專利名稱：薄膜和使用該薄膜的磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜，特別是芳香族聚酰胺薄膜，和使用其作為基膜的磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
伴隨著近年來的數(shù)字記錄技術(shù)的進(jìn)步和使用計算機(jī)處理的數(shù)據(jù)飛躍性的增加，用于保存這些數(shù)據(jù)的磁帶的需求急劇地增加。這樣的磁帶主要使用聚酯薄膜作為基膜，但是最近，磁帶的薄膜化和高密度記錄化的要求增強(qiáng)，具有優(yōu)異的耐熱性、機(jī)械特性和尺寸穩(wěn)定性的芳香族聚酰胺薄膜的使用逐漸增加。
另外，如上述那樣，磁帶伴隨著近年來的高容量化，數(shù)據(jù)的記錄密度飛躍性地提高，存在稍微有一些尺寸變化就引起數(shù)據(jù)丟失的傾向。這樣的尺寸變化可以分為熱收縮等的不可逆變化和由溫度、濕度引起的膨脹、收縮等的可逆變化。優(yōu)選沒有不可逆變化，但是可以在加工工序中通過退火等處理來消除不可逆變化。與此相對，由于不能容易地消除可逆變化，因此如果在保存時溫度、濕度變化，則薄膜產(chǎn)生膨脹、收縮，從而記錄數(shù)據(jù)偏離了本來應(yīng)該處于的位置，因此有時不能讀取數(shù)據(jù)。
在下述專利文獻(xiàn)1～6中公開了，對于芳香族聚酰胺薄膜，控制上述那樣的由溫度、濕度引起的變化的例子。但是，這些例子都假設(shè)用于撓性印刷基板或薄膜連接器等的電路基板用途，為了主要與銅貼合來使用，按照使薄膜的熱膨脹系數(shù)與銅的熱膨脹系數(shù)一致那樣來設(shè)計。
與此相對，在下述專利文獻(xiàn)7和8中公開了，假設(shè)用作磁記錄介質(zhì)的支持體的例子。專利文獻(xiàn)7公開了，為了控制濕度膨脹系數(shù)、減少尺寸的變化，濕度膨脹系數(shù)β需要滿足β≤100×10-6(1/％RH)，在實(shí)施例中也公開了β為10～60×10-6(1/％RH)的薄膜。但是已知，在被加工成磁記錄介質(zhì)的工序中，如果設(shè)置了磁性層、背面涂層，則由這些層的影響而使磁記錄介質(zhì)的尺寸變化與基膜的尺寸變化不同。在這樣的情況下，磁記錄介質(zhì)的β經(jīng)常相對于基膜增加，為了使磁記錄介質(zhì)的尺寸變化最小，有時還優(yōu)選將基膜的β設(shè)計成負(fù)值。但是，根據(jù)專利文獻(xiàn)7，如“對β的下限沒有特別的限定，但工業(yè)上以1×10-8左右作為制造界限”(第4頁、第18段)所述的那樣，沒有公開使β為負(fù)值的思路和技術(shù)。進(jìn)而，當(dāng)利用蒸鍍法來形成磁性層時，需要利用熱處理使在形成磁性層后產(chǎn)生的卷曲(以磁性面為內(nèi)側(cè)帶子發(fā)生彎曲的現(xiàn)象)部分變平坦，此時，磁記錄介質(zhì)的寬度方向的物性發(fā)生大的變化，從而長度方向與寬度方向在物性上產(chǎn)生差異。因此，為了使磁記錄介質(zhì)的長度方向與寬度方向的尺寸變化一致，需要控制基膜的膨脹系數(shù)使其在長度方向與寬度方向上產(chǎn)生差異，但是這樣的思路沒有被公開。另外，下述專利文獻(xiàn)8以改良縱切性為目的，規(guī)定了厚度方向的熱膨脹系數(shù)，但是與專利文獻(xiàn)7同樣，沒有公開在加工為磁記錄介質(zhì)后使長度方向與寬度方向的尺寸變化一致的思路。
進(jìn)而，在下述專利文獻(xiàn)9中公開了，規(guī)定了以芳香族聚酰胺薄膜作為支持體的磁帶的濕度膨脹系數(shù)的例子，但是，仍然沒有公開使長度方向與寬度方向的尺寸變化一致的思路。
專利文獻(xiàn)1特開平2-84328號公報專利文獻(xiàn)2特開平2-112935號公報專利文獻(xiàn)3特開平3-60181號公報專利文獻(xiàn)4特開平6-136156號公報專利文獻(xiàn)5日本專利2853036號公報專利文獻(xiàn)6日本專利2952907號公報專利文獻(xiàn)7特開平8-297829號公報專利文獻(xiàn)8特開2003-160676號公報專利文獻(xiàn)9特開平6-180836號公報

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供一種薄膜，其可以解決上述的現(xiàn)有的問題，設(shè)計為可以抑制形成磁記錄介質(zhì)時的可逆尺寸變化，且使長度方向與寬度方向的尺寸變化的差異變得最小，還提供使用了該薄膜的磁記錄介質(zhì)。
為了實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明涉及的薄膜包括具有下述特征的薄膜，所述特征為，薄膜在180℃、30分鐘、無張力下進(jìn)行熱處理時的寬度方向的熱收縮率為1.0～2.5％，將長度方向和寬度方向的熱膨脹系數(shù)分別記作αMD(×10-6/℃)、αTD(×10-6/℃)、長度方向和寬度方向的濕度膨脹系數(shù)分別記作βMD(×10-6/％RH)、βTD(×10-6/％RH)時，同時滿足下式(1)～(4)，-10≤αMD≤10 (1)αMD-10≤αTD≤αMD-3 (2)-10≤βMD≤10 (3)βMD-10≤βTD≤βMD-3 (4)。
對于該薄膜，優(yōu)選在將長度方向和寬度方向的楊氏模量分別記作EMD(GPa)、ETD(GPa)時，同時滿足下式(5)和(6)，8≤EMD≤20 (5)EMD×0.7≤ETD≤EMD×1.7 (6)。
另外，優(yōu)選構(gòu)成薄膜的聚合物為芳香族聚酰胺。
本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)是在上述那樣的薄膜的至少一個面上設(shè)置磁性層而形成的。
對于該磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選在將長度方向和寬度方向的熱膨脹系數(shù)分別記作α’MD(×10-6/℃)、α’TD(×10-6/℃)、長度方向和寬度方向的濕度膨脹系數(shù)分別記作β’MD(×10-6/％RH)、β’TD(×10-6/％RH)時，同時滿足下式(7)～(10)，-10≤α’MD≤10 (7)-5≤α’MD-α’TD≤5(8)-10≤β’MD≤10 (9)
-5≤β’MD-β’TD≤5(10)。
根據(jù)本發(fā)明，可以得到下述那樣的效果。本發(fā)明涉及的薄膜，通過將由溫度、濕度導(dǎo)致的尺寸變化規(guī)定在特定的范圍下，可以使形成磁記錄介質(zhì)時的尺寸變化、以及長度方向與寬度方向的尺寸變化的差異變得極小。因此，在磁記錄介質(zhì)中，即使提高記錄密度，也可以準(zhǔn)確讀出需要的數(shù)據(jù)。


是顯示本發(fā)明涉及的薄膜實(shí)際用作磁記錄介質(zhì)時的溫度·濕度條件的范圍的線圖。
具體實(shí)施例方式
對于本發(fā)明的薄膜，其在180℃、無張力下進(jìn)行熱處理30分鐘時的寬度方向的熱收縮率為1.0～2.5％。當(dāng)寬度方向的熱收縮率小于1.0％時，磁記錄介質(zhì)加工后的卷曲恢復(fù)的效果不充分，不能保持平面性。當(dāng)寬度方向的熱收縮率超過2.5％時，在進(jìn)行卷曲恢復(fù)的處理后，有時也產(chǎn)生由熱收縮引起的尺寸變化。從卷曲恢復(fù)的效果與尺寸變化之間的平衡更加良好的角度出發(fā)，寬度方向的熱收縮率更優(yōu)選為1.5～2.0％。另外，長度方向的熱收縮率優(yōu)選為1.5％或其以下，更優(yōu)選為1.0％或其以下，由此，由溫度變化導(dǎo)致的帶子尺寸變化變小，因此是優(yōu)選的。熱收縮率(％)的測定，是通過將試樣切割成寬度1cm、長度22cm，在距離長度方向的兩端1cm的部位進(jìn)行標(biāo)記，在200℃的熱風(fēng)烘箱中、以實(shí)質(zhì)上不施加張力的狀態(tài)進(jìn)行30分鐘的熱處理，然后使用下式(11)來計算的。
熱收縮率＝((熱處理前的試樣長度-熱處理后的試樣長度)/熱處理前的試樣長度)×100 (11)本發(fā)明的薄膜的長度方向的熱膨脹系數(shù)αMD(×10-6/℃)為-10～10。當(dāng)小于-10或大于10時，由熱膨脹或熱收縮導(dǎo)致的變化大，在形成磁記錄介質(zhì)時，由于環(huán)境的變化，有時導(dǎo)致記錄的數(shù)據(jù)不能讀取。從由熱導(dǎo)致的變化變得更小的角度出發(fā)，更優(yōu)選-7≤αMD≤7，進(jìn)一步優(yōu)選-5≤αMD≤5。另外，如上述那樣的、使形成磁性層后產(chǎn)生的卷曲變得平坦的處理，主要是通過在沿長度方向施加張力的狀態(tài)下，加熱至150～250℃左右，使基膜沿寬度方向收縮來進(jìn)行的。由此可知，長度方向的熱導(dǎo)致的行為沒有很大變化，但寬度方向的熱膨脹系數(shù)增大3～10左右。因此，為了將由于磁記錄介質(zhì)的長度方向與寬度方向的熱變化導(dǎo)致的差異設(shè)計為接近0，基膜優(yōu)選按照抵消該上升的部分、即αMD-10≤αTD≤αMD-3(式(2))那樣來設(shè)計。在αMD-3＜αTD或αTD＜αMD-10的情況下，有時在形成磁記錄介質(zhì)時，由熱導(dǎo)致的長度方向與寬度方向的尺寸變化的比例有很大的差異。在將這樣的薄膜制成基膜時，特別是在磁頭為螺旋形掃描(scan)的情況下，磁頭相對于磁帶(磁記錄介質(zhì))的角度是固定的，因此，對于由于長度方向與寬度方向的尺寸變化的差異導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錄入方向的偏離，磁頭有時不能進(jìn)行跟蹤。從形成磁記錄介質(zhì)時的由熱導(dǎo)致的長度方向與寬度方向的尺寸變化的比例變得更加等同的角度出發(fā)，更優(yōu)選αMD-6≤αTD≤αMD-4。另外，熱膨脹系數(shù)α是使用熱機(jī)械試驗機(jī)(TMA)，由磁記錄介質(zhì)實(shí)際使用的范圍30℃→40℃的位移量、并用下式(1 2)計算而得到的。
α＝(X1-X0)/(溫度差×測定前的樣品長度) (12)X030℃時的樣品長度(mm)X140℃時的樣品長度(mm)另外，本發(fā)明的薄膜在長度方向的濕度膨脹系數(shù)βMD(×10-6/％RH)為-10～10。當(dāng)小于-10或大于10時，由濕度引起的膨脹或收縮導(dǎo)致的變化大，從而在形成磁記錄介質(zhì)時，由于環(huán)境的變化，有時導(dǎo)致記錄的數(shù)據(jù)不能讀取。從由濕度導(dǎo)致的變化變得更小的角度出發(fā)，更優(yōu)選-7≤βMD≤7，進(jìn)一步優(yōu)選-5≤βMD≤5。另外可知，與熱膨脹同樣，在使卷曲變平坦時，長度方向的濕度引起的行為沒有很大的變化，但是對于寬度方向，濕度膨脹系數(shù)增大3～10左右。由此，為了將由于磁記錄介質(zhì)的長度方向與寬度方向的濕度變化導(dǎo)致的差異設(shè)計為接近0，基膜優(yōu)選按照抵消該上升的部分、即βMD-10≤βTD≤βMD-3(式(4))那樣來設(shè)計。在βMD-3＜βTD或βTD＜βMD-10的情況下，有時在形成磁記錄介質(zhì)時的由濕度導(dǎo)致的長度方向與寬度方向的尺寸變化的比例有很大的差異。這樣的薄膜，與熱膨脹同樣，對于由于長度方向與寬度方向的尺寸變化的差異導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錄入方向的偏離，有時磁頭不能進(jìn)行跟蹤。從形成磁記錄介質(zhì)時的由濕度導(dǎo)致的長度方向與寬度方向的尺寸變化的比例變得更加等同的角度出發(fā)，更優(yōu)選βMD-6≤βTD≤βMD-4。另外，濕度膨脹系數(shù)β是使用磁帶伸長量試驗機(jī)，由使氣氛從25℃、25％RH變化至25℃、85％RH時的位移量，用下式(13)計算而得到的。
β＝(Y1-Y0)/(濕度差×測定前的樣品長度) (13)Y0在25℃、25％RH下放置24小時后的樣品長度(mm)Y1在25℃、85％RH下放置24小時后的樣品長度(mm)這些式(1)～式(4)需要同時滿足，在即使一個沒有滿足的情況下，在形成磁記錄介質(zhì)時，有時也由于尺寸變化而不能讀取數(shù)據(jù)。
另外，在本發(fā)明中，可以在上述薄膜的至少一個面上設(shè)置磁性層來形成磁記錄介質(zhì)。在該情況下，對于磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選在將長度方向和寬度方向的熱膨脹系數(shù)分別記作α’MD、α’TD(×10-6/℃)、長度方向和寬度方向的濕度膨脹系數(shù)分別記作β’MD、β’TD(×10-6/％RH)時，同時滿足下式(7)～(10)，-10≤α’MD≤10 (7)-5≤α’MD-α’TD≤5(8)-10≤β’MD≤10 (9)-5≤β’MD-β’TD≤5(10)。
通過滿足式(7)和式(9)，可以分別減小由溫度、濕度導(dǎo)致的尺寸變化的絕對值，通過滿足式(8)和式(10)，可以減小長度方向與寬度方向的尺寸變化的差異。如果尺寸變化的絕對值很大，則在加工成磁帶等時，由于記錄數(shù)據(jù)的位置發(fā)生偏離而使數(shù)據(jù)不能讀取，或者在卷成卷狀來使用的情況下，有時發(fā)生卷得太粗或卷得不均勻。如果長度方向與寬度方向的尺寸變化有差異，則如上述的那樣，對于數(shù)據(jù)錄入方向的偏離，有時磁頭不能進(jìn)行跟蹤，有時數(shù)據(jù)變得不能讀取。
另外，本發(fā)明的薄膜，優(yōu)選在將長度方向和寬度方向的楊氏模量分別記作EMD、ETD(GPa)時，同時滿足下式(5)和(6)，8≤EMD≤20 (5)EMD×0.7≤ETD≤EMD×1.7 (6)。
當(dāng)EMD小于8GPa時，剛性不充分，因此有時不適合薄膜化。從更加適于薄膜化的角度出發(fā)，更優(yōu)選EMD為10GPa或其以上，進(jìn)一步優(yōu)選為12GPa或其以上。EMD越高，越適于薄膜化，但是如果EMD過高，則伸長率下降，形成脆的薄膜，所以上限優(yōu)選為20GPa。另外，當(dāng)EMD×0.7＞ETD時，在長度方向取向過度，變得容易破裂，或者寬度方向的楊氏模量不充分，在反復(fù)行走時，有時磁帶變形、磁特性變化。另外，當(dāng)ETD＞EMD×1.7時，寬度方向的取向變得過強(qiáng)，縱切性惡化，或者當(dāng)反復(fù)行走時，端部變形。為了使縱切性、楊氏模量之間的平衡變得更加良好，更優(yōu)選EMD×0.8≤ETD≤EMD×1.6，進(jìn)一步優(yōu)選EMD×1.0≤ETD≤EMD×1.5。另外，楊氏模量，使用テンシロン(單紗強(qiáng)力試驗機(jī)，商品名)，用300mm/分鐘的拉伸速度進(jìn)行拉伸，由伸長率與拉伸應(yīng)力形成的曲線的初始梯度來求得。
另外，本發(fā)明的薄膜的伸長率優(yōu)選在所有的方向上為5％或其以上。當(dāng)伸長率小于5％時，有時薄膜變脆、變得易于斷裂。因為在加工成帶子時，能夠保持適度的柔軟性，所以伸長率更優(yōu)選為10％或其以上，進(jìn)一步優(yōu)選20％或其以上。
如果本發(fā)明的薄膜的吸濕率為5％或其以下、更優(yōu)選為3％或其以下、進(jìn)一步優(yōu)選為2％或其以下，則可以抑制由濕度變化導(dǎo)致的尺寸變化，因此是優(yōu)選的。
上述的本發(fā)明的薄膜，如果構(gòu)成聚合物為芳香族聚酰胺，則可以使薄膜滿足各種特性，所以是優(yōu)選的。
這里，作為芳香族聚酰胺，優(yōu)選例如具有下述化學(xué)式(1)([化1])和/或化學(xué)式(2)([化2])所示的重復(fù)單元的芳香族聚酰胺。
[化2] 這里，作為Ar1、Ar2、Ar3的基團(tuán)，可以列舉出例如，下述化學(xué)式(3)([化3])所示的基團(tuán)等。
另外，上述X、Y的基團(tuán)選自-O-、-CH2-、-CO-、-CO2-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-等，但不限定于這些基團(tuán)。
進(jìn)而，優(yōu)選這些芳香環(huán)上的氫原子的一部分被氟、溴、氯等的鹵素基團(tuán)(特別是氯)、硝基、甲基、乙基、丙基等的烷基(特別是甲基)、甲氧基、乙氧基、丙氧基等的烷氧基等取代基所取代的芳香族聚酰胺，因為這樣可以使吸濕率降低、使得由濕度變化導(dǎo)致的尺寸變化變小。另外，構(gòu)成聚合物的酰胺鍵中的氫，也可以被其他取代基所取代。
本發(fā)明中使用的芳香族聚酰胺，優(yōu)選上述芳香環(huán)具有對位取向性的芳香環(huán)占全部芳香環(huán)的80摩爾％或其以上，更優(yōu)選90摩爾％或其以上。這里，所謂對位取向性，是指在芳香環(huán)上構(gòu)成主鏈的2價的結(jié)合鍵處于相互同軸或平行的狀態(tài)。當(dāng)該對位取向性小于80摩爾％時，有時薄膜的剛性和耐熱性變得不充分。進(jìn)而，當(dāng)芳香族聚酰胺含有60摩爾％或其以上的下述化學(xué)式(4)([化4])所示的重復(fù)單元時，拉伸性和薄膜物性特別優(yōu)異，因此是優(yōu)選的。[化4] (這里，p、q為0～4的整數(shù))
本發(fā)明中使用的芳香族聚酰胺，在由芳香族二酰氯和芳香族二胺得到的情況下，其可以通過在N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺等的非質(zhì)子性有機(jī)極性溶劑中的溶液聚合來合成。
此時，為了抑制低分子量物的生成，應(yīng)該避免混入能夠阻礙反應(yīng)的水、其他物質(zhì)，優(yōu)選采用有效率的攪拌方法。另外，作為助溶劑，也可以添加氯化鈣、氯化鎂、氯化鋰、溴化鋰、硝酸鋰等。
在使用芳香族二酰氯和芳香族二胺作為單體時，會副生成氯化氫，當(dāng)中和該氯化氫時，可以使用以由元素周期表I族或II族的陽離子與氫氧化物離子、碳酸離子等的陰離子形成的鹽為代表的無機(jī)的中和劑，或環(huán)氧乙烷、1，2-環(huán)氧丙烷、氨、三乙胺、三乙醇胺、二乙醇胺等的有機(jī)的中和劑。另外，以改善基體材料薄膜的濕度特性為目的，也可以向聚合結(jié)束后的體系中添加苯甲酰氯、苯二甲酸酐、乙酰氯、苯胺等，來將聚合物末端的官能團(tuán)進(jìn)行封端。
為了得到本發(fā)明的薄膜，聚合物的特性粘度(將0.5g聚合物加入到硫酸中形成100ml的溶液，在30℃下測定該溶液得到的值)優(yōu)選為0.5或其以上。
作為制膜原液，可以直接使用中和后的聚合物溶液，也可以使用在將聚合物暫時分離后、再溶解到溶劑中而形成的溶液。作為溶劑，從操作方便的角度出發(fā)，優(yōu)選N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺等的有機(jī)極性溶劑，但是也可以使用濃硫酸、濃硝酸、多磷酸等的強(qiáng)酸性溶劑。制膜原液中的聚合物濃度優(yōu)選在2～20重量％的范圍內(nèi)。
另外，優(yōu)選在不損害薄膜物性的程度下，向形成表層的芳香族聚酰胺中混合潤滑劑、抗氧化劑、其他添加劑等。
另外，為了使其具有適度的粗糙度，優(yōu)選在薄膜中存在粒子。作為粒子的種類，有SiO2、TiO2、Al2O3、CaSO4、BaSO4、CaCO3、炭黑、沸石、其他金屬微粉末等的無機(jī)粒子，或聚硅氧烷粒子、聚酰亞胺粒子、交聯(lián)共聚物粒子、交聯(lián)聚酯粒子、交聯(lián)聚苯乙烯粒子、テフロン(注冊商標(biāo))粒子等的有機(jī)高分子等，但是從發(fā)揮芳香族聚酰胺薄膜的耐熱性的角度出發(fā)，更優(yōu)選耐熱性優(yōu)異的無機(jī)粒子。作為粒子徑，根據(jù)用途有選擇的范圍，但是優(yōu)選在0.01～2μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.05～1μm的范圍內(nèi)。另外，為了使薄膜表面的光滑性良好，作為含量，優(yōu)選在0.01～10重量％的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.1～5重量％的范圍內(nèi)。例如，在用于磁記錄介質(zhì)的情況下，優(yōu)選在0.1～3重量％的范圍內(nèi)含有平均粒徑為0.01～0.5μm范圍內(nèi)的無機(jī)粒子，因為這樣可以兼具電磁轉(zhuǎn)換特性和行走性、耐久性。薄膜表面的光滑性不適當(dāng)?shù)那闆r，在制膜工序或加工工序中，在薄膜與輥接觸時，即使在具有微小的異物的情況下，也容易成為損傷的原因。最終薄膜的表面粗糙度也應(yīng)該與含有粒子同樣，根據(jù)用途來適當(dāng)?shù)卦O(shè)計，例如，在用于磁記錄介質(zhì)的情況下，中心線平均粗糙度Ra優(yōu)選在0.1～100nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在0.2～50nm的范圍內(nèi)，十點(diǎn)平均粗糙度Rz優(yōu)選在2～500nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在3～400nm的范圍內(nèi)，因為這樣不易對薄膜造成損傷。
如上述那樣調(diào)制的制膜原液，可以通過干法、干濕法、濕法等進(jìn)行薄膜化，但從能夠得到高品質(zhì)的薄膜的角度出發(fā)，優(yōu)選干濕法。
下面，用例子來說明干濕法。
將上述制膜原液從口模擠出到轉(zhuǎn)鼓、環(huán)形帶等的支持體上，做成薄膜，接著，使溶劑從該薄膜層揮發(fā)，得到可以從支持體剝離的聚合物薄片。這里，所謂的聚合物薄片，是指除聚合物以外還含有溶劑、助溶劑等的具有自身支持性的薄膜或薄片。
從薄膜表面的平滑性良好的角度出發(fā)，此時的干燥溫度(熱風(fēng)或支持體的溫度)優(yōu)選為80～200℃。進(jìn)而，如果在80～120℃下預(yù)熱，然后將干燥溫度提高至120～200℃，則平面性變得更加良好，且干燥時間也可以縮短，所以是優(yōu)選的。
另外，聚合物薄片的溶劑含量優(yōu)選為20～70重量％。如果溶劑含量大于70重量％，則聚合物薄片的自身支持性不充分，拉伸性容易產(chǎn)生不均，當(dāng)小于20重量％時，有時聚合物部分析出、薄膜的伸長率降低。這樣，如果拉伸性不均，則薄膜的厚度、尺寸變化行為容易發(fā)生不均。從薄膜的厚度、尺寸變化行為更加均一的觀點(diǎn)出發(fā)，聚合物薄片的溶劑含量更優(yōu)選為30～70重量％，進(jìn)一步優(yōu)選為30～60重量％。進(jìn)而，從支持體上剝離時的聚合物薄片的溫度優(yōu)選為80～120℃。如果大于120℃，則聚合物薄片軟化，厚度或尺寸變化行為容易發(fā)生不均，有時在尺寸變化行為方面，長度方向與寬度方向能夠產(chǎn)生差異。如果小于80℃，則有時干燥時間變長，生產(chǎn)率下降。為了如上述那樣來控制聚合物薄片的溫度，優(yōu)選將干燥溫度在初期設(shè)定為低溫(80～120℃)、中期為高溫(120～200℃)、后期(剝離時)再次設(shè)定為低溫(80～120℃)。從易于控制各工序中的干燥溫度的角度出發(fā)，支持體更優(yōu)選為環(huán)形帶。
這樣，從支持體剝離后的聚合物薄片，冷卻至30～60℃后，沿長度方向拉伸1.1～2.0倍。在冷卻時，可以與通有冷水的輥?zhàn)咏佑|，或者使用冷風(fēng)。如果聚合物薄片的溫度超過60℃，則在尺寸變化行為方面、長度方向與寬度方向能夠產(chǎn)生差異，或者由于與濕法工序的溫度差大，因此在引入濕法工序時，有時薄片很大程度地頸縮、寬度方向的熱收縮率變小，或者尺寸變化行為的長度方向與寬度方向的差異進(jìn)一步增大。另外，當(dāng)溫度小于30℃時，聚合物薄片沒有柔軟性，在拉伸時，有時聚合物薄片破損，因此不是優(yōu)選的。另外，當(dāng)拉伸倍率小于1.1倍時，有時長度方向的楊氏模量小于7GPa。另外，如果拉伸倍率大于2.0倍，則薄膜變得容易破裂。
接著，將長度方向的拉伸工序結(jié)束后的聚合物薄片引入到濕法工序中，進(jìn)行脫鹽、脫溶劑等。如果不通過濕法工序而直接進(jìn)行熱處理，則有時表面很大程度地皸裂、發(fā)生卷曲。濕法浴液的溫度優(yōu)選為30～60℃，如果大于60℃，則有時表面皸裂，如果小于30℃，則有時脫鹽、脫溶劑的時間變長。
將經(jīng)過了濕法工序的薄膜進(jìn)行水分的干燥、熱處理。熱處理溫度優(yōu)選在200～400℃的范圍內(nèi)。更優(yōu)選為240～320℃。當(dāng)熱處理的溫度小于200℃時，有時薄膜的楊氏模量降低，如果大于400℃，則薄膜的結(jié)晶化過度進(jìn)行，有時形成硬、脆的薄膜。
另外，在熱處理時，沿寬度方向進(jìn)行拉伸。當(dāng)將長度方向的拉伸倍率記作RMD，寬度方向的拉伸倍率記作RTD時，為了使EMD、ETD滿足式(6)的關(guān)系，拉伸倍率優(yōu)選形成RMD×0.6≤RTD≤RMD×1.8這樣的關(guān)系。
接著，優(yōu)選在150～250℃的溫度下，沿寬度方向再次拉伸1.01～1.03倍，然后，在150～250℃的溫度下，以寬度方向上保持恒定長度的狀態(tài)下，進(jìn)行30秒或其以上的熱處理、熱固定。通過該操作，可以賦予卷曲恢復(fù)所必須的寬度方向的熱收縮率。進(jìn)而，通過組合在干燥工序中的溫度調(diào)節(jié)和該熱處理，可以將薄膜的寬度方向的熱膨脹系數(shù)和濕度膨脹系數(shù)相對于長度方向減少3～10(可以形成式(2)和式(4))，可以減少形成磁記錄介質(zhì)時的長度方向與寬度方向的尺寸變化的差異。如果再拉伸溫度超過250℃，則不能得到需要的熱收縮率，有時卷曲恢復(fù)變得不充分，當(dāng)小于150℃時，拉伸應(yīng)力變大，有時尺寸變化增大。如果再拉伸倍率大于1.03倍，則熱收縮率過度增大，當(dāng)小于1.01倍時，不能得到必要的熱收縮率，有時卷曲恢復(fù)變得不充分。另外，在不進(jìn)行熱固定的情況下，在形成磁性層時，有時薄膜通過受熱而再拉伸的效果被抵消。從可以使卷曲處理后的長度方向與寬度方向的尺寸變化的差異更小的角度出發(fā)，更優(yōu)選將熱固定溫度設(shè)定得比再拉伸溫度低30～50℃。
另外，用本發(fā)明方法制造的薄膜也可以是層壓薄膜。例如，在2層的情況下，將聚合了的芳香族聚酰胺溶液分成2份，分別向其中添加不同的粒子等，然后進(jìn)行層壓。進(jìn)而，3層或其以上的情況也同樣。作為這些層壓的方法，眾所周知的方法有例如，在口模內(nèi)的層壓，或在復(fù)合管中的層壓，或一旦形成1層后、在其上形成其他層的方法等。
本發(fā)明的薄膜也可以用于撓性印刷基板、熱敏轉(zhuǎn)印帶、電容器等的用途，但是作為磁記錄介質(zhì)的基膜是特別有用的，當(dāng)用作磁記錄介質(zhì)用基膜時，在其單面或雙面設(shè)置磁性層，來形成磁記錄介質(zhì)。
作為磁記錄介質(zhì)優(yōu)選的用途，例如有，8mm、數(shù)字錄像帶等的民用、專業(yè)用，D-1、2、3等的廣播電臺用，DDS-2、3、4、QIC、デ一タ8mm、DLT等的數(shù)據(jù)存儲用等，特別地，可以優(yōu)選用于重視數(shù)據(jù)丟失等的可靠性的數(shù)據(jù)存儲用途。
本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，優(yōu)選基膜的厚度為1～5μm、形成磁記錄介質(zhì)時的厚度為2～8μm，因為這樣作為磁記錄介質(zhì)，能夠維持好的磁特性和行走性，同時可以得到大體積的記錄容量。
在本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)中，磁性層的形成可以列舉出，涂布法、蒸鍍法、離子鍍敷法、濺射法、簇離子束法等，特別地，如果使用蒸鍍法，則可以充分發(fā)揮本發(fā)明的效果，因此其是優(yōu)選的。
蒸鍍法可以使用，例如通過傾斜蒸鍍或者垂直蒸鍍法來形成的、以Co、Ni、Fe等作為主體的金屬薄膜或者以它們的合金作為主體的金屬薄膜。如果進(jìn)行示例，則可以列舉出，Co、Ni、Fe等的強(qiáng)磁性金屬，或Fe-Co、Co-Ni、Fe-Co-Ni、Fe-Cu、Co-Au、Co-Pt、Mn-Bi、Mn-Al、Fe-Cr、Co-Cr、Ni-Cr、Fe-Co-Cr、Co-Ni-Cr、Fe-Co-Ni-Cr等的強(qiáng)磁性合金。它們可以是單層膜，也可以是多層膜。
另外，作為蒸鍍的方法，優(yōu)選在減壓下加熱蒸發(fā)強(qiáng)磁性材料、堆積在薄膜上的真空蒸鍍法，但也可以使用在放電過程中進(jìn)行強(qiáng)磁性材料蒸發(fā)的離子鍍敷法；在以氬氣作為主成分的氣氛中發(fā)生輝光放電，用生成的氬離子打出靶表面的原子的濺射法等，所謂的PVD技術(shù)。在形成磁性薄膜后，作為卷曲的對策，優(yōu)選實(shí)施150℃～250℃的熱處理。此時，優(yōu)選沿長度方向上施加0.5～10MPa的張力。另外，以提高磁記錄介質(zhì)的耐久性、耐氣候性為目的，也可以根據(jù)需要，在由金屬磁性薄膜形成的磁性層的表面上，通過濺射法、CVD法來設(shè)置硬質(zhì)碳膜，進(jìn)而，通過設(shè)置潤滑層，也可以基于磁性材料的粒子狀突起形狀進(jìn)一步提高行走性。作為潤滑劑，可以列舉出例如，脂肪酸和脂肪酸酯。
優(yōu)選在本發(fā)明磁記錄介質(zhì)的基膜的另外的一側(cè)上，設(shè)置背面涂層。該背面涂層基本由非磁性粉末與結(jié)合材料來構(gòu)成，作為非磁性粉末，優(yōu)選含有炭黑。進(jìn)而，作為無機(jī)粉末，優(yōu)選含有碳酸鈣、和莫氏硬度為5～9的無機(jī)粉末。
實(shí)施例下面，對于本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。
以下的實(shí)施例中的物性的測定、效果的評價按照下面的方法進(jìn)行。
(1)聚合物薄片的溫度使用佐藤計量器(株)制的接觸式溫度計SK-2000MC來測定寬度方向中央部位。
(2)熱收縮率(％)將芳香族聚酰胺薄膜切割成寬度1cm、長度22cm，在距離長度方向的兩端1cm的部位進(jìn)行標(biāo)記，在200℃的熱風(fēng)烘箱中、在實(shí)質(zhì)上不施加張力的狀態(tài)下進(jìn)行30分鐘的熱處理，然后使用下式(11)計算。進(jìn)行5次測定，求出平均值。
熱收縮率＝((熱處理前的試樣長度-熱處理后的試樣長度)/熱處理前的試樣長度)×100 (11)(3)楊氏模量E在25℃、60％RH下，使用ロボツトテンシロン RTA-100(オリエンテツク社制)來測定。樣品按寬度為10mm，夾頭間的長度為50mm那樣來設(shè)置，拉伸速度為300mm/分，測定5次，求平均值。
(4)熱膨脹系數(shù)α由薄膜切割出寬度為4mm、長度為15mm的切片，使用下述裝置，在氮?dú)鈿夥障拢陨郎亍そ禍厮俣?℃/分鐘的速度，使溫度按照20℃→50℃→20℃→50℃那樣變化，由再升溫時的30℃→40℃的位移量，使用式(12)來計算熱膨脹系數(shù)α。負(fù)載加重為5g。測定3次，求出平均值。另外，對于方向(MD、TD)，將測定方向的樣品長度定為15mm來實(shí)施。
裝置真空理工株式會社制 熱機(jī)械試驗機(jī)TM-9400天平部分和加熱爐MTS-9000多功能熱分析工作站α＝(X1-X0)/(溫度差×測定前的樣品長度)X030℃時的樣品長度(mm)
X140℃時的樣品長度(mm)溫度差＝10(℃)測定前的樣品長度＝15(mm)(5)濕度膨脹系數(shù)β從薄膜切割出寬度為10mm、長度為200mm的切片，將大倉インダストリ一株式會社制“磁帶伸長量試驗機(jī)”1TTM1放入ナガノ科學(xué)機(jī)械制作所制的恒溫恒濕槽LH20-14中，在下述條件下，測定變化量，使用式(13)來計算濕度膨脹系數(shù)β。負(fù)載加重為10g。測定2次，求出平均值。另外，對于方向(MD、TD)，將測定方向的樣品長度定為200mm來實(shí)施。
條件(a)在25℃、25％RH下放置24小時(b)用150分鐘將濕度從25℃、25％RH變化至85％RH(c)在25℃、85％RH下放置24小時β＝(Y1-Y0)/(濕度差×測定前的樣品長度)(13)Y0在25℃、25％RH下放置24小時后的樣品長度(mm)Y1在25℃、85％RH下放置24小時后的樣品長度(mm)濕度差＝60(％RH)測定前的樣品長度＝200(mm)(6)卷曲恢復(fù)的判定從磁帶上每隔10m切割出5個寬度為1cm、長度為10cm的樣品，放置在水平的臺子上，測定變形度最大部分離水平面的高度，求出平均值。根據(jù)以下的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評價?！骰蚱湟陨鲜窃趯?shí)用范圍內(nèi)。對于×的情況，由于卷曲的影響，不能正確的測定，因此不進(jìn)行尺寸變化等的測定。
○變形量小于1mm△變形量為1～2mm×變形量大于2mm(7)尺寸變化的測定和評價從薄膜切割出寬度為10mm、長度為200mm的切片，將大倉インダストリ一株式會社制“磁帶伸長量試驗機(jī)”1TTM1放入ナガノ科學(xué)機(jī)械制作所制的恒溫恒濕槽LH20-14中，在下述條件下，測定變化量。負(fù)載加重為10g。
條件實(shí)際用作磁記錄介質(zhì)的溫度濕度條件，是在圖1所示的5角形區(qū)域的內(nèi)部。其中，下述條件1～3的變化對磁記錄介質(zhì)的尺寸的影響大。因此，在這3個條件下，按以下(a)～(c)所示的順序改變溫度·濕度，測定尺寸變化。
初始狀態(tài) 變化后的狀態(tài)條件1 A10℃、10％RH →C29℃、80％RH條件2 A10℃、10％RH →D45℃、24％RH條件3 E45℃、10％RH →B10℃、80％RH(a)在初始狀態(tài)下放置24小時(b)用150分鐘從初始狀態(tài)變化至變化后的狀態(tài)(c)在變化后的狀態(tài)下放置24小時在條件1～3下進(jìn)行測定，分別使用下式(14)來計算尺寸變化。測定2次，求出平均值。
尺寸變化(％)＝(Y1-Y0)×100/(測定前的樣品長度)(17)Y0在初始狀態(tài)下放置24小時后的樣品長度(mm)Y1在變化后的狀態(tài)下放置24小時后的樣品長度(mm)測定前的樣品長度＝200(mm)根據(jù)以下的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評價，△或其以上是在實(shí)用范圍內(nèi)。
○MD、TD的任一個的變化量都小于0.07％，差異小于0.02△MD、TD的任一個的變化量都小于0.07％，差異大于等于0.02且小于0.03×MD、TD的任一個的變化量都大于等于0.07％，差異大于等于0.03(8)端部的變形使用DDS2驅(qū)動器，將用實(shí)施例所述方法制作的磁帶，以0.2m/秒的行走速度行走50小時后，觀察端部。每隔10m切割出5個長度為10cm的樣品，放置在水平的臺子上，測定變形度最大部分離水平面的高度，求出平均值。根據(jù)以下的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行評價?！骰蚱湟陨鲜窃趯?shí)用范圍內(nèi)。
○變形量小于1mm△變形量為1～2mm×變形量大于2mm(9)行走耐久性通過使用了DDS2驅(qū)動器的ECMA標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的TM1，進(jìn)行10000P(傳送)的評價。用由于錯誤率上升導(dǎo)致發(fā)生行走停止時的傳送次數(shù)來評價?！骰蚱湟陨蠟閷?shí)用范圍。
○直至10000P都沒有停止△5000～10000P停止×小于5000P時停止以下，基于實(shí)施例來更具體地說明本發(fā)明，但是本發(fā)明不限定于這些實(shí)施例。另外，以下的實(shí)施例中所述的“份”表示“重量份”。
實(shí)施例1<聚合物原液的調(diào)制>
在脫水N-甲基-2-吡咯烷酮中，溶解相當(dāng)于85摩爾％的2-氯對苯二胺和相當(dāng)于15摩爾％的4，4′-二氨基二苯醚，向其中添加相當(dāng)于98.5摩爾％的2-氯對苯二甲酰氯，通過攪拌2小時來聚合，然后用碳酸鋰進(jìn)行中和，得到聚合物濃度為11重量％的芳香族聚酰胺溶液。
<芳香族聚酰胺薄膜的制造>
將該聚合物原液從寬度為830mm的口模、按照最終薄膜的厚度為4μm這樣的方式流延在表面為鏡面狀的、以8.0m/分鐘的速度旋轉(zhuǎn)的不銹鋼制帶子上。將該流延的聚合物溶液用最初100℃(初期溫度)、接著180℃(中期溫度)的熱風(fēng)分別加熱1分鐘，使溶劑蒸發(fā)，之后，用30秒鐘吹送100℃(后期溫度)的熱風(fēng)，將聚合物薄片的溫度冷卻至120℃，然后剝離。進(jìn)而，用50℃的冷卻輥將聚合物薄片的溫度冷卻至60℃后，沿長度方向拉伸1.15倍。接著，在50℃的水槽內(nèi)流通2分鐘，通過與殘留溶劑中和，將生成的無機(jī)鹽進(jìn)行水提取。之后，在拉幅器中，在280℃的溫度下，沿TD拉伸1.44倍，并且進(jìn)行熱處理。進(jìn)而，在200℃的溫度下，沿TD再拉伸1.015倍后，在150℃下進(jìn)行45秒的熱固定。
<磁記錄介質(zhì)(磁帶)的制作>
對連續(xù)卷取式的蒸鍍裝置進(jìn)行排氣，使其內(nèi)部變?yōu)?0×10-3Pa左右的減壓狀態(tài)，設(shè)置基膜。在微量的氧氣氣氛中，通過連續(xù)真空斜蒸鍍法，在基膜的表面上形成由Co的強(qiáng)磁性金屬薄膜構(gòu)成的磁性層。蒸鍍的條件為，在斜蒸鍍的入射角與基膜法線方向呈45°的角度下，使薄膜的送料速度為50m/分鐘，使蒸鍍的厚度為0.2μm那樣來調(diào)節(jié)電子束的強(qiáng)度。接著，將磁控管濺射裝置的內(nèi)部減壓至10×10-4Pa左右后，導(dǎo)入氬氣，使壓力為0.8Pa左右。然后，在該磁控管濺射裝置中設(shè)置形成有由強(qiáng)磁性金屬薄膜構(gòu)成的磁性層的薄膜，在冷卻至-40℃下的冷卻罐上、以5m/分鐘的送料速度使其行走，在磁性層上形成碳保護(hù)膜。接著，在與基膜的磁性層形成面相反側(cè)的面上，涂布由以下組成構(gòu)成的背面涂層，使得其干燥后的厚度為0.5μm。
<背面涂層形成用的成分>
微粒子狀炭黑粉末 100份(キヤボツト社制、BP-800、平均粒子大小17mμ)粗粒子狀炭黑粉末 10份(カ一ンカルブ社制、熱解炭黑 平均粒子大小270mμ)碳酸鈣 80份(白石工業(yè)(株)制、白艷華O、平均粒子大小40mμ)α-氧化鋁5份(住友化學(xué)工業(yè)(株)制、HIT55、平均粒子大小200mμ、莫氏硬度8.5)硝基纖維素樹脂 140份聚氨酯樹脂 15份聚異氰酸酯樹脂 40份聚酯樹脂 5份分散劑油酸銅 5份銅酞菁 5份硫酸鋇 5份甲基乙基酮 2200份醋酸丁酯 300份甲苯 600份用連續(xù)捏合機(jī)對形成上述背面涂層的各成分進(jìn)行混煉，然后使用砂磨機(jī)將其分散。使用具有1μm的平均孔徑的過濾器來過濾所得到的分散液，調(diào)制背面涂層形成用的涂布液來使用。
進(jìn)而，在碳保護(hù)膜上，形成由全氟聚醚形成的潤滑劑的頂面涂層后，一邊施加2MPa的張力來進(jìn)行調(diào)節(jié)，一邊在200℃的加熱罐上進(jìn)行20秒的熱處理，形成磁記錄介質(zhì)。然后，將該磁記錄介質(zhì)進(jìn)行裁剪，組裝到磁帶盒主體中，形成盒式磁帶。
將基膜的制造條件、基膜和磁記錄介質(zhì)的尺寸變化率、作為磁記錄介質(zhì)的評價分別匯集在表1、表2、表3中(以下的實(shí)施例、比較例也同樣)。
作為磁記錄介質(zhì)的評價全部在實(shí)用范圍內(nèi)。
實(shí)施例2～11除了使實(shí)施例1中的拉伸和熱處理條件如表1那樣變化來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。
作為磁記錄介質(zhì)的評價全部在實(shí)用范圍內(nèi)。
實(shí)施例12除了將實(shí)施例1中的將干燥條件的中期溫度變?yōu)?00℃、將干燥時間變?yōu)?分鐘來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。
作為磁記錄介質(zhì)的評價全部為良好。
實(shí)施例13除了將實(shí)施例1中的干燥條件的中期溫度變?yōu)?00℃、將干燥時間變?yōu)?分鐘，使后期溫度變?yōu)?0℃、使干燥時間變?yōu)?0秒來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。作為磁記錄介質(zhì)的評價全部為良好。
比較例1除了將實(shí)施例1中的寬度方向再拉伸溫度變成260℃來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。卷曲恢復(fù)不充分，磁帶不能保持平面性。
比較例2除了將實(shí)施例1中的寬度方向再拉伸溫度改變成140℃來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。尺寸變化惡化。
比較例3除了將實(shí)施例1中的寬度方向再拉伸倍率改變成1.0倍來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。卷曲恢復(fù)不充分，磁帶不能保持平面性。
比較例4除了將實(shí)施例1中的寬度方向再拉伸倍率改變成1.035倍來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。熱收縮變大，且尺寸變化惡化。
比較例5除了將實(shí)施例1中的熱固定時間改變成20秒來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。尺寸變化惡化。
比較例6除了將實(shí)施例1中的熱固定溫度改變成260℃來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。卷曲恢復(fù)不充分，磁帶不能保持平面性。
比較例7除了將實(shí)施例1中的熱固定溫度改變成130℃來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。尺寸變化惡化。
比較例8除了將實(shí)施例1中的后期溫度改變成180℃來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。卷曲恢復(fù)和尺寸變化惡化。
比較例9
除了將實(shí)施例1中的后期溫度改變成180℃，干燥后不與冷卻輥接觸就引入水槽來制膜之外，其他與實(shí)施例1同樣，來制造薄膜和磁帶。卷曲恢復(fù)不充分，磁帶不能保持平面性。
表1

MD長度方向、TD寬度方向表2

MD長度方向、TD寬度方向表3

MD長度方向、TD寬度方向工業(yè)可利用性本發(fā)明的薄膜可以用作計算機(jī)數(shù)據(jù)保存用的磁帶等的磁記錄介質(zhì)用基膜。特別地，因為具有優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性，所以可以適合用于高密度記錄的用途，但是其應(yīng)用范圍不限定于這些用途。
權(quán)利要求
1.一種薄膜，其特征在于，在180℃、無張力下進(jìn)行熱處理30分鐘時的寬度方向的熱收縮率為1.0～2.5％，在將長度方向和寬度方向的熱膨脹系數(shù)分別記作αMD(×10-6/℃)、αTD(×10-6/℃)、長度方向和寬度方向的濕度膨脹系數(shù)分別記作βMD(×10-6/％RH)、βTD(×10-6/％RH)時，同時滿足下式(1)～(4)，-10≤αMD≤10(1)αMD-10≤αTD≤αMD-3(2)-10≤βMD≤10(3)βMD-10≤βTD≤βMD-3(4)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜，將長度方向和寬度方向的楊氏模量分別記作EMD(GPa)、ETD(GPa)時，同時滿足下式(5)和(6)，8≤EMD≤20 (5)EMD×0.7≤ETD≤EMD×1.7 (6)。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜，構(gòu)成薄膜的聚合物為芳香族聚酰胺。
4.一種磁記錄介質(zhì)，是在權(quán)利要求1～3任一項所述的薄膜的至少一個面上設(shè)置磁性層而形成的。
5.如權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)，在將長度方向和寬度方向的熱膨脹系數(shù)分別記作α’MD(×10-6/℃)、α’TD(×10-6/℃)、長度方向和寬度方向的濕度膨脹系數(shù)分別記作β’MD(×10-6/％RH)、β’TD(×10-6/％RH)時，同時滿足下式(7)～(10)，-10≤α’MD≤10 (7)-5≤α’MD-α’TD≤5 (8)-10≤β’MD≤10 (9)-5≤β’MD-β’TD≤5 (10)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜，其特征在于，在180℃、無張力下進(jìn)行熱處理30分鐘時的寬度方向的熱收縮率為1.0～2.5％，在將長度方向和寬度方向的熱膨脹系數(shù)分別記作αMD(×10
文檔編號B29C41/24GK1878653SQ20048003336
公開日2006年12月13日 申請日期2004年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月14日
發(fā)明者末岡雅則, 佃明光 申請人:東麗株式會社