專利名稱：硬盤驅(qū)動(dòng)器和用于該硬盤驅(qū)動(dòng)器的導(dǎo)電片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及由存儲(chǔ)磁盤結(jié)構(gòu)部件例如在其外殼中的磁盤和磁頭構(gòu)成的硬盤驅(qū)動(dòng)器，以及用于該硬盤驅(qū)動(dòng)器的導(dǎo)電片。
迄今為止，已知具有各種結(jié)構(gòu)的硬盤驅(qū)動(dòng)器，該硬盤驅(qū)動(dòng)器分別由存儲(chǔ)磁盤結(jié)構(gòu)部件例如在其外殼中的磁盤和磁頭構(gòu)成。近年來(lái)，為了獲得更高的記錄密度和縮小尺寸，分別使用GMR(超大磁阻)磁頭的硬盤驅(qū)動(dòng)器的數(shù)量已經(jīng)增加。眾所周知，GMR磁頭在靜電放電(以下稱為ESD)方面較弱。因此，必須仔細(xì)地操作硬盤驅(qū)動(dòng)器。
裝有GMR磁頭的普通硬盤驅(qū)動(dòng)器被用作PC的一個(gè)部件，但它不能由普通的終端用戶頻繁自由地操作。因此，在制造PC時(shí)，應(yīng)充分考慮只有操作者操作硬盤驅(qū)動(dòng)器。就是說(shuō)，普通的硬盤驅(qū)動(dòng)器由在頂蓋組成的外殼中存儲(chǔ)磁盤結(jié)構(gòu)部件構(gòu)成，同時(shí)露出電子插件側(cè)。此外，操作者不接觸硬盤驅(qū)動(dòng)器的電子插件側(cè)，但操作者接觸頂蓋側(cè)，并可能有ESD損傷。因此，要對(duì)來(lái)自頂蓋側(cè)的ESD充分采取行動(dòng)。
但是，普通的終端用戶操作整個(gè)小型硬盤驅(qū)動(dòng)器是預(yù)定的，例如操作目前開發(fā)的1″型硬盤驅(qū)動(dòng)器。因此，當(dāng)普通的終端用戶可以自由地操作硬盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)，可以大膽地預(yù)測(cè)，驅(qū)動(dòng)器從各個(gè)方向接受ESD。因此，上述小型硬盤驅(qū)動(dòng)器必須在任何位置都可承受ESD。但是，對(duì)于至今已知的硬盤驅(qū)動(dòng)器來(lái)說(shuō)，由于僅考慮由具有ESD知識(shí)的特殊操作者來(lái)進(jìn)行操作，所以必須進(jìn)一步進(jìn)行ESD防止行動(dòng)。
本發(fā)明用于解決上述問(wèn)題，其目的在于提供即使普通終端用戶操作驅(qū)動(dòng)器也不會(huì)因ESD造成損傷的硬盤驅(qū)動(dòng)器和用于該驅(qū)動(dòng)器的導(dǎo)電片。
本發(fā)明提供配有包括磁盤結(jié)構(gòu)部件的外殼的硬盤驅(qū)動(dòng)器。此外，本發(fā)明的特征在于用導(dǎo)電片覆蓋硬盤驅(qū)動(dòng)器的外殼。在本發(fā)明的情況下，用導(dǎo)電片覆蓋外殼，即使ESD從任何方向施加給外殼，也可以利用導(dǎo)電片吸收ESD，由此ESD不傳遞到存儲(chǔ)于外殼中的磁盤結(jié)構(gòu)部件上。因此，可以形成這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，外殼中的GMR磁頭等即使由普通終端用戶操作也不會(huì)因ESD造成損傷。此外，本發(fā)明涉及導(dǎo)電片，覆蓋上述那樣構(gòu)成的硬盤驅(qū)動(dòng)器外殼的至少兩個(gè)主表面。


圖1是表示本發(fā)明硬盤驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)的示意圖，展示制造硬盤驅(qū)動(dòng)器時(shí)的狀態(tài)；圖2是表示本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)的示意圖，展示該驅(qū)動(dòng)器的上表面；圖3是表示本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器結(jié)構(gòu)的示意圖，展示該驅(qū)動(dòng)器的下表面；和圖4(a)是表示在僅對(duì)一個(gè)主表面設(shè)置金屬密封部件時(shí)的實(shí)例中ESD的流動(dòng)示意圖，圖4(b)是表示對(duì)兩個(gè)主表面設(shè)置金屬密封部件時(shí)的實(shí)例中ESD的流動(dòng)示意圖。
下面說(shuō)明優(yōu)選模式。就是說(shuō)，分別用導(dǎo)電片覆蓋外殼的至少兩個(gè)主表面，使兩個(gè)主表面上的導(dǎo)電片被電連接。此外，分別用導(dǎo)電片覆蓋外殼與在外殼的兩個(gè)主表面上的磁盤結(jié)構(gòu)部件接觸的部分，使兩個(gè)主表面上的導(dǎo)電片被電連接。此外，可用一個(gè)導(dǎo)電片來(lái)覆蓋兩個(gè)主表面。再有，利用粘結(jié)劑使導(dǎo)電片與外殼的表面粘結(jié)。此外，導(dǎo)電片在對(duì)應(yīng)于外殼的必須與外部環(huán)境接觸的部分設(shè)置開口。以上情況中的任何一種情況都可使硬盤驅(qū)動(dòng)器更有效地實(shí)現(xiàn)不受ESD損傷的結(jié)構(gòu)。
圖1、2和3表示本發(fā)明硬盤驅(qū)動(dòng)器的結(jié)構(gòu)。在圖1、2和3中，符號(hào)1表示存儲(chǔ)例如磁盤和GMR磁頭的磁盤結(jié)構(gòu)部件(未示出)的外殼，符號(hào)2表示用作導(dǎo)電片的金屬密封部件。在這種情況下，圖1是表示制造本發(fā)明硬盤驅(qū)動(dòng)器的狀態(tài)圖，圖2和圖3是表示本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器的上表面和下表面的圖。本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器具有用金屬密封部件2覆蓋外殼1的特征。就是說(shuō)，在圖1至圖3所示的實(shí)例情況下，制備可覆蓋外殼1的兩個(gè)主表面的一個(gè)金屬密封部件2，就是說(shuō)，可覆蓋如圖1所示的幾乎整個(gè)上表面1a、下表面1b和側(cè)表面1c，然后在與金屬密封部件2的面對(duì)外殼1上表面1a、下表面1b和側(cè)表面1c的所有面上涂敷粘結(jié)劑，將金屬密封部件2粘結(jié)到外殼1上，覆蓋外殼1的上表面1a、下表面1b和側(cè)表面1c，由此構(gòu)成本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器。
這樣構(gòu)成獲得的硬盤驅(qū)動(dòng)器，即分別用金屬密封部件2覆蓋兩個(gè)主表面即外殼1的上表面1a和下表面1b。此外，通過(guò)用一個(gè)金屬密封部件2正好覆蓋上表面1a和下表面1b之間的側(cè)表面1c使主表面上的金屬密封部件2彼此電連接。再有，如圖1至圖3所示，用金屬密封部件2覆蓋當(dāng)金屬密封部件2施加在兩個(gè)主表面的幾乎整個(gè)表面上時(shí)，在外殼1在外殼1兩個(gè)主表面上接觸磁盤結(jié)構(gòu)部件的部分，即GMR磁頭在磁盤上移動(dòng)時(shí)用作磁盤的旋轉(zhuǎn)中心的軸部分和用作移動(dòng)中心的樞軸部分。
由于以下原因，優(yōu)選用金屬密封部件2至少覆蓋外殼1在外殼1的兩個(gè)主表面上接觸磁盤結(jié)構(gòu)部件的部分，或更優(yōu)選用金屬密封部件2幾乎覆蓋兩個(gè)主表面的全部。就是說(shuō)，首先，如圖4(a)所示，當(dāng)僅對(duì)一個(gè)主表面設(shè)置金屬密封部件2時(shí)，例如，如果ESD施加在金屬密封部件2上，那么ESD從金屬密封部件2通過(guò)心軸3如箭頭所示傳播到未設(shè)置金屬密封部件2的表面上，從而存儲(chǔ)在外殼1中的GMR磁頭可能因ESD而損傷。但是，當(dāng)對(duì)如圖4(b)所示的本發(fā)明的兩個(gè)主表面和側(cè)表面設(shè)置一個(gè)金屬密封部件2時(shí)，即使在ESD施加到上表面的金屬密封部件2的情況下，ESD從上表面的金屬密封部件2經(jīng)過(guò)側(cè)表面的金屬密封部件傳播到下表面的金屬密封部件2上，從而存儲(chǔ)于外殼1中的GMR磁頭等不因ESD而損傷。
鋁箔制的鋁密封部件優(yōu)選用作構(gòu)成本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器的部件中的金屬密封部件2。此外，只要粘結(jié)劑可以固定密封部件2和外殼1，那么就可以使用任何粘結(jié)劑作為粘結(jié)金屬密封部件2與外殼1的粘結(jié)劑。但是，優(yōu)選采用丙烯酸基的粘結(jié)劑，例如由Lintec Corportion制造的PAT-1。此外，如圖1至圖3所示，可以在金屬密封部件2的表面上附加表示產(chǎn)品名稱等的字符和符號(hào)。在這種情況下，不可以在金屬密封部件2的表面上直接打印字符或符號(hào)。但是，通過(guò)在金屬密封部件2的表面上形成例如粘結(jié)層的層，就可以在該粘結(jié)層的表面上打印字符和符號(hào)。此外，盡管圖1至圖3所示的實(shí)例表示沒(méi)有開口的金屬密封部件2，但可以在與外殼1的一部分對(duì)應(yīng)的金屬密封部件2的位置上形成開口，該開口必須直接形成與外部環(huán)境接觸，例如通氣過(guò)濾器的孔。
在本發(fā)明的上述硬盤驅(qū)動(dòng)器的情況下，由于利用粘結(jié)劑金屬密封部件僅與外殼1粘結(jié)，所以金屬密封部件2是絕緣的?？梢允菇饘倜芊獠考?的表面由導(dǎo)體或絕緣體構(gòu)成。此外，硬盤驅(qū)動(dòng)器的外殼1的上表面1a和下表面1b的區(qū)域幾乎都被金屬密封部件2覆蓋。在這種情況下，由于包括上述軸和樞軸的硬盤驅(qū)動(dòng)器的外殼1上在ESD方面弱的多數(shù)點(diǎn)都被金屬密封部件2覆蓋，所以這些點(diǎn)不受ESD影響。通過(guò)ESD測(cè)試發(fā)現(xiàn)，大多數(shù)ESD被金屬密封部件2吸收。盡管本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器使用的鋁密封部件有包括絕緣層的大約40μm的厚度，但對(duì)用鋁密封部件覆蓋的硬盤驅(qū)動(dòng)器施加的電位為500V或低于10kV的放電。這與用普遍采用的ESD包保護(hù)硬盤驅(qū)動(dòng)器的情況有相同的值，表明可以降低施加給硬盤驅(qū)動(dòng)器的電壓。
事實(shí)上，制備對(duì)外殼1設(shè)有如圖1至圖3所示的金屬密封部件2的本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器和未設(shè)有金屬密封部件2的比較例的硬盤驅(qū)動(dòng)器，按照獲得CE標(biāo)志的歐洲測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4，對(duì)制備的本發(fā)明和比較例的硬盤驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行ESD測(cè)試。結(jié)果，可以發(fā)現(xiàn)，比較例的硬盤驅(qū)動(dòng)器在8000V的ESD時(shí)不能通過(guò)測(cè)試或不能獲得CE標(biāo)志，而本發(fā)明的硬盤驅(qū)動(dòng)器即使在25000V的ESD時(shí)也可以通過(guò)測(cè)試和獲得CE標(biāo)志。
如上所述，按照本發(fā)明，由于硬盤驅(qū)動(dòng)器的外殼用導(dǎo)電片覆蓋，所以即使ESD來(lái)自任何方向，ESD都被導(dǎo)電片吸收，由此ESD不傳遞到存儲(chǔ)于外殼中的磁盤結(jié)構(gòu)部件。因此，即使該結(jié)構(gòu)由普通的終端用戶來(lái)操作，也可以實(shí)現(xiàn)不受ESD損傷的結(jié)構(gòu)。
1外殼1a 上表面1b 下表面1c 側(cè)表面2金屬密封件3心軸
權(quán)利要求
1.一種硬盤驅(qū)動(dòng)器，包括帶有磁盤結(jié)構(gòu)部件的外殼，其中，用導(dǎo)電片覆蓋外殼。
2.如權(quán)利要求1的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，分別用導(dǎo)電片覆蓋外殼的至少兩個(gè)主表面，并且兩個(gè)主表面上的導(dǎo)電片電連接。
3.如權(quán)利要求1的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，分別用導(dǎo)電片覆蓋至少在外殼和磁盤結(jié)構(gòu)部件在外殼的兩個(gè)主表面上相互接觸的位置，并且兩個(gè)主表面上的導(dǎo)電片電連接。
4.如權(quán)利要求2或3的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，用一個(gè)導(dǎo)電片覆蓋兩個(gè)主表面。
5.如權(quán)利要求1的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，用粘結(jié)劑粘結(jié)導(dǎo)電片與外殼的表面。
6.如權(quán)利要求1的硬盤驅(qū)動(dòng)器，其中，導(dǎo)電片在對(duì)應(yīng)于外殼部分的必須直接與外部環(huán)境接觸的位置上有開口。
7.一種用于權(quán)利要求1的硬盤驅(qū)動(dòng)器中的導(dǎo)電片，該導(dǎo)電片覆蓋硬盤驅(qū)動(dòng)器的至少兩個(gè)主表面。
全文摘要
提供即使由普通終端用戶操作也不會(huì)因ESD損傷的硬盤驅(qū)動(dòng)器和用于該驅(qū)動(dòng)器的導(dǎo)電片。本發(fā)明提供配有包括磁盤結(jié)構(gòu)部件的外殼1的硬盤驅(qū)動(dòng)器。硬盤驅(qū)動(dòng)器這樣構(gòu)成,以便可用導(dǎo)電片2覆蓋外殼1。在本發(fā)明的情況下,通過(guò)用導(dǎo)電片2覆蓋外殼1,即使ESD來(lái)自任何方向,也可以利用導(dǎo)電片吸收ESD,由此ESD不傳遞到存儲(chǔ)于外殼1中的磁盤結(jié)構(gòu)部件。因此,可以實(shí)現(xiàn)即使由普通終端用戶操作也不會(huì)因ESD造成損傷的結(jié)構(gòu)。
文檔編號(hào)B65D85/86GK1271940SQ0010686
公開日2000年11月1日 申請(qǐng)日期2000年4月20日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月27日
發(fā)明者津波古和司, 蔵本健一, 松田浩, 北堀浩紀(jì) 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司