專利名稱：用于控制襯底污染的方法和設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及襯底容器和保持這類容器的內部干燥以及使其內的污染最小。
背景技術：
已經(jīng)認識到，光罩盒(reticle pod)或晶片容器的聚合物壁中的水分以及經(jīng)聚合 物壁滲透的水分是這類容器中容納的襯底的污染源。在運輸、儲存或后續(xù)制造過程中的暫停期間，半導體晶片儲存在特殊容器如SMIF 容器中，例如SMIF盒(標準機械接口的簡稱)和FOUP (前開式標準盒的簡稱)。根據(jù)多個 因素如生產(chǎn)運行規(guī)模和周期時間，在處理步驟之間晶片可在這種容器中停留很長時間。在 該時間期間，經(jīng)處理的晶片受到不利于生產(chǎn)良率的環(huán)境濕氣、氧和其他AMC(“空氣中分子態(tài) 污染物”)影響。例如，水分可導致不受控制的自然氧化層生長，形成霧度(haze)和腐蝕，而已知 氧氣影響Cu互連的可靠性。實驗數(shù)據(jù)和計算研究顯示，內部有晶片的封閉FOUP可以用通 過殼下底部或FOUP門上的進入端口導入的連續(xù)氮氣流進行有效的吹掃。已知約4升/分 鐘的氮氣緩流顯著降低負載的FOUP內的氧和水分水平，在4至5分鐘內降至約RH和
的02。實驗數(shù)據(jù)還顯示氮氣吹掃流的終止可在幾分鐘之內導致水分濃度非常迅速地提 高(在FOUP內的水平大于)。這種效應被認為是由通過FOUP壁的水分滲透和由FOUP 的聚碳酸酯壁的水分脫附造成的。需要更好的系統(tǒng)和方法來更好地保護襯底如晶片免受環(huán)境水分和氧損害。

發(fā)明內容
在某些實施方案中，在負載的襯底容器如FOUP的存放和區(qū)內(intra bay)運輸 (如借助于PGV(人導車輛)進行的運輸)期間，為其提供雙重吹掃。雙重吹掃可包括潔凈 干燥的空氣(“CDA”)的流，或導向或限于襯底容器外側的其他吹掃氣體流，其防止水分滲 透到襯底容器中或使其最小化，并且實現(xiàn)例如對例如為聚碳酸酯的聚合物容納壁的逐步干 燥。FOUP內部的常規(guī)內部吹掃，例如通過氮氣進行的吹掃阻止氧累積并從內部為容納壁提 供干燥。用于襯底容器的儲存儲料器(stocker)內部的分隔壁或遮蔽件將確保有效的CDA 循環(huán)。在吹掃站上的區(qū)內小型存儲器和外殼內的類似的遮蔽件和分隔壁也提供有效的CDA 用途。配有充注CDA和N2的可再充低壓容器的PGV可在運輸中為FOUP提供雙重吹掃。在本發(fā)明的實施方案中，一種用于在由聚合物形成的襯底容器內保持極其干燥的 環(huán)境的系統(tǒng)提供襯底容器外部的補充外部氣體清洗，以使通過容器聚合物壁發(fā)生的水分和
6氧滲透最小化，并且還提供在容器的聚合物壁中夾帶的水的脫附?？梢栽谧鳛閮α掀饕徊糠值呐欧艊娮煜掠翁峁┨囟ǖ恼诒渭?或吹掃氣導板 以控制和容納外部清洗。可向晶片容器提供遮蔽件和雙壁以提供用于外部吹掃氣體清洗的 限定通路。在某些實施方案中，本發(fā)明的特征和優(yōu)點是提供一種具有壁腔的襯底容器，以提 供對所述內壁的面向外的表面具有外部清洗能力的內壁。所述壁腔可基本上用限定的入口 區(qū)域(例如小于1平方英寸)來封閉。出口區(qū)域也可限定為例如小于1平方英寸。入口和 出口可在入口和/或出口處具有另外的限制構件，例如單向閥或過濾器。在某些實施方案 中，本發(fā)明的特征和優(yōu)點在于提供具有未固定到晶片容器的襯底容器遮蔽件的儲料器，從 而提供距離晶片容器的外表面約0. 25英寸至2英寸的間隙。在某些實施方案中，本發(fā)明的特征和優(yōu)點在于提供一種具有內部容納壁的襯底容 器，所述內部容納壁具有固定連接到晶片容器的外部遮蔽件，從而提供距離外表面約0. 25 英寸至2英寸的間隙，并且在固定連接的遮蔽件和內部容納壁之間形成腔，由此可向所述 腔提供外部吹掃氣。在一個實施方案中，對遮蔽件的大部分內表面而言，所述間隙小于2英 寸。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點是一種改進襯底容器的方法，所述方法包括 向襯底容器添加外部遮蔽件片，以在襯底容器的容納壁的面向外的表面和遮蔽件之間提供 腔，以便可向所述腔中提供外部吹掃氣。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點在于提供源自襯底容器的吹掃出口，其中在 襯底容器內部循環(huán)的吹掃氣在離開內部之后改變方向以清洗所述襯底容器的外表面。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點在于提供一種在吹掃出口處具有導流器片 的襯底容器，由此在襯底容器內部循環(huán)的吹掃氣在離開內部之后改變方向以清洗所述襯底 容器的外表面。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點在于提供一種具有分布在所述容器上方的 吹掃出口和通向所述容器的外部的出口的襯底容器，所述出口將排出的吹掃氣體的方向改 變?yōu)榕c容器外部表面平行的方向。這種吹掃出口中可具有單向閥，以在不進行吹掃時阻止 氣體流進入內部。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點在于一種具有多個吹掃入口的襯底容器，至 少一個吹掃入口導入襯底容器內部，并且至少一個吹掃入口被引導為清洗限定襯底容器內 部容積的壁的外表面。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點在于一種具有多個吹掃入口的襯底容器，至 少一個吹掃入口導入襯底容器內部，并且至少一個吹掃入口被引導為清洗限定襯底容器內 部容積的壁的外表面。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點在于在吹掃出口處提供導流片，由此使在襯 底容器內部循環(huán)的吹掃氣在離開內部之后改變方向，以清洗襯底容器的外表面。這種導流 器可連接或固定到襯底容器，或者可與其分離，例如作為容器的儲料器或外殼的一部分。本發(fā)明的某些實施方案的特征和優(yōu)點在于，可以通過將高濃度(例如非常潔凈和 非常干燥的空氣)的吹掃氣分散在非常接近襯底容器的外表面來優(yōu)化使用，由此使水分滲 透最小化并在光罩盒的聚合物殼中保持最少的水分以及加速從襯底容器表面的擴散。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的具有吹掃特征的光罩盒儲料器的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的具有吹掃特征的晶片容器、儲料器的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的光罩SMIF盒的透視圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明的與吹掃系統(tǒng)相連的圖3的光罩盒的截面示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明的光罩SMIF盒的另一示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的SMIF盒的示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的SMIF盒的示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的具有單向閥的吹掃導流器的詳細截面圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的SMIF盒的截面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的用于半導體晶片的SMIF盒的透視分解圖。圖11是根據(jù)本發(fā)明的前開口晶片容器的透視圖；例如300毫米前開口標準盒 FOUP0圖1 Ia是圖11的FOUP的底視圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明的前開口襯底容器的分解圖。圖13是根據(jù)本發(fā)明的襯底容器的壁的詳細截面圖。圖14是根據(jù)本發(fā)明的襯底容器的詳細截面圖的另一視圖。
具體實施方案參考圖1，示出的外殼20配置為具有吹掃氣源24和26的光罩SMIF盒儲料器?；?者，襯底容器可為晶片容器，例如稱為FOUP(前開口式標準盒)和FOSB(前開式運裝盒)的 那些。在這種儲料器中，可將潔凈干燥空氣或非常潔凈的干燥空氣提供到外殼?；蛘呖梢?提供純惰性氣體如氮氣。儲料器具有接收區(qū)域40和42，其中光罩SMIF盒設置在支架44、 46上。光罩SMIF盒50在其底部具有吹掃入口，由此將吹掃氣供給到所述光罩盒內部。所 述吹掃氣可通過光罩盒底部的過濾器60排到儲料器的周圍環(huán)境64中。額外的表面吹掃氣 由吹掃出口如噴嘴68、70提供，其導向光罩SMIF盒的外部。在噴嘴下游利用遮蔽件或導板 75、76、77可將空氣或氣體流引到盒的外表面。該聚集的吹掃氣提供光罩盒的聚合物殼的拉 動，并阻止其中水分的滲透并干燥聚合物殼。外殼可具有隔板74以隔離所述光罩盒，為所 述盒的外部清洗提供最大的吹掃氣濃度。額外的吹掃氣出口 78可設置在內部用以將基本 潔凈的空氣供應到光罩盒儲料器的內部。參見通過引用并入本文的PCT/US2007/014428以 解釋和描述CDA和特別潔凈的干燥空氣。應注意的是，提供的各種吹掃氣可為最佳組成且具有用于特定期望功能，即內部 吹掃、外部吹掃氣清洗或在儲料器中提供周圍環(huán)境的各種干燥和/或清潔度水平。參考圖2，其示出具有支架102、104的另一盒100。所述支架具有吹掃出口 106、 108和用于接收經(jīng)過晶片容器循環(huán)之后吹掃氣體的排氣吹掃接收器110、112。晶片容器例 如SMIF盒或FOUP 120可放置在所述支架上以位于各吹掃出口和吹掃排氣設備上。另外， 遮蔽件130設置為可向上和向下移動以大致封閉襯底容器，從而提供受限制的內部空間， 從而可提供特定的吹掃氣以有效地清洗襯底容器120的外部。所述吹掃氣可從遮蔽件接合處和支架之間或者通過其它通氣或出口排氣裝置排出。各種吹掃氣源可通過例如用源142、 144、146和吹掃氣管線147、148、149所示的來提供。這些源可以是不同的氣體如氮氣和空 氣，并且根據(jù)需要或者合適的話，可具有不同程度的潔凈度和/或干燥度。圖2的盒可如圖 所示通過輪子150移動，以通常在中間處理步驟中在制造設備中傳遞襯底容器。參考圖3和4，所示出的SMIF盒通常配置為光罩SMIF盒160。所述光罩SMIF盒 一般由殼部162、門163和遮蔽件164組成。遮蔽件164配置為與殼部的外表面168并列設 置。所述殼部用作在其中納光罩的容器。具體參考圖4，以虛線示出的光罩172通過光罩支 柱174、176支撐。門具有一對吹掃入口 182、184，其與由殼和門所限定的光罩盒的內部186 相連。吹掃噴嘴190、192將吹掃氣注入所述光罩SMIF盒的內部。在該配置中，吹掃氣通過 位于門163中心的過濾器194排出。遮蔽件164具有另一個吹掃入口 198，其通入遮蔽件 164和殼的外表面168之間限定的空間200內。所述吹掃氣被注入所述空間200并以與所 述外表面平行的方向沿所述外表面(與其靠近)輸送，導向由所述遮蔽件限定的所述外表 面的輪廓并沿其流動。吹掃氣可在開口 204處排出。T氣體流在圖中一般以箭頭示出，尤其 在空間200內。不同的吹掃氣體源208、210可供給具有各種組成和/或清潔度和/或干燥 度的吹掃氣。圖5示出SMIF盒的另一視圖，其中吹掃氣被注入SMIF盒的內部，以在SMIF盒的 殼部162中的出口 220處排出。所述吹掃氣由此在SMIF盒的內部循環(huán)，然后離開，并且在 遮蔽件164的引導下被迫沿殼的外表面168流動。參考圖6，其示出SMIF盒250的另一實施方案。SMIF盒具有殼部252、門254以及 內部256。門和殼部限定用于容納光罩264的內部260。在該實施方案中，所述門有兩個吹 掃入口 270、272，其通入容納光罩的光罩盒的內部。第三吹掃入口 276通入門的內部。所述 門具有吹掃出口 278，由此將注入門內部256的吹掃氣排出門外。在SMIF盒中，門位于盒的 底部；在FOUP和FOSB中，門位于容器部分的前方，見圖11。這種FOUP和FOSB門經(jīng)常具有 可以類似進行吹掃的開放內部。在圖6的配置中，被注入存放光罩的光罩盒內的吹掃氣經(jīng) 盒中的開口 282排出。其中設置的具有過濾器284的所述開口在US 2006/0266011 (通過 引用并入本文)中公開。然后使光罩盒內部的廢氣通過遮蔽件286沿殼部的外表面流動。 吹掃氣源290可具有分離部292、294以提供具有不同組成和/或清潔度和/或干燥度的吹 掃氣。參考圖7，其示出另一 SMIF盒300。SMIF盒一般包括門302和殼部304。門具有 可連接到吹掃源并且將吹掃氣注入SMIF盒300的內部310的吹掃入口 306、308。在該配置 中，所述殼具有多個用以排出吹掃氣的出口和位于每個殼出口處的多個導流器320。導流器 使廢氣偏轉并引導其離開SMIF盒的內部以清洗殼的外表面324。這種布置也適用于其他襯 底容器，例如晶片容器，詳見下文。參考圖8，其示出導流器的構型的截面詳情，所述導流器320是帶螺紋端324的T 型導流器，其具有沿橫向延伸并離開的導通路徑326。單向閥328恰當?shù)胤旁诔隹谔幰詢H提 供單向出口流。這可在本文所述的SMIF盒或晶片容器上實施。參考圖9，其示出SMIF盒400的另一實施方案，其一般由門402和殼部404組成。 殼部包括內壁406和外壁408。內壁具有面向外的表面410。在該配置中，SMIF盒具有四 個吹掃端口和入口端口 414，其配置為將吹掃氣注入光罩盒的內部416，以從排氣端420排
9出。所述端口適當?shù)匚挥陂T中。襯底支撐結構424設置在門上，并且可以配置成用于光罩 的支柱或者定位常規(guī)的H棒狀晶片載體。殼部通過密封件430和432與門密封。次級密封 件432提供內殼壁和外殼壁之間的空間436的容積。提供額外的吹掃端口 442以將吹掃氣 注入內殼部分和外殼部分之間的空間中。提供額外的排氣端口 446，以為從壁部分之間的空 間中排出的吹掃氣提供出口。盡管該門在圖9中顯示為沒有如圖6和圖7所示的內部，但 是本領域技術人員理解所述門在圖9的配置中也是可行的，并且應包含于或被認為是本發(fā) 明的實施方案。參考圖10，其示出常規(guī)SMIF盒500，其具有殼部502、門504和H棒狀晶片載體 506。所述門具有內部閂鎖機構510，其與殼部502的內部純化配合，以如常規(guī)SMIF盒那樣 將門固定在適當位置。門還具有支撐結構512以將載體的H棒514恰當?shù)刂糜谄渖?。額外 的吹掃端口 520置于門的底部，以從門的下面進行配合。該SMIF盒可具有如圖9所示配置 的上殼部，并可具有圖9所示的門或圖6和7所示的具有開放內部的門。參考圖11，其示出前開口盒600。這種盒經(jīng)常被稱為前開式標準盒(FOUP)并用于 存放加工步驟間的300毫米晶片。容器一般包括容器部分602、具有閂鎖機構的門604和門 正面的門閂機構鑰匙孔606。所述門與殼部602密封地配合以形成氣密內室。底側在圖Ila 中示出，并具有其上設置的工業(yè)標準三槽動態(tài)耦合624。吹掃端口 630可設置在殼部的底面 上或者替代地設置在前門上，如圖11中用附圖標記634和虛線所示的。圖11的容器的殼 部可具有圖13和14中所示的雙壁配置。晶片容納在晶片容器的內部644中，并且可用常 規(guī)方式進行吹掃?？商峁╊~外補充壁650以在內壁660和外壁655之間提供空間658。內 壁具有如箭頭所示暴露于內部吹掃氣的面向外的表面662，并可在雙壁部分之間的內部當 中循環(huán)以為聚合物內壁提供干燥效果并阻止水分向內滲透。吹掃氣可通過具有單向閥672 的端口 670從內部排出，如圖13所示，或者可通過位于容器部分底面中的單獨吹掃端排出， 參見圖14。所述端口可如圖11中示出的，如以虛線和附圖標記670、672所示的。所述雙壁 沒有限定次級密封空間的FOUP的雙壁內的空間658 (例如在圖9的SMIF盒中示出的)，而 是可配置為圖11中所示的遮蔽件。在任一情況下，提供吹掃氣并使其沿壁部分的面向外的 表面引導，所述壁部分的面向外的表面限定容納晶片的限制內部。參考圖12，其示出將適于為雙壁部分提供密封內部空間的配置。該配置具有外殼 部802、內殼部804和門806。組裝時，在外殼和內殼之間設置間隙，其中所述殼之間的所述 空間是可吹掃的，以實現(xiàn)上述功能。類似地，所述容器的內部也是可適合吹掃的。前開式容 器同樣也通常具有配置為三槽動態(tài)耦合812的機械接口。
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權利要求
一種用于保持其中容納有晶片的晶片容器的外殼，所述外殼具有接收晶片容器的開口，并且具有兩個吹掃系統(tǒng)，每個所述吹掃系統(tǒng)分別提供不同濃度或組成的吹掃氣，一個所述吹掃系統(tǒng)用于所述晶片容器的內部，一個所述吹掃系統(tǒng)用于將吹掃氣導向所述晶片容器的限定壁的外表面。
2.權利要求1所述的外殼，其中所述外殼是可移動的，用以在制造設備的范圍內傳送曰曰/To
3.一種用于保持其中容納有晶片的晶片容器的外殼，所述外殼可用于接收晶片容器， 并且具有遮蔽件，所述遮蔽件是可移動的，用以放置和移除所述遮蔽件，并且所述遮蔽件至 少部分延伸到所述晶片容器上以在所述遮蔽件和所述晶片容器之間提供吹掃氣，以利用吹 掃氣清洗所述晶片容器的容納壁的外表面。
4.一種用于保持其中容納有晶片的多個晶片容器的外殼，所述外殼具有用于各單獨晶 片容器的各單獨接收區(qū)域，每個接收區(qū)域具有一個用以對所述晶片容器進行內部吹掃的吹 掃出口和一個用于對所述容器的外部進行吹掃的出口。
5.權利要求4所述的外殼，其中所述內部吹掃的吹掃出口與氮氣源連接并且用于吹掃 所述容器的外部的出口與潔凈干燥空氣源連接。
6.一種用于保持其中容納有晶片的多個晶片容器的外殼，所述外殼具有用于各單獨 晶片容器的各單獨接收區(qū)域，每個接收區(qū)域具有一個用于對所述晶片容器進行內部吹掃的 吹掃出口和一個用于對所述容器的外部進行吹掃的出口，所述外殼還具有環(huán)境空氣清潔系 統(tǒng)。
7.一種利用襯底容器中的受控環(huán)境來減少晶體形成污染物的方法，所述方法包括以下 步驟將易于形成晶體的襯底封閉在密封且可打開的襯底容器中；用氮吹掃所述容器的內部；用至少潔凈的干燥空氣為所述容器提供外表面吹掃氣體清洗；和將外部清洗限制在所述外表面的幾個英寸內。
8.權利要求7所述的方法，其中吹掃所述容器的所述內部的步驟包括將氮氣注入所述 內部。
9.權利要求7所述的方法，其中權利要求7的步驟包括利用潔凈的干燥空氣進行所述 外表面吹掃氣體清洗。
10.權利要求7所述的方法，包括將所述襯底容器封閉在儲料器中的步驟，所述儲料器 具有用于實現(xiàn)所述內部吹掃和所述外表面吹掃氣體清洗的吹掃配件。
11.一種用于為晶片容器提供雙重吹掃的系統(tǒng)，其包括內部吹掃和外部晶片容器表面 吹掃，其中所述外部表面吹掃。
12.一種用于對晶片容器的容納壁提供外部吹掃清洗的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括靠近所述 晶片容器的吹掃出口。
13.一種晶片容器，其具有用于沿容納壁的外表面聚集外部吹掃的遮蔽件。
14.一種晶片容器，其具有使吹掃氣沿所述晶片容器的外表面偏轉的吹掃出口。
15.一種晶片容器，其具有一對吹掃入口部，一個吹掃入口部用于吹掃所述晶片容器的 內部，一個吹掃入口部用于吹掃限定所述內部的壁的外表面。
16.一種晶片容器，其具有吹掃導管，用于將吹掃氣導向所述容器的容納壁的外表面。
17.一種晶片容器，其具有吹掃導管，所述吹掃導管在容納壁的外表面上延伸以輸送和 限制吹掃氣來清洗所述晶片容器的所述容納壁的外表面。
18.一種晶片容器，其具有可密封在一起以限定保持晶片的內部的門和殼部，所述殼部 具有雙壁和用于將吹掃氣注入其中的端口。
19.權利要求18所述的晶片容器，其中所述門具有其中的閂鎖機構和開放的內部，以 及將吹掃氣注入所述門的所述內部中的端口。
20.一種遮蔽件，其與晶片容器的外部形狀的一部分相一致，用于沿所述晶片容器的外 表面限定空間，由此可以將吹掃氣注入到所述空間中，從而可清洗所述晶片容器的容納壁 的外表面。
21.一種使密封晶片容器中的晶片的霧度生長和污染最小化的方法，所述方法包括以 下步驟為所述晶片容器提供內部吹掃；通過專用吹掃出口提供指向所述晶片容器的外壁的外部吹掃。
22.一種使密封晶片容器中的晶片的霧度生長和污染最小化的方法，所述方法包括以 下步驟為所述晶片容器提供內部吹掃；通過專用吹掃出口提供指向所述晶片容器的外壁的外部吹掃。
23.一種用于300mm晶片的前開口晶片容器，其具有容納壁，所述容納壁具有用于吹掃 氣清洗所述容納壁的外表面的裝置。
24.權利要求23所述的容器，其中所述裝置是提供次級密封的內部或遮蔽件的雙重壁。
25.一種用于保持襯底容器的外殼，所述襯底容器各自配置為將至少一個襯底保持在 其中，所述外殼具有用于接收襯底容器的可封閉開口，所述外殼具有兩個吹掃系統(tǒng)，每個吹 掃系統(tǒng)提供不同濃度或組成的吹掃氣，一個所述吹掃系統(tǒng)用于所述襯底容器的內部，一個 所述吹掃系統(tǒng)用于將吹掃氣導向晶片容器的外部。
26.權利要求25所述的外殼，其中所述外殼是可移動的，用以在制造設備的范圍內運 輸晶片。
27.一種用于保持其中容納有晶片的晶片容器的外殼，所述外殼可用于接收晶片容器 并具有遮蔽件，所述遮蔽件至少部分在所述晶片容器上延伸以在所述遮蔽件和所述晶片容 器之間提供吹掃氣，從而利用吹掃氣清洗所述晶片容器的容納壁的外表面。
28.一種用于保持其中容納有襯底的多個襯底容器的外殼，所述外殼具有用于各單獨 襯底容器的各單獨接收區(qū)域，每個接收區(qū)域具有一個用于對所述晶片容器進行內部吹掃的 吹掃出口和一個用于對所述容器的外部進行吹掃的出口。
29.權利要求28所述的外殼，其中用于進行內部吹掃的吹掃出口與氮氣源連接，并且 用于對所述容器的外部進行吹掃的出口與潔凈干燥空氣源連接。
30.權利要求28所述的外殼，其中每個襯底容器具有一對吹掃入口，一個入口用于接 收用于所述襯底容器的內部的吹掃氣體，另一個入口用于接收清洗所述襯底容器的容納壁 的外表面的吹掃氣。
31.一種用于保持其中容納有襯底的多個襯底容器的外殼，所述外殼具有由用于各單 獨襯底容器的隔板所限定的各單獨接收區(qū)域，每個接收區(qū)域具有一個對所述襯底容器進行 內部吹掃的吹掃出口和一個用于對所述容器的外部進行吹掃的出口，所述外殼還具有環(huán)境 空氣清潔系統(tǒng)。
32.一種用于保持其中容納有襯底的多個襯底容器的外殼，所述外殼具有用于各單獨 襯底容器的各單獨接收區(qū)域，每個接收區(qū)域具有用于至少部分覆蓋位于所述接收區(qū)域的相 應襯底容器的遮蔽件，每個接收區(qū)域具有一個用于對所述晶片容器進行內部吹掃的吹掃出 口和一個用于吹掃所述容器的外部的出口。
33.一種用于保持其中容納有襯底的多個襯底容器的外殼，所述外殼具有用于各單獨 晶片容器的各單獨接收區(qū)域，每個接收區(qū)域具有用于至少部分覆蓋位于所述接收區(qū)域的相 應襯底容器的遮蔽件，每個接收區(qū)域具有一個對所述晶片容器進行內部吹掃的吹掃出口和 一個用于對所述容器的外部進行吹掃的出口。
34.一種用于為光罩SMIF盒提供雙重吹掃的系統(tǒng)，其包括內部吹掃和外部晶片容器表 面吹掃，其中所述外表面吹掃被約束為沿光罩SMIF盒外表面的輪廓進行。
35.一種用于為光罩SMIF盒的容納壁提供外部吹掃清洗的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括靠近所 述晶片容器的吹掃出口。
36.一種光罩SMIF盒，其具有用于沿光罩SMIF盒的外表面聚集外部吹掃的遮蔽件。
37.一種光罩SMIF盒，其具有使吹掃氣沿所述光罩SMIF盒的外表面偏轉的吹掃出口。
38.一種光罩SMIF盒，其具有一對吹掃入口部，一個吹掃入口部用于吹掃所述光罩 SMIF盒的內部，一個吹掃入口部用于吹掃限定所述內部的壁的外表面。
39.一種光罩SMIF盒，其具有吹掃導管，用于將吹掃氣導向所述容器的容納壁的外表
40.一種光罩SMIF盒，其具有吹掃導管，所述吹掃導管在容納壁的外表面上延伸以輸 送和限制吹掃氣來清洗所述光罩SMIF盒的所述容納壁的外表面。
41.一種光罩SMIF盒，其具有可密封在一起以限定保持光罩的內部的門和殼部，所述 殼部具有雙壁和用于將吹掃氣注入其中的端口。
42.權利要求41所述的光罩SMIF盒，其中所述門具有其中的閂鎖機構和開放的內部， 以及將吹掃氣注入所述門的所述內部中的端口。
43.一種遮蔽件，其與光罩SMIF盒的外部形狀的一部分相一致，用于沿所述光罩SMIF 盒的外表面限定空間，由此可以將吹掃氣注入到所述空間中，從而可清洗所述光罩SMIF盒 的容納壁的外表面。
44.一種使密封光罩SMIF盒中的光罩的霧度生長和污染最小化的方法，所述方法包括 以下步驟為所述光罩SMIF盒提供內部吹掃；通過專用吹掃出口提供指向所述光罩SMIF盒的外壁的外部吹掃。
45.一種用于使密封光罩SMIF盒中的光罩的霧度生長和污染最小化的方法，所述方法 包括以下步驟為所述光罩SMIF盒提供內部吹掃；通過專用吹掃出口提供指向所述光罩SMIF盒的外壁的外部吹掃。
46.一種用于為襯底容器提供雙重吹掃的系統(tǒng)，其包括內部吹掃和外部晶片容器表面 吹掃，其中所述外表面吹掃被約束為沿所述襯底容器外表面的輪廓進行。
47.一種用于為襯底容器的容納壁提供外部吹掃清洗的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括靠近所述 晶片容器的吹掃出口。
48.一種襯底容器，其具有用于沿所述襯底容器的容納壁的外表面集中外部吹掃的遮 蔽件。
49.一種襯底容器，其具有使吹掃氣沿所述襯底容器的外表面偏轉的吹掃出口。
50.一種襯底容器，其具有一對吹掃入口部，一個吹掃入口部用于吹掃所述襯底容器的 內部，一個吹掃入口部用于吹掃限定所述內部的壁的外表面。
51.一種襯底容器，其具有吹掃導管，用于將吹掃氣導向所述容器的容納壁的外表面。
52.一種襯底容器，其具有吹掃導管，所述吹掃導管在容納壁的外表面上延伸以輸送和 限制吹掃氣來清洗所述襯底容器的所述容納壁的外表面。
53.一種襯底容器，其具有可密封在一起以限定用于保持光罩的內部的門和殼部，所述 殼部具有雙壁和用于將吹掃氣注入其中的端口。
54.權利要求41所述的襯底容器，其中所述門具有其中的閂鎖機構和開放的內部，以 及將吹掃氣注入所述門的所述內部中的端口。
55.一種遮蔽件，其與襯底容器的外部形狀的一部分相一致，用于沿所述襯底容器的外 表面限定空間，由此可以將吹掃氣注入到所述空間中，從而可清洗所述襯底容器的容納壁 的外表面。
56.一種使密封襯底容器中的晶片的霧度生長和污染最小化的方法，所述方法包括以 下步驟為所述襯底容器提供內部吹掃；通過專用吹掃出口提供指向所述襯底容器的外壁的外部吹掃。
57.一種使密封襯底容器中的襯底的霧度生長和污染最小化的方法，所述方法包括以 下步驟為所述襯底容器提供內部吹掃；通過專用吹掃出口提供指向所述襯底容器的外壁的外部吹掃。
全文摘要
用于在由聚合物形成的襯底容器中保持極其干燥的環(huán)境的組件、系統(tǒng)和方法，其提供清洗襯底容器的補充外部氣體，以使經(jīng)過容器的聚合物壁發(fā)生的水分和氧滲透最小化并控制容器的聚合物壁中夾帶的水的脫附。
文檔編號B65D85/86GK101970315SQ200880126995
公開日2011年2月9日 申請日期2008年12月18日 優(yōu)先權日2007年12月18日
發(fā)明者大衛(wèi)·L·哈爾布邁爾, 奧列格·P·基什科維奇, 阿納托利·格雷費爾 申請人:誠實公司