專利名稱：中和還原劑及脫污方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在印刷電路板等的脫污工序中，用于對基板上吸附的氧化劑成分(錳酸化合物等)進行中和還原，加以溶解除去的中和還原劑及脫污方法。
背景技術(shù)：
在形成印刷電路板的通孔或盲孔時，由于鉆孔器或激光與樹脂的摩擦熱而產(chǎn)生作為樹脂氣體的污物(smear)。為了確保通孔或盲孔的電特性，必需進行除去通孔或盲孔上產(chǎn)生的污物的脫污工序，一般采用化學(xué)方法除去污物。最一般的化學(xué)方法是采用高錳酸鈉或高錳酸鉀等高錳酸鹽作為氧化劑溶解除去污物，但需要將這些高錳酸鹽在處理后吸附在基板上而生成的錳酸化合物利用中和還原法除去。現(xiàn)有的中和還原劑一直采用羥胺化合物或胼化合物。另外，特許第3776198號(專利文獻1)中公開了一種含聚氧乙烯單烯丙基一甲醚馬來酸酐苯乙烯共聚物的中和還原齊U。然而，當采用現(xiàn)有的中和還原劑進行處理時，產(chǎn)生氣體。這可以認為是羥胺化合物或胼化合物與氧化劑反應(yīng)，產(chǎn)生氮氣或氫氣。當通孔或盲孔中積存氣體時，產(chǎn)生中和還原不良， 其后進行的鍍銅不析出的問題。另外，當在銅層與樹脂層交替層疊的一般多層印刷電路板上形成通孔或盲孔時， 其內(nèi)面露出銅層，當使用現(xiàn)有的中和還原劑時該銅層溶解，在銅層與樹脂層之間產(chǎn)生間隙 (白圈(haloing))，當在產(chǎn)生白圈的情況下直接進行鍍銅時，樹脂與銅層之間的間隙被堵塞，形成密封的孔。形成的孔內(nèi)的空氣和水分由于通過后工序的加熱而膨脹，成為產(chǎn)生局部隆起(氣泡)的原因。局部隆起破壞鍍膜，產(chǎn)生印刷電路板導(dǎo)電不良等問題。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明是為了解決上述問題而完成的，其目的是在脫污工序中，在對吸附在基板上的氧化劑成分(錳酸化合物等)進行中和還原、溶解除去時，不產(chǎn)生氣體，另外，提供不溶解銅的中和還原劑以及使用該中和還原劑將氧化劑成分中和還原的脫污方法。用于解決課題的手段本發(fā)明人等為了解決這些問題反復(fù)進行深入探討的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在印刷電路板等被鍍物用氧化劑進行處理的脫污工序中，在脫污處理后，當用含硫代酰胺化合物與非芳香族硫醇化合物的中和還原劑進行中和還原處理時，不產(chǎn)生氣體，另外，銅幾乎不溶解，在其后的對通孔或盲孔等進行鍍銅中，不產(chǎn)生未鍍敷的不良情況，另外，由于加熱造成的氣孔的產(chǎn)生得到抑制，達到完成本發(fā)明。因此，本發(fā)明提供下述中和還原劑及脫污方法。第一方面的發(fā)明一種中和還原劑，其是用于在對被鍍物用氧化劑進行脫污處理后，對吸附殘留在被鍍物上的氧化劑成分進行中和還原的中和還原劑，其特征在于，含有硫代酰胺化合物及非芳香族硫醇化合物。第二方面的發(fā)明根據(jù)第一方面的發(fā)明的中和還原劑，其特征在于，硫代酰胺化合物是選自硫脲、二甲基硫脲、二乙基硫脲、三甲基硫脲、乙酰基硫脲、烯丙基硫脲、亞乙基硫脲、氨基硫脲及四甲基硫脲的1種或2種以上，非芳香族硫醇化合物是選自2-巰基乙醇、甲硫醇、乙硫醇、丁硫醇、正辛硫醇、正十二烷基硫醇、叔十二烷基硫醇、十六烷基硫醇、巰基乙酸、巰基琥珀酸、 巰基乳酸以及它們的水溶性鹽的1種或2種以上。第三方面的發(fā)明根據(jù)第一方面或第二方面的發(fā)明所述的中和還原劑，其特征在于，所述中和還原劑還含有選自無機酸及有機酸的1種或2種以上。第四方面的發(fā)明根據(jù)第一方面至第三方面的發(fā)明中的任一項所述的中和還原劑，其特征在于，pH 在4以下。第五方面的發(fā)明根據(jù)第一方面至第四方面的發(fā)明中的任一項所述的中和還原劑，其特征在于，氧化劑為高錳酸鹽。第六方面的發(fā)明根據(jù)第一方面至第五方面的發(fā)明中的任一項所述的中和還原劑，其特征在于，被鍍物為具有通孔或盲孔的印刷電路板。第七方面的發(fā)明一種脫污方法，其特征在于，該方法包括對被鍍物用氧化劑進行脫污除去處理后，對吸附殘留在被鍍物上的氧化劑成分采用第一方面至第六方面的發(fā)明中的任一項所述的中和還原劑進行中和還原的工序。發(fā)明效果按照本發(fā)明的中和還原劑，由于中和還原處理時不產(chǎn)生氣體，故不產(chǎn)生通孔或盲孔表面的中和還原不良的現(xiàn)象。另外，由于幾乎不溶解銅，故可以抑制白圈的發(fā)生，不發(fā)生由中和還原劑引起的內(nèi)層銅和樹脂間的刻蝕造成的局部隆起。
具體實施例方式下面對本發(fā)明加以詳細說明。本發(fā)明的中和還原劑，是含有硫代酰胺化合物和非芳香族硫醇化合物的溶液。硫代酰胺化合物，可以使用公知的。具體的可以舉出硫脲、二甲基硫脲、二乙基硫脲、三甲基硫脲、乙?；螂?、烯丙基硫脲、亞乙基硫脲、氨基硫脲及四甲基硫脲等。這些既可以單獨使用1種，也可以2種以上組合使用。中和還原劑中的硫代酰胺化合物的濃度優(yōu)選1 300g/L，更優(yōu)選3 100g/L。當硫代酰胺化合物的濃度過低時，有不能充分進行中和還原之慮。另一方面，當硫代酰胺化合物的濃度過高時，經(jīng)濟上是不利的。非芳香族硫醇化合物可以使用公知的。具體的可以舉出2-巰基乙醇、甲硫醇、乙硫醇、丁硫醇、正辛硫醇、正十二烷基硫醇、叔十二烷基硫醇、十六烷基硫醇、巰基乙酸、巰基琥珀酸、巰基乳酸、這些酸的水溶性鹽等。這些既可以單獨使用1種，也可以2種以上組合使用。非芳香族硫醇化合物的濃度優(yōu)選1 300g/L，更優(yōu)選3 100g/L。當非芳香族硫醇化合物的濃度過低時，有不能充分進行中和還原之慮。另一方面，當非芳香族硫醇化合物的濃度過高時，經(jīng)濟上是不利的。本發(fā)明的中和還原劑中，硫代酰胺化合物及非芳香族硫醇化合物都是必需的。當僅使用一種時，中和還原處理后產(chǎn)生沉淀，在后面的鍍敷工序中變成雜質(zhì)，有不良影響。本發(fā)明的中和還原劑，優(yōu)選還含有選自無機酸及有機酸的1種或2種以上。作為無機酸及有機酸，可以舉出硫酸、鹽酸、硝酸、磷酸、氫氟酸、氟硼酸、氨基磺酸、有機磺酸、羧酸(脂肪族飽和羧酸、芳香族羧酸、氨基羧酸等)、縮合磷酸、膦酸、這些酸的水溶性鹽、內(nèi)酯化合物等。作為羧酸，優(yōu)選不含巰基的羧酸。無機酸及有機酸的濃度優(yōu)選1 300g/L，更優(yōu)選3 100g/L。當無機酸及有機酸的濃度過低時，有不能充分進行中和還原之慮。另一方面，當無機酸及有機酸的濃度過高時，經(jīng)濟上是不利的。本發(fā)明的中和還原劑，優(yōu)選是酸性的，特別優(yōu)選pH為4以下。當pH超過4時，有時不能充分進行中和還原。本發(fā)明的中和還原劑用于對銅層和樹脂層交替層疊的多層印刷電路板等的印刷電路板，特別是具有通孔或盲孔的印刷電路板等的被鍍物使用氧化劑進行脫污處理后，將在被鍍物上吸附殘留的氧化劑成分(氧化劑及來自氧化劑的成分)中和還原。該中和還原劑適用于對被鍍物用氧化劑進行脫污處理后，將被鍍物上吸附而殘留的氧化劑成分中和還原。由此，因為中和還原處理時不產(chǎn)生氣體，故通孔或盲孔表面不產(chǎn)生中和還原不良的現(xiàn)象。另外，由于幾乎不溶解銅，能夠在不產(chǎn)生白圈和局部隆起等問題的情況下進行處理。作為上述氧化劑，可以使用公知的，例如可以舉出高錳酸鈉和高錳酸鉀等高錳酸鹽。采用高錳酸鹽作為氧化劑時，在被鍍物上作為氧化劑成分吸附殘留高錳酸化合物、錳酸化合物等，本發(fā)明的中和還原劑對這些氧化劑成分的中和還原是特別有效的。進行上述中和還原處理時的處理溫度，優(yōu)選10 70°C，更優(yōu)選15 60°C。當處理溫度過低時，有時不能充分進行中和還原。另一方面，當處理溫度過高時，經(jīng)濟上是不利的。另外，采用本發(fā)明的中和還原劑進行中和還原處理時的處理時間，優(yōu)選1 20分鐘，更優(yōu)選2 10分鐘。當處理時間過短時，有時不能充分進行中和還原。另一方面，當處理時間過長時，經(jīng)濟上是不利的。實施例下面示出實施例及比較例，具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不受下列實施例的限定。實施例1 4、比較例1 3采用在內(nèi)層具有銅層的印刷電路板FR-4上層疊了一般的絕緣樹脂(味Q素7 7 八、乂” 7株式會社制造，ABF-GX13)的基板上形成了 100個直徑50 μ m的盲孔的基板(長度IOcmX寬度IOcm)，將該基板用溶脹液(上村工業(yè)株式會社制造，MDS-37)于70°C進行溶脹處理10分鐘后，用含高錳酸鹽的樹脂刻蝕液(上村工業(yè)株式會社制造，DES-5(^)于70°C 進行15分鐘脫污處理。然后，采用下表1中所示的各種中和還原劑，于30°C進行5分鐘中和還原處理，計數(shù)殘留有黑殘渣的盲孔數(shù)目，判斷錳酸的中和還原不良率。黑殘渣殘留的狀
5態(tài)意指中和還原不良。另外，采用實施了兩面鍍銅的基板測定中和還原處理前后的質(zhì)量，算出銅的溶解膜厚。另外，觀察中和還原處理后是否產(chǎn)生沉淀。結(jié)果一并示于表1。表 權(quán)利要求
1.一種中和還原劑，其用于在對被鍍物用氧化劑進行脫污處理后，對吸附殘留在被鍍物上的氧化劑成分進行中和還原，其特征在于，含有硫代酰胺化合物及非芳香族硫醇化合物。
2.權(quán)利要求1所述的中和還原劑，其特征在于，硫代酰胺化合物是選自硫脲、二甲基硫脲、二乙基硫脲、三甲基硫脲、乙?；螂濉⑾┍螂?、亞乙基硫脲、氨基硫脲及四甲基硫脲的1種或2種以上，非芳香族硫醇化合物是選自2-巰基乙醇、甲硫醇、乙硫醇、丁硫醇、正辛硫醇、正十二烷基硫醇、叔十二烷基硫醇、十六烷基硫醇、巰基乙酸、巰基琥珀酸、巰基乳酸以及它們的水溶性鹽的1種或2種以上。
3.權(quán)利要求1或2所述的中和還原劑，其特征在于，還含有選自無機酸及有機酸的1種或2種以上。
4.權(quán)利要求1至3中任一項所述的中和還原劑，其特征在于，pH為4以下。
5.權(quán)利要求1至4中任一項所述的中和還原劑，其特征在于，氧化劑為高錳酸鹽。
6.權(quán)利要求1至5中任一項所述的中和還原劑，其特征在于，被鍍物為具有通孔或盲孔的印刷電路板。
7.一種脫污方法，其特征在于，該方法包括在對被鍍物用氧化劑進行脫污除去處理后，對吸附殘留在被鍍物上的氧化劑成分采用權(quán)利要求1至6中任一項所述的中和還原劑進行中和還原的工序。
全文摘要
本發(fā)明的中和還原劑，其是在對被鍍物用氧化劑進行脫污處理后，對吸附殘留在被鍍物上的氧化劑成分進行中和還原的中和還原劑，本發(fā)明的中和還原劑含有硫代酰胺化合物及非芳香族硫醇化合物。按照本發(fā)明，由于中和還原處理時不產(chǎn)生氣體，故通孔或盲孔表面不產(chǎn)生中和還原不良的現(xiàn)象。另外，由于幾乎不溶解銅，可以抑制白圈的發(fā)生，不發(fā)生由中和還原劑引起的內(nèi)層銅和樹脂間的刻蝕造成的局部隆起。
文檔編號C09K3/00GK102550137SQ201080044880
公開日2012年7月4日 申請日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月8日
發(fā)明者內(nèi)海雅之, 山本久光, 西條義司 申請人:上村工業(yè)株式會社