專利名稱：一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠及其制備方法，特別涉及一種用于半 導(dǎo)體芯片封裝用的高導(dǎo)熱導(dǎo)電膠及其制備方法。
背景技術(shù)：
近些年來，隨著工業(yè)和消費(fèi)市場對于電子設(shè)備的需求不斷攀升，電子元器件進(jìn)一步向高性能封裝形式發(fā)展，作為發(fā)揮核心功能的半導(dǎo)體芯片的性能的表現(xiàn)越來越關(guān)鍵。具備了基本功能的半導(dǎo)體芯片必須經(jīng)過芯片粘接、引線鍵合、氣密包封等封裝制程后，成為可實(shí)用化的電子元器件才能發(fā)揮其設(shè)計的各種性能，所以在其封裝制程工藝過程中用到的各種材料非常重要。芯片粘接作為半導(dǎo)體芯片的封裝制程中的關(guān)鍵步驟之一，廣泛使用了導(dǎo)電膠來將半導(dǎo)體芯片和基材粘接起來以固定芯片，并建立良好的導(dǎo)電連接實(shí)現(xiàn)其功能，同時把熱量及時散發(fā)出去。傳統(tǒng)的用于芯片粘接的導(dǎo)電膠的導(dǎo)熱率相對比較不高，一般低于8W / m-K,基本可以滿足一般應(yīng)用要求。但是隨著芯片性能的不斷提高，單位面積的發(fā)熱量越來越大，同時封裝體積越來越小，所以熱流密度越來越高，散熱問題成為了非常大的挑戰(zhàn)。如何及時將芯片在運(yùn)行過程中產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去，維持正常穩(wěn)定的工作環(huán)境，是一個亟待解決的問題。所以需要開發(fā)出具有更高導(dǎo)熱性能的用于芯片粘接的導(dǎo)電膠，導(dǎo)熱率最好能夠高于16ff/m K ;同時在力學(xué)性能、電氣性能、應(yīng)用性能、可靠性能等綜合性能方面也必須等同于甚至優(yōu)于傳統(tǒng)的導(dǎo)電膠。國內(nèi)已經(jīng)出現(xiàn)了一些導(dǎo)電膠產(chǎn)品，但是真正可以充分滿足半導(dǎo)體芯片粘接的使用要求的高導(dǎo)熱產(chǎn)品卻不多。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種高導(dǎo)熱率和高導(dǎo)電率的用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠及其制備方法。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，包括如下重量百分比的原料微米級銀粉70% 85%，環(huán)氧樹脂6% 12%，環(huán)氧活性稀釋劑2% 6%，增韌樹脂2% 6%，固化劑2% 6 %，固化促進(jìn)劑0. 5% I %，偶聯(lián)劑0. 5% 2%，抗氧化劑0. 1% 1%。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是通過在導(dǎo)電膠中不同型號的微米級片狀銀粉之間的合理搭配，實(shí)現(xiàn)高導(dǎo)熱率和高導(dǎo)電率。導(dǎo)電膠的導(dǎo)熱和導(dǎo)電主要是通過固化后膠體中導(dǎo)電粉末之間的多點(diǎn)接觸來建立起良好的熱流和電流的通路來實(shí)現(xiàn)，所以導(dǎo)電膠的高導(dǎo)熱率可以通過導(dǎo)電粉末的優(yōu)化配比設(shè)計來實(shí)現(xiàn)。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，微米級銀粉的形狀為片狀、球狀、樹枝狀或不規(guī)則形狀的粉末，優(yōu)選的形狀為片狀、球狀和樹枝狀，更加優(yōu)選的形狀為片狀和球狀。
微米級銀粉的粒徑范圍為0. 5微米 100微米，優(yōu)選的粒徑范圍為0. 5微米 50微米，更加優(yōu)選的范圍為I. 0微米 25微米；兩種微米級銀粉的粒徑中位數(shù)的差別為2微米 10微米。采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是，本發(fā)明使用不同形狀和不同粒徑分布范圍的微米級銀粉以特定的尺寸和重量的選擇和配比，進(jìn)行合理搭配從而可以在固化后得到更高的粉末堆 積密度，從而實(shí)現(xiàn)更好的導(dǎo)電導(dǎo)熱通路，來制備高導(dǎo)熱率的導(dǎo)電膠。進(jìn)一步，所述環(huán)氧樹脂為雙酚A環(huán)氧樹脂、雙酚F環(huán)氧樹脂、含有萘環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、含有聯(lián)苯結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、丙烯酸改性環(huán)氧樹脂、環(huán)氧改性丙烯酸樹脂、有機(jī)硅改性環(huán)氧樹脂或環(huán)氧改性有機(jī)硅樹脂中的任意一種或幾種的混合。進(jìn)一步，所述環(huán)氧活性稀釋劑為1，4-丁二醇縮水甘油醚、新戊二醇縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、二乙二醇縮水甘油醚、1，4-環(huán)己烷二醇縮水甘油醚、三羥甲基丙烷縮水甘油醚或聚乙二醇二縮水甘油醚中的任意一種或幾種的混合物。進(jìn)一步，所述增韌樹脂為納米二氧化硅粒子增韌環(huán)氧樹脂、納米橡膠粒子增韌環(huán)氧樹脂或雙馬來酰亞胺樹脂增韌環(huán)氧樹脂中的任意一種或幾種的混合物。進(jìn)一步，所述固化劑為有機(jī)胺類和/或有機(jī)酸酐類進(jìn)一步，所述有機(jī)胺類為雙氰胺及其衍生物、二氨基二苯甲烷及其衍生物、二氨基二苯醚及其衍生物、二氨基二苯砜及其衍生物等中的任意一種或幾種的混合物；所述有機(jī)酸酐類為四氫苯酐及其衍生物、六氫苯酐及其衍生物、甲基四氫苯酐及其衍生物、甲基六氫苯酐及其衍生物、納迪克酸酐及其衍生物、甲基納迪克酸酐及其衍生物等中的任意一種或幾種的混合物。進(jìn)一步，所述固化促進(jìn)劑為2-i烷基咪唑、2-十七烷基咪唑，2-乙基-4-甲基咪唑，I-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4，5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2，4- 二氨基-6- (2- i^一烷基咪唑-I-乙基)-S-三嗪及以上化合物的衍生物及以上化合物的鹽中的任意一種或幾種的混合物。進(jìn)一步,所述偶聯(lián)劑為3_氨丙基二甲氧基娃燒,3_氨丙基二乙氧基娃燒,3-甲基丙烯酸氧基丙基二甲氧基娃燒，3-氨丙基二輕基娃燒，3- (3-氨基苯氧基)丙基二甲氧基娃燒，N-(2-胺乙基)-3_胺丙基二甲氧娃燒，己二胺基甲基二甲氧基娃燒，N-(2-氨乙基)-I I-氨基i^一烷基三甲氧基硅烷，N-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的任意一種或幾種的混合物。進(jìn)一步，所述抗氧化劑為受阻酚類和/或含磷化合物。進(jìn)一步，所述受阻酚類為2，2'-亞甲基雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、3-(3，5_二叔丁基-4-羥基苯基)丙酸正十八烷醇酯、四(3，5-二叔丁基-4-羥基)苯丙酸季戊四醇酯等中的任意一種或幾種的混合物；所述含磷化合物為雙十八烷基季戊四醇雙亞磷酸酯、三苯基膦、3，5-二叔丁基-4-羥基芐基二乙基膦酸酯等中的任意一種或幾種的混合物。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠的制作方法，包括以下步驟(I)將重量百分比為6% 12%的環(huán)氧樹脂、2% 6%的增韌樹脂和2% 6%環(huán)氧活性稀釋劑進(jìn)行第一次混合，得到均勻混合物A ；(2)將重量百分比為2% 6%的固化劑、0. 5% 1%的固化促進(jìn)劑、0. 5% 2%的偶聯(lián)劑和0. 1% 1%的抗氧化劑加入到步驟(I)制得的混合物A中，進(jìn)行第二次混合，得到均勻混合物；(3)將重量百分比為70% 85%的銀粉加入到步驟(2)制得的混合物中，進(jìn)行第三次混合，即得所述用于半導(dǎo)體芯片封 裝用的導(dǎo)電膠。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。進(jìn)一步，在步驟(2)中還包括第二次混合后再進(jìn)行研磨的步驟。進(jìn)一步，所述研磨的工藝條件為在三輥研磨機(jī)上于室溫下進(jìn)行研磨30分鐘 60分鐘。進(jìn)一步，所述第一次混合的工藝條件為在室溫下混合30分鐘 60分鐘。進(jìn)一步，所述第二次混合的工藝條件為在室溫下混合30 60分鐘。進(jìn)一步，所述第三次混合的工藝條件為在室溫下施加真空混合30分鐘 60分鐘。
具體實(shí)施例方式以下對本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，包括如下重量百分比的原料微米級銀粉70% 85%，環(huán)氧樹脂6% 12%，環(huán)氧活性稀釋劑2% 6%，增韌樹脂2% 6%，固化劑2% 6%，固化促進(jìn)劑0. 5% 1%，偶聯(lián)劑0. 5% 2%，抗氧化劑0. 1% 1%。所述用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠制作方法，包括以下步驟(I)將重量百分比為6% 12%的環(huán)氧樹脂、2% 6%的增韌樹脂和2% 6%環(huán)氧活性稀釋劑進(jìn)行第一次混合，得到均勻混合物A ；所述第一次混合的工藝條件為在室溫下混合30分鐘 60分鐘。(2)將重量百分比為2% 6%的固化劑、0. 5% 1%的固化促進(jìn)劑、0. 5% 2%的偶聯(lián)劑和0. 1% 1%的抗氧化劑加入到步驟(I)制得的混合物A中，進(jìn)行第二次混合，得到均勻混合物；所述第二次混合的工藝條件為在室溫下混合30 60分鐘；如果有固體原料顆粒不易于分散均勻時，可將步驟(2)制得的混合物在三輥研磨機(jī)上于室溫下進(jìn)行研磨30分鐘 60分鐘成為細(xì)膩均勻混合物。(3)將重量百分比為70% 85%的銀粉加入到步驟(2)制得的混合物中，進(jìn)行第三次混合，即得所述用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠；所述第三次混合的工藝條件為在室溫下施加真空混合30分鐘 60分鐘。以下通過具體的實(shí)施例以進(jìn)一步說明本發(fā)明，但不用以限制本發(fā)明。實(shí)施例I在室溫下，分別按照下表中實(shí)施例I指定的各組分，將雙酚A型環(huán)氧樹脂、含有萘環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、1，4- 丁二醇縮水甘油醚和納米二氧化硅粒子增韌環(huán)氧樹脂混合60分鐘至均勻，然后加入雙氰胺、2-十七烷基咪唑、3-氨丙基三甲氧基硅烷、己二胺基甲基三甲氧基硅烷、2，2'-亞甲基雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)和雙十八烷基季戊四醇雙亞磷酸酯，室溫下混合30分鐘成為均勻混合物，再經(jīng)過三輥機(jī)研磨之后，加入微米級銀粉A，室溫下施加真空低速混合30分鐘即可制得導(dǎo)電膠。實(shí)施例2在室溫下，分別按照下表中實(shí)施 例2指定的各組分，將雙酚A型環(huán)氧樹脂、環(huán)氧改性丙烯酸樹脂、1，4-環(huán)己烷二醇縮水甘油醚、二乙二醇縮水甘油醚和納米橡膠粒子增韌環(huán)氧樹脂混合60分鐘至均勻，然后加入二氨基二苯醚、甲基六氫苯酐、I-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、N-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和2,2'-亞甲基雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)，室溫下混合60分鐘成為均勻混合物，再經(jīng)過三輥機(jī)研磨之后，加入微米級銀粉A和微米級銀粉B，室溫下施加真空低速混合60分鐘即可制得導(dǎo)電膠。實(shí)施例3在室溫下，分別按照下表中實(shí)施例3指定的各組分，將含有萘環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、環(huán)氧改性丙烯酸樹脂、1，4- 丁二醇縮水甘油醚、1，4-環(huán)己烷二醇縮水甘油醚、納米二氧化硅粒子增韌環(huán)氧樹脂和納米橡膠粒子增韌環(huán)氧樹脂混合60分鐘至均勻，然后加入雙氰胺、甲基六氫苯酐、2-十七烷基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、3-氨丙基三甲氧基硅烷、N-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷和雙十八烷基季戊四醇雙亞磷酸酯，室溫下混合60分鐘成為均勻混合物，再經(jīng)過三輥機(jī)研磨之后，加入微米級銀粉A和微米級銀粉B，室溫下施加真空低速混合60分鐘即可制得導(dǎo)電膠。實(shí)施例4在室溫下，分別按照下表中實(shí)施例4指定的各組分，將雙酚A型環(huán)氧樹脂、二乙二醇縮水甘油醚、納米二氧化硅粒子增韌環(huán)氧樹脂和納米橡膠粒子增韌環(huán)氧樹脂混合30分鐘至均勻，然后加入雙氰胺、二氨基二苯醚、2-十七烷基咪唑、3-氨丙基三甲氧基硅烷和2，2'-亞甲基雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)，室溫下混合30分鐘成為均勻混合物，再經(jīng)過三輥機(jī)研磨之后，加入微米級銀粉B，室溫下施加真空低速混合30分鐘即可制得導(dǎo)電膠。實(shí)施例5在室溫下，分別按照下表中實(shí)施例5指定的各組分，將含有萘環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、1，4- 丁二醇縮水甘油醚、二乙二醇縮水甘油醚和納米二氧化硅粒子增韌環(huán)氧樹脂混合30分鐘至均勻，然后加入甲基六氫苯酐、I-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、己二胺基甲基三甲氧基硅烷、2，2'-亞甲基雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)和雙十八烷基季戊四醇雙亞磷酸酯，室溫下混合60分鐘成為均勻混合物，再經(jīng)過三輥機(jī)研磨之后，加入微米級銀粉A和微米級銀粉B，室溫下施加真空低速混合30分鐘即可制得導(dǎo)電膠。實(shí)施例6在室溫下，分別按照下表中實(shí)施例6指定的各組分，將環(huán)氧改性丙烯酸樹脂、1，4-環(huán)己烷二醇縮水甘油醚和納米橡膠粒子增韌環(huán)氧樹脂混合60分鐘至均勻，然后加入二氨基二苯醚、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、3-氨丙基三甲氧基硅烷和2,2'-亞甲基雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)，室溫下混合60分鐘成為均勻混合物，再經(jīng)過三輥機(jī)研磨之后，加入微米級銀粉A和微米級銀粉B，室溫下施加真空低速混合60分鐘即可制得導(dǎo)電膠。實(shí)施例I至6在固化條件為175攝氏度的烘箱內(nèi)放置I小時。固化后材料的導(dǎo)熱率的測試依照ASTM C518標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行，導(dǎo)電率的測試依照ASTMD257標(biāo)準(zhǔn)來進(jìn)行。實(shí)施例I至6的測試結(jié)果列出在下表中。

權(quán)利要求
1.一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，其特征在于，包括如下重量百分比的原料微米級銀粉70% 85%，環(huán)氧樹脂6% 12%，環(huán)氧活性稀釋劑2% 6%，增韌樹脂2% 6%，固化劑2% 6%，固化促進(jìn)劑0. 5% I %，偶聯(lián)劑0. 5% 2 %，抗氧化劑0. 1% I %。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，其特征在于，所述微米級銀粉的形狀為片狀、球狀或樹枝狀中的任意一種，粒徑范圍為0. 5微米 100微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，其特征在于，所述環(huán)氧樹脂為雙酚A環(huán)氧樹脂、雙酚F環(huán)氧樹脂、含有萘環(huán)結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹脂、含有聯(lián)苯結(jié)構(gòu)的環(huán)氧樹月旨、丙烯酸改性環(huán)氧樹脂、環(huán)氧改性丙烯酸樹脂、有機(jī)硅改性環(huán)氧樹脂或環(huán)氧改性有機(jī)硅樹脂中的任意一種或幾種的混合；所述環(huán)氧活性稀釋劑為1，4-丁二醇縮水甘油醚、新戊二醇縮水甘油醚、1，6-己二醇二縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚、二乙二醇縮水甘油醚、1，4-環(huán)己烷二醇縮水甘油醚、三羥甲基丙烷縮水甘油醚或聚乙二醇二縮水甘油醚中的任意一種或幾種的混合物；所述增韌樹脂為納米二氧化硅粒子增韌環(huán)氧樹脂、納米橡膠粒子增韌環(huán)氧樹脂或雙馬來酰亞胺樹脂增韌環(huán)氧樹脂中的任意一種或幾種的混合物；所述固化劑為有機(jī)胺類和/或有機(jī)酸酐類。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，其特征在于，所述有機(jī)胺類為雙氰胺及其衍生物、二氨基二苯甲烷及其衍生物、二氨基二苯醚及其衍生物、二氨基二苯砜及其衍生物中的任意一種或幾種的混合物；所述有機(jī)酸酐類為四氫苯酐及其衍生物、六氫苯酐及其衍生物、甲基四氫苯酐及其衍生物、甲基六氫苯酐及其衍生物、納迪克酸酐及其衍生物、甲基納迪克酸酐及其衍生物中的任意一種或幾種的混合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，其特征在于，所述固化促進(jìn)劑為2- i^一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑，2-乙基-4-甲基咪唑，I-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4，5- 二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑、2，4- 二氨基-6- (2- i^一烷基咪唑-I-乙基)-S-三嗪及以上化合物的衍生物及以上化合物的鹽中的任意一種或幾種的混合物；所述偶聯(lián)劑為3-氨丙基三甲氧基硅烷，3-氨丙基三乙氧基娃燒，3_甲基丙稀酸氧基丙基二甲氧基娃燒，3-氛丙基二輕基娃燒，3- (3-氛基苯氧基)丙基二甲氧基娃燒，N-(2-胺乙基)-3_胺丙基二甲氧娃燒，己二胺基甲基二甲氧基娃燒，N-(2-氨乙基)_11_氨基十一燒基二甲氧基娃燒，N-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基娃燒中的任意一種或幾種的混合物；所述抗氧化劑為受阻酚類和/或含磷化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠，其特征在于，所述受阻酚類為2，2'-亞甲基雙-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、3_ (3，5- 二叔丁基_4_羥基苯基)丙酸正十八烷醇酯、四(3，5-二叔丁基-4-羥基)苯丙酸季戊四醇酯中的任意一種或幾種的混合物；所述含磷化合物為雙十八烷基季戊四醇雙亞磷酸酯、三苯基膦、3，5-二叔丁基-4-羥基芐基二乙基膦酸酯中的任意一種或幾種的混合物。
7.一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠的制作方法，其特征在于，包括以下步驟 (1)將重量百分比為6% 12%的環(huán)氧樹脂、2% 6%的增韌樹脂和2% 6%的環(huán)氧活性稀釋劑進(jìn)行第一次混合，得到均勻混合物A ； (2)將重量百分比為2% 6%的固化劑、0.5% 1%的固化促進(jìn)劑、0. 5% 2%的偶聯(lián)劑和0. 1% 1%的抗氧化劑加入到步驟(I)制得的混合物A中，進(jìn)行第二次混合，得到均勻混合物；(3)將重量百分比為70% 85%的銀粉加入到步驟(2)制得的混合物中，進(jìn)行第三次混合，即得所述用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，在步驟(2)中還包括第二次混合后再進(jìn)行研磨的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述研磨的工藝條件為在三輥研磨機(jī)上于室溫下進(jìn)行研磨30分鐘 60分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述第一次混合的工藝條件為在室溫下混合30分鐘 60分鐘；所述第二次混合的工藝條件為在室溫下混合30 60分鐘；所述第三次混合的工藝條件為在室溫下施加真空混合30分鐘 60分鐘。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠及其制備方法，包括如下重量百分比的原料微米級銀粉70%～85%，環(huán)氧樹脂6%～12%，環(huán)氧活性稀釋劑2%～6％，增韌樹脂2%～6％，固化劑2%～6％，固化促進(jìn)劑0.5%～1％，偶聯(lián)劑0.5%～2％，抗氧化劑0.1%～1％。制備步驟包括(1)將環(huán)氧樹脂、增韌樹脂和環(huán)氧活性稀釋劑混合，得到均勻混合物A；(2)將固化劑、固化促進(jìn)劑、偶聯(lián)劑和抗氧化劑加入到步驟(1)制得的混合物A中，進(jìn)行混合，得到均勻混合物；(3)將銀粉加入到步驟(2)制得的混合物中，進(jìn)行混合，即可。本發(fā)明的用于半導(dǎo)體芯片封裝用的導(dǎo)電膠具有高導(dǎo)熱率和高導(dǎo)電率。
文檔編號C09J9/02GK102766426SQ20121022881
公開日2012年11月7日 申請日期2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月3日
發(fā)明者吳光勇, 王建斌, 解海華, 陳田安 申請人:煙臺德邦科技有限公司