1.一種磁控干膠裝置，其特征在于所述磁控干膠裝置包括采用聚二甲基硅氧烷和納米四氧化三鐵顆粒組成的鐵-聚二甲基硅氧烷的聚合物基底，在聚合物基底的一面均勻間隔分布有多個(gè)蘑菇狀的干膠纖維薄膜層，所述蘑菇狀的干膠纖維薄膜層的厚度為1.7～1.9μm，直徑為16.1～18.1μm；聚合物基底與蘑菇狀的干膠纖維薄膜層之間設(shè)有鐵-聚二甲基硅氧烷標(biāo)桿作為過(guò)渡層，過(guò)渡層的長(zhǎng)為1～1.5mm，寬為0.8～1.3mm，高為1.2～2mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控干膠裝置，其特征在于：所述四氧化三鐵納米顆粒粒徑為20～30nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控干膠裝置，其特征在于：所述過(guò)渡層的長(zhǎng)為1.2mm，寬為1.2mm，高為1.5mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控干膠裝置，其特征在于：所述蘑菇狀的干膠纖維薄膜層的厚度為1.8μm，直徑為17.1μm。
5.一種根據(jù)權(quán)利要求1～4任意一項(xiàng)所述的磁控干膠裝置的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
1)在直徑90～110mm的聚甲基丙烯酸甲酯干膠片上旋涂抗蝕劑，轉(zhuǎn)速2800～3200rpm旋涂28～32s，在90～110℃下烘烤1.5～2.5分鐘后冷卻；
2)在上述步驟已制備的干膠片上旋涂一層AZ9260光致抗蝕劑，轉(zhuǎn)速2800～3200rpm旋涂28～32s；在75～85℃下恒溫烘烤50～70分鐘；
3)將上述步驟已制備的干膠片在90～110℃下進(jìn)行二次烘烤，時(shí)長(zhǎng)80～100s；
4)將烘烤后的干膠片放入去離子水中冷卻，經(jīng)過(guò)20～40分鐘的浸泡再水化過(guò)程后進(jìn)行紫外光照射曝光，形成曝光后的光致抗蝕劑；
5)加入與去離子水以體積比1:3～5稀釋后的AZ400K顯影劑，通過(guò)控制顯影時(shí)間，就得到所需的切口；用去離子水清洗后，再用氮?dú)獯抵辽?0～70分鐘，之后在空氣中干燥，即可得到分布均勻的蘑菇狀干膠纖維陣列的模具；
6)聚二甲基硅氧烷作為預(yù)聚物與其固化劑按照9～11:1的比例混合，加入直徑為20～30nm的四氧化三鐵納米顆粒，完全混合之后再與聚二甲基硅氧烷混合形成鐵-聚二甲基硅氧烷，其中鐵氧體納米顆粒的質(zhì)量占總質(zhì)量的45～55％；
7)在最后的固化之前，放在真空箱中進(jìn)行脫氣，將未干的鐵-聚二甲基硅氧烷灌澆在步驟1)～5)制備的模具中；
8)再次進(jìn)行脫氣并在75～85℃下烘烤2～4小時(shí)；
9)在冷卻之后進(jìn)行脫模即為磁控干膠裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于：所述抗蝕劑的成分為聚二甲基戊二酰亞胺與其稀釋液環(huán)戊酮按照質(zhì)量比1:1混合。