一種正負(fù)混合液晶組合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于液晶材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種正負(fù)混合液晶組合物，以及其在液 晶顯示器中的應(yīng)用。
【背景技術(shù)】
[0002] 顯示是把電信號(hào)（數(shù)據(jù)信息）轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢暪猓ㄒ曈X(jué)信息）的過(guò)程，完成顯示的設(shè) 備即人機(jī)界面（Man-MachineInterface,MMI)。平板顯不器（FlatpanelDisplay,FPD)是 目前最為流行的一類顯示設(shè)備。液晶顯示器（LiquidCrystalDisplay,LCD)是FPD中最 早被開(kāi)發(fā)出來(lái)，并被商品化的產(chǎn)品。目前，薄膜晶體管液晶顯示器（ThinFilmTransistor LiquidCrystalDisplay,TFT-IXD)已經(jīng)成為IXD應(yīng)用中的主流產(chǎn)品。
[0003] 從工作原理講，IXD這種顯示器件是將背光源發(fā)出的光，藉由偏光片及液晶盒（液 晶分子）等，產(chǎn)生相應(yīng)于要顯示圖像的光的明暗（從而使顏色變化），由此實(shí)現(xiàn)人們可辨識(shí) 的圖像顯示。也就是說(shuō)，LCD的亮度決定于透過(guò)液晶盒的光的相對(duì)量（稱其為液晶盒的透 射率）、透過(guò)彩色濾光片的光的相對(duì)量（CF的透射率）以及背光源的亮度等諸多因素。
[0004] 不同顯示模式的引入使得液晶顯示器（IXDs)的性能有了明顯的提高，并且被更 加廣泛地應(yīng)用于智能手機(jī)，顯示器，便攜平板電腦，電視等不同方面。這些應(yīng)用對(duì)液晶顯示 器提出了更高的顯示要求，比如高對(duì)比度，寬視角，快速響應(yīng)和高穿透率。其中，在超高分辨 率下由于像素尺寸的縮小導(dǎo)致開(kāi)口率降低，所以高穿透率的顯示顯得尤為重要。
[0005] 液晶的介電性質(zhì)用介電常數(shù)e來(lái)表示。與液晶指向矢平行的電場(chǎng)介電常數(shù)用 e//表示，與液晶指向矢垂直的電場(chǎng)介電常數(shù)用e丄表示，介電各向異性常數(shù)為Ae= e //-￡丄。若液晶分子極性基團(tuán)永久偶極距的方向與分子長(zhǎng)軸方向一致，液晶分子長(zhǎng)軸 方向的電子偏移度最大，這樣，與分子長(zhǎng)軸平行的方向上具有大的偶極距，介電各向異性為 正，Ae>〇,這樣的液晶叫做正性液晶。若液晶分子極性基團(tuán)永久偶極距的方向與分子長(zhǎng) 軸方向垂直，液晶分子短軸方向的電子偏移度最大，這樣，與分子長(zhǎng)軸垂直的方向上具有小 的偶極距，介電各向異性為負(fù)，△e<〇這樣的液晶叫做負(fù)性液晶。
[0006]目前在液晶顯示市場(chǎng)，具有競(jìng)爭(zhēng)力的顯示模式主要有，面內(nèi)切換（in-plane switching,IPS),邊緣場(chǎng)切換（fringe-fieldswitching，F(xiàn)FS)，和垂直排列（vertical alignment，VA)等顯示模式。在這些顯示模式中，面內(nèi)切換（IPS)和邊緣場(chǎng)切換（FFS)都 具有寬視角的特點(diǎn)。
[0007] 當(dāng)正性液晶用于IPS/FFS顯示模式時(shí)可以獲得快速響應(yīng)，并且有良好的可靠性； 而負(fù)性液晶用于IPS/FFS顯示模式時(shí)可以獲得更高的透過(guò)率，但是由于負(fù)性液晶粘度較 大，所以響應(yīng)時(shí)間較慢。因此在傳統(tǒng)正性液晶混合物中添加負(fù)性組分的Hybrid液晶應(yīng)運(yùn)而 生，使其既具有正性液晶的快速響應(yīng)優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又可以獲得穿透率的有效提升，進(jìn)而可以大 幅度降低液晶顯示器件的整體功耗。
[0008] 對(duì)于液晶顯示器件而言，經(jīng)過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的固定畫面顯示后改變顯示畫面時(shí)上一畫面 不能立刻消失，所帶來(lái)的所謂殘像現(xiàn)象會(huì)嚴(yán)重影響顯示的效果。隨著液晶顯示在車載工控 領(lǐng)域的不斷拓展應(yīng)用，對(duì)液晶材料的在以室溫為中心的盡可能寬的溫度范圍內(nèi)的正常使用 提出了要求，因此要求液晶組合物在清亮點(diǎn)高的同時(shí)在低溫情況下的互溶性也要優(yōu)異，進(jìn) 而能夠在盡量寬的溫度范圍內(nèi)保持向列相，同時(shí)盡可能地消除殘像現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明需要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種液晶組合物，將結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的介電正、負(fù)極 性液晶化合物組合成的互溶性優(yōu)異的Hybrid液晶組合物，以提高透過(guò)率、改善殘像現(xiàn)象、 并在以室溫為中心的盡可能寬的溫度范圍內(nèi)保持向列相，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的顯示效果。
[0010] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：
[0011] 一種正負(fù)混合液晶組合物，所述液晶組合物包含一種或多種通式I所示的負(fù)性化 合物組成的組分A，包含一種或多種通式II所示的正性化合物組成的組分B，
[00121
[0013] 其中，
[0014] &選自
源子數(shù)為1~10的直鏈烷基、碳原子數(shù)為1~10 的直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~10的直鏈烯基中的任意一種；
[0015] 私選自碳原子數(shù)為1~5的直鏈烷基中的任意一種；
[0016] (0)選自-0-或單鍵中的任意一種；
[0017] R3選自
炭原子數(shù)為1~10的直鏈 烷基、碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~10的直鏈烯基中的任意一種；
[0018] Xi、X2、乂3各自獨(dú)立地選自H、F中的任意一種，且X i、X2、乂3中至少有一個(gè)為F;
[0019] 丫^乙各自獨(dú)立地選自H、CH3中的任意一種，且Yi、Y2*至少有一個(gè)為CH3;
[0020] Zi選自單鍵、-CH2_、-CH2-CH2-、- (CH2) 3_、- (CH2)4_、-CH=CH-、-Cec-、-C00-、-00 c-、-cf2o-、-och2-、-ch2o-、-ocf2-、-cf2ch2-、-ch2cf2-、-c2f4-或-CF=CF-中的任意一種；
[0021]
中的任意一種；
[0022]
中的任意一種；
[0023]
乇意一種；
[0024] a、b各自獨(dú)立地表示1或2,并且當(dāng)a= 2時(shí)，\A^)可以相同或不同，當(dāng)b= 2時(shí)， 可以相同或者不同。
[0025] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述液晶組合物還包含一種或多種通式III所 示的化合物以及一種或多種通式IV和/或通式V所示的化合物組成的組分C;
[0026]
[0027] 其中，
[0028] R4、R5、R6、R7、Rs各自獨(dú)立地選自碳原子數(shù)為1~10的直鏈烷基、碳原子數(shù)為1~ 10的直鏈烷氧基或碳原子數(shù)為2~10的直鏈烯基中的任意一種；
[0029] X4、父5各自獨(dú)立地選自H、F中的任意一種；
[0030] Y3選自F、碳原子數(shù)為1-6的直鏈烷基、碳原子數(shù)為1-6的直鏈烷氧基或碳原子數(shù) 為2-6的直鏈烯基中的任意一種，其中的H未被取代，或者被F單取代，或者被F多取代； [0031 ] Z2選自單鍵、-CH2_、_CH2_CH2_、_ (CH2) 3_、_ (CH2)4_、_CH=CH_、_CeC-、-C00-、_00 c-、-CF20-、-0CH,-、-CH,〇-、-0CF,-、-CF,CH,-、-CH2CF2-、-C2F4-或-CF=CF-中的任意一種；
[0032]
忠自①、②所示基團(tuán)中的任意一種或多種，
[0033] ①反式1，4-亞環(huán)己基、1，4-環(huán)己烯基基團(tuán)，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的_CH2-基團(tuán) 被-0-或-S-取代或未取代；
[0034] ②1，4-亞苯基基團(tuán)，其中一個(gè)或兩個(gè)-CH-被N取代或未取代，一個(gè)或兩個(gè)H被F 取代或未取代；
[0035] c、d、e各自獨(dú)立地表示0或1。
[0036] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述液晶組合物中，組分A的重量百分含量 為1~20 %，組分B的重量百分含量為10~70%。
[0037] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述液晶組合物中，組分C的重量百分含量 為20~70%。
[0038] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式I所示的負(fù)性化合物為下列式 I_a至式I_e所示的化合物，
[0039]
[0040]
[0041]
[0042]
[0043]
[0044] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式II所示的化合物為下列式II-1至 式II-10所示的化合物，
[0045]
[0046] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式II所示的化合物為下列式II-1-1 至式II-10-10所示的化合物，
[0047]
[0048]
[0049]
[0050]
[0051]
[0052]
[0053]
[0054]
[0055]
[0056]
[0057] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式III所示的化合物為下列式III_a至 式III_d所示的化合物，
[0058]
[0059] 本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn)在于：所述通式IV所示的化合物為下列式IV_a至 式IV-c所示的化合物，
[0060]
[0061] 本發(fā)