一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及研磨液的【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說是一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液。該研磨液所述材料按重量百分比組成：分子量200-10000聚乙二醇20-40%，氫氧化鈉5-10%，氫氧化鉀5-10%，甘油1-5%，聚氧乙烯醚5-7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1-1%，多羥多胺類有機堿10-20%，余量為去離子水。本發(fā)明的目的是在于提供一種易于清洗，研磨性能好的半導(dǎo)體硅晶片研磨液。
【專利說明】—種半導(dǎo)體硅晶片研磨液

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及研磨液的【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說是一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液。

【背景技術(shù)】
[0002]研磨是在硅晶體切片后，對硅晶片表面的第一次機械加工。研磨硅晶片的目的是去除硅晶片表面的切片刀痕和凹凸不平，使表面加工損傷平整均勻，在化學(xué)腐蝕過程中，其表面腐蝕速率即可均勻一致。使用研磨機研磨被加工的單晶硅、多晶硅和其它化合物半導(dǎo)體材料的晶片時，一般采用中性或弱酸性的研磨液，研磨液的組分一般包括潤滑劑、分散劑等。目前用于硅晶片的研磨液，大多采用美國生產(chǎn)的多氨19-C磨削液。多氨19-C磨削液是一種白色微有刺激性氣味的懸浮狀液體，呈弱堿性，其優(yōu)點是:有非常高的稀釋能力、很強的懸浮特性且具有生物降解能力；其缺點是:粘度大、表面吸附比嚴重、不容易清洗，常導(dǎo)致磨片清洗后表面出現(xiàn)花斑，不僅對下道工序加工帶來困難，而且會直接影響磨片的成品率；此外多氨19-C磨削液價格昂貴，使加工成本大大提高。因此，如何既要提高研磨液性能，又能減少硅粉、磨料等粒子和金屬離子在晶片表面的吸附使其易于清洗，是當(dāng)前研磨中急需解決的問題之一。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是在于提供一種易于清洗，研磨性能好的半導(dǎo)體硅晶片研磨液。
[0004]本發(fā)明采用的技術(shù)方案是，一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比組成:分子量200-10000聚乙二醇20-40%，氫氧化鈉5_10%，氫氧化鉀5_10%，甘油1_5%，聚氧乙烯醚5-7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1-1%，多羥多胺類有機堿10-20%，余量為去離子水。
[0005]本發(fā)明的優(yōu)點是具有良好的研磨性能，研磨后便于清洗。

【具體實施方式】
[0006]本發(fā)明結(jié)合以下實施例作進一步描述。
[0007]實施例1，一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比組成:分子量200-10000聚乙二醇20%，氫氧化鈉10%，氫氧化鉀5%，甘油5%，聚氧乙烯醚5%，脂肪醇聚氧乙稀醚1%，多輕多胺類有機堿10%,余量為去尚子水。
[0008]實施例2，一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比組成:分子量200-10000聚乙二醇40%，氫氧化鈉5%，氫氧化鉀10%，甘油1%，聚氧乙烯醚7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1%,多輕多胺類有機堿20%,余量為去尚子水。
[0009]實施例3，一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比組成:分子量200-10000聚乙二醇30%，氫氧化鈉7%，氫氧化鉀8%，甘油3%，聚氧乙烯醚6%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.6%,多輕多胺類有機堿15%,余量為去尚子水。
[0010]應(yīng)理解，該實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外，應(yīng)理解，在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權(quán)利要求書所限定的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體硅晶片研磨液，其特征在于，所述材料按重量百分比組成:分子量200-10000聚乙二醇20-40%，氫氧化鈉5_10%，氫氧化鉀5_10%，甘油1_5%，聚氧乙烯醚5_7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1_1%，多羥多胺類有機堿10-20%，余量為去離子水。
【文檔編號】C09K3/14GK104419377SQ201310389762
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】周俊 申請人:周俊