專利名稱：輻射線固化型粘合劑組合物及粘合片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輻射線固化型粘合劑組合物及粘合片。
背景技術(shù)：
輻射線固化型粘合劑組合物由于可以通過照射輻射線而由具有強(qiáng)粘合性的狀態(tài)固化，因此可以減小粘合性，從而可以簡便地剝離。因此，適合在需要強(qiáng)粘合性與輕剝離力的相反特性的用途中使用。例如，將具有由這種輻射線固化型粘合劑組合物形成的粘合劑層的粘合片貼合在被粘物的表面上，保護(hù)或固定該表面，并且，在不需要它時(shí)，對被粘物上貼合的粘合片照射輻射線，粘合劑固化，從而減低了粘合性，可以用輕剝離力簡便地剝離粘合片。尤其，作為半導(dǎo)體晶片等的切割用粘合片，需要在切割時(shí)半導(dǎo)體晶片不剝離的程度的粘合力，另一方面，在切割后進(jìn)行拾取時(shí)，要求能夠容易剝離、且以不破壞半導(dǎo)體晶片的程度的低粘合力容易地剝離。為此，提出了各種粘合片(例如專利文獻(xiàn)1和2)。另外，還要求切割用粘合片具有低污染性、即對半導(dǎo)體晶片不產(chǎn)生殘膠等，提出了嘗試兼顧這些特性的再剝離片(例如，專利文獻(xiàn)3)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1 日本特開2005-019607號公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本特開2007-220694號公報(bào)專利文獻(xiàn)3 日本特開2001-2；34136號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題利用輻射線固化型粘合劑組合物的粘合片在進(jìn)行所希望的處理之后，為了使剝離變得簡便，通常照射輻射線，使粘合劑組合物固化，但為了縮短輻射線照射的處理時(shí)間以及減低成本等，嘗試用少的輻射線照射量來減小剝離力。然而，存在以少的輻射線照射量沒有使剝離力充分減小、被粘物上的剝離轉(zhuǎn)印污染量增多等問題。本發(fā)明是鑒于上述問題而進(jìn)行的，其目的在于提供一種輻射線固化型粘合劑組合物及使用該組合物的粘合片，該組合物能以更少的輻射線照射量從被粘物容易地剝離，且能將被粘物上的剝離轉(zhuǎn)印污染量抑制在最小限度。用于解決問題的方案本發(fā)明的輻射線固化型粘合劑組合物的特征在于，其含有基礎(chǔ)聚合物，該基礎(chǔ)聚合物含有具有選自丙烯酰基和甲基丙烯?；械木酆闲蕴继茧p鍵基團(tuán)的至少一種單體來源的結(jié)構(gòu)單元，該組合物還包含有助于輻射線固化的基團(tuán)，有助于輻射線固化的基團(tuán)具有與上述單體相同的聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)。這種輻射線固化型粘合劑組合物優(yōu)選的是，所述基礎(chǔ)聚合物還含有具有所述有助于輻射線固化的基團(tuán)的單體來源的結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)單元包含于所述基礎(chǔ)聚合物的側(cè)鏈， 或者，所述有助于輻射線固化的基團(tuán)以具有該有助于輻射線固化的基團(tuán)的單體或低聚物的形式被含有。優(yōu)選的是，所述基礎(chǔ)聚合物含有具有甲基丙烯?；膯误w來源的結(jié)構(gòu)單元，且所述有助于輻射線固化的基團(tuán)為甲基丙烯?；Ａ硗?，本發(fā)明的粘合片的特征在于，具有由所述輻射線固化型粘合劑組合物形成的粘合劑層。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可以獲得能以更少的輻射線照射量用輕剝離力從被粘物容易地剝離且將被粘物上的剝離轉(zhuǎn)印污染量抑制在最小限度的輻射線固化型粘合劑組合物以及使用該組合物的粘合片。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的輻射線固化型粘合劑組合物主要含有基礎(chǔ)聚合物，該基礎(chǔ)聚合物包含具有選自丙烯酰基和甲基丙烯?；械囊环N聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的至少一種單體(以下有時(shí)簡稱為“具有聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的單體”)來源的結(jié)構(gòu)單元。另外，該粘合劑組合物還包含有助于輻射線固化的基團(tuán)，該基團(tuán)具有與選自基礎(chǔ)聚合物中的上述丙烯?；图谆；械囊环N聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)相同的基團(tuán)(以下有時(shí)簡稱為“有助于輻射線固化的基團(tuán)”)。該有助于輻射線固化的基團(tuán)可以以具有上述聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的單體(或低聚物)的形式存在。另外，也可以鍵合于基礎(chǔ)聚合物的側(cè)鏈，換而言之，基礎(chǔ)聚合物還含有具有有助于輻射線固化的基團(tuán)的單體來源的結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)單元可以包含于基礎(chǔ)聚合物的側(cè)鏈。進(jìn)而，根據(jù)基礎(chǔ)聚合物的聚合方法，也可以包含在成為構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的聚合物 (共聚物)的結(jié)構(gòu)單元的單體中而存在。其中，有助于輻射線固化的基團(tuán)優(yōu)選鍵合于基礎(chǔ)聚合物的側(cè)鏈。以下有時(shí)將選自丙烯?；图谆；械囊环N基團(tuán)記載為“(甲基)丙烯?；?。另外，術(shù)語“(甲基)丙烯?；卑ū；图谆；?。在本發(fā)明中，作為具有選自(甲基)丙烯?；木酆闲蕴继茧p鍵基團(tuán)的單體，可列舉出飽和烴的(甲基)丙烯酸酯。飽和烴的碳原子數(shù)例如可列舉1 30個(gè)左右，優(yōu)選1 18個(gè)左右，更優(yōu)選4 18個(gè)左右。作為飽和烴，可列舉出烷基、環(huán)烷基或它們組合而成的基團(tuán)。具體而言，可列舉出 (甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯等。作為烷基，例如可列舉出甲基、乙基、丁基、2-乙基己基、辛基、癸基、十二烷基、 十三烷基、十八烷基等。作為環(huán)烷基，可列舉出環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)己基等。另外，作為構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的、具有選自(甲基)丙烯?；木酆闲蕴继茧p鍵基團(tuán)的單體，為了改進(jìn)內(nèi)聚力、耐熱性等，除了上述飽和烴的(甲基)丙烯酸酯以外，還可以含有可共聚的單體。作為可共聚的單體，例如可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯等含羧基單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、 (甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基) 丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；(甲基)丙烯酰胺、N-羥甲基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯 (例如甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)、丙烯?；鶈徇?、丙烯腈、N，N- 二甲基丙烯酰胺等側(cè)鏈上含有氮的單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基酯等含烷氧基單體；2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥乙基丙烯?；姿狨サ群姿峄鶈误w；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些單體可以單獨(dú)或?qū)煞N以上組合使用。另外，不組合使用丙烯酸系單體、甲基丙烯酸系單體，僅使用任一方。進(jìn)而，作為構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的具有(甲基)丙烯?；木酆闲蕴继茧p鍵基團(tuán)的單體，為了交聯(lián)，可以含有多官能單體。作為多官能性單體，例如可列舉出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二 (甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些單體可以單獨(dú)使用或?qū)煞N以上組合使用。另外，不組合使用丙烯酸系單體和甲基丙烯酸系單體，僅使用任一方。在本發(fā)明的輻射線固化型粘合劑組合物中，在丙烯酰基與甲基丙烯?；泊娴那闆r下，聚合反應(yīng)所伴隨的活性自由基的轉(zhuǎn)移從丙烯?；奖；?、從甲基丙烯?；郊谆；?、從甲基丙烯酰基到丙烯?；约皬谋；郊谆；?，但從甲基丙烯酰基到丙烯?；鶗r(shí)，反應(yīng)特別難進(jìn)行，有時(shí)成為不均一的聚合反應(yīng)。因此，將2種以上的上述單體組合使用時(shí)，不組合丙烯酸系單體與甲基丙烯酸系單體，而是僅使用任一方。其中， 優(yōu)選統(tǒng)一為具有甲基丙烯?；膯误w。這樣具有適度的反應(yīng)性，可以通過輻射線照射使聚合反應(yīng)良好進(jìn)行，并且可以防止因熒光燈等微弱的紫外線導(dǎo)致的不希望的固化。因此，以少的輻射線照射量，可以實(shí)現(xiàn)良好的剝離，并且可以實(shí)現(xiàn)低污染。尤其是作為構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的單體，優(yōu)選不由具有丙烯酰基的單體構(gòu)成而由僅具有甲基丙烯?；膯误w構(gòu)成?；A(chǔ)聚合物可以單獨(dú)使用上述單體進(jìn)行聚合或使用兩種以上單體的混合物進(jìn)行聚合來獲得。聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意的聚合方式進(jìn)行。
基礎(chǔ)聚合物的重均分子量優(yōu)選為50萬以上，更優(yōu)選為80萬 300萬左右。通過將基礎(chǔ)聚合物的重均分子量調(diào)整在該范圍內(nèi)，可以減少低分子量物質(zhì)(即低聚物)的含量， 因此，對于防止對被粘物的污染而言是有利的，低分子量物質(zhì)不會(huì)經(jīng)時(shí)在粘合劑中移動(dòng)，可以形成穩(wěn)定的輻射線固化型粘合劑組合物。予以說明，重均分子量是指利用凝膠滲透色譜法獲得的聚苯乙烯換算值。有助于輻射線固化的基團(tuán)通常來源于具有該基團(tuán)的單體。作為具有這種基團(tuán)的單體(以下有時(shí)稱為“輻射線固化性單體”)，如上所述，可列舉出具有選自丙烯?；图谆；械囊环N聚合性碳碳雙鍵的單體。另外，也可以是該單體的低聚物。例如可列舉出三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基) 丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基) 丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物；酯-丙烯酸酯低聚物；2-丙烯基-3- 丁烯基氰脲酸酯；異氰脲酸酯、異氰脲酸酯化合物等。這些化合物可以單獨(dú)使用或?qū)煞N以上組合使用。另外，不組合使用丙烯酸系單體與甲基丙烯酸系單體，而是僅使用任一方。進(jìn)而，與上述構(gòu)成基礎(chǔ)聚合物的具有聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的單體統(tǒng)一。即，基礎(chǔ)聚合物生成所伴有的殘留單體的聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)和有助于輻射線固化的聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)均為丙烯?；蚓鶠榧谆；鶗r(shí)，輻射線固化所伴隨的聚合反應(yīng)沒有拖延地進(jìn)行，以少的輻射線照射量即可實(shí)現(xiàn)良好的剝離和低污染。其中，特別優(yōu)選統(tǒng)一為甲基丙烯?；＜?，基礎(chǔ)聚合物包含具有甲基丙烯?；膯误w來源的結(jié)構(gòu)單元時(shí)，優(yōu)選有助于輻射線固化的基團(tuán)僅為甲基丙烯?；Ｓ纱?，可以確保上述效果、即反應(yīng)的控制性。對使用輻射線固化性單體時(shí)的配合量沒有特別限制，考慮到降低輻射線照射后的對被粘物的粘合力，相對于100重量份粘合劑組合物中的基礎(chǔ)聚合物，輻射線固化性單體優(yōu)選為1 100重量份，更優(yōu)選為5 70重量份，進(jìn)一步優(yōu)選為10 50重量份。另外，該輻射線固化性單體如上所述可以鍵合于基礎(chǔ)聚合物的側(cè)鏈，作為該輻射線固化型單體來源的結(jié)構(gòu)單元。對這種方法沒有特別限制，可以利用本領(lǐng)域公知的任何方法。例如，對于在基礎(chǔ)聚合物中導(dǎo)入聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的方法、即在基礎(chǔ)聚合物側(cè)鏈中導(dǎo)入輻射線固化性單體或有助于輻射線固化的基團(tuán)的方法沒有特別限制，可以采用各種方法。在基礎(chǔ)聚合物的側(cè)鏈中導(dǎo)入輻射線固化性單體或有助于輻射線固化的基團(tuán)從分子設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)來看也是有利的。作為這種方法，例如可列舉出預(yù)先使具有官能團(tuán)的單體與基礎(chǔ)聚合物共聚，其后， 在維持聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的輻射線固化性的狀態(tài)下使具有可與該官能團(tuán)反應(yīng)的官能團(tuán)與聚合性碳碳雙鍵的化合物(即，輻射線固化性單體)縮合或進(jìn)行加成反應(yīng)的方法。作為這些官能團(tuán)的組合的例子，可列舉出羧基與環(huán)氧基(尤其是縮水甘油基)、羧基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。在這些官能團(tuán)的組合中，從反應(yīng)跟蹤的容易性來看， 羥基與異氰酸酯基的組合是優(yōu)選的。另外，通過這些官能團(tuán)的組合，只要是生成具有上述聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的基礎(chǔ)聚合物的組合，官能團(tuán)就可以在基礎(chǔ)聚合物與上述化合物的任一方中。例如，基礎(chǔ)聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基的組合是優(yōu)選的。作為具有聚合性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可列舉出(甲基)丙烯?；惽杷狨?、(甲基)丙烯酸2-異氰酸根合乙酯等。另外，作為基礎(chǔ)聚合物，可以使用上述含羥基單體的共聚物。作為具有羧基的單體，例如可列舉出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、 (甲基)丙烯酸羧基戊酯等。作為具有縮水甘油基的單體，例如可列舉出(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基) 丙烯酸甲基縮水甘油酯等。予以說明，對用于使本發(fā)明的輻射線固化型粘合劑組合物固化的輻射線沒有特別限制，可列舉出電波、紅外線、可見光線、紫外線、X射線、Y射線等各種輻射線，其中，從處理的容易性等觀點(diǎn)考慮，優(yōu)選紫外線、電子束等，特別優(yōu)選紫外線。因此，可以使用高壓汞燈、低壓汞燈、黑光等。用于固化的輻射線的照射量沒有特別限制，例如可列舉出50mJ/cm2 左右以上。在通過紫外線等使本發(fā)明的輻射線固化型粘合劑組合物固化時(shí)，優(yōu)選含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，例如可列舉出苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷基醚；苯偶酰、苯偶姻、二苯甲酮、α-羥基環(huán)己基苯基酮類的芳香族酮類；苯偶酰二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯甲酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮等噻噸酮類等。相對于100重量份構(gòu)成粘合劑的基礎(chǔ)聚合物，光聚合引發(fā)劑的配合量例如為 0. 1 20重量份，優(yōu)選為0. 5 10重量份左右。本發(fā)明的粘合片具有上述輻射線固化型粘合劑組合物作為粘合劑層。通常，粘合劑層配置在基材層的一側(cè)而形成。另外，可以在粘合劑層的與基材層相反的一側(cè)層疊隔離體。其中，這些層不一定只是一層，例如也可以是在基材層的兩面具有粘合劑層的方式，在基材層與粘合劑層之間具有中間層、底涂層等的方式，在基材層的背面具有防靜電層、背面輕剝離化處理層、摩擦減少層、易粘接處理層的方式等。粘合片可以形成為片狀、卷筒狀等對應(yīng)用途的適宜的形狀。例如，在晶片切割用途的情況下，優(yōu)選使用預(yù)先切斷加工為規(guī)定形狀的粘合片。基材層構(gòu)成粘合片的強(qiáng)度母體。對基材層的材料沒有特別限制，特別適宜使用由塑料材料形成的薄膜。作為塑料材料，例如可列舉出低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚酰亞胺、聚醚酮、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、氟樹脂、硅酮樹脂、纖維素系樹脂以及它們的交聯(lián)體等聚合物等。這些聚合物可以單獨(dú)使用或?qū)煞N以上組合使用。構(gòu)成材料根據(jù)需要可以接枝官能團(tuán)、功能性單體和改性單體等之后使用。基材層可以是單層或兩種以上的層疊層。基材層例如為了賦予防靜電能力，可以在其表面具有由金屬、合金或它們的氧化物等形成的導(dǎo)電層。該情況下的導(dǎo)電層例如可以使用金屬等的蒸鍍層等，其厚度可列舉為 3 50nm左右。為了使輻射線照射在輻射線固化型樹脂組合物上，基材層優(yōu)選至少透過一部分輻射線。此處的透過一部分是指50%左右以上、60%左右以上、70%左右以上或80%左右以上。為了提高與鄰接的層的密合性、保持性等，基材層的表面可以實(shí)施慣用的表面處理，例如無光澤處理、電暈放電處理、底漆處理、利用底涂劑的涂布處理、交聯(lián)處理、鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射線處理等化學(xué)或物理處理。對基材層的厚度沒有特別限制，一般為10 300 μ m，優(yōu)選為30 200 μ m左右。基材層可以利用以往公知的方法來成膜。例如，可列舉出壓延制膜、流延制膜、吹塑擠出、T型模擠出等。另外，在層疊層的情況下，可以進(jìn)而利用共擠出法、干式層壓法等慣用的薄膜層疊法。基材層可以以無拉伸的狀態(tài)使用，也可以根據(jù)需要進(jìn)行單軸或雙軸拉伸處理。粘合劑層可利用上述輻射線固化型粘合劑組合物來形成。作為形成粘合劑層的方法，可以采用以往公知的方法。例如，可列舉出在基材層表面上直接涂布粘合劑層的構(gòu)成材料的方法；在涂布有脫模劑的片上涂布粘合劑的構(gòu)成材料并干燥，形成粘合劑層之后，轉(zhuǎn)印到基材層上的方法等。粘合劑層的厚度優(yōu)選在1 50 μ m的范圍內(nèi)。貼附在粘合片上的被粘物在其處理 (例如切割)時(shí)有時(shí)振動(dòng)。此時(shí)，如果其振動(dòng)幅度大，則有時(shí)被粘物(例如切斷芯片)產(chǎn)生缺口(破片)等。然而，通過將粘合劑層的厚度設(shè)定為50μπι以下，可以抑制對被粘物進(jìn)行切割等時(shí)產(chǎn)生的振動(dòng)的振動(dòng)幅度變得過大。結(jié)果，可謀求減少切斷芯片產(chǎn)生缺口，即破片。 另一方面，通過將粘合劑層的厚度設(shè)定為1 μ m以上，能可靠地保持被粘物，使得在切割等時(shí)被粘物不容易發(fā)生剝離。粘合劑層更優(yōu)選設(shè)定在3 20 μ m的范圍內(nèi)。由此，可以進(jìn)一步謀求減少破片的發(fā)生，且更可靠地固定切割時(shí)的被加工物，防止發(fā)生切割不良。隔離體具有保護(hù)粘合劑層、標(biāo)簽加工以及使粘合劑層的表面變得平滑的功能。作為隔離體的構(gòu)成材料，可列舉出紙、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等合成樹脂薄膜等。為了提高從粘合劑層剝離的剝離性，可以根據(jù)需要對隔離體的表面進(jìn)行硅酮處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。另外，根據(jù)需要，為了防止粘合劑層因環(huán)境紫外線而發(fā)生反應(yīng)，可以實(shí)施防紫外線處理。隔離體的厚度通常為10 200 μ m,優(yōu)選為25 100 μ m左右。本發(fā)明的粘合片可以貼合在半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體封裝體、玻璃、陶瓷等各種被粘物上來使用。一般，以硅、鍺、鎵-砷等為材料的半導(dǎo)體晶片以大直徑的狀態(tài)制造之后，進(jìn)行背面磨削(back grinding)，以達(dá)到規(guī)定的厚度，根據(jù)需要進(jìn)行背面處理(蝕刻、拋光等)等。 接著，將固定于被稱為切割框(dicing frame)的環(huán)狀?yuàn)A具的切割用粘合片貼附在半導(dǎo)體晶
8體的背面，切斷分離(切割)為小片元件。接著，實(shí)施清洗工序、擴(kuò)張工序、拾取工序、安裝工序的各道工序。本發(fā)明的粘合片可適宜用于這種半導(dǎo)體裝置的制造工序。例如，可以作為半導(dǎo)體晶片背面磨削用表面保護(hù)片或固定片、半導(dǎo)體晶片切割用表面保護(hù)片或固定片、半導(dǎo)體電路的保護(hù)用片等利用。具體而言，首先，將本發(fā)明的粘合片貼合在半導(dǎo)體部件等的半導(dǎo)體晶片上(安裝工序)。安裝工序是以粘合劑層側(cè)為貼合面的方式使半導(dǎo)體晶片與粘合片重疊，通過壓接輥等壓制裝置進(jìn)行壓制的同時(shí)進(jìn)行的。另外，還可以在可加壓的容器(例如高壓釜等)中，將半導(dǎo)體晶片與粘合片重疊，通過對容器內(nèi)加壓來進(jìn)行貼附。此時(shí)，可以在利用壓制裝置進(jìn)行壓制的同時(shí)進(jìn)行貼附。另外，也可以在真空室內(nèi)進(jìn)行貼附。對貼附時(shí)的貼附溫度等沒有限制，例如優(yōu)選為20 80°C。接著，對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割(切割工序)。切割工序是為了將半導(dǎo)體晶片分割為單片、制造半導(dǎo)體芯片而進(jìn)行的。切割例如通過使刀片從半導(dǎo)體晶片的電路面?zhèn)雀咚傩D(zhuǎn)，將半導(dǎo)體晶片切斷為規(guī)定的尺寸來進(jìn)行。另外，可以采用切入到粘合片的被稱完全切割的切斷方式等。作為切斷方法，可以利用用高速旋轉(zhuǎn)的刀片、紫外線、紅外線、可見光區(qū)域的激光等的方法；用金剛石刀具等在表面上施加切口，通過外力分割的方法；在被切斷體的厚度方向的內(nèi)部形成缺陷層，用外力分割的方法等以往公知的方法。此時(shí)，半導(dǎo)體晶片由于通過粘合片粘接固定，因此可以抑制芯片缺口、芯片飛濺，并且還可以抑制半導(dǎo)體晶片的破損。其后，拾取半導(dǎo)體芯片(拾取工序)。拾取工序是為了剝離粘接固定在粘合片上的半導(dǎo)體芯片而進(jìn)行的。對拾取方法沒有特別限制，可以采用以往公知的各種方法。例如，可列舉出用針從粘合片側(cè)將各個(gè)半導(dǎo)體芯片頂起，通過拾取裝置拾取被頂起的半導(dǎo)體芯片的方法等。在拾取之前，對粘合劑層實(shí)施輻射線照射處理。由此，使粘合性降低，實(shí)現(xiàn)拾取的容易化。對輻射線照射時(shí)的照射強(qiáng)度、照射時(shí)間等條件沒有特別限制，可以根據(jù)需要適當(dāng)設(shè)定。以下詳細(xì)說明本發(fā)明的輻射線固化型粘合劑組合物及粘合片的實(shí)施例。(基礎(chǔ)聚合物溶液的制備)如表1所示，將熱聚合引發(fā)劑與溶劑投入到規(guī)定的單體(單位重量份)中。熱聚合引發(fā)劑使用相對于單體總量為0.2wt%的2，2’ -偶氮二異丁腈(KISHIDA CHEMICAL Co.，Ltd.制造)，溶劑使用相對于單體總量為50重量％的醋酸乙酯。將該混合物投入到在IL圓底可拆式燒瓶中裝備有可分離蓋、分液漏斗、溫度計(jì)、 氮?dú)鈱?dǎo)入管、李比希冷凝器(Liebig condenser)、真空密封、攪拌棒、攪拌葉片的聚合用實(shí)驗(yàn)裝置中。邊攪拌所投入的混合物，邊在常溫下氮?dú)庵脫Q1小時(shí)。在通入氮?dú)獾那闆r下，邊攪拌，邊用水浴將實(shí)驗(yàn)裝置內(nèi)溶液溫度控制為60°C 士2°C，并保持6小時(shí)，獲得基礎(chǔ)聚合物 (BP)溶液。予以說明，在聚合途中，為了控制聚合中的溫度，且為了防止單體側(cè)鏈的極性基團(tuán)等產(chǎn)生的氫鍵所引起的粘度的急劇上升，適當(dāng)?shù)渭哟姿嵋阴ァ?基礎(chǔ)聚合物溶液的側(cè)鏈上的聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)的導(dǎo)入)
將上述獲得的基礎(chǔ)聚合物溶液冷卻至室溫，如表1所示，添加丙烯酸2-異氰酸根合乙酯(Karenz AOI ；昭和電工公司制造)或甲基丙烯酸2-異氰酸根合乙酯(Karenz MOI ； 昭和電工公司制造)，進(jìn)而添加二月桂酸二丁基錫IV (和光純藥工業(yè)公司制造)，在空氣氣氛下，在50°C下攪拌、保持M小時(shí)，獲得聚合物溶液。(粘合劑溶液的制備)在上述獲得的基礎(chǔ)聚合物溶液中混合光聚合引發(fā)劑、多異氰酸酯系交聯(lián)劑、醋酸乙酯，均勻攪拌，獲得粘合劑溶液。相對于基礎(chǔ)聚合物，添加3重量份光聚合引發(fā)劑1-羥基環(huán)己基苯基酮(Irgacure 184 ；Ciba Specialty Chemicals公司制造)，相對于基礎(chǔ)聚合物，添加3重量份多異氰酸酯系交聯(lián)劑(Coronate L ；日本聚氨酯公司制造)。進(jìn)而，添加醋酸乙酯，使得固體成分比為25重量％。在該混合物中，如表1所示添加作為輻射線固化低聚物(輻射線固化0)的含有丙烯?；腢-4HA(新中村化學(xué)公司制造)或含有甲基丙烯酰基的U-4H(新中村化學(xué)公司制造)，獲得粘合劑溶液。(粘合片的制作)用涂抹器將所得聚合物溶液或粘合劑溶液涂布于硅酮系剝離處理過的PET薄膜的剝離處理面上，在80°C的干燥機(jī)中干燥2分鐘，獲得厚度10 μ m的粘合劑層。作為基材層，通過T型模擠出將直鏈狀低密度聚乙烯樹脂成膜，對單面進(jìn)行電暈處理，準(zhǔn)備厚度100 μ m的薄膜。用手壓輥將粘合劑層貼合在該基材層的電暈處理面上，在50°C下密合化處理72 小時(shí)，制作粘合片。(剝離轉(zhuǎn)印污染性的評價(jià))將上述粘合片貼合在分別于23°C (室溫下)進(jìn)行了鏡面處理的鏡面硅晶片 (silicon mirror wafer)(商品名"CZN<100>2. 5-3. 5 (4 英寸)”，信越半導(dǎo)體(株)制造) 上，放置1小時(shí)。其后，從膠帶背面?zhèn)仍趦煞N下述條件下照射紫外線，對于剝離的硅晶片面，分別使用ESCA裝置測定表面碳元素比率(；(％)。另外，對于初始的鏡面硅晶片，使用ESCA裝置測定表面碳元素比率C2(% )。測定條件如下所述。接著，根據(jù)C1(W)和C2 (%)的各值，使用下述計(jì)算式，計(jì)算表面有機(jī)物污染增加量 AC(% )。AC =表面碳元素比率(^(% )_表面碳元素比率(2(% )通過下式計(jì)算條件間的變化率，具有10%以上的變化率的情況評價(jià)為不良。(紫外線照射后的粘合力的評價(jià))將上述粘合片切斷為25mm寬度X 150mm長度，用^cg的輥使其貼合在分別于 230C (室溫下)進(jìn)行了鏡面處理的鏡面硅晶片(商品名“CZN<100>2. 5_3· 5 G英寸)”，信越半導(dǎo)體(株)制造)上，放置1小時(shí)。其后，從膠帶背面?zhèn)仍趦煞N下述條件下照射紫外線，在剝離速度300mm/分鐘、剝離角度90度下剝離，測定粘合力(單位N/25mm)。
通過下式計(jì)算條件間的變化率，具有20%以上的變化率的情況評價(jià)為不良?！醋贤饩€照射條件〉裝置日東精機(jī)制UM-810照度70mW/cm2照射時(shí)間和光量條件(1)0. 5 秒 35mJ/cm2條件(2)5 秒;350mJ/cm2<ES CA表面分析的測定條件>裝置ULVAC_PHI，Incorporated制造，Quantum 2000X 射線設(shè)置:200 μ πιΦ [30ff(15kV)]的點(diǎn)分析X 射線源monochrome AIKo光電子出射角45°〈條件間的變化率〉條件間的變化率=(條件⑴下的測定值-條件(2)下的測定值)/條件⑴下的測定值它們的結(jié)果在表2中示出。表 權(quán)利要求
1.一種輻射線固化型粘合劑組合物，其特征在于，含有基礎(chǔ)聚合物，該基礎(chǔ)聚合物含有具有選自丙烯?；图谆；械木酆闲蕴继茧p鍵基團(tuán)的至少一種單體來源的結(jié)構(gòu)單元，該組合物還包含有助于輻射線固化的基團(tuán)，該有助于輻射線固化的基團(tuán)具有與上述單體相同的聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輻射線固化型粘合劑組合物，其中，所述基礎(chǔ)聚合物還包含具有所述有助于輻射線固化的基團(tuán)的單體來源的結(jié)構(gòu)單元，該結(jié)構(gòu)單元包含于所述基礎(chǔ)聚合物的側(cè)鏈上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輻射線固化型粘合劑組合物，其中，所述有助于輻射線固化的基團(tuán)以具有該有助于輻射線固化的基團(tuán)的單體或低聚物的形式被含有。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項(xiàng)所述的輻射線固化型粘合劑組合物，其中，所述基礎(chǔ)聚合物含有具有甲基丙烯酰基的單體來源的結(jié)構(gòu)單元，且所述有助于輻射線固化的基團(tuán)是甲基丙烯酰基。
5.一種粘合片，其特征在于，具有由權(quán)利要求1 4的任一項(xiàng)所述的輻射線固化型粘合劑組合物形成的粘合劑層。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種輻射線固化型粘合劑組合物及使用該組合物的粘合片，該組合物能以更少的輻射線照射量從被粘物容易地剝離，且能將被粘物上的剝離轉(zhuǎn)印污染量壓抑制在最小限度。該輻射線固化型粘合劑組合物含有基礎(chǔ)聚合物，該基礎(chǔ)聚合物含有具有選自丙烯?；图谆；木酆闲蕴继茧p鍵基團(tuán)的至少一種單體來源的結(jié)構(gòu)單元，該組合物還包含有助于輻射線固化的基團(tuán)，該有助于輻射線固化的基團(tuán)具有與上述單體相同的聚合性碳碳雙鍵基團(tuán)。
文檔編號C09J133/00GK102585737SQ201110460450
公開日2012年7月18日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者高橋智一 申請人:日東電工株式會(huì)社