真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨專用石墨坩堝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及坩禍，具體涉及一種專用于真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨的石墨坩禍，屬于坩禍技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]典型真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨材料的方法為:將含純硅和助劑的硅化反應(yīng)原料刷涂在制品表面，放入石墨坩禍，再將石墨坩禍置于真空爐內(nèi)，控制真空度0.95，先緩慢升溫至600°C恒溫5?30min，再升溫至1600?1800°C，恒溫5?30min，使硅液化并滲入碳素材料孔隙。最后在1800?2400°C、真空度高于0.97條件下處理0.5?5h，使硅氣化并與碳素材料發(fā)生氣相沉積反應(yīng)得到硅化石墨材料。
[0003]通常所使用的石墨坩禍操作不方便，且熔融、氣化的硅容易泄漏造成重疊安放的坩禍相互粘結(jié)，或泄漏與真空爐加熱材料反應(yīng)而損壞真空爐。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，本實(shí)用新型的目的在于提供一種真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨的專用石墨坩禍，本石墨坩禍能有效防止坩禍間粘結(jié)、真空爐的損壞，且易操作，最大化利用了真空爐空間。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:
[0006]真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨專用石墨坩禍，所述石墨坩禍為圓柱筒形，在圓柱筒形上口設(shè)置一與上口齊平的環(huán)形內(nèi)耳。
[0007]進(jìn)一步地，所述圓柱筒形的石墨坩禍壁厚為15mm-20 mm ;環(huán)形內(nèi)耳超出坩禍內(nèi)壁5?15mm，環(huán)形內(nèi)耳高度為5?20mm。
[0008]相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0009]1、環(huán)形內(nèi)耳更容易對坩禍進(jìn)行握持，便于手工安放和從爐體中取出。
[0010]2、坩禍重疊放置時，內(nèi)耳有密封作用，有利于防止熔融氣化的硅泄漏與重疊坩禍接觸面反應(yīng)和爐體加熱材料反應(yīng)，有效防止坩禍之間發(fā)生粘結(jié)和損壞真空爐。
[0011]3、采用本實(shí)用新型的坩禍重疊安放時，只需在最上層坩禍加蓋即可，使用方便。
【附圖說明】
[0012]圖1-本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]如圖1所示，本實(shí)用新型專用于真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨的石墨坩禍，在圓柱筒形石墨坩禍I的上口設(shè)置一內(nèi)耳2，使用時用于制備硅化石墨的基材放置于坩禍中，多個石墨坩禍I可重疊安放于圓柱形高溫真空爐體中，最上層坩禍加蓋。為保證石墨坩禍I強(qiáng)度，在高溫下反復(fù)使用不破裂，圓柱筒形石墨坩禍I壁厚不小于15mm，通常為15-20mm。為了便于手工安放和從爐體中取出坩禍，石墨坩禍I上口設(shè)置一與上口齊平的內(nèi)耳2，內(nèi)耳為環(huán)形，超出i甘禍內(nèi)壁5?15mm、高度5?20mm。石墨i甘禍I重疊放置時，內(nèi)耳有密封作用，有利于防止熔融氣化的硅泄漏，泄露的硅與重疊坩禍接觸面反應(yīng)，使坩禍之間發(fā)生粘結(jié)；泄露的硅與爐體加熱材料反應(yīng)，會損壞真空爐。
[0014]為了更好的利用爐體空間，石墨坩禍I與爐體內(nèi)壁只需留5?20mm間隙，可以提高爐體空間利用率。重疊安放的石墨坩禍I之間也可以填充防粘劑防止相互粘結(jié)，采用本實(shí)用新型的石墨坩禍I重疊安放時，可每層加蓋，也可只在最上層坩禍加蓋，非常方便。
[0015]本實(shí)用新型的上述實(shí)施例僅僅是為說明本實(shí)用新型所作的舉例，而并非是對本實(shí)用新型的實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其他不同形式的變化和變動。這里無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。凡是屬于本實(shí)用新型的技術(shù)方案所引申出的顯而易見的變化或變動仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之列。
【主權(quán)項】
1.真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨專用石墨坩禍，其特征在于:所述石墨坩禍為圓柱筒形，在圓柱筒形上口設(shè)置一與上口齊平的環(huán)形內(nèi)耳。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨專用石墨坩禍，其特征在于:所述圓柱筒形的石墨i甘禍壁厚為15mm_20 mm ;環(huán)形內(nèi)耳超出i甘禍內(nèi)壁5?15mm，環(huán)形內(nèi)耳高度為5?2Ctam0
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種真空氣相沉積反應(yīng)法制備硅化石墨專用石墨坩堝，所述石墨坩堝為圓柱筒形，在圓柱筒形上口設(shè)置一與上口齊平的環(huán)形內(nèi)耳。石墨坩堝壁厚為15mm-20mm；環(huán)形內(nèi)耳超出坩堝內(nèi)壁5～15mm，環(huán)形內(nèi)耳高度為5～20mm。本實(shí)用新型環(huán)形內(nèi)耳更容易對坩堝進(jìn)行握持，便于手工安放和從爐體中取出。坩堝重疊放置時，內(nèi)耳有密封作用，有利于防止熔融氣化的硅泄漏與重疊坩堝接觸面反應(yīng)和爐體加熱材料反應(yīng)，有效防止坩堝之間發(fā)生粘結(jié)和損壞真空爐。采用本實(shí)用新型的坩堝重疊安放時，只需在最上層坩堝加蓋即可，使用方便。
【IPC分類】F27B14-10
【公開號】CN204514027
【申請?zhí)枴緾N201520150829
【發(fā)明人】彭達(dá)鴻
【申請人】自貢市鴻飛電碳制品有限責(zé)任公司
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年3月17日