從基底上除去保護(hù)性涂層的選定部分的制作方法
【專(zhuān)利摘要】從基底，例如電子器件上選擇性除去一部分保護(hù)性涂層的方法包括從該基底上除去部分保護(hù)性涂層。除去工藝可包括在特定的位置處切割保護(hù)性涂層，然后從基底中除去所需部分的保護(hù)性涂層，或者它可包括燒蝕將要被除去的部分保護(hù)性涂層。還公開(kāi)了涂布和除去系統(tǒng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】從基底上除去保護(hù)性涂層的選定部分
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考
[0002]本文要求2013 年 I 月 8 日提交的標(biāo)題為 “METHODS FOR REMOVING PROTECTIVECOATING FROM AREAS OF AN ELECTRONIC DEVICE(從電子器件的區(qū)域中除去保護(hù)性涂層的方法)”的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/750,257( “ ' 257臨時(shí)申請(qǐng)”)，和標(biāo)題為METHODS FORMASKING ELECTRONIC DEVICES FOR APPLICAT1N OF PROTECTIVE COATINGS AND MASKEDELECTRONIC DEVICES(掩蔽電子器件以供施涂保護(hù)性涂層的方法和被掩蔽的電子器件)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)N0.61/750，254(' 254臨時(shí)申請(qǐng)”)的優(yōu)先權(quán)權(quán)益。'254臨時(shí)申請(qǐng)和'257臨時(shí)申請(qǐng)各自的全部公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參考引入。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容一般地涉及從電子器件的組件，電子的子組裝件，電子組裝件，和電子器件中選擇性地除去部分保護(hù)性涂層(例如耐水的涂層)的方法，使得保護(hù)性涂層能保護(hù)涂布的元件，同時(shí)涂布的電子器件能合適地操作。
[0004]相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)
[0005]電子器件的耐久性常常是消費(fèi)者關(guān)心的，尤其在采用現(xiàn)有技術(shù)的便攜式電子器件的情況下，這是因?yàn)樗鼈兊某杀竞拖M(fèi)者典型地依賴(lài)電子器件的程度導(dǎo)致的。因此，便攜式電子器件，例如移動(dòng)電話，臺(tái)式計(jì)算機(jī)，膝上型計(jì)算機(jī)，和其他電子器件的保護(hù)覆蓋層和保護(hù)外殼是高度需求的。許多保護(hù)覆蓋層和外殼防止對(duì)電子器件的劃傷和其他物理?yè)p壞，但保護(hù)覆蓋層典型地提供很少(如果有的話)的保護(hù)避免水和其他類(lèi)型的濕氣，和很少有保護(hù)外殼保護(hù)便攜式電子器件避免損壞，所述損壞可由水和其他類(lèi)型的濕氣引起。提供保護(hù)防止水損壞的保護(hù)外殼通常通過(guò)確保電子器件沒(méi)有暴露于水下而進(jìn)行；典型的防水保護(hù)外殼包封整個(gè)電子器件。結(jié)果，防水的外殼常常優(yōu)點(diǎn)很大，或者大，且可限制獲得電子器件的某些特征，和因此妨礙個(gè)體以該個(gè)體所需的方式使用電子器件的能力。
[0006]一些公司，例如HzO，Inc.采用不同的方法來(lái)保護(hù)電子器件避免水，其他類(lèi)型的濕氣和污染。HzO的方法使用施涂薄膜，或保護(hù)性涂層到電子器件內(nèi)部的各種組件上。這一保護(hù)性涂層限制了電子器件的涂層組件暴露于水，其他類(lèi)型的濕氣和污染下且在電子器件的外側(cè)不需要龐大的保護(hù)外殼。這一保護(hù)性涂層可保護(hù)電子器件，即使它下落在水內(nèi)，雨點(diǎn)落在其上，或者要么暴露于損壞程度的濕氣下。
[0007]盡管保護(hù)性涂層可限制涂布的特征暴露于水，其他類(lèi)型的濕氣或污染下，但保護(hù)性涂層也可負(fù)面影響電子器件某些特征的性能。例如，保護(hù)性涂層可降低顯示器和電子器件的任何攝像機(jī)鏡頭的分辨率和清晰度。保護(hù)性涂層也可干擾電接觸，例如電池終端，插頭等。保護(hù)性涂層也可負(fù)面影響一些部件，例如移動(dòng)部件(例如，振動(dòng)元件等)，麥克風(fēng)，揚(yáng)聲器，鏡頭和類(lèi)似物的性能。另外，保護(hù)性涂層可在電子組件(例如，半導(dǎo)體器件等)內(nèi)非所需的捕獲熱量，從而降低它們的可靠度和它們操作時(shí)的速度。
[0008]以基底，例如電子器件在其內(nèi)涂布的方式實(shí)現(xiàn)選擇性的一種方法包括掩蔽。掩蔽可防止保護(hù)性涂層粘附到基底的某些特征上。雖然如此，但掩模引入額外的預(yù)涂布步驟且也可增加制造或保護(hù)基底所要求的成本和時(shí)間。另外，還要求后涂布工藝，其中包括掩模除去和除去位于掩模上的一部分保護(hù)性涂層，從而增加施涂保護(hù)性涂層的成本和時(shí)間。
[0009]發(fā)明概述
[0010]在一個(gè)方面中，本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容涉及從基底的選定部分，或者“除去區(qū)域”(例如，從子組裝件或者電子器件的組件，例如消費(fèi)電子器件等中的選擇組件或特征)中除去保護(hù)性涂層，同時(shí)在基底的其他“保護(hù)區(qū)域”上留下保護(hù)性涂層的其他部分在原地的方法。該保護(hù)性涂層可包括抗?jié)竦耐繉?。通過(guò)選擇除去一部分保護(hù)性涂層，可有益地提供基底保護(hù)(例如，避免暴露于潛在有害水平的濕氣下等)，且沒(méi)有妨礙各種組件或特征(例如電子器件的電接觸，移動(dòng)部件，音頻傳輸元件，顯示器，鏡頭等)的性能。
[0011]保護(hù)基底的方法可涉及施涂保護(hù)性涂層到基底，例如電子器件的組裝件或子組裝件中的多個(gè)組件或特征上。最初涂布的組件或特征可包括電子組件(例如印刷的電路板(PCBs)，半導(dǎo)體器件，電連接，電連接器，顯示器，音頻組件，其他器件，按鈕，開(kāi)關(guān)，端口，等)?？墒褂梅?選擇性和非-方向性的方法(例如，化學(xué)氣相淀積(CVD)，分子擴(kuò)散，物理氣相淀積(PVD)(例如，蒸發(fā)淀積(其中包括，但不限于e-束蒸發(fā)，濺射，激光燒蝕，脈沖激光淀積等)，原子層淀積(ALD)，和物理施涂法(例如，印刷，噴涂技術(shù)，輥涂，刷涂，等)，施涂保護(hù)性涂層，從而導(dǎo)致被涂布的暴露組件或特征，而與最終期望是否涂布基底的每一組件或特征無(wú)關(guān)。這一方法還包括從最初被涂布的組件或特征的子設(shè)備，例如其性能可被保護(hù)性涂層妨礙的組件或特征(其中包括，但不限于，要求很少或者不要求避免水，其他類(lèi)型的濕氣或其他污染物的組件或特征)中除去一部分保護(hù)性涂層。
[0012]在一些實(shí)施方案中，選擇性除去一部分保護(hù)性涂層可包括集中方向性方法，其中在定向除去介質(zhì)的路徑中切割一部分保護(hù)性涂層，然后從基底中除去，同時(shí)其他部分的保護(hù)性涂層在基底上保持在原地。本文所使用的“切割”包括保護(hù)性涂層的切斷(severed)或減弱的位置。定向的除去介質(zhì)源可連接到定位機(jī)構(gòu)上，所述定位機(jī)構(gòu)移動(dòng)在與一部分保護(hù)性涂層從中被除去的組件或特征有關(guān)的各種位置之間的源頭，以便促進(jìn)自動(dòng)化除去保護(hù)性涂層的選定部分。
[0013]在各種實(shí)施方案中，定向除去介質(zhì)可包括磨料材料(它可以是粒狀形式)，例如固體二氧化碳，它常常稱(chēng)為“干冰”。其他合適的磨料材料沒(méi)有限制地包括淀粉和砂子(它包括，但不限于粒狀二氧化硅，粒狀玻璃，粒狀陶瓷，天然石頭的顆粒等)。磨料材料可以按照指向的方式被導(dǎo)引到基底和在其上的保護(hù)性涂層上，使得在磨料材料路徑上的一部分保護(hù)性涂層從基底中被除去。
[0014]在另一實(shí)施方案中，定向除去介質(zhì)可包括窄的激光束。更具體地，激光束可以是由全固態(tài)半導(dǎo)體(DPSS)激光器生成的窄的266納米(nm)波長(zhǎng)的激光束。在另一具體的實(shí)施方案中，激光束可以是通過(guò)準(zhǔn)分子激光器或者復(fù)合受激態(tài)激光器生成的窄的248nm波長(zhǎng)的激光束。使用窄的激光束作為定向除去介質(zhì)可以能夠從不打算涂布的每一組件中精確除去保護(hù)性涂層的一個(gè)或更多個(gè)選定部分。
[0015]集中或定向除去介質(zhì)的其他實(shí)施方案包括大氣等離子體，離子束，加熱元件，或工具(例如，加熱的尖端，沖切?；驔_壓機(jī)的加熱邊緣等)，除去介質(zhì)的噴涂或高壓幕簾(包括微粒除去介質(zhì),液體除去介質(zhì)等)和類(lèi)似物。
[0016]一旦保護(hù)性涂層被切割，則其切割部分可從基底中除去。
[0017]作為使用集中的方向性方法的替代方案，較少集中，未集中和/或非-方向性除去技術(shù)(例如，采用磨料材料的非-方向性燒蝕，使用寬的激光束，等離子體蝕刻等)可與位于基底上的模板和在其上的保護(hù)性涂層聯(lián)合使用，通過(guò)燒蝕來(lái)除去一部分保護(hù)性涂層。模板可暴露待除去的保護(hù)性涂層的一個(gè)或更多個(gè)部分；例如，一個(gè)或更多個(gè)部分的保護(hù)性涂層定位在最終保持未被保護(hù)性涂層涂布的這些組件或特征上。模板可屏蔽打算保持被保護(hù)性涂層覆蓋的這些組件或特征。在這一實(shí)施方案中，除去介質(zhì)需要定向施涂，這是因?yàn)槟０宸乐钩ソ橘|(zhì)除去打算被涂布的組件或特征的保護(hù)性涂層。
[0018]在其他實(shí)施方案中，可與使用定向除去介質(zhì)一起使用模板，以提高除去工藝的精度(例如，確保除去介質(zhì)的雜散顆粒沒(méi)有損壞將保持在基底上的部分保護(hù)性涂層等)。
[0019]根據(jù)隨后的說(shuō)明，附圖和所附權(quán)利要求，本發(fā)明公開(kāi)主題的其他方面，以及各個(gè)方面的特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見(jiàn)的。
[0020]附圖簡(jiǎn)述
[0021]在附圖中:
[0022]圖1A-1C表示基底，所述基底包括用保護(hù)性涂層覆蓋的一個(gè)或更多個(gè)組件或特征，和選擇性除去一部分保護(hù)性涂層的除去元件。
[0023]圖2闡述了使用除去元件和模板來(lái)控制除去保護(hù)性涂層的選定部分(即通過(guò)模板內(nèi)的開(kāi)孔而暴露的部分)。
[0024]圖3A和3B闡述了切割保護(hù)性涂層的除去元件，以促進(jìn)從組件，特征或它的一部分中除去保護(hù)性涂層；
[0025]圖4圖示了從基底的選擇區(qū)域中除去保護(hù)性涂層的體系的實(shí)施方案；
[0026]圖5是描繪從基底上選擇性除去一部分保護(hù)性涂層的方法的實(shí)施方案的工藝流程的流程圖；和
[0027]圖6是闡述從基底的多個(gè)離散區(qū)域中選擇性除去保護(hù)性涂層的方法的實(shí)施方案的工藝流程的流程圖。
[0028]詳細(xì)說(shuō)明
[0029]圖1A-1C闡述了基底100的實(shí)施方案。在所描繪的實(shí)施方案中，基底100包括電子器件的子組裝件或組裝件?；?00可包括所有或一部分的便攜式電子器件，例如移動(dòng)電話，臺(tái)式計(jì)算機(jī)，照相機(jī)，全球定位系統(tǒng)(GPS)接收器，膝上型計(jì)算機(jī)，或任何其他電子器件。在其中基底100包括電子器件的子組裝件的實(shí)施方案中，它可包括印刷電路板(PCB)或其他載體104和在載體104上的一個(gè)或更多個(gè)組件或特征102a-c (例如，半導(dǎo)體器件(例如處理器，微型控制器，記憶器件等)，晶體管，電容器，端口，連接器，電接觸，按鈕，開(kāi)關(guān)，其他組件或特征等)。在其中基底100包括電子器件的子組裝件的實(shí)施方案中，它也可包括其他組件，例如顯不屏，所有或一部分的外殼，或輸入/輸出兀件。在另一實(shí)施方案中，基底100可包括整個(gè)電子器件。
[0030]本文所使用的術(shù)語(yǔ)“組件(component) ”和“特征(feature) ”，廣義地用以涵蓋基底100，例如電子器件的各種元件。一些組件或特征102a-c可受益于被保護(hù)性涂層覆蓋或屏蔽(例如，防止它們暴露于濕氣，污染下等)。然而，保護(hù)性涂層可負(fù)面影響其他組件或特征102a_c的操作或性能。因此，可期望最初保持一些組件或特征102a_c未涂布。
[0031]圖1B闡述了涂布元件180，所述涂布元件180施涂保護(hù)性涂層120到含載體104的基底100的實(shí)施方案上，到載體104的組件或特征102a-c上，和/或從而被攜帶。被保護(hù)性涂層120覆蓋的基底100的區(qū)域在本文中可稱(chēng)為“涂布區(qū)域”。
[0032]涂布元件180可包括涂布裝置的各種實(shí)施方案的任何一個(gè)或任何組合。在一些實(shí)施方案中，可配置涂布元件180，施涂具有足夠厚度的保護(hù)性涂層120，在相對(duì)短的時(shí)間段內(nèi)提供所需水平的抗?jié)裥?。在各種實(shí)施方案中，可配置涂布元件180，在小于I小時(shí)內(nèi)，在小于或等于約15分鐘內(nèi)，在小于或等于約5分鐘內(nèi)，或甚至在小于或等于約2分鐘內(nèi)，淀積具有最小厚度或者至少I(mǎi)微米的平均厚度的薄膜(例如，帕利靈膜等)。
[0033]可用作組裝件體系中的涂布元件180的裝置的各種實(shí)施方案沒(méi)有限制地包括分子擴(kuò)散設(shè)備，化學(xué)汽相淀積(CVD)設(shè)備，物理汽相淀積(PVD)設(shè)備(例如，使用蒸發(fā)淀積工藝的器件(其中包括，但不限于，e-束蒸發(fā)，濺射，激光燒蝕，脈沖激光淀積等)，原子層淀積(ALD)設(shè)備和物理施涂裝置(例如，印刷設(shè)備，噴涂設(shè)備，輥涂設(shè)備，刷涂設(shè)備，等)。當(dāng)然，涂布元件180的其他實(shí)施方案也可在組裝件體系中使用。
[0034]在具體的實(shí)施方案中，組裝件體系中的涂布元件180可包括形成反應(yīng)性單體的裝置，所述單體然后可淀積在使得抗?jié)?例如，耐水，防水等)的一個(gè)或更多個(gè)表面上并形成聚合物。在具體的實(shí)施方案中，可配置涂布元件180，在賦予抗?jié)裥缘囊粋€(gè)或更多個(gè)表面上淀積含未取代和/或取代單元的聚(對(duì)二甲苯)(即，帕利靈)的保護(hù)性涂層120。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)nos.12/104，080，12/104，152和12/988，103中描述了按照這一方式起作用的保護(hù)性涂層120的實(shí)例，其中每一篇的全部公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參考引入。美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)nos.12/446，999，12/669，074和12/740，119也公開(kāi)了可被組裝件體系的涂布元件180使用的設(shè)備和/或方法的實(shí)施方案，以形成保護(hù)性涂層120，所有這些的全部公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)參考引入。
[0035]可通過(guò)涂布元件180施涂形成保護(hù)性涂層120的其他材料包括，但不限于，熱塑性材料，可固化材料(例如，可輻射固化的材料，雙份材料，熱固性材料，室溫可固化材料等)。也可由無(wú)機(jī)材料，例如玻璃或陶瓷材料形成保護(hù)性涂層120。在具體的實(shí)施方案中，可使用CVD或ALD方法，淀積含氧化鋁(A1203)的保護(hù)性涂層120或者基本上由氧化鋁組成的保護(hù)性涂層120。
[0036]施涂保護(hù)性涂層120的一些技術(shù)是非方向性的，也就是說(shuō)，非選擇性施涂保護(hù)性涂層120，并粘附到暴露于涂布材料下的基底的所有區(qū)域上。例如，使用CVD方法，在組件102a和102b上淀積的材料還會(huì)覆蓋組件102c。
[0037]在整個(gè)組裝件體系的上下文中，可使用多個(gè)不同的涂布元件180，和甚至不同類(lèi)型的涂布元件180，且任選地?fù)饺氲浇M裝件體系的結(jié)構(gòu)中，在不同類(lèi)型的特征上提供所需類(lèi)型的保護(hù)性涂層120?？蓻](méi)有限制地配置涂布元件180，在基底中不同的組件或特征102a-c之間的小的空間，例如組裝件下方的電子器件內(nèi)(例如，在表面安裝技術(shù)(SMT)組件和電路板之間，等)提供保護(hù)性涂層120，同時(shí)可配置(configured)另一涂布元件180，在涂布工藝過(guò)程中暴露的表面上提供保形、包覆的保護(hù)性涂層120，且另一涂布元件180可選擇性施涂第二保護(hù)性涂層120到一些其他的組件或特征102a-c上。
[0038]一旦施涂了保護(hù)性涂層120，則保護(hù)性涂層120可提供基底100，或者至少它的選擇組件或特征抗?jié)裥?，這從圖1B中看出。在基底100暴露于潛在損害程度的濕氣下的情況下，抗?jié)竦谋Ｗo(hù)性涂層120可防止電短路和/或腐蝕基底100中的一個(gè)或更多個(gè)組件或特征 102a_c。
[0039]可使用任何各種度量來(lái)量化每一保護(hù)性涂層120的抗?jié)裥?。例如，保護(hù)性涂層120物理抑制水或其他濕氣避免接觸涂布的特征的能力可被視為賦予保護(hù)性涂層120抗?jié)裥浴?br> [0040]作為另一實(shí)例，抗?jié)裥裕蚋鼜V義地，保護(hù)性涂層120的抗?jié)裥钥梢曰诟涌闪炕臄?shù)據(jù)，例如水滲透穿過(guò)保護(hù)性涂層120時(shí)的速率，或者它的水蒸氣轉(zhuǎn)移速率，這可使用已知技術(shù)來(lái)測(cè)量，單位為g/m2/天或者單位為g/100in2/天(例如，在37°C的溫度下，和在90%的相對(duì)濕度下，小于2g/100in2/天，小于或等于約1.5g/100in2/天，小于或等于約lg/100in2/天,小于或等于約0.5g/100in2/天,小于或等于約0.25g/100in2/天,小于或等于約0.15g/100in2/天等穿過(guò)最小厚度或平均厚度為約Imil ( S卩，約25.4 μ m)的薄膜)。
[0041]可測(cè)定保護(hù)性涂層120的抗?jié)裥缘牧硪环绞绞峭ㄟ^(guò)可接受的技術(shù)(例如，靜態(tài)固著的液滴方法，動(dòng)態(tài)固著的液滴方法，等)，借助施涂到保護(hù)性涂層120的表面上的水滴的接觸角?？衫缡褂肶oung方程式，即:

rAcos#A +.rR<?slR
[0042]% = WCSOOS-；-


m & ?,L.fAi fR，
[0043]從水滴底部下方測(cè)定水滴底部與表面形成的角度，從而測(cè)量表面的疏水性，
[0044]其中ΘΑ是最高，或向前(advancing)的接觸角；θκ是最低或向后(receding)的接觸角；
?/ aoS Θα? Isill2 θη
[0045]rA= % -~-———^rr—和 Γι1 = ξ -—.........?5-1 2 — 31--? + CQS 夢(mèng)A.ψ 2 — 3 CX?sf|| 4- fffi
[0046]若表面親水，則水會(huì)稍微擴(kuò)散，從而導(dǎo)致與表面小于90°的水接觸角。相反，對(duì)于本發(fā)明公開(kāi)內(nèi)容的目的來(lái)說(shuō)，疏水的表面可被視為耐水，或更廣義地抗?jié)?，這將防止水鋪開(kāi)，從而導(dǎo)致大于或等于90°的水接觸角。在表面上的水珠越多,則水接觸角越大。當(dāng)在表面上的水滴珠使得與表面的水接觸角大于或等于約120°時(shí)，該表面被視為高度疏水。當(dāng)水接觸表面超過(guò)150°的角度(即在表面上的水滴為近球形)時(shí)，該表面被認(rèn)為是“超級(jí)疏水的”。
[0047]當(dāng)然，也可使用耐水性的其他量度或者其他類(lèi)型的抗?jié)裥?。盡管可配置組裝件體系中的涂布元件180，施涂保護(hù)性涂層120到基底100的一個(gè)或更多個(gè)組件或特征102a-c的外表面，例如在組裝件下方的電子器件上，但當(dāng)基底100被摻入到完全組裝的器件(例如，電子器件等)內(nèi)時(shí)，保護(hù)性涂層120駐留在其上的一個(gè)或更多個(gè)表面可位于基底的內(nèi)部?jī)?nèi)。因此，可配置組裝件體系，組裝在內(nèi)表面上含保護(hù)性涂層120或者內(nèi)部約束的保護(hù)性涂層120的電子器件。
[0048]一旦保護(hù)性涂層120被施涂到基底100上，則一部分保護(hù)性涂層120可從基底100的一些組件或特征102a-c中除去，從而通過(guò)保護(hù)性涂層120暴露這些組件或特征102a_c，或者使得它們沒(méi)有被保護(hù)性涂層120涂布。例如，且沒(méi)有限制所公開(kāi)的主題的范圍，在其中基底100是電子器件的實(shí)施方案中，若保護(hù)性涂層120包括抑制電信號(hào)從中穿過(guò)的電介質(zhì)材料，和被保護(hù)性涂層120覆蓋的組件或特征102c是有助于互通的電連接器(例如，在通用的串聯(lián)總線(USB)端口內(nèi)的D+或D-接口，等)，則保護(hù)性涂層120可妨礙組件或特征102c接收和/或輸送電信號(hào)的能力。作為另一非限定性實(shí)例，在顯示器，鏡頭和/或其他光學(xué)特征上面的一部分保護(hù)性涂層120可妨礙這些特征的光學(xué)透明度。覆蓋音頻組件，例如擴(kuò)音器或麥克風(fēng)的保護(hù)性涂層120也可降低由音頻組件產(chǎn)生的聲音或音頻信號(hào)的品質(zhì)。保護(hù)性涂層120也可干擾移動(dòng)部件，例如靜噪信號(hào)(例如，振動(dòng)元件等)，按鈕或開(kāi)關(guān)的能力，以便按打算的起作用。保護(hù)性涂層120也可捕獲各種組件(例如，半導(dǎo)體器件等)內(nèi)的熱量，從而負(fù)面影響它們的性能。存在其中可能不期望用保護(hù)性涂層120涂布組件102c的許多其他情況。
[0049]圖1C闡述了除去元件150，它將除去介質(zhì)160導(dǎo)引到組件或特征102c上，從組件或特征102c中除去保護(hù)性涂層120。盡管圖1C闡述了從僅僅一個(gè)組件或特征102c中除去保護(hù)性涂層120，但除去元件150可從任何數(shù)量的組件或特征102中除去保護(hù)性涂層120。可使用除去元件150，從直接或故意涂布的組件或特征102 (例如，使用覆蓋淀積工藝形成保護(hù)性涂層120等的結(jié)果是，涂布的組件或特征102)中除去保護(hù)性涂層120，和從間接或者附帶涂布的組件或特征102 (例如，在涂布工藝過(guò)程中被掩蔽的組件或特征102，假定保護(hù)性涂層120中的材料沒(méi)有施涂到其上的組件或特征102等，如圖3所示)中除去保護(hù)性涂層 120。
[0050]可配置除去元件150，通過(guò)燒蝕從組件或特征102c中除去一部分保護(hù)性涂層120。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“燒蝕(ablat1n) ”包括各種形式的材料除去，例如激光燒蝕，噴砂，和其他材料除去技術(shù)。
[0051]除去元件150可施涂除去介質(zhì)160，其方式將從基底100的一些選擇的區(qū)域(本文稱(chēng)為除去區(qū)域)中除去保護(hù)性涂層120。除去元件150可選擇性施涂除去介質(zhì)160，結(jié)果從僅僅除去元件150靶向的那些組件或特征(例如，圖1C中的組件或特征102c)中除去保護(hù)性涂層120。例如，可施涂除去介質(zhì)160到保護(hù)性涂層120的下述區(qū)域上，所述區(qū)域位于將通過(guò)保護(hù)性涂層120暴露且保護(hù)性涂層120將從中除去的組件或特征102上。
[0052]除去元件150可包括激光器，在此情況下，除去介質(zhì)160是激光束。在這一實(shí)施方案中，除去元件150可包括二極管-泵壓的固態(tài)(DPSS)激光器，它輸出波長(zhǎng)為266nm的窄的激光束?；蛘撸ピ?50可包括準(zhǔn)分子激光器，它輸出波長(zhǎng)為248nm的激光束?？墒褂脺?zhǔn)分子激光器，提供可與模板220聯(lián)合使用的寬束。
[0053]或者，除去元件150可包括磨料分配器，可配置所述磨料分配器，(例如通過(guò)噴嘴(例如，直徑為約0.25mm至直徑為約1.5mm的噴嘴)等)分配含磨料材料的除去介質(zhì)160。磨料除去介質(zhì)160可以是例如磨料材料，例如固體二氧化碳(本文常常稱(chēng)為“干冰”)，砂子，淀粉，珠子，或其他合適的磨料材料。
[0054]在另一實(shí)施方案中，除去元件可包括液體分配器，可配置所述液體分配器，傳輸液體除去介質(zhì)160的射流或高壓幕簾。液體除去介質(zhì)160可以是超臨界的(即，高于其臨界溫度和臨界壓力)。在使用液體二氧化碳的其他實(shí)施方案中，二氧化碳可以是比它的臨界壓力高的高壓二氧化碳。
[0055]可集中除去元件150，以便選擇性施涂除去介質(zhì)160到保護(hù)性涂層120上。除去元件150因此可施涂除去介質(zhì)160，其方向性方式使得可集中在一個(gè)或更多個(gè)組件102上，且沒(méi)有損壞在基底100的其他組件或特征(102a，102b)等上保持的部分保護(hù)性涂層120。除去元件150因此可從僅僅一些組件或特征102c中除去保護(hù)性涂層120。在一些實(shí)施方案中，除去介質(zhì)160可被導(dǎo)引到保護(hù)性涂層120的位置上，該位置直接在基底100的區(qū)域周邊，例如組件或特征102c的位置上或者與之相鄰，使得能從保護(hù)性涂層120的其余部分中切割位于這一區(qū)域上的部分保護(hù)性涂層120。在另一實(shí)施方案中，除去介質(zhì)160以光柵掃描方式可影響保護(hù)性涂層120，其中集中的除去介質(zhì)160在將從基底100中除去的部分保護(hù)性涂層120上前后轉(zhuǎn)移。
[0056]在這些實(shí)施方案中，除去元件150可包括定位機(jī)構(gòu)170或者與之聯(lián)合使用(例如耦合等)，所述定位機(jī)構(gòu)170在保護(hù)性涂層120和基底100的適當(dāng)區(qū)域上定位除去元件150中的除去介質(zhì)-釋放部分。定位機(jī)構(gòu)170可包括繪圖儀，光柵掃描儀，機(jī)械手或適合于自動(dòng)化定位除去元件150中的除去介質(zhì)-釋放部分在保護(hù)性涂層120通常位于其內(nèi)(其中包括待除去的部分保護(hù)性涂層120)的x-y平面(和任選地沿著Z-軸)中的合適位置處的任何其他機(jī)構(gòu)。在其他實(shí)施方案中，除去元件150中的除去介質(zhì)-釋放部分可以是固定的，且可配置定位機(jī)構(gòu)170，使相對(duì)于除去元件150中的除去介質(zhì)-釋放部分移動(dòng)的基底100移動(dòng)。
[0057]或者，可人工進(jìn)行在保護(hù)性涂層120上除去元件150的運(yùn)動(dòng)或掃描，例如它被保持在個(gè)體的手中。
[0058]圖2闡述了除去元件150的一個(gè)實(shí)施方案，其中配置所述除去元件150，以非集中的方式(例如，非選擇性，等)在保護(hù)性涂層120上施涂除去介質(zhì)160。為了防止除去介質(zhì)160除去將在基底100的一些組件或特征102上保持在原地的部分保護(hù)性涂層120，可與未集中的除去工藝聯(lián)合，石使用模板220。模板220可暴露組件或特征102(在圖2中，組件或特征102c)于除去介質(zhì)160下，并且屏蔽其余部分的保護(hù)性涂層120 (例如，鋪在組件或特征(在圖2中，組件或特征102a和102b)上的那些部分避免除去介質(zhì)160。因此，模板220可包括一個(gè)或更多個(gè)小孔240經(jīng)其確定的固體結(jié)構(gòu)250，且小孔240被定位，以暴露預(yù)定部分的保護(hù)性涂層120于除去介質(zhì)160下，同時(shí)該固體結(jié)構(gòu)250屏蔽保持在原地的部分保護(hù)性涂層120，且防止除去介質(zhì)160除去這些部分的保護(hù)性涂層120。
[0059]模板220的性質(zhì)和結(jié)構(gòu)可取決于要使用的除去元件150和除去介質(zhì)160。例如，在其中除去介質(zhì)160為磨料材料的情況下，模板220中的固體結(jié)構(gòu)250可被配置，或甚至被優(yōu)化，抵抗因除去介質(zhì)160的磨蝕作用導(dǎo)致的降解。在其中除去介質(zhì)160是激光的情況下，可配置固體結(jié)構(gòu)250，耐受激光，和任選地進(jìn)行激光能量的耗散，且沒(méi)有損壞被模板220屏蔽的底下的部分保護(hù)膜120和底下的基底100中的組件或特征102。使用模板220和未集中的除去介質(zhì)160 (例如，寬激光束；磨料材料的射流，幕簾或?qū)捨锪?；液體的寬射流或高壓幕簾；等)使得能快速除去通過(guò)模板250中的小孔240暴露的部分保護(hù)性涂層。
[0060]圖3A和3B闡述了在基底100的至少一部分表面上具有保護(hù)性涂層120的基底100 —電子器件的子組件。掩模310 (它可包括掩模材料或剝離劑)置于基底100中的組件102c和保護(hù)性涂層120之間。在一些實(shí)施方案中，基底100可包括被掩蔽的一些組件或特征102和未被掩蔽的其他組件或特征102。
[0061]如圖3B所示，除去元件350 (例如，激光器，等)可施涂(例如直接等)除去介質(zhì)360 (例如激光束)到保護(hù)性涂層120上，在掩模310周邊的位置204處切割保護(hù)性涂層120。掩模310可以可用于其中掩模310可保護(hù)組件或特征102c，同時(shí)保護(hù)性涂層210的一個(gè)或更多個(gè)部分被除去的情形。例如，電子器件中的顯示器可以足夠大，這將更加成本有效地掩蔽顯示器，施涂保護(hù)性涂層120，然后在掩蔽310周邊周?chē)奈恢?04處施涂集中的除去介質(zhì)250到保護(hù)性涂層120上以切割保護(hù)性涂層120，這將保護(hù)顯示器避免集中的除去介質(zhì)250。然后可剝離掉掩模310，從而暴露顯示器，且沒(méi)有損壞位于電子器件的其他組件102a和102b上的部分保護(hù)性涂層120。
[0062]當(dāng)激光器用作除去元件350和激光束用作除去介質(zhì)360時(shí)，可連接激光器到定位機(jī)構(gòu)370上，所述定位機(jī)構(gòu)370定位激光器在將從基底100中除去的部分保護(hù)性涂層120上的第一位置內(nèi)。激光器然后可釋放激光束并燒蝕保護(hù)性涂層120。當(dāng)激光器釋放激光束時(shí)，定位機(jī)構(gòu)370可在保護(hù)性涂層120上移動(dòng)激光器，直到保護(hù)性涂層120的所需位置204 (例如，在要被除去的部分的周邊周?chē)奈恢茫谀?10周邊周?chē)奈恢玫?被切割掉?？膳渲眉す馄?，連續(xù)或以脈沖的方式釋放激光束。
[0063]在使用激光器，在掩模310周邊周?chē)奈恢?04處切割保護(hù)性涂層120的情況下，當(dāng)定位機(jī)構(gòu)370移動(dòng)激光器時(shí)，激光器可提供連續(xù)的激光束。當(dāng)定位激光器除去鋪在未受掩模310保護(hù)，即直接用保護(hù)性涂層120涂布的組件或特征102c上的一部分保護(hù)性涂層120時(shí)，激光器可生成脈沖的激光束。一些組件或特征102c可以足夠大，以至于可需要多次脈沖的激光束來(lái)燒蝕保護(hù)性涂層120，其方式將有助于除去在那些組件或特征102c上的部分保護(hù)性涂層120。
[0064]在非放電狀態(tài)下，在第一部分的保護(hù)性涂層120已用激光器切割之后，定位機(jī)構(gòu)370可將激光器從保護(hù)性涂層上的第一位置移動(dòng)到保護(hù)性涂層120上的第二位置，最終從所述第二位置上除去第二部分的保護(hù)性涂層120。一旦激光器在第二位置內(nèi)，則它可再次釋放激光束，燒蝕保護(hù)性涂層120，以促進(jìn)從基底100中除去第二部分。定位機(jī)構(gòu)370可繼續(xù)移動(dòng)激光器，直到每一選定部分的保護(hù)性涂層120被切割掉，以有助于它的除去。
[0065]盡管圖3B闡述了使用激光器作為除去元件350，但也可使用其他類(lèi)型的除去元件。例如，微型磨蝕噴砂機(jī)可配有直徑約71^1(即，0.007英寸或約0.018mm)-約60mils (即,0.060英寸或約1.5mm)的小噴嘴，以傳輸磨料除去介質(zhì)160,例如干冰的微細(xì)物流。除去介質(zhì)160的物流可足夠細(xì)，在位置204處切割保護(hù)性涂層120。作為另一替代方案，可使用刀片或另一機(jī)械切割工具，從保護(hù)性涂層120中切割或除去材料。在其他實(shí)施方案中，加熱到足夠高溫度的加熱的元件，例如加熱的尖端(例如，焊鐵，等)可在位置204處切割保護(hù)性涂層120。加熱的尖端可在所需的區(qū)域周?chē)?例如，在掩模310的周邊周?chē)?，?追蹤(trace)，從而切割保護(hù)性涂層120并使得能除去一部分保護(hù)性涂層120?？蓪⒅苓呥吘壜源笥谘谀?10周邊的壓花擠壓到保護(hù)性涂層120內(nèi)，在掩模310周邊的周?chē)幥斜鞩]保護(hù)性涂層。
[0066]在其中加熱的尖端或沖壓機(jī)用于切割帕利靈保護(hù)性涂層120的實(shí)施方案中，可加熱該尖端或沖壓機(jī)到約190°C的溫度。在另一實(shí)施方案中，加熱的尖端或沖壓機(jī)可被加熱到約400°C的溫度。在另一實(shí)施方案中，加熱的尖端或沖壓機(jī)可被加熱到約375°C至約475°C的溫度。
[0067]加熱的尖端的直徑可以是約Imm,約2mm,或介于約Imm至約2mm之間。對(duì)于加熱的尖端來(lái)說(shuō)，尖端對(duì)軸(tip-to-shaft)的斜率范圍可以是3.5至5 ;在一個(gè)具體的實(shí)施方案中，尖端對(duì)軸的斜率范圍為約3.69。可在約0.8cm/s-約5cm/s的速度下，在周邊周?chē)苿?dòng)加熱的尖端，和在一個(gè)具體的實(shí)施方案中，在約3cm/s下移動(dòng)?？刹捎眉s0.5牛頓(N)-約
1.33N的力，施涂加熱的極端，和在一個(gè)具體的實(shí)施方案中，可以采用IN的力施涂?？捎刹讳P鋼裝置加熱的尖端。在一個(gè)實(shí)施方案中，加熱的尖端是Gordak900M T-B, Fasten alPart0828976或Wahl7992焊接工具。盡管結(jié)合加熱的尖端給出了上述尺寸和施涂細(xì)節(jié)，但可采用類(lèi)似的尺寸和施涂細(xì)節(jié)到加熱的沖壓機(jī)的邊緣上。
[0068]圖4闡述了除去元件400的一個(gè)具體實(shí)施方案，它使用干冰，以促進(jìn)從基底100中除去一部分保護(hù)性涂層120。除去元件400包括容納(containment)單元406,管道408,和噴嘴402以供磨料除去介質(zhì)404在保護(hù)性涂層120上的選擇位置處。磨料除去介質(zhì)404可包括干冰或任何其他合適的材料，例如淀粉，砂子，或另一合適的磨料材料。干冰升華且沒(méi)有留下化學(xué)殘?jiān)诒Ｗo(hù)性涂層120或基底100上。
[0069]除去介質(zhì)404最初可儲(chǔ)存在容納單元406內(nèi)。當(dāng)除去介質(zhì)404包括干冰時(shí)，它以固體粒料形式或塊料形式最初可被合適地提供到容納單元406中?？膳渲萌菁{單元406，維持除去介質(zhì)404在所需的條件下(例如，溫度，壓力等)。
[0070]加速器407可與除去元件400中的容納單元406連接在一起，以加速來(lái)自容納單元406的磨料除去介質(zhì)404穿過(guò)噴嘴402。在其中除去元件400被配置為使用干冰的實(shí)施方案中，可配置容納單元406，將干冰破碎成小片并將它與壓縮空氣結(jié)合，當(dāng)期望傳輸干冰時(shí)。壓縮空氣傳輸干冰經(jīng)過(guò)管道408到達(dá)噴嘴402，噴嘴402可朝基底100和在其上的保護(hù)性涂層120導(dǎo)引干冰。管道408可包括單一管道，軟管以供傳輸壓縮空氣和干冰，或者它可包括一對(duì)管道或軟管，其中一根管道被配置為傳輸壓縮空氣，和另一管道被配置為傳輸干冰到噴嘴402中。
[0071]在具體的實(shí)施方案中，噴嘴402為直徑8mm的噴嘴，和干冰以約I磅/分鐘(lb/min)(即，約0.45kg/min)的喂料速度，在40psi (即，約275kPa或約2.8kgf/cm2)的壓力下排放。在一些實(shí)施方案中，噴嘴402可以是擴(kuò)散器噴嘴，它進(jìn)一步切割并減少干冰的粒度，之后它朝基底100排出。每一噴嘴402或者它的任何組合，干冰的喂料速度和空氣壓力可在以上給出的實(shí)施例中變化；在大規(guī)模生產(chǎn)情形下，喂料速度和壓力可以比以上給出的數(shù)值或者高或者低。類(lèi)似地，可以基于保護(hù)性涂層120從中除去的區(qū)域的尺寸，來(lái)改變噴嘴402的尺寸。在一些實(shí)施方案中，除去元件400可包括多個(gè)直徑的多個(gè)噴嘴402，可基于從基底100中除去的一部分保護(hù)性涂層120的面積來(lái)選擇所述直徑。
[0072]模板220可與除去元件400—起使用，以確保除去介質(zhì)404(例如，干冰等)沒(méi)有撞擊或損壞將保持在基底100上的保護(hù)性涂層120的位置。模板220可使磨料除去介質(zhì)404的噴霧、射流或物流成型，其方式使得提供它寬的接觸正面(front)，這可減少加工時(shí)間。在其他實(shí)施方案中，甚至當(dāng)作為額外的預(yù)防措施，磨料除去介質(zhì)404被集中以保護(hù)將要保持在基底100上的部分保護(hù)性涂層120時(shí)，可使用模板220。也可使用模板220保護(hù)可能被磨料除去介質(zhì)404，例如聚碳酸酯組分，泡沫體，或帶狀電纜損壞的組件。
[0073]可使用磨料除去介質(zhì)404，在掩模310的周?chē)懈睿鐓⒖紙D3所討論的。在這一實(shí)施方案中，模板220可包括小孔240，它基本上與掩模的周邊，或者與被掩蔽的組件或特征102c的周邊一起對(duì)準(zhǔn)。
[0074]可將除去元件400中的噴嘴402安裝在定位機(jī)構(gòu)470上，所述定位機(jī)構(gòu)470可移動(dòng)噴嘴402到基底100和其上的保護(hù)性涂層120上的一個(gè)或更多個(gè)預(yù)定的位置中，從而使得磨料除去介質(zhì)404能從噴嘴404中排出，以切割或除去保護(hù)性涂層120的某些位置。一旦磨料除去介質(zhì)404切割保護(hù)性涂層120，則然后可從基底100中除去保護(hù)性涂層120的已切割部分?？墒褂萌魏魏线m的除去工藝。在沒(méi)有限制的情況下，可從基底100中拾取(pick)保護(hù)性涂層120的已切割部分，可采用加壓介質(zhì)(例如，空氣，惰性氣體等)從基底上吹散它們，或者可通過(guò)任何合適的技術(shù)除去它們。
[0075]可作為噴丸室，噴砂室或者任何其他合適的環(huán)境，執(zhí)行除去元件400的操作?？勺鳛榻M裝線內(nèi)的一站，執(zhí)行除去元件的操作，且在施涂保護(hù)性涂層120到基底100的涂布站下游定位除去元件。
[0076]圖5闡述了施涂保護(hù)性涂層120(參見(jiàn)，例如圖1B)到基底100的選定部分(參見(jiàn)例如圖1B)上的方法500的一個(gè)實(shí)施方案。方法500可包括在參考標(biāo)記502處施涂保護(hù)性涂層120到基底100中的多個(gè)組件或特征102(參見(jiàn)例如圖1B)上?？衫缡┩勘Ｗo(hù)性涂層120到PCB，顯示器，美學(xué)組件(例如，金屬的外部裝飾條)或其他組件的表面安裝技術(shù)(SMT)組件上?？墒褂萌魏魏线m的淀積技術(shù)，施涂保護(hù)性涂層。
[0077]方法502還包括從基底(例如從多個(gè)組件102的子組上的位置，等)中除去部分保護(hù)性涂層120。在其中基底100是電子器件的實(shí)施方案中，保護(hù)性涂層120可例如從顯示器中，從端口中，從電池終端或其他電接觸中或者從其他組件中除去。
[0078]當(dāng)一個(gè)或更多個(gè)組件被掩蔽時(shí)，該方法可包括除去與掩模周邊相鄰的掩模上的保護(hù)性涂層的位置。當(dāng)使用這一方法時(shí)，掩?？杀Ｗo(hù)基底100?；蛘?，該方法可包括除去剛好位于掩模周邊外側(cè)的保護(hù)性涂層位置，這使得能除去掩模且沒(méi)有不必要地?fù)p害保持的部分保護(hù)性涂層的風(fēng)險(xiǎn)?；卓删哂斜谎诒蔚囊恍┙M件或特征和未被掩蔽，但最終經(jīng)保護(hù)性涂層被暴露的其他組件或特征；在這些實(shí)施方案中，該方法可涉及從直接涂布的組件或特征中除去涂層，并在掩蔽的組件或特征的周邊周?chē)粉櫋?br> [0079]圖6闡述了從電子器件中除去涂層的方法600的一個(gè)實(shí)施方案。方法600始于參考標(biāo)記602，其中在與除去面積有關(guān)的第一位置上定位除去元件。除去元件可與定位結(jié)構(gòu)相連，所述定位機(jī)構(gòu)耦合到處理器和記憶儲(chǔ)存指令上以供移動(dòng)除去元件。記憶也可包括計(jì)時(shí)指令以供分配除去介質(zhì)(例如，不管釋放脈沖還是連續(xù)物流)。
[0080]方法600可在參考標(biāo)記604處繼續(xù)，并測(cè)定除去元件是否在第一位置處進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)(spot)處理(即，在第一位置處除去涂層)或者完成圖案(例如，提供連續(xù)物流，同時(shí)定位結(jié)構(gòu)追蹤預(yù)定編程的圖案，等)。若第一位置與現(xiàn)場(chǎng)處理有關(guān)，則除去元件可在第一位置處施涂除去介質(zhì)，如參考標(biāo)記606處所示。若第一位置與圖案有關(guān)，則除去元件可施涂除去介質(zhì)，同時(shí)定位結(jié)構(gòu)完成圖案。按照這一方式，方法600可提供從離散的組件中除去保護(hù)性涂層，所述離散的組件可用現(xiàn)場(chǎng)處理法處理，其中要求移動(dòng)的組件越大，和圖案，例如在被掩蔽的組件周?chē)能壽E越復(fù)雜。
[0081]方法600也可包括在參考標(biāo)記610處測(cè)定是否存在下一個(gè)位置。如果這樣，則除去元件的位置可從當(dāng)前位置變化到與下一除去區(qū)域有關(guān)的下一位置，并可測(cè)定在參考標(biāo)記612處，下一除去區(qū)域是否要求現(xiàn)場(chǎng)處理或完成圖案?？煞磸?fù)方法600，直到所有位置已經(jīng)被大致處理過(guò)。
[0082]盡管前述公開(kāi)內(nèi)容提供許多具體細(xì)節(jié)，但這些細(xì)節(jié)不應(yīng)當(dāng)被解釋為限制任何隨后的權(quán)利要求的范圍?？稍O(shè)計(jì)沒(méi)有脫離權(quán)利要求范圍的其他實(shí)施方案。來(lái)自不同實(shí)施方案的特征可結(jié)合使用。每一權(quán)利要求的范圍因此打算且僅僅受到它的明語(yǔ)和可獲得的本發(fā)明各要素的法律等價(jià)物的全部范圍限制。
【權(quán)利要求】
1.選擇性施涂保護(hù)性涂層到基底上的方法，該方法包括: 施涂保護(hù)性涂層到基底上；和 從該基底的至少一個(gè)選擇的組件或特征中選擇性除去至少一個(gè)選定部分的保護(hù)性涂層，以通過(guò)保護(hù)性涂層暴露至少一個(gè)選擇的組件或特征。
2.權(quán)利要求1的方法，其中施涂保護(hù)性涂層到基底上包括施涂保護(hù)性涂層到消費(fèi)電子器件或消費(fèi)電子器件的子組裝件上。
3.權(quán)利要求2的方法，其中施涂保護(hù)性涂層包括施涂聚(對(duì)二甲苯)涂層到基底上。
4.權(quán)利要求1的方法，其中選擇性除去保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分包括將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于除去介質(zhì)下。
5.權(quán)利要求4的方法，其中將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于除去介質(zhì)下包括將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于激光束下。
6.權(quán)利要求4的方法，其中將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于除去介質(zhì)下包括將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于磨料除去介質(zhì)下。
7.權(quán)利要求6的方法，其中將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于磨料除去介質(zhì)下包括將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于粒狀固體二氧化碳、粒狀淀粉或砂子下。
8.權(quán)利要求4的方法，其中將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于除去介質(zhì)下包括將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分中的至少一些位置暴露于加熱元件下。
9.權(quán)利要求1的方法，其中選擇性除去保護(hù)性涂層中的至少一個(gè)選定部分包括從保護(hù)性涂層的其余部分中切割至少一個(gè)選擇涂層。
10.權(quán)利要求9的方法，其中選擇性除去包括使用激光束、磨料材料、加熱元件、等離子體或離子束。
11.權(quán)利要求9的方法，其中通過(guò)人工定位除去工具以使除去介質(zhì)引起到保護(hù)性涂層上，從而進(jìn)行切割。
12.權(quán)利要求1的方法，其中選擇性除去保護(hù)性涂層中的至少一個(gè)選定部分包括燒蝕保護(hù)性涂層中的至少一個(gè)選定部分。
13.權(quán)利要求12的方法，其中燒蝕包括激光燒蝕、采用磨料材料的燒蝕或等離子體蝕刻。
14.權(quán)利要求12的方法，其中燒蝕包括自動(dòng)化掃描除去工具從而使除去介質(zhì)引導(dǎo)到保護(hù)性涂層上。
15.權(quán)利要求12的方法，進(jìn)一步包括: 在燒蝕保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分之前，在保護(hù)性涂層上對(duì)準(zhǔn)并定位模板與通過(guò)模板內(nèi)的孔隙暴露的保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分。
16.權(quán)利要求1的系統(tǒng)，其中施涂保護(hù)性涂層包括施涂抗?jié)裢繉拥交咨稀?br> 17.施涂保護(hù)性涂層到基底上的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括: 涂布元件，其中配置所述涂布元件，施涂抗?jié)裢繉拥交椎闹辽僖徊糠稚希峁┍Ｗo(hù)性涂布的基底；和 除去元件，其中配置所述除去元件，接受保護(hù)性涂布的基底，并選擇性除去抗?jié)裢繉拥闹辽僖粋€(gè)選定部分，且沒(méi)有從基底的至少一個(gè)保護(hù)區(qū)域中除去抗?jié)裢繉印?br> 18.權(quán)利要求17的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括基底。
19.權(quán)利要求17的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括: 定位機(jī)構(gòu)，用于: 定位除去元件，將抗?jié)裢繉拥闹辽僖粋€(gè)選定部分暴露于來(lái)自除去元件的除去介質(zhì)下；和 在抗?jié)裢繉拥闹辽僖粋€(gè)選定部分上移動(dòng)除去元件。
20.權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中配置除去元件以集中除去介質(zhì)，并在抗?jié)裢繉拥闹辽僖粋€(gè)選定部分上導(dǎo)引集中的除去介質(zhì)。
21.權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中配置除去元件以在抗?jié)裢繉拥闹辽僖粋€(gè)選定部分上導(dǎo)引未集中的除去介質(zhì)。
22.權(quán)利要求17的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括: 為在基底上定位而配置的模板，該模板包括為在抗?jié)裢繉拥闹辽僖粋€(gè)選定部分上定位并暴露而配置的孔隙。
23.權(quán)利要求17的系統(tǒng)，其中除去元件包括激光器、磨料分配器、加熱元件或液體分配器。
24.施涂保護(hù)性涂層到電子器件上的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括: 施涂保護(hù)性涂層到電子組裝件的至少一個(gè)部分上的涂布元件；和 C:存元件,所述除去元件包括: 除去磨料材料的容納單元；和 分配元件，所述分配元件包括: 加速磨料材料的加速器；和 在保護(hù)性涂層的一個(gè)或更多個(gè)選定部分處導(dǎo)引磨料材料的噴嘴。
25.權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中磨料材料是粒狀固體二氧化碳，粒狀淀粉或砂子。
26.權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中除去元件進(jìn)一步包括為在電子組裝件上定位而配置的模板，該模板包括為在保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分上定位并暴露而配置的孔隙。
27.權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中配置除去元件以集中磨料材料。
28.權(quán)利要求27的系統(tǒng)，其中除去元件進(jìn)一步包括: 定位機(jī)構(gòu)，所述定位機(jī)構(gòu):定位噴嘴，將保護(hù)性涂層的至少一個(gè)選定部分暴露于磨料材料下；和 在抗?jié)裢繉拥闹辽僖粋€(gè)選定部分上移動(dòng)噴嘴。
29.權(quán)利要求24的系統(tǒng)，其中配置除去元件，在保護(hù)性涂層上導(dǎo)引未集中的磨料材料。
【文檔編號(hào)】B05D5/12GK104245157SQ201480000038
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月8日
【發(fā)明者】D·J·阿瑟爾, T·C·蔡爾德, V·K·卡撒甘尼, C·L·露斯, B·L·史蒂文斯, M·E·索倫森 申請(qǐng)人:Hzo股份有限公司