎo)電銅絲網(wǎng)層。
7.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤包括全塑骨架。
8.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤包括吸附海綿層。
9.如權(quán)利要求1所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤由中心向周邊依次設(shè)有活性炭芯層、硫磺石層、固體中草藥芳香添加劑層、無紡布層、導(dǎo)電銅絲網(wǎng)層、全塑骨架和吸附海綿層。
10.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的電磁波損傷防護(hù)噴頭,其特征在于所述防護(hù)介質(zhì)盤呈圓盤形。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種電磁波損傷防護(hù)噴頭,它在普通噴頭的噴頭蓋內(nèi)側(cè)增加了一個(gè)防護(hù)介質(zhì)盤,防護(hù)介質(zhì)盤呈圓盤形,由中心向周邊依次設(shè)有活性炭芯層、硫磺石層、固體中草藥芳香添加劑層、無紡布層、導(dǎo)電銅絲網(wǎng)層、全塑骨架、吸附海綿層及全塑外框,使用這種噴頭沐浴,可以防止和修復(fù)電磁波等有害因素對人體造成的損傷,本實(shí)用新型使用方便,成本低,可用于各類接觸電磁波輻射的人群。
文檔編號C02F1/44GK2562884SQ0224330
公開日2003年7月30日 申請日期2002年7月22日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月22日
發(fā)明者吳桐 申請人:吳桐
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