光硬化性環(huán)氧接著劑、樹脂組合物、積層體、顯示器、以及樹脂組合物的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及一種光硬化性環(huán)氧接著劑。特別是設(shè)及一種優(yōu)點(diǎn)為氣體透過率低的光 硬化性環(huán)氧接著劑。
【背景技術(shù)】
[0002] 作為用W貼合零件等的接著劑，有通過將主劑與硬化劑在使用前混合，使其硬化 而表現(xiàn)出接著特性的二液型。另一方面，一液型的接著劑是通過濕氣硬化或者熱硬化而得， 運(yùn)些情況存在濕氣硬化的速度緩慢，或因用W熱硬化的加熱而導(dǎo)致制品劣化的可能性。
[0003] 此外，W前，在工廠大量生產(chǎn)的制品的接著步驟中，在必須縮短生產(chǎn)的節(jié)拍時(shí)間的 情況下，通常是使用紫外線等能量線照射或熱能量，使接著劑在短時(shí)間內(nèi)硬化的方法。如上 所述，對接著劑要求生產(chǎn)性良好。
[0004] 在進(jìn)行紫外線等能量線照射的情況下，接著劑需要充分地透過紫外光。若紫外光 的透過率低，則樹脂的硬化不會(huì)進(jìn)行至接著劑深部，無法獲得充分的接著力。
[000引另一方面，在避忌濕氣的制品，例如液晶顯示器、E-紙、太陽電池面板等中，通過水 分、氧侵入器件內(nèi)，構(gòu)成器件的成分劣化，而性能下降。要求在將此種器件組裝接著的情況 下所使用的接著劑難W使水蒸氣或者反應(yīng)性氣體通過（耐透濕性）。但，在通常的接著劑的 情況下，其硬化后的氣體透過率、特別是水蒸氣滲透率稱不上充分低，對于防止器件的劣化 而言并不充分。因此，運(yùn)些器件用接著劑中，通常為了防止水分侵入而添加稱為填料的無機(jī) 成分。
[0006] 但是，通常使用的填料的紫外線透過率低。因此，在通過紫外線照射使運(yùn)些器件用 接著劑硬化的情況下，僅能夠?qū)Ρ砻孢M(jìn)行紫外線照射，對于貼合部分的接著而言并不有效。 如上所述，對于如器件用接著劑之類的包含用W防止水分侵入的填料的光硬化型接著劑， 不論是否含有填料，均要求紫外線等的透過率高，樹脂的硬化進(jìn)行至接著劑深部（高轉(zhuǎn)化 率）。
[0007] 此外，W前，使用丙締酸系樹脂作為光硬化型接著劑。雖具有能夠使用多種丙締酸 醋單體、寡聚物的優(yōu)點(diǎn)，但存在耐透濕性明顯不充分，體積收縮率也大，接著力不足的缺點(diǎn)。
[0008] 使用其他樹脂、例如環(huán)氧樹脂的接著劑已知有熱硬化型環(huán)氧樹脂（例如專利文獻(xiàn) 1)。專利文獻(xiàn)1中公開了一種為了提高填料成分在作為接著劑成分的單體中的分散性，而 含有在層間包含有機(jī)錠鹽的云母的熱硬化型環(huán)氧樹脂。但是，為了硬化，必須加熱。
[000引[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0010] [專利文獻(xiàn)]
[0011] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利第4112586號(hào)公報(bào)
[0012] 因此，期望出現(xiàn)如下的光硬化型接著劑，其生產(chǎn)性良好，為了避免因熱引起的制品 劣化而在比較低的溫度區(qū)域中也具有高轉(zhuǎn)化率等，光硬化性優(yōu)異，而且提供與基材的接著 性、耐透濕性也優(yōu)異的硬化物。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] [發(fā)明所欲解決的問題]
[0014] 本發(fā)明是欲解決如上所述的現(xiàn)有技術(shù)所帶有的問題而成，問題在于提供一種光硬 化型接著劑，其在低溫下的聚合轉(zhuǎn)化率優(yōu)異，而且提供不僅具有優(yōu)異的接著強(qiáng)度及耐透濕 性，并且具有良好生產(chǎn)性的硬化物。
[0015] [解決問題的技術(shù)手段]
[0016] 本發(fā)明人等人為了解決所述問題而進(jìn)行銳意研究，發(fā)現(xiàn)：包含（A)環(huán)氧單體或寡 聚物、度）光陽離子聚合引發(fā)劑、及（C)層狀娃酸鹽的光硬化性環(huán)氧接著劑在低溫下的硬化 性優(yōu)異，而且其硬化物不僅具有優(yōu)異的接著強(qiáng)度及耐透濕性，并且具有良好的生產(chǎn)性，從而 完成本發(fā)明。另外，本發(fā)明人等人發(fā)現(xiàn)：此種光硬化型樹脂組合物也能夠適合用于液晶顯示 器、電致發(fā)光顯示器等平板。
[0017] 本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑包含：(A)環(huán)氧單體或寡聚物；度） 光陽離子聚合引發(fā)劑；W及（C)層狀娃酸鹽。
[0018] 若W所述方式構(gòu)成，則接著劑由于是光硬化性而可在低溫下硬化。進(jìn)而，層狀娃酸 鹽的光透過率、例如紫外線透過率高，接著劑通過其硬化性而表現(xiàn)出優(yōu)異的接著強(qiáng)度，并且 具有優(yōu)異的耐透濕性。另外，由于可在短時(shí)間內(nèi)硬化，故而生產(chǎn)性優(yōu)異。
[0019] 本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第一實(shí)施方式的 光硬化性環(huán)氧接著劑中含有100重量份的（A)環(huán)氧單體或寡聚物W及超過100重量份~ 400重量份的（C)層狀娃酸鹽。
[0020] 若W所述方式構(gòu)成，則成為水蒸氣滲透率極低的接著劑。
[0021] 本發(fā)明的第=實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第一實(shí)施方式或 第二實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑中，（C)層狀娃酸鹽為膨潤性云母。
[0022] 若W所述方式構(gòu)成，則膨潤性云母由于在樹脂等中的分散性特別良好，紫外線透 過率良好，且容易獲取品質(zhì)穩(wěn)定的合成品，因此優(yōu)選。
[0023] 本發(fā)明的第四實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第=實(shí)施方式的 光硬化性環(huán)氧接著劑中，（C)層狀娃酸鹽是在層間包含烷基錠鹽的膨潤性云母。
[0024] 若W所述方式構(gòu)成，則在層間包含烷基錠鹽的膨潤性云母對環(huán)氧單體或寡聚物的 分散性優(yōu)異，因此優(yōu)選。
[0025] 本發(fā)明的第五實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第四實(shí)施方式的 光硬化性環(huán)氧接著劑中，烷基錠鹽包含總碳數(shù)1W上、60W下的烷基錠離子。
[0026] 若W所述方式構(gòu)成，則總碳數(shù)1W上、60W下的烷基錠離子對環(huán)氧單體或寡聚物 的分散性更優(yōu)異，因此優(yōu)選。
[0027] 本發(fā)明的第六實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第五實(shí)施方式的 光硬化性環(huán)氧接著劑中，烷基錠鹽包含總碳數(shù)4W上、50W下的烷基錠離子。
[0028] 若W所述方式構(gòu)成，則總碳數(shù)4W上、50W下的烷基錠離子對環(huán)氧單體或寡聚物 的分散性特別優(yōu)異，因此優(yōu)選。
[0029] 本發(fā)明的第屯實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第一實(shí)施方式~ 第六實(shí)施方式的任一實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑中，所述（C)層狀娃酸鹽的銳度 (sha巧ness)為lOOnmW上、10ymW下。
[0030] 若W所述方式構(gòu)成，則分散性特別優(yōu)異，因此優(yōu)選。
[0031] 本發(fā)明的第八實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第屯實(shí)施方式的 光硬化性環(huán)氧接著劑中，所述（C)層狀娃酸鹽的平均粒徑為10ymW下。
[0032] 若W所述方式構(gòu)成，則分散性特別優(yōu)異，因此優(yōu)選。
[0033] 本發(fā)明的第九實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑在所述本發(fā)明的第一實(shí)施方式~ 第八實(shí)施方式的任一實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑中，所述（C)層狀娃酸鹽是將通過離 屯、分離或過濾而分離的沉淀?過濾物去除后進(jìn)行純化、或通過超聲波處理而分散的（C)層 狀娃酸鹽。
[0034] 若W所述方式構(gòu)成，則分散性特別優(yōu)異，因此優(yōu)選。
[0035] 本發(fā)明的第十實(shí)施方式的樹脂組合物是通過使所述本發(fā)明的第一實(shí)施方式~第 九實(shí)施方式的任一實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑硬化而獲得。
[0036] 若W所述方式構(gòu)成，則成為具有優(yōu)異的接著強(qiáng)度W及耐透濕性的樹脂組合物。
[0037] 本發(fā)明的第十一實(shí)施方式的積層體包括：第一被接著體；第二被接著體，積層于 所述第一被接著體上；包含所述本發(fā)明的第十實(shí)施方式的樹脂組合物的膜，其被所述第一 被接著體與所述第二被接著體夾住，且將所述第一被接著體與所述第二被接著體接著。
[0038] 若W所述方式構(gòu)成，則第一被接著體與第二被接著體可通過具有優(yōu)異的接著強(qiáng)度 及耐透濕性的膜而接著。
[0039] 本發(fā)明的第十二實(shí)施方式的液晶顯示器包括：第一基板，施予了電極及取向膜； 第二基板，施予了電極及取向膜；向列型液晶材料，配置于所述第一基板與所述第二基板之 間；所述本發(fā)明的第十實(shí)施方式的樹脂組合物，將所述第一基板與所述液晶材料、W及所述 第二基板與所述液晶材料接著。
[0040] 若W所述方式構(gòu)成，則構(gòu)成液晶顯示器的液晶面板中使用的具有接著性的樹脂組 合物具有充分的接著強(qiáng)度及高的耐透濕性。因此，能夠抑制借由水分或氧通過樹脂組合物 侵入至液晶面板內(nèi)，而造成構(gòu)成液晶面板的成分劣化、液晶顯示器的性能下降。
[0041] 本發(fā)明的第十S實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光巧lectroluminescent，EL)顯示器包 括：第一電極，配置于基板上；電致發(fā)光層，配置于所述第一電極上；第二電極，配置于所述 電致發(fā)光層上；密封體，覆蓋所述所述第一電極、電致發(fā)光層、及第二電極；W及所述本發(fā) 明的第十實(shí)施方式的樹脂組合物，將所述基板與所述密封體接著。
[0042] 若W所述方式構(gòu)成，則構(gòu)成有機(jī)化顯示器的有機(jī)化元件中使用的具有接著性的 樹脂組合物具有充分的接著強(qiáng)度及高的耐透濕性。因此，能夠抑制水分或氧通過樹脂組合 物侵入至元件內(nèi)，而造成構(gòu)成元件的成分劣化、有機(jī)化顯示器的性能下降。
[0043] 本發(fā)明的第十四實(shí)施方式的樹脂組合物的制造方法包括如下步驟：對所述本發(fā) 明的第一實(shí)施方式~第九實(shí)施方式的任一實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑，W紫外線強(qiáng)度 100mW/cm2W上照射波長為200nm~450nm的紫外線。
[0044] 若W所述方式構(gòu)成，則接著劑充分硬化，能夠制造具有接合所需要的強(qiáng)度的樹脂 組合物。
[0045] 本發(fā)明的第十五實(shí)施方式的樹脂組合物的制造方法包括：提供第一被接著體的 步驟；提供接著于所述第一被接著體的第二被接著體的步驟；使所述本發(fā)明的第一實(shí)施方 式~第九實(shí)施方式的任一實(shí)施方式的光硬化性環(huán)氧接著劑介于所述第一被接著體與所述 第二被接著體之間，而使所述第一被接著體與所述第二被接著體貼合的步驟；W及對所述 光硬化性環(huán)氧接著劑照射光的步驟。
[0046] 若W所述方式構(gòu)成，則接著劑充分硬化，能夠制造將第一被接著體與第二被接著 體接著的樹脂組合物。
[0047] [發(fā)明的效果]
[0048] 本發(fā)明的光硬化性環(huán)氧接著劑在低溫下的聚合轉(zhuǎn)化率優(yōu)異，具有良好的生產(chǎn)性。 進(jìn)而，其硬化物顯示出優(yōu)異的接著強(qiáng)度及耐透濕性。
【附圖說明】
[0049] 圖1表示第一被接著體1la與第二被接著體1化通過包含將光硬化性環(huán)氧接著劑 硬化而獲得的樹脂組合物的膜12來接著的狀態(tài)。
[0050] 圖2是液晶面板20的詢J面圖。
[0051] 圖3是有機(jī)化元件30的剖面圖。
[0052] 圖4是表示根據(jù)將光硬化性環(huán)氧接著劑硬化而獲得的樹脂組合物中所含的云母 比率，樹脂組合物（厚度為15ym)的水蒸氣滲透率推移的情形的圖表。
[0053] 圖5是表示合成云母分散液NTS-5的粒度分布的圖表。
[0054] 圖6是表示通過離屯、分離而獲得的水膨潤性云母的粒度分布的圖表。
[00巧]圖7是用W對"銳度"進(jìn)行說明的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0056] 本申請是基于在日本2013年4月1日提出申請的日本專利特愿2013-076249號(hào)， 其內(nèi)容作為本申請的內(nèi)容而形成本申請的內(nèi)容的一部分。本發(fā)明能夠通過W下的詳細(xì)說明 而進(jìn)一步完全理解。本發(fā)明的進(jìn)一步應(yīng)用范圍通過W下的詳細(xì)說明而變得明確。然而，詳 細(xì)的說明W及特定的實(shí)例為本發(fā)明的理想的實(shí)施形態(tài)，僅為了進(jìn)行說明的目的而記載。其 原因在于，根據(jù)該詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可明了在本發(fā)明的精神及范圍內(nèi)進(jìn)行的各 種變更、改變。申請人并不意圖將所記載的實(shí)施形態(tài)的任一個(gè)均呈獻(xiàn)給公眾，改變、代替案 中，在文意上可能并不包含于權(quán)利要求的范圍內(nèi)的也作為等效理論下的發(fā)明的一部分。
[0057] W下，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說明