SiC熒光材料及其制造方法以及發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供提高了發(fā)光效率的SiC熒光材料及其制造方法以及發(fā)光元件。熒光材料由碳原子配置于立方體位置和六方體位置的SiC晶體構(gòu)成，并添加有施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)，以使與立方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)相對于與六方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)的比例，比晶體構(gòu)造中的立方體位置相對于六方體位置的比例大。
【專利說明】SiC熒光材料及其制造方法以及發(fā)光元件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及SiC熒光材料及其制造方法以及發(fā)光元件。

【背景技術(shù)】
[0002]作為化合物半導(dǎo)體的pn接合的發(fā)光元件，LED (發(fā)光二極管)被廣泛實(shí)用，主要用于光傳送、顯示及照明用途。在白色LED中，與現(xiàn)有熒光燈相比較，能量轉(zhuǎn)換效率不充分，因此，對于一般照明用途，需要大幅度改善效率。另外，為了實(shí)現(xiàn)高色調(diào)效果、低成本且大光束的LED，還遺留許多課題。
[0003]作為現(xiàn)在市場上銷售的白色LED，一般具備安裝在引線架上的藍(lán)色發(fā)光二極管元件、覆蓋在該藍(lán)色發(fā)光二極管元件上由YAG =Ce構(gòu)成的黃色熒光體層、將它們覆蓋且由環(huán)氧樹脂等透明材料構(gòu)成的模壓透鏡。若該白色LED自藍(lán)色發(fā)光二極管元件放出藍(lán)色光，則在穿過黃色熒光體時，藍(lán)色光的一部分變換為黃色光。由于藍(lán)色和黃色存在顏色互補(bǔ)的關(guān)系，若藍(lán)色光和黃色光混合，則成為白色光。在該白色LED，為了實(shí)現(xiàn)效率改善及色調(diào)效果提高，要求藍(lán)色發(fā)光二極管元件的性能提高等。
[0004]作為藍(lán)色發(fā)光二極管元件，已知有在η型的SiC襯底上，從SiC襯底側(cè)依次連續(xù)地層疊AlGaN構(gòu)成的緩沖層、η — GaN構(gòu)成的η型GaN層、GalnN/GaN構(gòu)成的多重量子阱活性層、P — AlGaN構(gòu)成的電子阻擋層、P — GaN構(gòu)成的p型接觸層的發(fā)光二極管元件。該藍(lán)色發(fā)光二極管元件通過在P型接觸層的表面形成P側(cè)電極，并且，在SiC襯底的背面形成η側(cè)電極，在P側(cè)電極和η側(cè)電極之間施加電壓使電流流動，自多重量子阱活性層放出藍(lán)色光。在此，由于SiC襯底有導(dǎo)電性，與使用藍(lán)寶石襯底的藍(lán)色發(fā)光二極管元件不同，上下可以配置電極，能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序的簡化、電流的面內(nèi)均勻性、發(fā)光面積相對于芯片面積的有效利用等。
[0005]另外，提出了不利用熒光體，單獨(dú)生成白色光的發(fā)光二極管元件(例如，參照專利文獻(xiàn)I參照)。該發(fā)光二極管元件中，替代上述藍(lán)色發(fā)光二極管元件的η型SiC襯底，使用具有摻雜了 B及N的第一 SiC層和摻雜了 Al及N的第二 SiC層的熒光SiC襯底，自多重量子阱活性層放出近紫外光。近紫外光被第一 SiC層及第二 SiC層吸收，在第一 SiC層從綠色變換為紅色的可見光，在第二 SiC層從藍(lán)色變換為紅色的可見光。其結(jié)果是，自熒光SiC襯底放出色調(diào)效果高接近太陽光的白色光。
[0006]專利文獻(xiàn)1:(日本)專利第4153455號公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]于是，本申請的發(fā)明人對于SiC熒光材料的發(fā)光效率的提高，進(jìn)一步反復(fù)進(jìn)行了專心研究。
[0008]本發(fā)明是鑒于上述事情而創(chuàng)立的，其目的在于，提供提高了發(fā)光效率的SiC熒光材料及其制造方法以及發(fā)光元件。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種SiC熒光材料，其由碳原子配置于立方體位置和六方體位置的SiC晶體構(gòu)成，并添加有施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)，與立方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)相對于與六方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)的比例，比晶體構(gòu)造中的立方體位置相對于六方體位置的比例大。
[0010]另外，在上述SiC熒光材料中，優(yōu)選室溫下的載流子濃度比施主濃度和受主濃度之差小。
[0011]另外，在上述SiC熒光材料中，優(yōu)選可見光區(qū)域的吸收率與無雜質(zhì)添加的情況為相同程度。
[0012]另外，本發(fā)明提供一種SiC熒光材料的制造方法，在制造上述SiC熒光材料時，在含氫環(huán)境中，利用升華法使所述SiC熒光材料生長。
[0013]進(jìn)而，本發(fā)明提供一種具有由上述SiC熒光材料構(gòu)成的SiC襯底和在所述SiC襯底上形成的氮化物半導(dǎo)體層的發(fā)光元件。
[0014]根據(jù)本發(fā)明，能夠提高SiC熒光材料的發(fā)光效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是表示本發(fā)明一實(shí)施方式的發(fā)光二極管元件的示意剖面圖；
[0016]圖2是6H型SiC晶體的示意圖；
[0017]圖3是示意性地表示向SiC襯底入射的光變換為熒光的樣子的說明圖；
[0018]圖4是晶體生長裝置的說明圖；
[0019]圖5是表示試樣體A及試樣體B的相對發(fā)光強(qiáng)度、室溫載流子濃度、施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)之差、該差相對空穴的比率、形成淺施主能級的施主和形成深施主能級的施主之比的表；
[0020]圖6是對于試樣體A、試樣體B及試樣體C，表示波長和透過率的關(guān)系的圖。
[0021]符號說明
[0022]100晶體生長裝置
[0023]110籽晶襯底
[0024]120 原料
[0025]130內(nèi)部容器
[0026]131 坩堝
[0027]132 蓋
[0028]140收納管
[0029]150隔熱容器
[0030]160導(dǎo)入管
[0031]170流量計(jì)
[0032]180 泵
[0033]I9ORF 線圈

【具體實(shí)施方式】
[0034]圖1?圖4是表不本發(fā)明一實(shí)施方式的圖，圖1是發(fā)光二極管兀件的不意剖面圖。
[0035]如圖1所示，白色發(fā)光二極管I具備摻雜了硼⑶及氮(N)的SiC襯底10和在該SiC襯底10上形成由多個氮化物半導(dǎo)體層構(gòu)成的發(fā)光部20。若自發(fā)光部20向SiC襯底10入射光，則入射光被SiC襯底10吸收，以產(chǎn)生雜質(zhì)能級的熒光。
[0036]如圖2所示，SiC襯底10由采用每6層為周期的構(gòu)造的6H型的SiC晶體形成，作為施主雜質(zhì)含有氮，并且，作為受主雜質(zhì)含有硼。SiC襯底10的制造方法是任意的，但可以通過例如升華法、化學(xué)氣相生長法使SiC晶體生長而進(jìn)行制造。此時，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整晶體生長中的環(huán)境中的氮?dú)?N2)的分壓，可以任意地設(shè)定SiC襯底10中的氮的濃度。另一方面，關(guān)于硼，通過使硼單體或硼化合物與原料適量混合，可以任意地設(shè)定SiC襯底10中的硼的濃度。
[0037]在此，6H型的SiC晶體中，立方體位置的比例為2/3、六方體位置的比例為1/3。如果是通常，則作為施主雜質(zhì)的氮以與各位置的存在比例相同的比例配置于各位置。即，如果是6H型的SiCJU 2/3的氮與立方體位置的碳原子置換，1/3的氮與六方體位置的碳原子置換。但是，本實(shí)施方式的SiC晶體經(jīng)過以使立方體位置的施主雜質(zhì)濃度增高的方式對施主進(jìn)行操作的工序來制造，因此，與立方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)相對于與六方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)的比例，比晶體構(gòu)造中的立方體位置相對于六方體位置的比例大。
[0038]如圖1所示，發(fā)光部20從SiC襯底10側(cè)依次連續(xù)地具有:由AlGaN構(gòu)成的緩沖層21、由η— GaN構(gòu)成的第一接觸層22、由η — AlGaN構(gòu)成的第一包層23、由GalnN/GaN構(gòu)成的多重量子阱活性層24、由P — AlGaN構(gòu)成的電子阻擋層25、由p — AlGaN構(gòu)成的第二包層26、由P— GaN構(gòu)成的第二接觸層27。發(fā)光部20通過例如有機(jī)金屬化合物氣相生長法被層疊在SiC襯底10上。另外，在第二接觸層27的表面形成有由Ni/Au構(gòu)成的P電極31。另夕卜，從第二接觸層27到第一接觸層22的規(guī)定位置，在厚度方向通過蝕刻使第一接觸層22露出，在該露出部分形成有由Ti/Al/Ti/Au構(gòu)成的N電極32。
[0039]在本實(shí)施方式中，多重量子阱活性層108由Gaci 95Inatl5NAiaN構(gòu)成，發(fā)光的峰值波長為385nm。另外，多重量子阱活性層24中的峰值波長可以任意變更。另外，只要至少含有第一導(dǎo)電型層、活性層及第二導(dǎo)電型層，且對第一導(dǎo)電型層及第二導(dǎo)電型層施加電壓時，通過電子及空穴的再結(jié)合，活性層發(fā)出光，發(fā)光部20的層結(jié)構(gòu)就是任意的，。
[0040]向如以上構(gòu)成的白色發(fā)光二極管I的P電極31和η電極32施加順方向的電壓時，發(fā)光部20被注入電流，在多重量子阱活性層24中在近紫外區(qū)域放出具有峰值波長的光。所放出的近紫外光向摻雜有受主雜質(zhì)和施主雜質(zhì)的SiC襯底10入射，大致全部被吸收。在SiC襯底10上，以近紫外光為激勵光，施主電子和受主空穴進(jìn)行再結(jié)合，由此產(chǎn)生熒光，從黃色一直到紅色進(jìn)行發(fā)光。由此，白色發(fā)光二極管I發(fā)出暖白色光，向外部放出適于照明的光。
[0041]在此，參照圖3對SiC襯底10的熒光作用進(jìn)行說明。圖3是示意性地表示向SiC襯底入射的光變換為熒光的樣子的說明圖。
[0042]SiC襯底10主要由SiC晶體構(gòu)成，因此，形成有6Η型SiC晶體的帶隙能Eg。
[0043]使光向SiC襯底10入射時，自荷電子帶E2向傳導(dǎo)帶El激起自由電子a，在E2形成自由空穴b。而且,在數(shù)ns?數(shù)μ s的短時間后，自由電子a向施主能級Nsd, Ndd緩和,成為施主電子as’，aD’，自由空穴b向受主能級Na緩和，成為受主空穴b’。
[0044]在此表明，立方體位置的施主形成深施主能級NDD，六方體位置的施主形成淺施主能級Nsd。
[0045]向深施主能級Ndd緩和的施主電子aD’用于施主受主對(DAP)發(fā)光，與受主空穴b’進(jìn)行再結(jié)合。然后，向SiC襯底10的外部放出具有相當(dāng)于其遷移能(Eg - Edd - Ea)的能量的光子C。向SiC襯底10的外部放出的光子c的波長依賴于遷移能(Eg - Edd - Ea)。
[0046]另一方面，向淺施主能級Nsd緩和的施主電子as’用于與Γ波段的波段內(nèi)吸收，與受主空穴b’不進(jìn)行再結(jié)合。即，無助于發(fā)光。
[0047]為了可靠地進(jìn)行施主受主對發(fā)光，優(yōu)選SiC晶體中的室溫下的載流子濃度比施主濃度和受主濃度之差小。
[0048]另外，由于氮的離子化能比硼小，因此，在室溫中，一定程度的氮發(fā)生離子化。于是，被激勵的施主電子aD’再次向傳導(dǎo)帶El遷移，與受主空穴b’成對的施主電子aD’變得不足。沒有成對的施主電子aD’的受主空穴b’不能幫助熒光發(fā)光，用于激勵其受主空穴b’的能量被浪費(fèi)。即，通過事前估計(jì)離子化的氮量并設(shè)定氮濃度比硼濃度多，以使施主電子aD’和受主空穴b’不會過于不足，可以進(jìn)行再結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)高的熒光量子效率。
[0049]接著，參照圖4對SiC熒光材料的制造方法進(jìn)行說明。圖4是晶體生長裝置的說明圖。
[0050]如圖4所示，該晶體生長裝置100具有:配置有籽晶襯底110及原料120的內(nèi)部容器130、收納內(nèi)部容器130的收納管140、覆蓋內(nèi)部容器130的隔熱容器150、向收納管140內(nèi)導(dǎo)入氣體的導(dǎo)入管160、測量從導(dǎo)入管160導(dǎo)入的氣體的流量的流量計(jì)170、調(diào)整收納管140內(nèi)的壓力的泵180、配置于收納管140的外側(cè)并用于對籽晶襯底110進(jìn)行加熱的RF線圈 190。
[0051]內(nèi)部容器130例如由石墨構(gòu)成，并具有將上方開口的坩堝131、閉塞坩堝131的開口的蓋132。在蓋132的內(nèi)面安裝有由單晶體SiC構(gòu)成的籽晶襯底110。另外，在坩堝131的內(nèi)部收納有升華再結(jié)晶的原料120。在本實(shí)施方式中，原料120使用SiC晶體的粉末和作為B源的粉末。另外，作為B源，例如可以列舉出LaB6' B4C、TaB2' NbB2' ZrB2, HfB2, BN、含有B的碳等。
[0052]在制造SiC熒光材料時，首先，用蓋132將填充了原料120的坩堝131蓋住，利用石墨制的支承棒141將其設(shè)置于收納管140的內(nèi)部，之后，用隔熱容器150將內(nèi)部容器130包覆。然后，作為環(huán)境氣體，使Ar氣、N2氣及H2氣經(jīng)由流量計(jì)170并通過導(dǎo)入管160流向收納管140的內(nèi)部。接著，使用RF線圈190對原料120進(jìn)行加熱，同時，使用泵180對收納管140內(nèi)的壓力進(jìn)行控制。
[0053]具體地說，將收納管140內(nèi)的壓力設(shè)定在0.03Pa?600Pa之間，將籽晶襯底110的初始溫度設(shè)定為至少1100°c。初始溫度優(yōu)選1500°C以下，更優(yōu)選1400°C以下。而且，將原料120和籽晶襯底110之間的溫度梯度設(shè)定在1°C?10°C之間。
[0054]接著，對籽晶襯底110從初始溫度開始，以15°C /分鐘?25°C /分鐘的比例進(jìn)行加熱，使其上升到生長溫度。生長溫度優(yōu)選1700°C?1900°C之間。生長率優(yōu)選設(shè)定在10 μ m/小時?200 μ m/小時之間。
[0055]由此，原料120在升華后，利用基于溫度梯度而形成的濃度梯度，向籽晶襯底110的方向擴(kuò)散而被輸送。SiC熒光材料的生長通過到達(dá)籽晶襯底110的原料氣體在籽晶上進(jìn)行再結(jié)晶來實(shí)現(xiàn)。還有，SiC晶體的摻雜濃度可以通過向晶體生長時的環(huán)境氣體中添加雜質(zhì)氣體、以及向原料粉末添加雜質(zhì)元素或其化合物而進(jìn)行控制。
[0056]在本實(shí)施方式中，在晶體生長時的環(huán)境氣體中添加有N2氣，在原料120中添加有B的化合物。另外，在晶體生長時的環(huán)境氣體中添加有H2氣，由此抑制施主雜質(zhì)與六方體位置的碳原子的置換，而促進(jìn)其與立方體位置的碳原子的置換。對于該機(jī)理，考慮如下。
[0057]首先，在晶體生長表面的原子階梯端，氫原子與碳原子進(jìn)行反應(yīng)形成C 一 H結(jié)合。接著，碳原子和周圍的硅原子的結(jié)合力變?nèi)?，產(chǎn)生碳原子的脫離引起的碳空穴。而且，氮被取入到碳空穴的概率上升。在此認(rèn)為，六方體位置的碳原子和立方體位置的碳原子中，與周圍的Si原子結(jié)合力存在差，立方體位置的碳原子一方結(jié)合力較弱，因此，由于氫原子的作用而容易產(chǎn)生碳空穴，從而，立方體位置的碳原子和氮原子的置換被選擇性地促進(jìn)。
[0058]這樣，經(jīng)過在含氫環(huán)境中利用升華法使SiC熒光材料生長的、相比六方體位置更促進(jìn)立方體位置的碳原子和氮原子的置換的施主操作工序制成的SiC晶體中，與立方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)相對于與六方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)的比例，比晶體構(gòu)造中的立方體位置相對于六方體位置的比例大。
[0059]這樣制造的SiC晶體與不經(jīng)過施主操作工序制成的現(xiàn)有SiC晶體相比，有助于發(fā)光的施主雜質(zhì)的比例高，因此，能夠提高施主受主對(DAP)發(fā)光時的發(fā)光效率。此時，若SiC晶體中的可見光區(qū)域的吸收率與無雜質(zhì)添加的情況為相同程度，則淺能級的施主少，所以優(yōu)選。
[0060]這樣制成的SiC晶體經(jīng)過外周研磨、切片、表面研磨、表面拋光等工序后成為SiC襯底10。之后，使III族氮化物半導(dǎo)體在SiC襯底10上外延生長。在本實(shí)施方式中，例如通過有機(jī)金屬化合物氣相生長法使緩沖層21、第一接觸層22、第一包層23、多重量子阱活性層24、電子阻擋層25、第二包層26及第二接觸層27生長。形成氮化物半導(dǎo)體層后，形成各電極31、32，通過切割分割成多個發(fā)光二極管元件1，由此制造發(fā)光二極管元件I。在此，圖1所示的SiC襯底10除作為發(fā)光二極管元件I的襯底以外，也可以用作熒光體板。
[0061]實(shí)際上，對于6H型的SiC晶體而言，制作與立方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)相對于與六方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)的比例，比晶體構(gòu)造中的立方體位置相對于六方體位置的比例大的試樣體A。另外，為了進(jìn)行比較，對于6H型的SiC晶體，制作與立方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)相對于與六方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)的比例，與晶體構(gòu)造中的立方體位置相對于六方體位置的比例相同的試樣體B。
[0062]具體地說，試樣體A及B使用圖4所示的晶體生長裝置進(jìn)行制作，用氮作為施主雜質(zhì)，用硼作為受主雜質(zhì)。氮通過使晶體生長時的環(huán)境氣體中含有N2氣而添加，硼通過使原料120含有B的化合物而添加。更具體地說，試樣體A及B將初始溫度設(shè)定為1100°C、將生長溫度設(shè)定為1780°C、將生長率設(shè)定為10ym/小時而制作。對于試樣體A，向收納管140內(nèi)加入Ar氣及N2氣并導(dǎo)入H2氣，將收納管140內(nèi)的壓力設(shè)定為0.08Pa進(jìn)行制作。另外，對于試樣體B，向收納管140內(nèi)加入Ar氣及N2氣，將收納管140內(nèi)的壓力設(shè)定為30Pa進(jìn)行制作。
[0063]測量如以上制作的試樣體A及B的相對發(fā)光強(qiáng)度、室溫載流子濃度、施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)之差、該差相對于空穴(Hall)的比率、形成淺施主能級的施主和形成深施主能級的施主之比，其結(jié)果如圖5所示。圖5是表示試樣體A及試樣體B的相對發(fā)光強(qiáng)度、室溫載流子濃度、施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)之差、該差相對于空穴的比率、形成淺施主能級的施主和形成深施主能級的施主之比的表。在此，所謂空穴(Hall)是指通過在室溫下的空穴效果測量而得到的載流子濃度。
[0064]由圖5可知，試樣體A通過在晶體生長時添加氫，抑制了施主雜質(zhì)與六方體位置的碳原子的置換，促進(jìn)了與立方體位置的碳原子的置換。該結(jié)果是，與試樣體B相比較，發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到其4倍。另外，來看試樣體A，在室溫下的載流子濃度比施主濃度和受主濃度之差小，可靠地進(jìn)行施主受主對發(fā)光。進(jìn)而，就試樣體A而言，可以理解，由于施主濃度和受主濃度之差相對于空穴的比率比試樣體B小，因此，與試樣體B進(jìn)行比較，不會使作為施主的氮產(chǎn)生多余的自由載流子,有助于施主受主對發(fā)光。
[0065]另外，對于試樣體A及試樣體B，測量透過率及吸收系數(shù)。為了進(jìn)行比較，制作由完全不含雜質(zhì)的6H型SiC晶體構(gòu)成的試樣體C，與其透過率進(jìn)行比較。在此，試樣體C將初始溫度設(shè)定為1100°C、將生長溫度設(shè)定為1780°C、將生長率設(shè)定為10ym/小時而制作。圖6是對于試樣體A、試樣體B及試樣體C表示波長和透過率的關(guān)系的圖。
[0066]如圖6所示，就試樣體A而言，可以理解可見光區(qū)域的透過率與無雜質(zhì)添加的試樣體C為相同程度，淺能級的施主比較少。與之相反，就試樣體B而言，可以理解可見光區(qū)域的透過率比試樣體C小，淺能級的施主比較多。
[0067]再者，在所述實(shí)施方式中，對通過升華法得到SiC熒光材料的情況進(jìn)行了表示，但也可以通過CVD法等得到SiC熒光材料。另外，對通過在晶體生長時添加氫氣而使施主雜質(zhì)優(yōu)先與六方體位置的碳原子置換的情況進(jìn)行了表示，但也可以使用其他方法，例如，通過正確地控制Si和C之比也可以。
[0068]另外，在所述實(shí)施方式中，對使用SiC熒光材料作為發(fā)光二極管元件I的襯底的情況進(jìn)行了表示，但也可以利用光源以外的熒光體。例如，也可以將SiC熒光材料制成粉末狀進(jìn)行利用，或制成板狀進(jìn)行利用。
[0069]另外，對使用N及B作為施主及受主的情況進(jìn)行了表示，但也可以使用例如P、As、Sb、Ga、In、Al等其他V族元素或III族元素，還可以使用T1、Cr等遷移金屬或Be等II族元素，只要是在SiC晶體中能夠作為施主雜質(zhì)及受主雜質(zhì)使用的元素，施主及受主可以適當(dāng)變更。例如，通過使用N及Al，相比N及B的組合，更能夠使短波長側(cè)發(fā)光。
[0070]另外，對于本發(fā)明應(yīng)用于6H型的SiC晶體的情況進(jìn)行了表示，但如果是例如像4H型的SiC晶體那樣具有立方體位置和六方體位置的晶體，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于其他多晶型的SiC晶體。
【權(quán)利要求】
1.一種SiC熒光材料，由碳原子配置于立方體位置和六方體位置的SiC晶體構(gòu)成，并添加有施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì),其中， 與立方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)相對于與六方體位置的碳原子置換的施主雜質(zhì)的比例，比晶體構(gòu)造中的立方體位置相對于六方體位置的比例大。
2.如權(quán)利要求1所述的SiC熒光材料，其中，室溫下的載流子濃度比施主濃度和受主濃度之差小。
3.如權(quán)利要求1或2所述的SiC熒光材料，其中，可見光區(qū)域的吸收率與無雜質(zhì)添加的情況為相同程度。
4.一種SiC熒光材料的制造方法， 在制造權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的SiC熒光材料時，在含氫環(huán)境中，利用升華法使所述SiC熒光材料生長。
5.一種發(fā)光兀件，具有: 由權(quán)利要求1?3中任一項(xiàng)所述的SiC熒光材料構(gòu)成的SiC襯底、 在所述SiC襯底上形成的氮化物半導(dǎo)體層。
【文檔編號】C09K11/65GK104350128SQ201380028405
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月4日
【發(fā)明者】前田智彥, 寺前文晴, 難波江宏一 申請人:崇高種子公司