1.一種閃爍體，其包括摻雜有銪的CsBrxI(1-x)（CsBrxI(1-x):Eu），其中x＜0.5，其通過(guò)使CsBrxI(1-x):Eu材料在從50℃到280℃的溫度下退火而可獲得，其特征在于，如此獲得的閃爍體在室溫下、在34GHz的頻率下所測(cè)量的EPR頻譜示出在1200mT的磁場(chǎng)下的信號(hào)高度最大值，在1090mT和1140mT處的信號(hào)高度不超過(guò)40%，其中在1200mT處的經(jīng)歸一化的信號(hào)高度百分比被計(jì)算為100%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃爍體，其中所述EPR頻譜示出在1090mT、1140mT和1200mT的磁場(chǎng)下的信號(hào)高度最大值以及在1250mT和1350mT處的最小值，在1090mT和1140mT處的最大值超過(guò)10%的經(jīng)歸一化的信號(hào)高度百分比但是不超過(guò)40%，其中在1200 mT處的經(jīng)歸一化的信號(hào)高度百分比被計(jì)算為100%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃爍體，其中所述CsBrxI(1-x):Eu材料具有針狀晶體結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的閃爍體，其中所述閃爍體基本上包括CsI:Eu。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的閃爍體，其中所述閃爍體在已經(jīng)退火之后被暴露于具有1pm和800nm之間的波長(zhǎng)的電磁輻射。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的閃爍體，其中所述電磁輻射包括X射線。
7.一種閃爍體屏，其包括閃爍體和基底，其中所述閃爍體如在前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)中所限定。
8.一種高能量輻射檢測(cè)裝置，其包括閃爍體和光電倍增管，其中所述閃爍體如在前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)中所限定。
9.一種射線照相術(shù)平面板檢測(cè)器，其包括閃爍體和檢測(cè)器，所述檢測(cè)器包括多個(gè)能夠?qū)⒐廪D(zhuǎn)換成電信號(hào)的光敏元件，其中所述閃爍體如在權(quán)利要求1至5中所限定。
10.一種制備如權(quán)利要求1中所限定的閃爍體的方法，包括如下步驟：
a)通過(guò)混合CsI、可選地與包含Br的化合物、連同包含Eu的化合物來(lái)提供CsBrxI(1-x):Eu材料；以及
b)通過(guò)將CsBrxI(1-x):Eu材料暴露于熱以便獲得從50℃到280℃的溫度而退火至少5min；以及
c)可選地將經(jīng)退火的CsBrxI(1-x):Eu暴露于具有1pm和800nm之間的波長(zhǎng)的電磁輻射。