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一種負(fù)離子發(fā)生器控制電路的制作方法

文檔序號(hào):11723415閱讀:2803來(lái)源:國(guó)知局

本實(shí)用新型屬于空氣凈化裝置領(lǐng)域,更具體的說(shuō)涉及一種負(fù)離子發(fā)生器控制電路。



背景技術(shù):

負(fù)離子模塊在工作時(shí)產(chǎn)生大量負(fù)離子,當(dāng)負(fù)離子聚齊到一定量后,容易導(dǎo)致靜電干擾,影響負(fù)離子模塊正常工作,導(dǎo)致負(fù)離子模塊只產(chǎn)生少量負(fù)離子或者是沒(méi)有負(fù)離子產(chǎn)生。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種減少負(fù)離子模塊受靜電干擾的一種負(fù)離子發(fā)生器控制電路。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案為:一種負(fù)離子發(fā)生器控制電路,包括TCL555芯片U2,電容C8,電容C6,電容C7,極性電容C5,電阻R10,電阻R11,電阻R12,電阻R8,電阻R13,電感L1,三極管Q2,電源BAT和接口CN2,所述TCL555芯片U2包括有引腳1、引腳2、引腳3、引腳4、引腳5、引腳6、引腳7、以及引腳8,所述電源依次連接所述電阻R10,所述電阻R11,所述電容C6之后接地,所述引腳8接所述電源BAT,所述引腳7連接于所述電阻R10和所述電阻R11之間,所述引腳6與所述引腳2并聯(lián)后連接于所述電阻R11和所述電容C6之間,所述引腳1接地,所述引腳5連接所述電容C7后接地,所述電源BAT連接所述電容C8之后接地,且所述引腳4連接于所述電源BAT和所述電容C8之間,所述引腳3依次連接所述電阻R12,電阻R8之后接地,所述三極管的基極連接于所述電阻R12與所述電阻R8之間,所述三極管的發(fā)射極接地,所述三極管的集電極依次連接所述電阻R13,所述極性電容C5,所述電感L1之后接于所述電源BAT上,所述接口CN2的兩端分別連接于所述三極管的集電極與所述電阻R13之間和所述電感L1與所述極性電容C5之間。

進(jìn)一步,所述三極管為NPN型三極管。

進(jìn)一步,所述電容C8為0.1uF,所述電容C6為1uF,所述電容C7為0.01uF,所述電阻R10為15K,所述電阻R11為350K,所述電阻R12為1K,所述電阻R8為10K,所述電阻R13為2k,所述極性電容C5為47uF/50V,所述電感L1為10mH。

采用上述技術(shù)方案,采用方波脈沖方式控制負(fù)離子模塊的開(kāi)關(guān),通過(guò)調(diào)節(jié)方波脈沖的占空比以及頻率來(lái)控制負(fù)離子模塊的通斷,減少負(fù)離子模塊受靜電干擾。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型一種負(fù)離子發(fā)生器控制電路的電路圖;

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步說(shuō)明。在此需要說(shuō)明的是,對(duì)于這些實(shí)施方式的說(shuō)明用于幫助理解本實(shí)用新型,但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限定。此外,下面 所描述的本實(shí)用新型各個(gè)實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。

參照?qǐng)D1所示的一種負(fù)離子發(fā)生器控制電路,包括TCL555芯片U2,電容C8,電容C6,電容C7,極性電容C5,電阻R10,電阻R11,電阻R12,電阻R8,電阻R13,電感L1,三極管Q2,電源BAT和接口CN2,TCL555芯片U2包括有引腳1、引腳2、引腳3、引腳4、引腳5、引腳6、引腳7、以及引腳8,電源依次連接電阻R10,電阻R11,電容C6之后接地,引腳8接電源BAT,引腳7連接于電阻R10和電阻R11之間,引腳6與引腳2并聯(lián)后連接于電阻R11和電容C6之間,引腳1接地,引腳5連接電容C7后接地,電源BAT連接電容C8之后接地,且引腳4連接于電源BAT和電容C8之間,引腳3依次連接電阻R12,電阻R8之后接地,三極管的基極連接于電阻R12與電阻R8之間,三極管的發(fā)射極接地,三極管的集電極依次連接電阻R13,極性電容C5,電感L1之后接于電源BAT上,接口CN2的兩端分別連接于三極管的集電極與電阻R13之間和電感L1與極性電容C5之間。

三極管為NPN型三極管。

電容C8為0.1uF,電容C6為1uF,電容C7為0.01uF,電阻R10為15K,電阻R11為350K,電阻R12為1K,電阻R8為10K,電阻R13為0.002k,極性電容C5為47uF/50V,電感L1為10mH。

將接口的接于負(fù)離子發(fā)生器模塊上,通過(guò)如圖1所示的電路圖,采用方波脈沖方式控制負(fù)離子模塊的開(kāi)關(guān),通過(guò)調(diào)節(jié)方波脈沖的占空比以及頻率來(lái)控制負(fù)離子模塊的通斷,減少負(fù)離子模塊受靜電干擾。

以上結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明,但本實(shí)用新型不限于所描述的實(shí)施方式。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言,在不脫離本實(shí)用新型原理和精神的情況下,對(duì)這些實(shí)施方式進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,仍落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。

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