本申請(qǐng)涉及制冷控制，特別是涉及一種閥裝置。

背景技術(shù)：

1、閥裝置，例如電子膨脹閥等，作為節(jié)流元件，具有調(diào)節(jié)精度高、精確控溫等優(yōu)點(diǎn)，在空調(diào)、冷凍冷藏等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。

2、閥裝置工作中，冷媒在流經(jīng)閥裝置的閥口通道時(shí)，流通面積發(fā)生急劇變化，導(dǎo)致冷媒的壓力和流速也會(huì)急劇變化，容易出現(xiàn)冷媒噪音，從而影響應(yīng)用環(huán)境中人的舒適性體驗(yàn)。

3、因此，如何降低閥裝置工作時(shí)產(chǎn)生的冷媒噪音，成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)課題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的是提供一種閥裝置，該閥裝置通過(guò)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，可降低冷媒流動(dòng)造成的噪音，提升閥裝置在系統(tǒng)中的噪音舒適性。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N閥裝置，包括閥體部件，所述閥體部件包括閥座和座構(gòu)件，所述座構(gòu)件固定設(shè)置于所述閥座的內(nèi)腔；

3、所述閥座包括自所述內(nèi)腔的周向腔壁沿徑向向內(nèi)延伸的凸緣部，所述座構(gòu)件位于所述凸緣部的上方，所述座構(gòu)件具有與所述內(nèi)腔連通的閥口部；

4、所述閥座和所述座構(gòu)件之間形成有至少一個(gè)臺(tái)階通道段，所述臺(tái)階通道段位于所述閥口部的下方，且與所述閥口部連通；所述臺(tái)階通道段包括相互連通的大徑通道段和小徑通道段，所述大徑通道段位于所述小徑通道段的上方；所述凸緣部的內(nèi)孔形成一個(gè)所述小徑通道段，所述凸緣部的至少部分凸緣頂壁面構(gòu)成一個(gè)所述大徑通道段的部分通道壁；

5、所述閥口部的軸向高度為m，m≤1mm；

6、所述閥口部的內(nèi)徑為d1，所述大徑通道段的軸向高度為h1，所述大徑通道段的內(nèi)徑為d2，h1≤（1/3）d2，d2＞d1。

7、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述座構(gòu)件包括至少一個(gè)環(huán)狀板部，所述環(huán)狀板部的通孔段形成所述閥口部或者所述小徑通道段，所述環(huán)狀板部的至少部分上板壁面或者至少部分下板壁面構(gòu)成一個(gè)所述大徑通道段的至少部分通道壁。

8、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述座構(gòu)件包括環(huán)基體，所述環(huán)狀板部自所述環(huán)基體的內(nèi)周壁沿徑向向內(nèi)延伸；

9、所述內(nèi)腔包括位于所述凸緣部上方的上腔室，所述環(huán)基體的外周壁與所述上腔室的周向腔壁緊配。

10、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述座構(gòu)件為一體結(jié)構(gòu)，所述座構(gòu)件包括兩個(gè)以上的所述環(huán)狀板部，兩個(gè)所述環(huán)狀板部沿所述環(huán)基體的軸向間隔排布。

11、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述上腔室的腔底壁為所述凸緣部的凸緣頂壁面；

12、所述環(huán)基體包括下凸基體段，與所述凸緣部距離最近的所述環(huán)狀板部位于所述下凸基體段的上方，所述凸緣部的凸緣頂壁面具有限位凹槽，所述下凸基體段插接于所述限位凹槽；

13、所述凸緣部的部分凸緣頂壁面和所述下凸基體段的部分內(nèi)周壁構(gòu)成一個(gè)所述大徑通道段的部分通道壁。

14、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述內(nèi)腔包括位于所述凸緣部下方的下腔室，所述下腔室包括第一下腔段和第二下腔段，所述第一下腔段的內(nèi)徑小于所述第二下腔段的內(nèi)徑，所述第一下腔段位于所述第二下腔段的上方；

15、所述閥裝置包括出口接管，所述出口接管的上管端面與所述第二下腔段的腔頂壁抵接，所述出口接管的外管壁與所述第二下腔段的周向腔壁緊配；

16、所述第一下腔段的內(nèi)徑小于所述出口接管的內(nèi)管徑。

17、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，同一個(gè)所述臺(tái)階通道段中，所述小徑通道段的軸向高度大于所述大徑通道段的軸向高度。

18、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述臺(tái)階通道段設(shè)有兩個(gè)以上，各所述小徑通道段中，所述凸緣部的內(nèi)孔形成的小徑通道段的軸向高度最大。

19、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述大徑通道段的內(nèi)徑與所述小徑通道段的內(nèi)徑的比值不小于3/2。

20、一種可實(shí)現(xiàn)的方案中，所述閥口部和所述小徑通道段的軸向中心線重合，所述小徑通道段的內(nèi)徑不小于所述閥口部的內(nèi)徑。

21、本申請(qǐng)實(shí)施例提供的閥裝置，將閥口部的軸向高度不大于1mm設(shè)置，能夠有效抑制氣泡的初生和發(fā)展，對(duì)于降低氣泡噪音有積極的效果；將與閥口部連通并位于閥口部下方的臺(tái)階通道段中的大徑通道段設(shè)置為扁平狀結(jié)構(gòu)，使冷媒在流入大徑通道段時(shí)，壓力可以快速回升，且伴隨著輕微的渦流出現(xiàn)，又可以抬升冷媒壓力，從而可以有效地抑制可能存在的氣泡的發(fā)展壯大過(guò)程，使氣泡在較小的尺寸和數(shù)量時(shí)就開(kāi)始潰滅，進(jìn)而可降低因氣泡導(dǎo)致的噪音，提高閥裝置應(yīng)用環(huán)境中人耳的舒適性。

技術(shù)特征：

1.閥裝置，其特征在于，包括閥體部件，所述閥體部件包括閥座和座構(gòu)件，所述座構(gòu)件固定設(shè)置于所述閥座的內(nèi)腔；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥裝置，其特征在于，所述座構(gòu)件包括至少一個(gè)環(huán)狀板部，所述環(huán)狀板部的通孔段形成所述閥口部或者所述小徑通道段，所述環(huán)狀板部的至少部分上板壁面或者至少部分下板壁面構(gòu)成一個(gè)所述大徑通道段的至少部分通道壁。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的閥裝置，其特征在于，所述座構(gòu)件包括環(huán)基體，所述環(huán)狀板部自所述環(huán)基體的內(nèi)周壁沿徑向向內(nèi)延伸；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的閥裝置，其特征在于，所述座構(gòu)件為一體結(jié)構(gòu)，所述座構(gòu)件包括兩個(gè)以上的所述環(huán)狀板部，兩個(gè)所述環(huán)狀板部沿所述環(huán)基體的軸向間隔排布。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的閥裝置，其特征在于，所述上腔室的腔底壁為所述凸緣部的凸緣頂壁面；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閥裝置，其特征在于，所述內(nèi)腔包括位于所述凸緣部下方的下腔室，所述下腔室包括第一下腔段和第二下腔段，所述第一下腔段的內(nèi)徑小于所述第二下腔段的內(nèi)徑，所述第一下腔段位于所述第二下腔段的上方；

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的閥裝置，其特征在于，同一個(gè)所述臺(tái)階通道段中，所述小徑通道段的軸向高度大于所述大徑通道段的軸向高度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的閥裝置，其特征在于，所述臺(tái)階通道段設(shè)有兩個(gè)以上，各所述小徑通道段中，所述凸緣部的內(nèi)孔形成的小徑通道段的軸向高度最大。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的閥裝置，其特征在于，所述大徑通道段的內(nèi)徑與所述小徑通道段的內(nèi)徑的比值不小于3/2。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的閥裝置，其特征在于，所述閥口部和所述小徑通道段的軸向中心線重合，所述小徑通道段的內(nèi)徑不小于所述閥口部的內(nèi)徑。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的閥裝置，其特征在于，所述閥裝置用于制冷系統(tǒng)。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種閥裝置，包括閥體部件，閥體部件包括閥座和座構(gòu)件，座構(gòu)件固定設(shè)置于閥座的內(nèi)腔；閥座包括自內(nèi)腔的周向腔壁沿徑向向內(nèi)延伸的凸緣部，座構(gòu)件位于凸緣部的上方，座構(gòu)件具有與內(nèi)腔連通的閥口部；閥座和座構(gòu)件之間形成有至少一個(gè)臺(tái)階通道段，臺(tái)階通道段位于閥口部的下方，且與閥口部連通；臺(tái)階通道段包括相互連通的大徑通道段和小徑通道段，大徑通道段位于小徑通道段的上方；凸緣部的內(nèi)孔形成一個(gè)小徑通道段，凸緣部的至少部分凸緣頂壁面構(gòu)成一個(gè)大徑通道段的部分通道壁；閥口部的軸向高度為M，M≤1mm；閥口部的內(nèi)徑為D1，大徑通道段的軸向高度為H1，大徑通道段的內(nèi)徑為D2，H1≤（1/3）D2，D2＞D1。該閥裝置的冷媒噪音較小。

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受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江三花智能控制股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19