專利名稱：一種低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，屬于足浴器的加熱裝置的改進(jìn)技木。
背景技術(shù)：
市售足浴器屬于家用電器安全標(biāo)準(zhǔn)中的ニ類電器，采用雙重絕緣或附加絕緣，沒有接地要求。但由于足浴器使用環(huán)境的特殊性，在足浴器工作時(shí)，加熱裝置與水形成的分布電容產(chǎn)生的感應(yīng)電無法通過接地消除，導(dǎo)致在使用足浴器的過程中感應(yīng)電作用在人身上，使人產(chǎn)生麻感，嚴(yán)重的甚至產(chǎn)生刺痛，帶來較大的健康安全隱患。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于考慮上述問題而提供一種可有效降低感應(yīng)電的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是本實(shí)用新型的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，包括加熱元件，其中所述加熱元件的外側(cè)設(shè)有與其保持電氣連接、能降低感應(yīng)電的金屬屏蔽層。所述金屬屏蔽層與加熱元件之間設(shè)置有基本絕緣層及金屬屏蔽層的外側(cè)設(shè)置有基本絕緣層。所述設(shè)置于金屬屏蔽層外側(cè)的基本絕緣層的外側(cè)還套設(shè)有附加絕緣層。所述基本絕緣層及附加絕緣層均包括導(dǎo)熱管體及密封灌裝于導(dǎo)熱管體內(nèi)的導(dǎo)熱性能良好的絕緣材料。所述基本絕緣層及附加絕緣層分別由導(dǎo)熱性能良好的絕緣薄膜疊加形成。所述加熱元件通過導(dǎo)電連接片與金屬屏蔽層連接。所述加熱元件是電阻加熱絲，或是PTC陶瓷片，或是電磁感應(yīng)加熱元件。本實(shí)用新型由于采用通過在足浴器的加熱元件外設(shè)置有金屬屏蔽層的結(jié)構(gòu)，故可大幅降低加熱裝置工作時(shí)的感應(yīng)電，同時(shí)，在金屬屏蔽層的表面封裝兩層導(dǎo)熱絕緣層使加熱裝置具有雙重絕緣性能，在保證加熱效率的前提下，產(chǎn)品更加安全可靠。

圖I是本實(shí)用新型實(shí)施例I的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例I的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例2的立體結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例2的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是圖4中I處的局部放大示意圖。以上附圖均省略了與本實(shí)用新型設(shè)計(jì)要點(diǎn)無關(guān)的其他結(jié)構(gòu)部件。
具體實(shí)施方式
[0018]
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)ー步詳細(xì)的說明。實(shí)施例I如圖I、圖2所示，一種低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，包括加熱元件1，所述加熱元件I的外側(cè)還設(shè)有與其保持電氣連接、可降低感應(yīng)電的金屬屏蔽層2，所述金屬屏蔽層2與加熱元件I之間以及所述金屬屏蔽層2的外側(cè)均設(shè)置有基本絕緣層3。所述的加熱元件I的輸入端通過導(dǎo)電連接片6與金屬屏蔽層2連接。為了保證加熱裝置的絕緣性能，所述設(shè)置于金屬屏蔽層2外側(cè)的基本絕緣層3的外側(cè)還套裝有附加絕緣層4。所述基本絕緣層3、附加絕緣層4為導(dǎo)熱性能良好的絕緣材料。本實(shí)施例中，加熱元件I采用電阻加熱絲，設(shè)置有兩個(gè)，對稱設(shè)置于通水管7的兩 側(cè)；金屬屏蔽層2采用銅管；基本絕緣層3和附加絕緣層4分別由導(dǎo)熱絕緣材料密封灌裝于導(dǎo)熱管體5內(nèi)形成。加熱元件I內(nèi)部以及加熱元件I與金屬屏蔽層2之間形成的空腔內(nèi)同樣密封填灌有導(dǎo)熱絕緣材料。所述導(dǎo)熱絕緣材料為氧化鎂粉。實(shí)施例2如圖3、圖4、圖5所示，本實(shí)施例與實(shí)施例I的不同之處在于，所述加熱元件I采用PTC陶瓷片，金屬屏蔽層2為鋁箔、銅箔或錫箔；基本絕緣層3、附加絕緣層4為聚酰亞胺薄膜疊加形成。
權(quán)利要求1.一種低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，包括加熱元件(I)，其特征在于所述加熱元件(I)的外側(cè)設(shè)有與其保持電氣連接、能降低感應(yīng)電的金屬屏蔽層(2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，其特征在于所述金屬屏蔽層(2)與加熱元件(I)之間設(shè)置有基本絕緣層(3)及金屬屏蔽層(2)的外側(cè)設(shè)置有基本絕緣層⑶。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，其特征在于所述設(shè)置于金屬屏蔽層(2)外側(cè)的基本絕緣層(3)的外側(cè)還套設(shè)有附加絕緣層(4)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，其特征在于所述基本絕緣層(3)及附加絕緣層(4)均包括導(dǎo)熱管體及密封灌裝于導(dǎo)熱管體內(nèi)的導(dǎo)熱性能良好的絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，其特征在于所述基本絕緣層(3)及附加絕緣層(4)分別由導(dǎo)熱性能良好的絕緣薄膜疊加形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，其特征在于所述加熱元件(I)通過導(dǎo)電連接片(6)與金屬屏蔽層(2)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置，其特征在于所述加熱元件(I)是電阻加熱絲，或是PTC陶瓷片，或是電磁感應(yīng)加熱元件。
專利摘要本實(shí)用新型是一種低感應(yīng)電的足浴器加熱裝置。包括加熱元件(1)，其中所述加熱元件(1)的外側(cè)設(shè)有與其保持電氣連接、能降低感應(yīng)電的金屬屏蔽層(2)。所述金屬屏蔽層(2)與加熱元件(1)之間設(shè)置有基本絕緣層(3)及金屬屏蔽層(2)的外側(cè)設(shè)置有基本絕緣層(3)。本實(shí)用新型通過在足浴器的加熱元件外設(shè)置金屬屏蔽層，可大幅降低加熱裝置工作時(shí)的感應(yīng)電，同時(shí)，在屏蔽層表面封裝兩層導(dǎo)熱絕緣層使加熱裝置具有雙重絕緣性能，在保證加熱效率的前提下，產(chǎn)品更加安全可靠。
文檔編號F24H9/20GK202613779SQ20122017644
公開日2012年12月19日 申請日期2012年4月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月24日
發(fā)明者歐陽杰鵬, 何新華, 高天兵 申請人:美的集團(tuán)有限公司