專利名稱：：含氯的氧化鎂粉末的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種含氯的氧化鎂粉末。技術(shù)背景交M等離子體顯示面板(以下簡稱AC型PDP)—般包括作為圖像顯示板的前面板和夾有充滿放電氣體的放電空間并對置的背面板。前面板包括前面玻璃基板、前面玻璃上形成的一對放電電極、為覆蓋放電電極形成的電介質(zhì)層、以及在電介質(zhì)層表面形成的電介質(zhì)保護膜。背面板包括背面玻璃基板、背面玻璃基板上形成的地址電極、覆蓋背面玻璃基板和地址電極形成的用于區(qū)分放電空間的隔板、以及在隔板表面形成的赤、綠、青的熒光體層。放電氣體一般應(yīng)用Xe(氙)和Ne(氖)的混^H體。此混^H中Xe是放電氣體，Ne是緩沖氣體。在電介質(zhì){尉戶層的形成材料中，為了降低AC型PDP的工作電壓，保護電介質(zhì)層不受在放電空間生成的等離子的影響，廣泛使用二次放電系數(shù)高、射性優(yōu)良的氧化鎂。在AC型PDP中，為了達到提高發(fā)光效率的目的一直以^it行著如下探沐在電介質(zhì)保護層的放電空間側(cè)的表面設(shè)置紫外光放出層，該紫外光放出層利用由放電氣體生成的紫外光被激發(fā)而放出在波長230250nm之間具有峰值波長的紫外光，從而利用放電氣體放出的紫外光和紫外光放出層放出的紫外光，激發(fā)熒光體層的熒光體，由此提高熒光體層的發(fā)光效率。例如專利文獻l中公開有AC型PDP，該AC型PDP禾,働B熱產(chǎn)生的蒸t^51氣相氧化法而生成的、經(jīng)BET法測定的平均粒子直徑為500埃以上、優(yōu)選2000埃以上的氣相法氧化,美單晶體而形成紫外光放出層，將所形成的紫外光放出層形鵬電介質(zhì)保護層的放電空間偵啲表面上。專利文獻1:日本特開2006~59786號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種氧化鎂粉末，，AC型PDP等的氣體放電發(fā)光裝置的電介質(zhì)f尉戶層上形成，當(dāng)利用由氤氣的氣體放電生成的紫外光激發(fā)時，高效率地放出波長在250證附近的紫夕卜光。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，將純度99.95質(zhì)*%以上且BET比表面積在5150m2/g范圍的高純度氧化鎂粉末，或者經(jīng)生成該氧化鎂粉末的鎂化合物粉末(其中，氯化^^末除外)，通過在氯源存在下或含氯的氣體氛圍下，在85(TC以上的》驢下燒成，可以制造含氯為0.00510質(zhì)1%范圍、除氯之外總量中氧化鎂純度為99.8質(zhì)%，且BETt據(jù)面積為0.130m2/g范圍的含氯的氧化^^末;而且該含氯的氧化鎂粉末被由氤氣的放電氣體生成的紫外光麟時，高效率放出波長為250腦Pf銜的紫外光，從而完成本發(fā)明。因此，本發(fā)明涉及一種含氯的氧化鎂粉末，其中，在0.00510質(zhì)塾/。的范圍含有氯、除氯之外總量中氧化鎂純度為99.8質(zhì)量％以上且BET比表面積為0.130m2/g的范圍。本發(fā)明的含氯氧化鎂粉末雌的方式如下。(1)氯含量為0.0110質(zhì)量％的范圍。(2)氧化鎂純度為99.9質(zhì)*%以上。(3)8￡1^該面積為0.2121!12/8的范圍。(4)用于制造在交流型等離子體顯示面板的電介質(zhì)保護層的放電空間側(cè)的表面上形成的紫外光放出層。本發(fā)明還涉及一種，本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末的制造方法，其特征在于，將氧化鎂純度為99.95質(zhì)1%以上、且BET比表面積為5150m2/g范圍的氧化md料粉末，或者經(jīng)燒成生成該氧化鎂原料粉末的、除氯化鎂粉末外的鎂化合物粉末，在氯源存在下或含氯氣體氛圍中在85(TC以上的纟鵬下燒成而成。本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末的制造方^m的方式如下。(1)將氧化鎂原料粉末或鎂化合物粉末在純度為99.0質(zhì)》%以上的氯化鎂粉末存在下燒成。(2)氧化鎂原料粉末或徵七合物粉末的溫度為10001500。C范圍。(3)氧化鎂原料粉末或鎂化合物粉末的時間為IO併中以上。本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末當(dāng)利用由氤氣的放電氣體生成的紫外光激發(fā)時，高效率地放出波長250nmPf跑的紫外光。因而，ilil將由本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末制造的氧化鄉(xiāng)配置在AC型PDP或者熒光燈等氣體放電發(fā)光裝置的放電空間內(nèi)，增加放出至倣電空間內(nèi)的紫外光的光量，由此增加從氣體放電發(fā)光裝置放出的可見光的光量。由本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末制造的氧化f纖作為在AC型PDP電介質(zhì)保護層的放電空間側(cè)表面形成的紫外光放出層是特別有用的。另外，通別頓本發(fā)明的律隨方法可以在工業(yè)上有效地制造紫外光放出效率高的氧化鎂粉末。具體實施方式本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末在o.oo5io質(zhì)fiy。的范圍含有氯。氯含量im0.0l質(zhì)fir。以上，更0.1質(zhì)1%以上。除去含氯的氧化鎂粉末中含有的氯的氧化鎂的純度為99.8質(zhì)*%以上、雌99.9質(zhì)*%以上。另外，氧化鎂純度可以根齢氯的氧化鎂粉末的全部量作為濯時除掉氯、鎂和氧的雜質(zhì)元素(相對含氯的氧化鎂粉末的，量含有0.001質(zhì)量％以上)的總含ftS氯含量，由下述公式計算出來。氧化鎂純度(質(zhì)量％)=[1—雜質(zhì)元素的總含量(質(zhì)量％)/UOO-氯含量(質(zhì)*%)}]x100本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末的BETt該面積在0.130m2/g的范風(fēng)在0.2121112/§的范圍。本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末可以艦如下進，彌臘:將氧化傲屯度為99.95質(zhì)1%以上、BET比表面積在5150m2/g的范圍，雌在750m2/g的范圍的氧化鎂原料粉末、或者經(jīng)燒成生成該氧化鎂粉末的鎂化合物粉末(其中除了氯化鎂粉末)，在氯源存在下或含氯的氣體氛圍下在85(TC以上的溫度下燒成。本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末im禾,將氧化鎂原料粉末或者鎂化^ti粉末在氯源存在下燒成的方法進行制造。當(dāng)將氧化鎂原料粉末在氯源存在下或者含氯的氣體氛圍下，在85(TC以上的^^下時，得到的含氯的氧化鎂粉末與氧化鎂原料粉斜目比BET比表面積附氏。因此含氯的氧化鎂粉末的BETt:該面積相對于氧化m^料粉末的BETt該面積通常在150%范圍，雌230%范圍，在本發(fā)明中如前戶腿，BETt:該面積在0.130m2/g的范圍，特別雌在0.212m2/g的范圍。用于制造含氯的氧化鎂粉末的制造的氧化鎂原料粉末雌由氣相合成氧化法制造的氧化鎂粉末。所謂的氣相合成氧化法就是使金屬鎂蒸汽和含氧的氣體在氣相中接觸，條屬鎂蒸汽氧化而制錄化鎂粉末的方法。本發(fā)明使用的樹七合物粉末,在低于850。C的溫度下燒成，生成具有如前所述的氧化鎂純度和t:該面積的氧化鎂原料粉末。作為鎂化合物粉末的例子，例如有氫氧化鎂粉末、堿性碳酸鎂粉末、硝勝美粉末以及醋勝美粉末。鎂化合物的制法沒有特別限制。作為氯源例如有氯化鎂粉末以及氯化銨粉末。氯源的純度iM99.0質(zhì)5%以上。氯源雌在進行燒成前預(yù)先與氧化鎂原料粉末粉末或鎂化合物粉末進行均勻地混合。作為含氯的氣體例如有氯化氫氣體、或?qū)⒙然@粉末、氯化鎂粉棘者含氯的有機化合物(CHC13、CCL(等)加熱使其氣化生成的氣體。本發(fā)明中，氧化鎂原料粉末或者f美化合物粉末在氯源存在下或在含氯的氣體氛圍中時的^^為85(TC以上。通常升溫fffi為100500。C/小時的^f牛下，從室溫加熱到850。C以上、,9001500。C，特別優(yōu)選10001500°C的》鵬，然后，tt^在該纟驢下加熱燒成10併中以上、特別20射中1小時。燒成后，通常在降^3I度為10050(TC/小時的^f牛下y賴卩至室溫。本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末中，為了提高放電特性，可以添加鎂以外的金屬。在本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末中添加的金屬有鋅、鋁、硅、鈣、鍶、鋇、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、組、鉻、鉬、鉤、錳、鐵、鈷、鈧、紀(jì)、鑭、鈰、釹、釤、銪、鎘、以及鏑。鎂以外的金屬例如可以以氧化物、碳鵬、硝離在本發(fā)明的含氯的氧化鎂粉末的帝隨時添加，金屬添加量雌相對含氯的氧化鎂粉末總量在o.ooi10質(zhì)ay。范圍、特別雌o.011質(zhì)*%范圍。本發(fā)明的含氯的氧化^^末可以采用噴霧法或靜電^^布法等公知的方法制成氧化鄉(xiāng)。實施例實施例1(燒成物1號7號的制造)由氣相合成氧化法制造的氧化f美(MgO)粉末(2000A、宇部^云y(株)出品、純度:99.98質(zhì)fir。、BET比表面積:8.7m2/g)和氯化鎂(MgCl26H20)粉末(純度99.0質(zhì)*%)按下表1所示的量進行混合，得至'J粉末混合物。將得到的粉末混合物SA到容量25mL氧化鋁柑堝內(nèi)，氧化鋁坩堝加蓋后放至盹爐中，以24(rC/小時的升^it度將爐內(nèi)^^升至1200'C，然后在該》鵬下加熱燒成30併中。然后，爐內(nèi)溫度以24(TC/小時降ia^度冷卻至室溫。從電爐內(nèi)取出氧化鋁柑堝，得至微末混合物的燒1號7號.表l<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>測定得到的燒成物1號7號的BETtk^面積、氯含量、純皿紫外光發(fā)光弓販。其結(jié)果如表2所示。另外，氯含穀紫外光發(fā)光纟驢利用以下方法測定。氯含量。齢量]中和燒成物溶解于7K調(diào)制成的溶液，利用離鄰譜法測定該溶液中的氯含[紫外光發(fā)光鵬]對燒繊照謝由氤氣的氣體放電生成的紫外光，觀啶/規(guī)鵬放出的紫外光光譜，求得波長250nm附近(波長范圍230260nm)的最大峰值的紫外光發(fā)光鵬。另外，表2的數(shù)值是以燒成物2號的紫外光發(fā)光5販當(dāng)作100時的相對值。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>由表2所示的結(jié)果可知，氯含M3！0.005質(zhì)《%的含氯的氧化鎂粉末當(dāng)被由氤氣的放電氣體生成的紫外光麟時，以高效率放出波長250nmPf傲的紫外光。權(quán)利要求1.一種含氯的氧化鎂粉末，其中，在0.005～10質(zhì)量％范圍含有氯，除氯之外的總量中氧化鎂純度為99.8質(zhì)量％以上，且BET比表面積在0.1～30m2/g范圍。2、如權(quán)利要求1所述的含氯的氧化鎂粉末，其中，氯含量在0.0110質(zhì)量％的范圍。3、如權(quán)利要求1所述的含氯的氧化鎂粉末，其中，氧化鎂的純度為99.9質(zhì)量％以上。4、如權(quán)利要求1所述的含氯的氧化鎂粉末，其中，BETt:該面積在0.212m"g的范圍。5、如權(quán)利要求14中任一項所述的含氯的氧化鎂粉末，其中，其用于形成于交流型等離子體顯示器面板的電介質(zhì)保護層的放電空間側(cè)的表面的紫外光放出層的制造。6、如權(quán)利要求1所述的含氯的氧化鎂粉末的制造方法，其特征在于，將氧化鎂鄉(xiāng)艘為99.95質(zhì)*%以上且BET比表面積在5150m2/g范圍的氧化鎂原料粉末，或#^過燒成生成該氧化鎂原料粉末的、氯化鎂粉末以外的鎂化合物粉末，在氯源下#含氯的氣體氛圍下，在85(TC以上的溫度下。7、如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，氧化鎂原料粉末或者謝七^tl粉末在純度為99.0質(zhì)《%以上的氯化^^末存在下燒成。8、如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，氧化鎂原料粉棘者謝七，粉末的'^^在1000150(TC范圍。9、如權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，氧化鎂原料粉棘者鎂化合物粉末的燒成時間在10射中以上。全文摘要本發(fā)明提供一種氧化鎂粉末，其當(dāng)被由Xe氣體的氣體放電而產(chǎn)生的紫外光激發(fā)時，高效率地放出波長為250nm附近的紫外光。含氯的氧化鎂粉末的氯含量范圍為0.005～10質(zhì)量％，除氯以外的總量中氧化鎂的純度為99.8質(zhì)量％以上、且BET比表面積在0.1～30m²/g范圍。文檔編號H01J11/22GK101269826SQ20081009515公開日2008年9月24日申請日期2008年2月29日優(yōu)先權(quán)日2007年3月1日發(fā)明者加藤裕三,植木明申請人:宇部材料工業(yè)株式會社