專利名稱：一體式復合層匣缽的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種窯具技術領域，特別是一種用于燒成電子元 件的匣缽。
背景技術：
在電子技術領域內，電子元件，特別是錳鋅系、鎳鋅系電子元件， 需要在窯爐中進行高溫燒結。燒結時，首先需要將電子元件放入一個
專用匣缽中，然后進入窯爐，在大約1400度溫度下進行燒結處理。
目前生產上所用的一種匣缽，其剖面如圖1所示，匣底1包括-基層4，該基層4采用碳化硅(SiC)材料制作，為防止在高溫下碳原 子的擴散對匣缽內的電子元件造成污染，需要在碳化硅基層4上面覆 蓋一層隔離層3，其為氧化鋁材料，同時也用此種材料制作匣墻2，匣 墻2對擺放在匣缽中的電子元件起護欄作用。
這種匣缽存在的問題是，由于氧化鋁材料的線膨脹系數與碳化硅 材料的線膨脹系數不匹配，使匣缽在使用過程中由于熱脹冷縮效應而 使匣墻易發(fā)生"崩角"和破斷現(xiàn)象，從而使匣墻脫落匣缽報廢，不但 縮短了匣缽使用壽命，而且在生產過程中上述事故的發(fā)生，會壓壞電 子元件，嚴重影響成品率。

實用新型內容
本實用新型的發(fā)明目的是，提供一種一體式復合層匣缽，以解決 現(xiàn)有技術中的匣缽在使用過程中發(fā)生的匣墻"崩角"和破斷問題。
本實用新型提供的一體式復合層匣缽，包括匣底和匣墻，其特征 在于，所述匣底和匣墻至少包括基層、用于防止基層物質高溫擴散至 匣缽內燒成產品而設置在所述基層上面的內隔離層，并且，所述匣底 的基層與所述匣墻的基層連為一體，所述匣底的內隔離層與所述匣墻的內隔離層連為一體，所述基層釆用碳化硅(SiC)材料。進一步地， 所述匣底基層的下面也設置隔離層，即為外隔離層，所述的內、外隔
離層采用含鋁量為78%--99%的材料，所述的含鋁例如氧化鋁。
更進一步地，為有效提高匣缽碳化硅材料的抗熱震性即在急冷急 熱的條件下不發(fā)生破壞的能力，在所述匣缽上設有與匣缽邊沿垂直的 一條或多條伸縮縫，該伸縮縫貫穿所述匣墻和匣底，伸縮縫的長度是 匣缽單邊長度的20%至25%，并且，相對兩邊沿上的伸縮縫錯開設置。
更具體地，如果在匣缽的四邊每邊設置1條伸縮縫，則該伸縮縫 與邊沿的交點設在匣缽每邊邊長的25%至45%處。更好地，在伸縮縫 內可以填充無機氧化物材料如高溫纖維棉材料。
再有，所述匣墻的斷面形狀可以為梯形或矩形。在多個匣缽疊放 使用時，所述匣墻的墻角高度宜高于邊墻的高度。
本實用新型通過將基層碳化硅材料由匣底部延伸至匣墻，使匣墻 具有與匣底一體連接的基層和隔離層，增加了匣墻的強度，避免了匣 缽在使用過程中易發(fā)生的"崩角"等匣墻破斷、脫落現(xiàn)象，而通過在 匣底和匣墻上合理設置伸縮縫，提高了匣缽的抗熱震性，從而有效延 長了匣缽使用壽命，提高了電子元件燒結時的成品率。


圖1是目前采用的一種匣缽的剖面結構示意圖。 圖2是本實用新型一實施例的剖面結構示意圖。 圖3是本實用新型一實施例的俯視圖。
具體實施方式
下面結合圖2到圖3和具體實施例對本實用新型做進一步說明。 圖2是本實用新型一實施例的剖面結構示意圖。本實施例提供的 匣缽包括匣底11和匣墻21，其中，所述匣底11由內隔離層31、基層 41和外隔離層5構成，匣墻2由匣底11的內隔離層31和基層41向上 延伸而成。
其中，構成基層41的材料為碳化硅材料，其優(yōu)點是高溫(1450°C)荷重能力強、熱膨脹率小(IOO(TC為0.44%至0.48%)，在使用過程中 匣缽的匣底和匣墻不易破壞?；鶎?1的厚度根據匣缽的大小而定，一 般為4至IO毫米。
內隔離層31可以采用各種無機氧化物材料，最常用的是氧化鋁材 料，其含鋁量可以為78%至99%，也可以采用氧化鋁的衍生物如氮化 鋁、硅酸鋁等，根據實際需要也可以是其他的氧化物，如氧化鋯等。 這一隔離層的作用是隔絕電子產品在燒成過程中被基層碳化硅材料釋 出的碳所污染，其厚度一般為2至4毫米。
另外，在生產中，匣缽通常在窯爐中疊放多層，為避免下層匣缽 中的電子元件被上層匣缽的基層中的碳原子污染，則在匣底1的基層 的下表面也覆蓋一層與內層起相同作用的材料，即形成外隔離層5，而 匣墻21則只需在內表面覆蓋一層氧化鋁材料即可。
圖3是本實用新型一實施例一方形匣缽的俯視圖。為了更有效地 提高匣缽的抗熱震性，在匣缽的四周按比例設置伸縮縫7，其與匣缽邊 沿的交點位置設在匣缽每邊邊長的25%至45%處，對于碳化硅材料一 般為30%或40%。伸縮縫的寬度為1至2毫米，長度為匣缽單邊長度 的20%至25%，具體寬度和長度根據匣底的厚度和面積而定。伸縮縫7 與匣缽邊沿垂直，并與對邊的伸縮縫7錯開布置。本實用新型通過設 置伸縮縫可以平衡匣缽在使用過程中的受熱變形，防止匣缽開裂。
在伸縮縫7內可填充無機氧化物材料如耐火纖維棉、纖維氈、耐 火泥料等，可以緩解伸縮縫端部處的應力集中，避免在該處產生裂紋。 還可使匣缽底面更加平坦，有利于電子元件的擺放，在多個匣缽疊落 在一起使用時，伸縮縫內的填充物還可以阻止上層匣缽內的粉渣落入 下層匣缽從而影響電子元件的質量。
另外，匣缽的四個墻角6的高度比邊墻2高出10至15毫米，使 多個匣缽在疊放使用時匣墻2中部留有空隙，以形成熱對流，使溫度 場保持均勻。
匣墻2的斷面形狀為梯型(參見圖l)，當然也可以是其他形狀， 如圓弧型和矩形。
采用本實用新型的技術方案，將匣底和匣墻制成一體式的復合層匣缽，有效解決了匣墻的"崩角"和破斷問題，使匣缽使用壽命比目
前采用氧化鋁作匣墻的匣缽提高70%，電子元件的燒結成品率由85% 提高到95%，起到了延長匣缽使用壽命，降低生產成本，改善產品質 量的作用。
以上實施例僅用以說明本實用新型而非限制，盡管參照較佳實施 例對本實用新型進行了詳細說明，但本領域的普通技術人員應當理解， 在不脫離本實用新型范圍的前提下對本實用新型進行的修改或者等同 替換，均應屬于本實用新型權利要求的保護范圍之內。
權利要求1. 一種一體式復合層匣缽，包括匣底和匣墻，其特征在于，所述匣底和匣墻至少包括基層、用于防止基層物質高溫擴散至匣缽內燒成產品而設置在所述基層上面作為所述匣缽內表面的內隔離層，并且，所述匣底的基層與所述匣墻的基層連為一體，所述匣底的內隔離層與所述匣墻的內隔離層連為一體，所述基層采用碳化硅材料。
2. 根據權利要求l所述的一體式復合層匣缽，其特征在于，在所述匣底的基層下面設置外隔離層。
3. 根據權利要求1或2所述的一體式復合層匣缽，其特征在于， 所述隔離層采用氧化鋁、氮化鋁或硅酸鋁。
4. 根據權利要求1或2所述的一體式復合層匣缽，其特征在于， 還包括與匣缽邊沿垂直的一條或多條伸縮縫，該伸縮縫貫穿所述匣墻 和匣底。
5. 根據權利要求4所述的一體式復合層匣缽，其特征在于，所述 伸縮縫長度是匣缽單邊長度的20%至25%。
6. 根據權利要求4所述的一體式復合層匣缽，其特征在于，在匣 缽四邊的每邊設置一條伸縮縫，所述伸縮縫與邊沿的交點設在匣缽每 邊邊長的25%至45%處，并且，相對兩邊沿上的伸縮縫錯開設置。
7. 根據權利要求4所述的一種一體式復合層匣缽，其特征在于， 在所述的伸縮縫內填充無機氧化物材料。
8. 根據權利要求1或2所述的一體式復合層匣缽，其特征在于， 所述匣墻的斷面形狀為梯形或矩形。
9.根據權利要求1或2所述的一種一體式復合層匣缽，其特征在 于，所述匣墻的墻角高度高于邊墻的高度。
專利摘要本實用新型公開了一種一體式復合層匣缽，包括匣底和匣墻，所述匣底和匣墻至少包括基層和位于所述基層的上面用于防止基層物質高溫擴散至匣缽內產品的隔離層，并且，所述匣底的基層與所述匣墻的基層連為一體，所述匣底的隔離層與所述匣墻的隔離層連為一體，所述基層采用碳化硅(SiC)材料，所述隔離層采用無機氧化物材料。本實用新型將基層碳化硅材料由匣底部延伸至匣墻，增加了匣墻的強度，避免了匣缽在使用過程中易發(fā)生的“崩角”等匣墻破斷、脫落現(xiàn)象，而通過在匣底和匣墻上合理設置伸縮縫，提高了匣缽的抗熱震性，從而有效延長了匣缽使用壽命，提高了電子元件燒結時的成品率。
文檔編號F27D5/00GK201297855SQ20082020800
公開日2009年8月26日 申請日期2008年8月18日 優(yōu)先權日2008年8月18日
發(fā)明者曾世平 申請人:佛山宏鑫科技有限公司