1.一種負(fù)離子發(fā)生器控制電路，其特征是：包括TCL555芯片U2，電容C8，電容C6，電容C7，極性電容C5，電阻R10，電阻R11，電阻R12，電阻R8，電阻R13，電感L1，三極管Q2，電源BAT和接口CN2，所述TCL555芯片U2包括有引腳1、引腳2、引腳3、引腳4、引腳5、引腳6、引腳7、以及引腳8，所述電源依次連接所述電阻R10，所述電阻R11，所述電容C6之后接地，所述引腳8接所述電源BAT，所述引腳7連接于所述電阻R10和所述電阻R11之間，所述引腳6與所述引腳2并聯(lián)后連接于所述電阻R11和所述電容C6之間，所述引腳1接地，所述引腳5連接所述電容C7后接地，所述電源BAT連接所述電容C8之后接地，且所述引腳4連接于所述電源BAT和所述電容C8之間，所述引腳3依次連接所述電阻R12，電阻R8之后接地，所述三極管的基極連接于所述電阻R12與所述電阻R8之間，所述三極管的發(fā)射極接地，所述三極管的集電極依次連接所述電阻R13，所述極性電容C5，所述電感L1之后接于所述電源BAT上，所述接口CN2的兩端分別連接于所述三極管的集電極與所述電阻R13之間和所述電感L1與所述極性電容C5之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)離子發(fā)生器控制電路，其特征是：所述三極管為NPN型三極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的負(fù)離子發(fā)生器控制電路，其特征是：所述電容C8為0.1uF，所述電容C6為1uF，所述電容C7為0.01uF，所述電阻R10為15K，所述電阻R11為350K，所述電阻R12為1K，所述電阻R8為10K，所述電阻R13為0.002k，所述極性電容C5為47uF/50V，所述電感L1為10mH。