本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片用鎳銀腐蝕液，屬于微電子化學(xué)試劑技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
超凈高純試劑（ultra-cleanandhigh-purityreagents）在國際上稱為工藝化學(xué)品（processchemicals），是集成電路（ic）以及超大規(guī)模集成電路（vlsi）制作過程中的關(guān)鍵性基礎(chǔ)化工材料之一，主要用于芯片的清洗和腐蝕。超凈高純試劑的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能及可靠性均有十分重要的影響。
半導(dǎo)體晶體硅材質(zhì)上連續(xù)鍍上鎳層、銀層后，再在銀層涂覆一定規(guī)格與大小的光刻膠進(jìn)行保護(hù)，而光刻膠與光刻膠之間形成的凹槽鍍層需使用專用的腐蝕液進(jìn)行腐蝕、清除，以達(dá)到客戶要求，再制成半導(dǎo)體芯片。
現(xiàn)有腐蝕液在腐蝕后存在生成物不易清洗，這有可能導(dǎo)致線路微短路、漏電等工藝不良的風(fēng)險。
本發(fā)明通過對腐蝕反應(yīng)生成物分散、絡(luò)合等手法，使其易于后續(xù)工藝清洗完全，解決了一般藥液腐蝕后生成物不易清洗，從而導(dǎo)致線路微短路、漏電等工藝不良風(fēng)險，不易清洗，需要大量水才能清洗干凈的問題。達(dá)到節(jié)水環(huán)保，提高產(chǎn)品品質(zhì)的目的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對上述現(xiàn)有技術(shù)提供一種半導(dǎo)體芯片用鎳銀腐蝕液，能夠高效去除芯片中的鎳和銀金屬，同時對其生成物通過分散、絡(luò)合等手法，使其易于后續(xù)工藝清洗完全，解決了一般藥液腐蝕后生成物不易清洗，從而導(dǎo)致線路微短路、漏電等工藝不良風(fēng)險，不易清洗，需要大量水才能清洗干凈的問題。
本發(fā)明解決上述問題所采用的技術(shù)方案為：一種半導(dǎo)體芯片用鎳銀腐蝕液，包括如下質(zhì)量百分比的成分
醋酸溶液40～65%，
硝酸溶液10～35%，
表面活性劑1～5%，
分散劑1～5%，
絡(luò)合劑1～5%，
余量為純水。
優(yōu)選地，醋酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為90～99.8%、硝酸溶液的質(zhì)量百分比濃度為60～67%。
優(yōu)選地，表面活性劑采用非離子型表面活性劑和陰離子型表面活性劑復(fù)配混合物。
其中，非離子表面活性劑選自脂肪酸甲酯乙氧基化物fmee。fmee相比aeo（脂肪醇聚氧乙烯醚）系列，具有低泡沫、高濁點(diǎn)，冷水不宜凝膠，溶解迅速，特別是冬季不出現(xiàn)凝固，使用方便，且具有很好的潤濕分散性能。陰離子表面活性劑為烷基磺酸鈉、烷基芳基磺酸鈉、烷基硫酸鈉、仲烷基硫酸鈉中的一種或幾種。其作用在于有更強(qiáng)的潤濕性能，腐蝕之后易清洗。
優(yōu)選地，分散劑為硬脂酰胺與高級醇、己烯基雙硬脂酰胺、乙撐基雙硬脂酰胺（ebs）、硬脂酸單甘油酯（gms），三硬脂酸甘油酯（htg）。
優(yōu)選地，絡(luò)合劑為磷酸鹽類如三聚磷酸鈉、焦磷酸鈉、六偏磷酸鈉、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、氨三乙酸鈉、乙二胺四乙酸鹽、二乙烯三胺五羧酸鹽、酒石酸、庚糖酸鹽、葡萄糖酸鈉、海藻酸鈉。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：該鎳銀腐蝕液具有潤濕性能高，穩(wěn)定性高，使用壽命長，腐蝕鎳、銀金屬效果好；在進(jìn)行有效腐蝕鎳、銀金屬的同時，亦不會對半導(dǎo)體芯片的基材造成腐蝕。同時對其生成物通過分散、絡(luò)合等方法，使其易于后續(xù)工藝清洗完全，解決了一般藥液腐蝕后生成物不易清洗從而導(dǎo)致線路微短路，清洗需要大量水的問題。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
實(shí)施例1
半導(dǎo)體芯片用鎳銀腐蝕液成分與重量百分比分別為：
醋酸65%，
硝酸35%，
表面活性劑5%，
分散劑1%，
絡(luò)合劑1%，
余量為純水。
其中，鎳銀腐蝕液質(zhì)量百分比為醋酸90%、硝酸的質(zhì)量百分比濃度為60%。其中選取脂肪酸甲酯乙氧基化物（fmee）作為非離子型表面活性劑，選取烷基磺酸鈉、烷基芳基磺酸鈉按2:1的質(zhì)量比例配置的混合物作用陰離子型表面活性劑。分散劑為硬脂酰胺與高級醇。絡(luò)合劑選自三聚磷酸鈉、六偏磷酸鈉、二乙醇胺。
實(shí)施例2
半導(dǎo)體芯片用鎳銀腐蝕液成分與重量百分比分別為：
醋酸40%，
硝酸10%，
表面活性劑1%，
分散劑5%，
絡(luò)合劑5%，
余量為純水。
其中，鎳銀腐蝕液質(zhì)量百分比為醋酸99.8%、硝酸的質(zhì)量百分比濃度為67%。其中選取脂肪酸甲酯乙氧基化物（fmee）作為非離子型表面活性劑，選取烷基芳基磺酸鈉混合物作用陰離子型表面活性劑。分散劑為硬脂酸單甘油酯（gms），三硬脂酸甘油酯（htg）。絡(luò)合劑為三聚磷酸鈉、酒石酸、庚糖酸鹽。
實(shí)施例3
半導(dǎo)體芯片用鎳銀腐蝕液成分與重量百分比分別為：
醋酸50%，
硝酸25%，
表面活性劑3%，
分散劑3%，
絡(luò)合劑3%，
余量為純水。
其中，鎳銀腐蝕液質(zhì)量百分比為醋酸95%、硝酸的質(zhì)量百分比濃度為63%。其中選取脂肪酸甲酯乙氧基化物（fmee）作為非離子型表面活性劑，選取仲烷基硫酸鈉和烷基芳基磺酸鈉按照1:1作為陰離子型表面活性劑。分散劑為己烯基雙硬脂酰胺、乙撐基雙硬脂酰胺（ebs），三硬脂酸甘油酯（htg）。絡(luò)合劑為三乙醇胺、海藻酸鈉的任意配比。
上述各實(shí)施例的鎳銀腐蝕液均具有潤濕性能高，穩(wěn)定性高，使用壽命長，腐蝕鎳、銀金屬效果好等特點(diǎn)；在進(jìn)行有效腐蝕鎳、銀金屬的同時，均不會對半導(dǎo)體芯片的基材造成腐蝕。
除上述實(shí)施例外，本發(fā)明還包括有其他實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術(shù)方案，均應(yīng)落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。