1.一種自產(chǎn)熱裝置，其特征在于，所述裝置包括：能量拾取器(2000)和發(fā)熱裝置(3000)；
所述能量拾取器(2000)，用來拾取使用對象在運動過程中的動能；
所述發(fā)熱裝置(3000)，與所述能量拾取器(2000)通過金屬引線連接，用于根據(jù)所述動能產(chǎn)生熱量。
2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述能量拾取器(2000)包括懸臂梁支撐的質量塊(4000)和壓電器件(5000)：
所述壓電器件(5000)，位于玻璃襯底(2007)之上，利用壓電效應將動能轉化成電能；
所述懸臂梁支撐的質量塊(4000)，用于感知使用對象的運動并產(chǎn)生位移碰撞所述壓電器件(5000)。
3.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述壓電器件(5000)為三明治結構，所述壓電器件(5000)包括第一電極(2004)、壓電層(2006)和第二電極(2005)。
4.根據(jù)權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述懸臂梁支撐的質量塊(4000)包括：支撐結構(2001)、懸臂梁(2002)和質量塊(2003)；所述質量塊(2003)與所述支撐結構(2001)通過所述懸臂梁(2002)連接；
所述質量塊(2003)用于拾取使用對象的動能；
所述質量塊(2003)依靠支撐結構(2001)和所述懸臂梁(2002)產(chǎn)生振動，觸碰所述壓電器件(5000)產(chǎn)生壓電效應。
5.根據(jù)權利要求2-4任一項所述的裝置，其特征在于，所述懸臂梁支撐的質量塊(4000)的材料為硅。
6.根據(jù)權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述懸臂梁支撐的質量塊(4000)采用氫氧化鉀(KOH)濕法腐蝕和深反應離子刻蝕(DRIE)干法刻蝕得到。
7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述的發(fā)熱裝置(3000)位于玻璃襯底(2007)之上，包括金電極(3002)和銦錫氧化物薄膜(3001)；所述金電極(3002)設置在所述銦錫氧化物薄膜(3001)和所述玻璃襯底(2007)之間。
8.一種自產(chǎn)熱裝置的制作方法，用于如權利要求1-7任一項所述的自產(chǎn)熱裝置中，其特征在于，包括：
在清洗后的硅片(4003)上熱生長氧化硅(4002)，并采用化學氣相淀積的方法沉積氮化硅(4001)；
分別腐蝕所述氮化硅(4001)和所述氧化硅(4002)；
由所述氮化硅(4001)和所述氧化硅(4002)保護支撐架(2001)，及所述氧化硅(4002)保護質量塊(2003)，并對所述硅片(4003)刻蝕；
由所述氧化硅(4002)保護支撐架(2001)，并分別刻蝕懸臂梁(2002)和所述質量塊(2003)，制備懸臂梁支撐質量塊(4000)；
由陰影掩膜版(Shadow Mask)實現(xiàn)共晶鍵合的金(6000)圖形，完成懸臂梁支撐的質量塊(4000)的制備；
清洗玻璃襯底(2007)；
濺射形成金薄膜，并對所述金薄膜光刻、腐蝕形成壓電器件的第一電極(2004)和發(fā)熱裝置(3000)的電極(3002)；
濺射形成氧化鋅薄膜，并腐蝕所述氧化鋅薄膜形成所述壓電器件(5000)的壓電層(2006)；
通過剝離工藝制備所述發(fā)熱裝置(3000)的銦錫氧化物薄膜(3001)；
利用剝離工藝制備所述壓電器件(5000)的第二電極(2005)和所述共晶鍵合的金(6000)圖形；
通過共晶鍵合的方式將所述玻璃襯底(2007)和所述支撐架(2001)固定在一起。