專利名稱:一種制取大結(jié)晶電熔氧化鎂熔爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及一種制取耐火材料熔塊法拉出式熔煉裝置。
背景技術(shù):
目前在制取熔點(diǎn)極高的某種耐火材料晶體時(shí),很難找到適合于熔煉用的坩堝,即是耐火材料,通常的方法只能將原料本身一部分作為坩堝,其余原材料在坩堝內(nèi)被加熱成熔體,而后熔體在坩堝內(nèi)再經(jīng)緩冷完成析晶、晶體生長(zhǎng)等過(guò)程,利用此種工藝方法采用的裝置有圓形爐體和三角形爐體,三角形爐體的優(yōu)點(diǎn)是比圓形爐體熱效率高、節(jié)能,原材料消耗低,大結(jié)晶比例大,但其不足是爐體易變形、壽命短,一直沒(méi)有被廣泛使用。
發(fā)明內(nèi)容
為解決以上爐體結(jié)構(gòu)的不足,本實(shí)用新型的目的是提供一種制取大結(jié)晶電熔氧化鎂熔爐,具體為外圓內(nèi)凸形,以達(dá)到顯著節(jié)省原材料、提高熱效率、節(jié)能、大結(jié)晶比例大的目的。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案為采用外圓內(nèi)凸形爐體(如圖1所示),為立式結(jié)構(gòu),外面為圓形爐體,爐體上部裝有淋水冷卻管,冷卻管下面為空氣冷卻窗,爐體內(nèi)垂直爐體內(nèi)部裝有三相電極,呈等距三角形,電極下面為三瓣梅花形熔池,且三相電極下面的三瓣梅花形熔池周邊與爐體內(nèi)凸壁距離相等,熔池外面為三瓣梅花形不熔區(qū)“坩堝”,相互兩電極之間為人字形內(nèi)凸面,整個(gè)爐體為立式裝置。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝使用方便,不變形,爐體在電熔時(shí)能將緊靠爐體內(nèi)壁一部分原材料燒結(jié)成為“坩堝”形狀,與三瓣梅花形熔池完全相同,有利于潛熱釋放,大結(jié)晶比例大,比三角形又進(jìn)一步降低了原材料消耗,減少了蓄熱量,提高了熱效率,節(jié)約了電力。
圖1為一種制取大結(jié)晶電熔氧化鎂熔爐外形圖;圖2為一種制取大結(jié)晶電熔氧化鎂熔爐斷面圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的詳細(xì)結(jié)構(gòu)結(jié)合附圖及實(shí)施例加以說(shuō)明。
本熔爐根據(jù)無(wú)坩堝緩冷技術(shù)晶體生長(zhǎng)原理設(shè)計(jì)為外圓內(nèi)凸形爐體,1為圓形爐體,2為三相電極,3為三瓣梅花形熔池,4為人字形內(nèi)凸面,5為三瓣梅花形不熔區(qū)“坩堝”,6為淋水冷卻管,7為空氣冷卻窗口。其工作過(guò)程根據(jù)晶體生長(zhǎng)原理可知,初生晶核附近,溫度必須低于凝固點(diǎn)時(shí)晶體才能生長(zhǎng),但固-液界面必須處于過(guò)冷狀態(tài),為避免新晶核和界面不穩(wěn)定性無(wú)序小結(jié)晶出現(xiàn),過(guò)冷區(qū)域必須集中于界面附近狹小范圍之內(nèi),而熔體其余部分處于過(guò)熱狀態(tài),在這種狀態(tài)下,結(jié)晶過(guò)程中釋放出的結(jié)晶潛熱不可能從熔體中導(dǎo)走,而必須從生長(zhǎng)的晶體中導(dǎo)走熱量,隨著界面向熔體伸展,界面過(guò)冷度逐漸趨于零,為此必須保持一定過(guò)冷度,晶體才能繼續(xù)生長(zhǎng)為大晶體。
權(quán)利要求1.一種制取大結(jié)晶電熔氧化鎂熔爐,其特征在于該熔爐為外圓內(nèi)凸形爐體,為立式結(jié)構(gòu),外面為圓形爐體(1),爐體(1)上部裝有淋水冷卻管(6),冷卻管下面為空氣冷卻窗(7),爐體(1)內(nèi)垂直爐體內(nèi)部裝有三相電極(2),呈等距三角形,電極下面為三瓣梅花形熔池(3)。
2.按照權(quán)利要求1所述制取大結(jié)晶電熔氧化鎂熔爐,其特征在于三相電極(2)下面的三瓣梅花形熔池(3)周邊與爐體(1)內(nèi)凸壁距離相等,熔池外面為三瓣梅花形不熔區(qū)“坩堝”(5),相互兩電極之間為人字形內(nèi)凸面(4)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種大結(jié)晶電熔氧化鎂制取裝置,此熔爐由圓形體、淋水冷卻管、三相電極及三瓣梅花形熔池組成,外面為圓形爐體,中心為三相電極,呈三角形,下面為熔池,熔池外面為三瓣梅花形不熔區(qū)“坩堝”,其中熔池周邊與爐體內(nèi)凸壁距離相等,坩堝體較薄。其優(yōu)點(diǎn)是:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,安裝使用方便,爐體在電熔時(shí)能將緊靠爐體內(nèi)壁一部分原材料燒結(jié)成為“坩堝”形狀,與三瓣梅花形熔池完全相同,有利于潛熱釋放,適合晶體生長(zhǎng),又降低了原材料消耗,減少了蓄熱量,提高了熱效率,節(jié)約了電力??蛇m用于不同電位熔塊法拉出式三相電熔氧化鎂爐技術(shù)改造。
文檔編號(hào)F27B14/00GK2511927SQ0127177
公開日2002年9月18日 申請(qǐng)日期2001年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月29日
發(fā)明者白熙敬 申請(qǐng)人:鄭榮龍