一種應(yīng)用于mems麥克風(fēng)的高溫貼膜及mems麥克風(fēng)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜及MEMS麥克風(fēng),第一膜層包括黏結(jié)區(qū)和非黏結(jié)區(qū),所述黏結(jié)區(qū)為設(shè)置在膜層下端的膠層;還包括第一膜層、膠層向外延伸所形成的撕取部,在該撕取部的膠層下端設(shè)有用于防止膠層與聲孔端面黏結(jié)的第二膜層。本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng),在MEMS麥克風(fēng)裝配完畢后,可通過撕取部將該高溫貼膜從封裝結(jié)構(gòu)的端面上撕掉,由于在撕取部膠層的下端設(shè)置一第二膜層,可以防止撕取部的膠層與封裝結(jié)構(gòu)的端面黏結(jié),以便于人員進(jìn)行操作;同時(shí)由于該第二膜層的存在,使得膠層與封裝端面的分離起點(diǎn)不再是膠層的自由端頭,從而不會(huì)破壞膠層的結(jié)構(gòu),有利于將整個(gè)膠層從封裝端面上撕下,不會(huì)在封裝結(jié)構(gòu)的端面上留下粘連的膠層。
【專利說明】-種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜及MEMS麥克風(fēng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及MEMS麥克風(fēng)領(lǐng)域,更準(zhǔn)確地說,涉及一種可以防止外界異物進(jìn)入 MEMS麥克風(fēng)內(nèi)部的高溫貼膜;本實(shí)用新型還涉及一種應(yīng)用此高溫貼膜的MEMS麥克風(fēng)。
【背景技術(shù)】
[0002] MEMS (微型機(jī)電系統(tǒng))麥克風(fēng)是基于MEMS技術(shù)制造的麥克風(fēng),簡單地說就是將一 個(gè)電容器集成在微硅晶片上。目前,MEMS麥克風(fēng)已經(jīng)成為市場上的主流產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于 手機(jī)、平板電腦、藍(lán)牙耳機(jī)等移動(dòng)終端上。
[0003] MEMS麥克風(fēng)包括外部封裝結(jié)構(gòu),以及收容在該封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的MEMS芯片和ASIC 芯片,該外部封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)置有供聲音穿入的聲孔,聲音進(jìn)入到封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部后,帶動(dòng)振膜 振動(dòng),從而將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
[0004] 在制造 MEMS麥克風(fēng)的時(shí)候,為了避免焊錫、灰塵等外界異物從聲孔進(jìn)入到封裝內(nèi) 部,通常會(huì)在聲孔的端面上貼附一層高溫貼膜,該高溫貼膜可以起到一個(gè)很好的遮蔽作用; 同時(shí)在進(jìn)行回流焊等高溫作業(yè)時(shí),高溫貼膜在聲孔端面上的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),允許封裝內(nèi)部的膨 脹氣體排出,從而不會(huì)對振膜造成損壞。
[0005] 但是現(xiàn)有技術(shù)中的高溫貼膜,都是通過膠層粘貼在聲孔的端面上,在MEMS麥克風(fēng) 裝配工藝完成將其撕除的時(shí)候,會(huì)破壞膠層的結(jié)構(gòu),從而在聲孔的端面上留下部分粘連的 膠層,影響后續(xù)包裝等工序的進(jìn)行。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0006] 本實(shí)用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,提供了一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的 高溫貼膜,其撕除后不會(huì)在聲孔的端面生留下粘連的膠層。
[0007] 為了實(shí)現(xiàn)上述的目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高 溫貼膜,包括第一膜層,所述第一膜層包括用于貼附MEMS麥克風(fēng)聲孔端面的黏結(jié)區(qū),以及 用于與MEMS麥克風(fēng)聲孔對應(yīng)的非黏結(jié)區(qū),所述黏結(jié)區(qū)為設(shè)置在膜層下端的膠層;還包括第 一膜層、膠層向外延伸所形成的撕取部,在該撕取部的膠層下端設(shè)有第二膜層。
[0008] 優(yōu)選的是,在所述撕取部中,所述第一膜層、第二膜層的端頭比膠層的端頭長。
[0009] 優(yōu)選的是,所述第一膜層、第二膜層的端頭比膠層的端頭長0. 1-0. 6mm。
[0010] 優(yōu)選的是,所述非黏結(jié)區(qū)為圓形,所述第一膜層為無紡布。
[0011] 本實(shí)用新型的另一目的是提供一種MEMS麥克風(fēng),包括封裝結(jié)構(gòu)以及收容在封裝 結(jié)構(gòu)內(nèi)的MEMS芯片、ASIC芯片,所述封裝結(jié)構(gòu)上設(shè)有供聲音穿入的聲孔,在聲孔的端面上 貼附了上述的高溫貼膜。
[0012] 本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng),通過設(shè)置在聲孔端面上的高溫貼膜,來達(dá)到防止外界 異物從聲孔進(jìn)入到封裝內(nèi)部的目的;在MEMS麥克風(fēng)裝配完畢后,可通過撕取部將該高溫貼 膜從封裝結(jié)構(gòu)的端面上撕掉,由于在撕取部膠層的下端設(shè)置一第二膜層,可以防止撕取部 的膠層與封裝結(jié)構(gòu)的端面黏結(jié),以便于人員進(jìn)行操作;同時(shí)由于該第二膜層的存在,使得膠 層與封裝端面的分離起點(diǎn)不再是膠層的自由端頭,從而不會(huì)破壞膠層的結(jié)構(gòu),有利于將整 個(gè)膠層從封裝端面上撕下,不會(huì)在封裝結(jié)構(gòu)的端面上留下粘連的膠層。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013] 圖1示出了本實(shí)用新型高溫貼膜的仰視圖。
[0014] 圖2示出了圖1中沿A-A處的剖面圖。
[0015] 圖3示出了本實(shí)用新型MEMS麥克風(fēng)的俯視圖。
[0016] 圖4示出了圖3中沿B-B處的剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017] 為了使本實(shí)用新型解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案、取得的技術(shù)效果易于理解, 下面結(jié)合具體的附圖,對本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步說明。
[0018] 參考圖1、圖2,本實(shí)用新型提供了一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜,包括第一 膜層1,該第一膜層1的下端設(shè)置有膠層,通過該膠層可將第一膜層1黏結(jié)在聲孔所在的端 面上。膠層在第一膜層1上的布置位置使得該第一膜層1包括黏結(jié)區(qū)2和非黏結(jié)區(qū)4。也 就是說,第一膜層1上設(shè)置有膠層的位置為黏結(jié)區(qū)2,沒有設(shè)置膠層的位置則為非黏結(jié)區(qū)4。 第一膜層1通過該黏結(jié)區(qū)2與聲孔的端面緊密貼附在一起。非黏結(jié)區(qū)4則與聲孔相對應(yīng), 也就是說,非黏結(jié)區(qū)4位于聲孔的上方,以防止膠層封堵聲孔。
[0019] 本實(shí)用新型的高溫貼膜還包括便于操作人員將其從聲孔端面上撕下的撕取部10, 該撕取部10可以看成是第一膜層1、膠層的向外延伸,該撕取部10中的膠層下端設(shè)有第二 膜層3。由于該第二膜層3的存在,使得撕取部10的膠層不會(huì)黏結(jié)在聲孔的端面上,以便于 操作人員進(jìn)行撕取作業(yè)。
[0020] 本實(shí)用新型的第一膜層1可以采用透氣的材料,例如采用無紡布,此時(shí),非黏結(jié)區(qū) 4的形狀可以是多種的,其可以是圓形、矩形等被黏結(jié)區(qū)2環(huán)繞封閉的形狀,因?yàn)樵谶M(jìn)行回 流焊等高溫作業(yè)的時(shí)候,封裝內(nèi)部膨脹的氣體會(huì)通過無紡布排到外界。當(dāng)本實(shí)用新型的第 一膜層1采用不透氣的材料,此時(shí)氣流不能通過第一膜層1排到外界,這就需要非黏結(jié)區(qū)4 從聲孔的位置貫通至第一膜層1的至少一側(cè),以形成氣流的流出通道。
[0021] 圖3、圖4為本實(shí)用新型高溫貼膜應(yīng)用在MEMS麥克風(fēng)上的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)用新 型的MEMS麥克風(fēng),包括外部的封裝結(jié)構(gòu)6,以及收容在封裝結(jié)構(gòu)6內(nèi)的MEMS芯片7、ASIC芯 片8。該封裝結(jié)構(gòu)例如可以是一長方體結(jié)構(gòu),在其中的一側(cè)例如上側(cè)設(shè)置一用于聲波進(jìn)入的 聲孔9。通過黏結(jié)區(qū)2將本實(shí)用新型的高溫貼膜黏結(jié)在封裝結(jié)構(gòu)6聲孔所在的端面上,非黏 結(jié)區(qū)4基本位于聲孔9的正上方,第二膜層3部分搭在封裝結(jié)構(gòu)的端面上。非黏結(jié)區(qū)4的 尺寸優(yōu)選大于聲孔的尺寸,即可提高該高溫貼膜的透氣性;在進(jìn)行回流焊等高溫作業(yè)時(shí),也 可防止融化的膠層從聲孔流入封裝結(jié)構(gòu)中。
[0022] 本實(shí)用新型的MEMS麥克風(fēng),通過設(shè)置在聲孔端面上的高溫貼膜,來達(dá)到防止外界 異物從聲孔進(jìn)入到封裝內(nèi)部的目的;在MEMS麥克風(fēng)裝配完畢后,可通過撕取部10將該高溫 貼膜從封裝結(jié)構(gòu)的端面上撕掉,由于在撕取部10膠層的下端設(shè)置一第二膜層3,可以防止 撕取部10的膠層與封裝結(jié)構(gòu)的端面黏結(jié),從而方便了人員操作;同時(shí)由于該第二膜層3的 存在,使得膠層與封裝端面的分離起點(diǎn)不再是膠層的端頭,這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),在撕取高溫貼 膜時(shí)就不會(huì)破壞膠層的內(nèi)部結(jié)構(gòu),有利于將整個(gè)膠層從封裝端面上撕下,不會(huì)在封裝結(jié)構(gòu) 的端面上留下粘連的膠層。
[0023] 本實(shí)用新型優(yōu)選的是,撕取部10中,所述第一膜層1、第二膜層3的端頭比膠層的 端頭長,形成了膠層內(nèi)凹結(jié)構(gòu)5,如圖2、圖4所示,在進(jìn)行回流焊等高溫作業(yè)時(shí),可以避免融 化的膠層外溢導(dǎo)致產(chǎn)品相互粘連或產(chǎn)品與載帶的粘連,影響SMT吸取、貼裝等工序。例如可 設(shè)置第一膜層1、第二膜層3的端頭比膠層的端頭長0. 1-0. 6mm。
[0024] 本實(shí)用新型已通過優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行了詳盡的說明。然而,通過對前文的研讀, 對各實(shí)施方式的變化和增加對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員來說是顯而易見的。 申請人:的意圖 是所有的這些變化和增加都落在了本實(shí)用新型權(quán)利要求所保護(hù)的范圍中。
【權(quán)利要求】
1. 一種應(yīng)用于MEMS麥克風(fēng)的高溫貼膜,包括第一膜層(I),其特征在于:所述第一膜層 (1)包括用于貼附MEMS麥克風(fēng)聲孔端面的黏結(jié)區(qū)(2),以及用于與MEMS麥克風(fēng)聲孔對應(yīng)的 非黏結(jié)區(qū)(4),所述黏結(jié)區(qū)(2)為設(shè)置在第一膜層(1)下端的膠層;還包括第一膜層(1)、膠 層向外延伸所形成的撕取部(10),在該撕取部(10)的膠層下端設(shè)有第二膜層(3)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫貼膜,其特征在于:在所述撕取部(10)中,所述第一膜 層(1)、第二膜層(3)的端頭比膠層的端頭長。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的高溫貼膜,其特征在于:所述第一膜層(1)、第二膜層(3)的 端頭比膠層的端頭長0.卜〇. 6mm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的高溫貼膜,其特征在于:所述非黏結(jié)區(qū)(4)為圓形,所述第一 膜層(1)為無紡布。
5. -種MEMS麥克風(fēng),包括封裝結(jié)構(gòu)(6)以及收容在封裝結(jié)構(gòu)(6)內(nèi)的MEMS芯片(7)、 ASIC芯片(8),所述封裝結(jié)構(gòu)(6)上設(shè)有供聲音穿入的聲孔(9),在聲孔(9)的端面上貼附 有如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的高溫貼膜。
【文檔編號(hào)】C09J7/02GK204022745SQ201420485779
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月26日
【發(fā)明者】張慶斌, 王友, 馬路聰 申請人:歌爾聲學(xué)股份有限公司