專利名稱：：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址液晶顯示裝置(LCD)，所述橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是通過滴注(dropfilling)的液晶(LC)滴落(dropping)方法和在濕潤的氣氛如凈室中使LC組合物滴落到基板上的基板組裝方法制備的，具有優(yōu)良的殘留圖像特性并且不形成滴落痕跡(dr叩mark)。
背景技術(shù)：
：配置有由薄膜晶體管(以下稱為TFT)代表的這種有源元件的有源矩陣尋址LCD被廣泛用作顯示終端，因?yàn)樗鼈兙哂斜菴RT高的圖像質(zhì)量以及微小的輕重量體。有源矩陣尋址LCD用于更小尺寸顯示終端，如便攜式裝置、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)和個(gè)人電腦(PC)，但是近來已經(jīng)找到了在TV裝置方面的廣泛應(yīng)用，因?yàn)楦蟮臉悠凡ＡО宓纳a(chǎn)允許顯示更大尺寸的圖像。LCD被要求具有這些特性，如高亮度，高反差比，合適的灰度和高色度區(qū)，并且在TV的應(yīng)用中，被進(jìn)一步要求具有其中如高移動(dòng)圖像顯示性能和寬角度的視場這些特性。有源矩陣尋址LCD包含橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、VA(垂直排列)系統(tǒng)和TN(扭曲向列)系統(tǒng)。在它們之中，橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)有利于實(shí)現(xiàn)高的移動(dòng)圖像顯示性能，因?yàn)橐壕г诎肷{(diào)方面表現(xiàn)出更短的響應(yīng)時(shí)間，并且具有在正視場和斜視場中更小的灰度-亮度特性變化，并且還在斜視場中更高的反差比以提供更寬角度的視場；因此它適于TV應(yīng)用。有源矩陣尋址LCD的VA和TN這兩個(gè)系統(tǒng)都形成在兩個(gè)基板的表面上用于驅(qū)動(dòng)液晶的電極，并且通過使用被安置成與基板相對的電極來施加垂直于基板的電場，以使液晶工作。另一方面，橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)通過下列方式使液晶工作將電壓施加到被安置在一個(gè)基板上的一對梳狀電極上，并且在基板的平行方向上產(chǎn)生電場。使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD由于具有不同于VA和TN系統(tǒng)的電極結(jié)構(gòu)而適應(yīng)液晶的小電容(capacitance)，因此容易受到電場的影響。由于這種原因，橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)由于異常電場而有時(shí)導(dǎo)致取向無序，并且特別是在由于一些原因在LCD的液晶層附近積聚了靜電電荷時(shí)，通過源于靜電電荷的電場產(chǎn)生的取向無序趨向于導(dǎo)致如在顯示中的殘留圖像的問題。'作為用于防止取向無序的方法，日本專利公開7-306417(Dl)公開了使用具有低比電阻的液晶的技術(shù)。Dl描述了降低液晶的電阻是有效的對策，因?yàn)閿U(kuò)大在電極之間的間隙以增加橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的開口率(apertm-eratio)的方法進(jìn)一步降低了液晶的電容，并且趨向于通過靜電使取向無序。另外，日本專利公開11-302652(D2)公開了加入10ppm至10重量％的酸性介晶(mesogenic)化合物如酚衍生物的技術(shù)作為將液晶的比電阻調(diào)節(jié)至預(yù)先指定值的手段。D2描述了將公開的酸性介晶化合物如酚衍生物加入到液晶組合物中的方法降低了液晶組合物的比電阻，阻礙了靜電電荷積聚在LCD的液晶層附近，從而抑制了源于液晶組合物的高比電阻的殘留圖像。D2公開了代表性酸性介晶化合物如酚衍生物是2-氰基-3-氟-5-(4-正丙基-反式-環(huán)己基)苯酚，并且比電阻在上述加入量的范圍內(nèi)較溫和地變化。因此，據(jù)認(rèn)為酸性介晶化合物適合作為用于降低液晶的電阻的材料，這對于橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)是必需的。在制造LCD的過程中，在日本專利公開2006-133251(D3)的"相關(guān)技術(shù)"中描述的滴落和層壓方法被廣泛用作將液晶填充在兩個(gè)基板之間的方法。滴落和層壓方法包括在凈室氣氛中將密封材料涂敷并且將液晶滴落到一個(gè)基板上；將該基板與另一個(gè)基板層壓；通過將一對基板加壓或者利用在所述一對基板的內(nèi)側(cè)和外側(cè)之間的壓差將密封材料加壓/變平而形成間隙；和使所述密封材料固化。這種方法具有因?qū)⒁壕е苯拥温涞交迳隙軌虼蟠罂s短處理時(shí)間以及因需要最小量的液晶而能夠降低昂貴液晶的必需量的特征。該方法還具有能夠提供不必密封入口或者沒有如在常規(guī)的注射方法中的入口的結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。現(xiàn)在將參考圖9描述滴落和層壓方法。首先，通過使用印刷機(jī)將聚酰亞胺溶液涂敷到兩個(gè)基板的表面上，其中一個(gè)基板(TFT基板)配置有薄膜晶體管(TFT)，而相對的基板配置有濾色器和柱狀隔體；有限時(shí)間地(temporarily)燒制基板；和充分燒制基板以形成具有均勻厚度的排列層(步驟(A))。隨后，使用巻繞在旋轉(zhuǎn)金屬輥上的磨光布，將燒制的基板進(jìn)行在固定方向上摩擦排列層表面的摩擦處理(步驟(B))。然后，清洗并且干燥兩個(gè)基板以除去在基板表面上的殘留物(步驟(C))。隨后，使用絲網(wǎng)印刷技術(shù)或分配器繪制技術(shù)，將Ag與由可紫外線固化的樹脂或熱固性樹脂制成的密封材料一起涂敷在一對相對基板中的一個(gè)基板(例如，TFT基板)上；使用濕噴技術(shù)或干噴技術(shù)，將隔體如聚合物珠或二氧化硅珠噴到另一個(gè)基板(例如，相對基板)上；和固定隔體(步驟(D)和(E))。接著，通過使用滴落液晶用的裝置，如用于滴落液晶的分配器，將適當(dāng)量的液晶在常壓下滴落到在一個(gè)基板(這里為TFT基板)上被密封材料環(huán)繞的顯示區(qū)上(步驟(F))。然后，將該基板與另一個(gè)基板(這里為相對基板)在真空中排列和層壓，使得氣泡不能進(jìn)入間隔(步驟(G))。隨后，通過從兩側(cè)按壓一對基板使密封材料變平以形成需要的間隙，并且通過使用紫外線從基板(這里為TFT基板)的背面輻照密封材料使密封材料有限時(shí)間地固化(步驟(H))。通過在預(yù)定溫度進(jìn)一步加熱基板使密封材料充分固化(步驟(I));和在密封材料外面的預(yù)定部分切割一對基板以形成LCD面板(步驟(J》。通過這種滴注和基板組裝方法制造的LCD有時(shí)形成可能導(dǎo)致顯示不均勻性的滴落痕跡(在基板上滴落液晶的位置形成的痕跡)。為了解決該問題，日本專利公開2003-156753(D4)公開了用于通過下列方式消除滴落痕跡的技術(shù)將脫水器安裝在用于儲(chǔ)存液晶的容器和用于滴落液fe的工具之間，從而從液晶中除去水。另外，日本專利公開2003-131244(D5)公開了用于通過下列方式消除滴落痕跡的技術(shù)通過將預(yù)先冷卻的液晶滴落到基板上，降低液晶被吸附到排列層上的速度，并且在層壓基板之前，使液晶在基板的主表面的鋪展方向上快速并且均勻地鋪展。在將直流(DC)施加到LCD上時(shí)，由于容易導(dǎo)致如殘留圖像(圖像重影)的現(xiàn)象，必須通過交流電流(AC)驅(qū)動(dòng)LCD。在LCD單元中，通常以60Hz的頻率顯示一張屏幕(一幀)，并且將每個(gè)屏幕(幀)的圖像信號(hào)施加給液晶，同時(shí)以30Hz的頻率使圖像信號(hào)的極性相反，這被稱為反向(inversion)驅(qū)動(dòng)。反向驅(qū)動(dòng)方法有三種類型。一種是幀反向驅(qū)動(dòng)方法，即，將具有相同極性的信號(hào)輸入到整個(gè)屏幕中并且每當(dāng)驅(qū)動(dòng)預(yù)定數(shù)量的幀之后使極性相反；另一種是線反向驅(qū)動(dòng)方法，即，將每隔預(yù)定數(shù)量的掃描線輸入具有不周極性的信號(hào)，并且每當(dāng)驅(qū)動(dòng)預(yù)定數(shù)量的幀之后使極性相反；并且另一種是點(diǎn)反向驅(qū)動(dòng)方法，即，將每隔預(yù)定數(shù)量的點(diǎn)輸入具有不同極性的信號(hào)，并且每當(dāng)驅(qū)動(dòng)預(yù)定數(shù)量的幀之后使極性相反。從信號(hào)源如個(gè)人電腦輸入LCD的信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中的圖像信號(hào)通常在-一次掃描中繪制所有掃描線，這被稱為逐行掃描法(逐行模式)。另一方面，在目前的電視廣播中的圖像信號(hào)通常使用NTSC系統(tǒng)的隔行掃描法(隔行模式)繪制掃描線。在日本專利公開9-236787(D6)的"相關(guān)技術(shù)的描述"中描述了NTSC系統(tǒng)的隔行模式。隔行模式是將在一個(gè)屏幕(一幀)中的圖像信號(hào)分為只收集奇數(shù)的掃描線的奇數(shù)場和只收集偶數(shù)的掃描線的偶數(shù)場，并且交替顯示奇數(shù)場和偶數(shù)場的方法；并且是通過將信號(hào)量降低至一半而在顯示單元如CRT上顯示平穩(wěn)圖像的技術(shù)。在NTSC系統(tǒng)中，一幀由525根掃描線形成，并且以2:1的比率隔行掃描。另外，一幀是以30Hz的頻率繪制的，并且一個(gè)場(奇數(shù)場或偶數(shù)場)是以60Hz的頻率繪制的。然而，在掃描線的525根線之中，在CRT的顯示區(qū)域中實(shí)際上顯示約480根線。當(dāng)預(yù)期在LCD上顯示隔行模式的圖像信號(hào)時(shí)，必須將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為非隔行模式(非隔行模式或逐行模式)的圖像信號(hào)。將隔行模式的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為逐行模式的圖像信號(hào)的操作被稱為隔行到逐行的轉(zhuǎn)換(IP轉(zhuǎn)換)，并且用于其的電路被稱為IP轉(zhuǎn)換電路。當(dāng)在具有數(shù)量為約480根線的掃描線并且在每一幀通過反向驅(qū)動(dòng)法在30Hz頻率操作的LCD上，顯示在NTSC系統(tǒng)的隔行掃描類型中傳輸?shù)膱D像信號(hào)時(shí)，圖像信號(hào)通過下述方法經(jīng)歷IP轉(zhuǎn)換。更具體而言，該方法具體包括在處于隔行模式的奇數(shù)場和偶數(shù)場的圖像信號(hào)之中，以隔行模式從只是奇數(shù)場的圖像信號(hào)中組合LCD的奇數(shù)(或偶數(shù))的幀；和以隔行模式從只是偶數(shù)場的圖像信號(hào)中組合LCD的偶數(shù)(或奇數(shù))的幀；例如，在隔行模式的奇數(shù)場中的每第(2N-1)(其中N是1以上的整數(shù))根掃描線的顯示中，在LCD的奇數(shù)幀中顯示第(2N-1)根掃描線和第2N根掃描線，隨后，在隔行模式的偶數(shù)場中每第2N根掃描線的顯示中，在LCD的偶數(shù)幀中顯示第(2N-1)根掃描線和第2N根掃描線。當(dāng)通過上述方法進(jìn)行隔行模式中的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換以顯示特定的圖像如橫向條紋的固定圖像時(shí)，產(chǎn)生將DC電壓施加給液晶的問題。圖10A至10C說明了當(dāng)將隔行模式的圖像信號(hào)輸入通常為黑模式并且在每隔一幀使輸入其中的圖像信號(hào)相反的LCD中時(shí)，施加到任意一個(gè)像素中的液晶上的電壓的圖。圖10A說明了當(dāng)顯示白時(shí)施加給液晶的電壓的圖。圖10B說明了當(dāng)顯示黑時(shí)施加給液晶的電壓的圖。圖IOC說明了在其中在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白和黑的橫向條紋顯示中施加給一個(gè)像素的電壓的圖。假定施加給液晶用于顯示白的電壓為E(V)并且施加給液晶用于顯示黑的電壓為0(V)。那么，如在圖10A中所示，當(dāng)顯示白時(shí)，將+E(V)(或-E(V))的電壓施加給奇數(shù)場中的液晶，并且將-E(V)(或+E(V))的電壓施加給偶數(shù)場中的液晶，并且如在圖10B中所示，當(dāng)顯示黑時(shí)，將0(V)施加給奇數(shù)場中的液晶，并且將+E(V)(或-E(V))的電壓施加給奇數(shù)場和偶數(shù)場中液晶。另夕卜，如在圖10C中所示，在橫向條紋顯示中，將+E(V)(或-E(V))的電壓施加給奇數(shù)場中的液晶，并且將O(V)的電壓施加給偶數(shù)場中的液晶，或者將O(V)的電壓施加給奇數(shù)場中的液晶，并且將+E(V)(或-E(V))的電壓施加給偶數(shù)場中的液晶。在用于LCD的上述驅(qū)動(dòng)方法中，當(dāng)顯示白或黑時(shí)，不將DC電壓施加給液晶，但是當(dāng)顯示橫向條紋時(shí)，只施加具有正極性的電壓，并且如在圖10C中所示，將平均為E/2(V)的DC電壓施加到液晶上，從而導(dǎo)致降低顯示質(zhì)量的問題，如殘留圖像。在上述中，橫向條紋的固定圖案是作為一個(gè)實(shí)例描述的，但是在與鄰近第(2N-1)和第2N根掃描線的像素上分別顯示黑(或白)和白(或黑)時(shí)，產(chǎn)生類似的問題，而與反向驅(qū)動(dòng)法的類型(幀反向、線反向或點(diǎn)反向)無關(guān)。作為用于解決所述問題的方法，D6在"實(shí)施本發(fā)明的方式"中公開了反向驅(qū)動(dòng)法，該反向驅(qū)動(dòng)法每當(dāng)顯示預(yù)訂數(shù)量的幀之后使施加到液晶上的電壓極性相反，并且在每隔預(yù)定數(shù)量的幀再使極性相反。然而，上述相關(guān)技術(shù)具有下述問題。第一個(gè)問題是在通過降低液晶組合物的電阻抑制殘留圖像時(shí)出現(xiàn)滴落痕跡。D2公開了通過將酸性介晶化合物，如酚衍生物加入到液晶組合物中以抑制殘留圖像的技術(shù)，所述液晶組合物將被填充在使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD中，但是沒有公開涉及在通過滴注和基板組裝方法制造的LCD中出現(xiàn)的滴落痕跡的技術(shù)。另一方面，作為解決滴落痕跡的方法，D5公開了通過下列方式消除滴落痕跡的技術(shù)通過將預(yù)先冷卻的液晶滴落到基板上，以降低液晶被吸附到排列層上的速度，并且在層壓基板之前，使液晶在基板主表面的鋪展方向上快速并且均勻地鋪展。作為解決該問題的另一種方法，D4公開了通過下列方式消除滴落痕跡的技術(shù)將脫水器安裝在用于儲(chǔ)存液晶的容器和用于滴落液晶的工具之間，從而從液晶中除去水。然而，上述兩種己知的實(shí)例沒有公開用于解決殘留圖像的技術(shù)或者關(guān)于與殘留圖像密切相關(guān)的液晶組合物的信息，因此沒有顯示在滴落痕跡和液晶組合物的降低的電阻之間的因果關(guān)系。第二個(gè)問題是在具有從信號(hào)源輸入到信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中的隔行模式的圖像信號(hào)的LCD中難以抑制殘留圖像。與逐行模式相反，殘留圖像在其中輸入隔行模式的圖像信號(hào)的LCD中變成更頻繁的問題，原因是當(dāng)橫向條紋顯示進(jìn)行，在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白和黑時(shí)，將最大的DC電壓施加給液晶。將在D2中公開的酸性介晶化合物如酚衍生物加入到液晶組合物中以改善殘留圖像，但是公知的實(shí)例沒有公開關(guān)于用于改善殘留圖像的技術(shù)，所述殘留圖像出現(xiàn)在將過度的DC電壓施加到液晶上時(shí)，如在輸入隔行模式的圖像信號(hào)時(shí)的情況下出現(xiàn)，所以殘留圖像的問題在使用隔行模式時(shí)仍然存在。滴落痕跡出現(xiàn)的程度被認(rèn)為是與輸入到LCD中的圖像信號(hào)及其轉(zhuǎn)換方法密切相關(guān)，然而，D5和D4沒有公開關(guān)于其與圖像信號(hào)及其轉(zhuǎn)換方法這種關(guān)系的任何信息。在D6中公開的作為上述問題的對策，用于轉(zhuǎn)換驅(qū)動(dòng)信號(hào)的IP轉(zhuǎn)換方法在防止殘留圖像形成方面是有效的，但是上述IP轉(zhuǎn)換方法具有因?yàn)樾盘?hào)處理程序復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)電路變得昂貴的問題。為了實(shí)現(xiàn)廉價(jià)的電視用LCD，需要在不改變常規(guī)的驅(qū)動(dòng)電路的情況下，例如只通過改變用于液晶組合物的組分材料或者制造條件防止殘留圖像，從而避免成本的增加的技術(shù)。第三個(gè)問題是可能出現(xiàn)可見斑點(diǎn)。D2公開了通過加入酸性介晶化合物如酚衍生物以提供具有特定比電阻的液晶組合物的技術(shù)，但是沒有公開酸性介晶化合物如酚衍生物不導(dǎo)致可見斑點(diǎn)的含量和比電阻。為了解決上述問題，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，可見斑點(diǎn)構(gòu)成與酸性介晶化合物如酚衍生物相關(guān)的現(xiàn)象，原因是使用充滿液晶組合物的橫向電場系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD在組合物包含D2所公開的酸性介晶化合物如酚衍生物時(shí)形成滴落痕跡，并且在組合物不包含酸性介晶化合物時(shí)不形成任何滴落痕跡。換句話說，在D2中公開的液晶組合物不能消除滴落痕跡，防止可見斑點(diǎn)或抑制殘留圖像。上述事實(shí)還意味著在D4和D5中公開的解決滴落痕跡的技術(shù)不能防止滴落痕跡在充滿抑制殘留圖像的這種液晶組合物的LCD中出現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種使用橫向電場系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD,所述橫向電場系統(tǒng)根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)的逐行方法將圖像信號(hào)輸入其中，并且通過滴注和基板組裝方法制造，所述顯示裝置能夠排除殘留圖像、可見斑點(diǎn)和滴落痕跡，并且以高速度響應(yīng)，這是通過相關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)不了的。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD,所述橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)根據(jù)隔行模式將圖像信號(hào)輸入其中，并且通過滴注和基板組裝方法制造，所述顯示裝置能夠排除殘留圖像、可見斑點(diǎn)和滴落痕跡，并且由于液晶組合物在寬的溫度范圍內(nèi)所表現(xiàn)出的向列相，因而可在寬溫度范圍內(nèi)運(yùn)行，這是通過相關(guān)技術(shù)實(shí)現(xiàn)不了的。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，為了在使用在兩個(gè)基板之間充滿添加有酸性介晶化合物如酚衍生物的液晶組合物，并且通過滴注和基板組裝方法制造的橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD中解決滴落痕跡的問題，有效的是將與上述酸性介晶化合物如酚衍生物形成氫鍵的介晶化合物加入到液晶組合物中，并且進(jìn)一步有效的是將含量控制在預(yù)定的當(dāng)量以上，這取決于輸入的圖像信號(hào)而改變。本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)如在將逐行模式的圖像信號(hào)輸入到信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中的情況下，不給液晶施加大的DC電壓時(shí)，通過將上述酸性介晶化合物的指定含量控制到0.00010N以上，可以防止殘留圖像的出現(xiàn)，并且通過將能夠與上述酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物的含量控制到0.265摩爾/L以下并控制到相對于上述酸性介晶化合物為10當(dāng)量以上，可以防止滴落痕跡的出現(xiàn)。本發(fā)明人進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，當(dāng)如在將隔行模式的圖像信號(hào)輸入到信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中的情況下，給液晶施加大的DC電壓時(shí)，通過將上述酸性介晶化合物的含量控制到0.00100N以上，可以防止殘留圖像的出現(xiàn)，并且通過將能夠與上述酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物的含量控制到1.324摩爾/L以下并且控制到相對于上述酸性介晶化合物為150當(dāng)量以上，可以防止滴落痕跡的出現(xiàn)。換句話說，本發(fā)明涉及LCD，所述LCD通過滴注和基板組裝方法充滿液晶組合物，并且產(chǎn)生從信號(hào)源輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中的逐行模式的圖像信號(hào)，所述液晶組合物具有添加有介晶化合物的酸性介晶化合物，所述介晶化合物與上述酸性介晶化合物形成氫鍵；并且特別是涉及這樣的LCD，其中酸性介晶化合物的含量為0.00010N以上，并且能夠與酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物的含量為0.265摩爾/L以下并且相對于上述酸性介晶化合物為IO當(dāng)量以上。本發(fā)明還涉及LCD，所述LCD通過滴注和基板組裝方法充滿液晶組合物，并且產(chǎn)生從信號(hào)源輸入到信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中的隔行模式的圖像信號(hào)，所述液晶組合物具有添加有介晶化合物的酸性介晶化合物，所述介晶化合物與上述酸性介晶化合物形成氫鍵；并且特別是涉及這樣的LCD，其中酸性介晶化合物的含量為0.00100N以上，并且能夠與酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物的含量為1.324摩爾/L以下并且相對于上述酸性介晶化合物為150當(dāng)量以上。所述酸性介晶化合物優(yōu)選為酚衍生物，并且能夠與該酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物優(yōu)選為烷氧基化合物。本發(fā)明提供的LCD是一種使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD，所述橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)通過滴注和基板組裝方法充滿其中添加有酸性介晶化合物如酚衍生物的液晶組合物；使用還將可以與酸性介晶化合物形成氫鍵的介晶化合物預(yù)先加入其中的液晶組合物，從而由于在制造過程中發(fā)生的酸性介晶化合物與水的氫鍵鍵合反應(yīng)，可以防止滴落痕跡形成；并且在逐行模式和隔行模式之間的差別的基礎(chǔ)上使用不同最佳量的介晶化合物，從而在逐行模式中表現(xiàn)出優(yōu)異的殘留圖像特性、滴落痕跡特性、可見斑點(diǎn)特性和響應(yīng)特性，并且在隔行模式中表現(xiàn)出優(yōu)異的殘留圖像特性、滴落痕跡特性、可見斑點(diǎn)特性和低溫特性(液晶相容性)。另外，根據(jù)本發(fā)明的LCD可以提供無需密封入口或者沒有如在常規(guī)注射方法中的入口的結(jié)構(gòu)，因?yàn)榭梢酝ㄟ^這種滴注和基板組裝方法制造有源矩陣LCD。圖1-1是說明根據(jù)本發(fā)明的LCD的示例性實(shí)施方案的像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖l-2是沿著圖1-1的線A-A截取的截面圖；圖1-3是沿著圖1-1的線B-B截取的截面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的LCD的一個(gè)示例性實(shí)施方案的電路構(gòu)造圖；圖3說明了描述根據(jù)本發(fā)明的LCD的制造方法的流程圖；圖4A至4D說明了從涂敷密封材料的步驟開始并且在將基板在真空中層壓的步驟結(jié)束的步驟的截面圖，其用于描述相關(guān)技術(shù)的問題；圖5A禾B5B是在使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的常規(guī)有源矩陣尋址LCD中的顯示像素的截面圖。圖5A說明了滴落液晶的位置，而圖5B說明了另一個(gè)位置；圖6A和6B是在使用根據(jù)本發(fā)明的橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD中的顯示像素的截面圖；圖6A說明了滴落液晶的位置，而圖6B說明了另一個(gè)位置；圖7是顯示在輸入逐行方法的圖像信號(hào)時(shí)出現(xiàn)的效果的圖；圖8是顯示在輸入隔行方法的圖像信號(hào)時(shí)出現(xiàn)的效果的圖；圖9是描述在相關(guān)技術(shù)中的LCD的制造方法的流程圖；和圖10A至10C說明了當(dāng)將隔行方法的圖像信號(hào)輸入通常為黑模式并且每隔一幀使輸入其中的圖像信號(hào)相反的LCD中時(shí)，施加給在任意一個(gè)像素中的液晶的電壓的圖。圖1OA說明了當(dāng)顯示白時(shí)施加到液晶上的電壓的圖。圖IOB說明了當(dāng)顯示黑時(shí)施加給液晶的電壓的圖。圖IOC說明了其中在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白和黑的橫向條紋顯示中施加給一個(gè)像素的電壓的圖。具體實(shí)施方式在本發(fā)明中的"介晶化合物"指在單質(zhì)狀態(tài)中表現(xiàn)出介晶性的化合物或者在與一種或多種其它介晶化合物混合時(shí)表現(xiàn)出介晶性的化合物。滴落痕跡形成的原因推測如下。圖4A至4D說明了從將密封材料102涂敷到一個(gè)基板101上的步驟開始，經(jīng)過將液晶104滴落在被密封材料102包圍的區(qū)域上的隨后步驟，并且在將基板在真空中層壓的步驟結(jié)束的這些步驟。當(dāng)所述步驟在凈室的氣氛中進(jìn)行，即從摩擦基板IOI(在圖4中為TFT基板)的滴落液晶組合物的--側(cè)的步驟開始，經(jīng)過清洗并且干燥基板以除去基板表面上的殘留物的步驟(在圖9中的步驟(C))，并且在使用滴落液晶用的裝置如用于滴落液晶的分配器將液晶滴落到被密封材料102包圍的顯示區(qū)域上的步驟結(jié)束時(shí)，在基板101表面上的排列層吸附在氣氛中的濕氣，并且在基板的最外表面上形成薄水層103(圖4A)。這是因?yàn)樵趦羰抑械臍夥蘸袧駳馐沟迷?5°C的濕度可以是約60%，以防止放電，并且所述水分被吸附到在基板的最外表面上的排列層上。通常，在有機(jī)聚合物材料中，作為排列層的主要組分的聚酰亞胺是較吸濕的材料。接著，使用滴落液晶用的裝置，如用于滴落液晶的分配器，將其中在50Pa的壓力下歷時(shí)1小時(shí)預(yù)先除去所含有的水和氣體的液晶滴落在一個(gè)基板的被密封材料包圍的區(qū)域上(圖4B)。然后，吸附在基板的最外表面上的濕氣被吸收到液晶中，并且與在液晶組合物中含有的酸性介晶化合物如酚衍生物的酸性基團(tuán)形成氫鍵。例如，在由下式(I):(其中R表示含7個(gè)以下的碳原子的烷基或鏈烯基)表示的酚衍生物中的羥基趨向于與水形成氫鍵，因此通過在水分子中的氧和酚衍生物的羥基中的氫之間形成的配位鍵形成氧離子。結(jié)果，氫離子從酚衍生物中的羥基上解離而形成酚鹽離子，從而建立了解離平衡(以下列圖解(A)所示)。接著，在將一個(gè)基板101和相對的基板105在真空中組裝之前，將在其上滴落液晶組合物的一個(gè)基板101保持在真空中。此時(shí)，在沉積在基板的最外表面上的水中，在沒有滴落液晶組合物的位置上的水揮發(fā)并且消失，但是存在于液晶組合物下面的水沒有揮發(fā)并且殘留在基板和液晶之間(圖4C)。然后，當(dāng)將一個(gè)基板101和相對基板105組裝時(shí)，液晶104鋪展在被密封材料102包圍的整個(gè)區(qū)域上。然而，氧離子和酚鹽離子只存在于一個(gè)基板101和液晶之間的界面，因此不鋪展在被密封材料102包圍整個(gè)區(qū)域上，并且保持在滴落液晶的位置內(nèi)(圖4D)。換句話說，大量的氧離子和酚鹽離子存在于滴落液晶的位置的內(nèi)側(cè)，但是離子幾乎不存在于滴落液晶的位置外側(cè)。圖5A和5B是在使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的常規(guī)有源矩陣尋址LCD中的顯示像素的截面圖。圖5A說明了滴落液晶的位置的內(nèi)側(cè)，而圖5B說明了滴落液晶的位置的外側(cè)。在LCD中，饋通電壓具有在顯示部分中的分布，原因是由于布線的電阻的增加，柵極信號(hào)變鈍(dull)。施加到液晶上的驅(qū)動(dòng)電壓與其極性在每隔預(yù)定的幀相反的漏極電壓偏差饋通電壓的量，但是共用電極電勢在整個(gè)顯示部分中均是相等的。結(jié)果，將DC電壓施加到在顯示部分的一部分中的液晶上。特別是近年來，隨著LCD變大并且細(xì)化(refmed)，從顯示部分的末端到中心部分的長度變得更長，并且線的寬度變得更窄，并且同時(shí)，饋通電壓傾向于增加其不均勻性。例如，在具有屏幕尺寸為21.3英寸的UXGA(長度1，200像素，寬度1,600像素)的LCD中，共用電極電勢在顯示部分中具有最大為約0.3V的變化。因此，在上述LCD中必然將最大為0.3V的DC電壓施加到液晶上。以這種方式，當(dāng)將約0.3V的DC電壓施加到液晶上時(shí)，在如圖5A中所示將液晶滴落于其上的位置的內(nèi)部，液晶的比電阻顯著降低，原因是由排列層406的表面上的水以及酚衍生物形成的氧離子411和酚鹽離子410，以及施加到液晶上的DC電壓在短時(shí)間內(nèi)消除。當(dāng)在分子水平上觀察到該現(xiàn)象時(shí)，氧離子411和酚鹽離子410似乎移動(dòng)，從而消除施加到液晶上的DC電壓。另一方面，在其上滴落液晶的位置的外側(cè)中，酚衍生物412以與如圖5B中所示在其上滴落液晶的位置中相同的濃度存在，但是因?yàn)樵谀抢锏乃嬖谧钌?，所以氧離子和酚鹽離子產(chǎn)生最少。因此，與在其上滴落液晶的位置的內(nèi)側(cè)相比，在其上滴落液晶的位置的外側(cè)中氧離子和酚鹽離子以更少的量存在，所以液晶的比電阻被保持較高，并且全部DC電壓沒有被消除。在使用通常處于黑模式的橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的LCD中，因?yàn)橄薉C電壓，所以在其上滴落液晶的位置的內(nèi)側(cè)變得更黑，同時(shí)因?yàn)檫B續(xù)施加DC電壓，所以該位置的外側(cè)更亮，并且作為結(jié)果，在其上滴落液晶的位置被認(rèn)為是滴落痕跡。在圖5A和5B中，附圖標(biāo)記401表示第一透明基板(TFT基板)，附圖標(biāo)記402表示第一夾層絕緣膜，附圖標(biāo)記403表示共用電極，附圖標(biāo)記404表示第二夾層絕緣膜，附圖標(biāo)記405表示像素電極，附圖標(biāo)記407表示液晶，并且附圖標(biāo)記408表示第二透明基板(相對基板)。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的LCD使用含有介晶化合物的液晶組合物，所述介晶化合物可以與酚衍生物形成氫鍵，特別是與烷氧基化合物形成氫鍵，該垸氧基化合物具有與液晶組合物優(yōu)異的相容性并且由下式(II)表示，并且防止由于酚衍生物與水的反應(yīng)而形成氧離子和酚鹽離子。所述液晶組合物不但含有酚衍生物，而且含有例如等量或更多的由下式(n)表示的烷氧基化合物(II)(其中R,是含7個(gè)以下的碳原子的烷基或鏈烯基；并且OR2表示含10個(gè)以下的碳原子的烷氧基)。作為結(jié)果，大部分酚衍生物與如以下列圖解B所示的烷氧基化合物形成氫鍵圖解B圖6A和6B是說明在使用根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方案的橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD中的顯示像素的截面圖。圖6A說明了在其上滴落液晶的位置的內(nèi)側(cè)，而圖6B說明了在其上滴落液晶的位置的外側(cè)。在如圖6A中所示在其上滴落液晶的位置的內(nèi)側(cè)，水409存在于排列層406的表面上，但是大部分酚衍生物412與烷氧基化合物413形成氫鍵，原因是液晶組合物含有相對于酚衍生物412等量或更多的垸氧基化合物413。因此，氧離子和酚鹽離子產(chǎn)生最少。另外，在如圖6B中所示在其上滴落液晶的位置的外側(cè)，有很少的水，除此之外，酚衍生物412與烷氧基化合物413形成氫鍵。因此，不生成氧離子和酚鹽離子。因此，施加到在其上滴落液晶的液晶位置的外側(cè)和內(nèi)側(cè)上的DC電壓大致相等，所以滴落痕跡沒有消失。另外，當(dāng)將DC電壓施加到具有不含酚衍生物412并且表現(xiàn)出高比電阻的組合物的液晶上時(shí)，因?yàn)殪o電電荷積聚在液晶層相鄰處，所以殘留圖像消失。然而，在本發(fā)明中的液晶組合物含有酚衍生物，從而降低其比電阻，因此由于阻礙了靜電電荷在液晶層附近的積聚，所以表現(xiàn)出合適的殘留圖像特性。在本發(fā)明中的示例性實(shí)施方案1和示例性實(shí)施方案2使用下述酚衍生物(I-1)作為酸性化合物，但是可以使用另一種酸性化合物，只要該化合物是這樣的酸性化合物即可溶解于液晶組合物中，具有與在上述酚衍生物中相同的氫解離常數(shù)，并且當(dāng)將0.00050N該化合物加入到比電阻在1.0x10'^cm至l.Ox10"Qcm的范圍內(nèi)的液晶組合物中時(shí)，液晶組合物的比電阻降低到1.0x10"Qcm至1.0x1012Qcm的范圍。在本發(fā)明的液晶組合物中含有的酸性介晶化合物可以是由式(l)或式(2)表示的取代苯酚或由式(3)或式(4)表示的取代苯甲酸。X1X2R-(A1-ZV(A2-Z2)m-(A3-Z3)。~^Q)~~X5(1)(在式(l)中，R是H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子相互直接結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地地被-O-、-S-、^>~、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R是CN、F、Cl或COOR'，或者在適合時(shí)為OH;R'是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR');A1、八2和八3各自獨(dú)立為(a)l,4-亞環(huán)己基或反式-l，4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被O和/或S代替，(b)l,4-亞苯基，另外，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1，4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l,4-二基、萘-2,6-二基、十氫化萘-3，6-二基或1,2,3，4-四氫化萘-2,6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立地為未取代的、被F單取代或多取代。Z'、Z2和Z3各自獨(dú)立為-CO-O-,-O-CO-，-COCH2-，-CH2-CO-，-CH20-，-OCHr,-CH2CH2-，-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)4-，-(CH2)3CO-，-(CH2)2-0-CO-，-(CH2)r(CO-0)-，-CH=CH-CH2-CH2-，-CH2-CH2-CH=CH-，-CH2-CH二CH-CH2-或單鍵；n，m和o各自獨(dú)立為O或l;X1,X2,X3,X4和X5各自獨(dú)立為OH，F(xiàn)，CI,COOR',N02，CN，COOH或H，并且X',X2，X3，XinX5中的至少一個(gè)是OH)。X1X2Ri-(A1-ZV(A2-Z2)m~^〔〕)_(A3_Z3)。_R2(2)X3X4(在式(2)中，R'和Fe獨(dú)立為H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的垸基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子相互直接結(jié)合的這樣的一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、~o、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R"和I^是CN、F、Cl或COOR'，或者在適合時(shí)為OH;R'是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR');A1、八2和八3各自獨(dú)立為(a)l,4-亞環(huán)己基或反式-l,4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被O和/或S代替，(b)l，4-亞苯基，另外，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1,4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l，4-二基、萘-2,6-二基、十氫化萘_3,6-二基或1,2，3，4-四氫化萘-2,6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立為未取代、被F單取代或多取代-，Z1、Z2禾nZ3各自獨(dú)立為-CO-O-,-O-CO-,-COCH2-，-CH2-CO-，-CH20-，-OCH2-，-CH2CH2-，-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)4-，-(CH2)3CO-，-(CH2)2-0-CO-，-(CH2)2-(CO-0)-，-CH=CH-CH2-CH2-，-CH2-CH2-CH=CH-，-CH2-CHK:H-CH2-或單鍵；n、m和o各自獨(dú)立為O或l;X1,X2,X3和乂4各自獨(dú)立為OH,F，Cl，COOR'，N02，CN,COOH或H，并且X'，X^和X"中的至少一個(gè)是OH)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(在式(3)中，R為H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的垸基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子相互直接結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、~0~、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R是CN、F、Cl或COOR'，或者在適合時(shí)為OH;R'是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR');A,、八2和八3各自獨(dú)立為(a)1,4-亞環(huán)己基或反式-1,4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被O禾口/或S代替，(b)l,4-亞苯基，另外，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1,4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l,4-二基、萘-2，6-二基、十氫化萘-3，6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立為未取代、被F單取代或多取代；Z,、Z2和Z3各自獨(dú)立為-CO-O-,-O-CO-，-COCH2-，-CH2-CO-，-CH20-，-OCHr,-CH2CH2-，-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)4-，-(CH2)3CO-，-(CH2)2-0-CO-，-(CH2)2-(CO-0)-，-CH=CH-CH2-CH2-，-CH2-CH2-CH=CH-，-CH2-CH-CH-CH2-或單鍵；n、m和o各自獨(dú)立為O或l;XhX2,X3,X4和X5各自獨(dú)立為OH,F，Cl,COOR',N02，CN,COOH或H，并且X,,X2,X3,X4和X5中的至少一個(gè)是COOH)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage19</formula>(在式(4)中，Rt和R2獨(dú)立為H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子相互直接結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、~o~、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-o-co-o-代替，或者備選地，W和r2是cn、f、Cl或coor'，或者在適合時(shí)為OH;R'是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR');A1、八2和八3各自獨(dú)立為(a)l,4-亞環(huán)己基或反式-l,4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被O和/或S代替，(b)l,4-亞苯基，另外，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1，4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l，4-二基、萘-2，6-二基、十氫化萘-3,6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立為未取代、被F單取代或多取代；Z,、Z2禾卩Z3各自獨(dú)立為-CO-O-,-O-CO-，-COCH2-，-CH2-CO-，-CH20-，-OCH2-，-CH2CH2-，-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)4-，-(CH2)3CO-，-(CH2)2-0-CO-，-(CH2)r(CO-0)-，-CH=CH-CH2-CH2-，-CH2-CH2-CH=CH-，-CH2-CH二CH-CH2-或單鍵；n、m和o各自獨(dú)立為0或1;X,，X2，乂3禾口乂4各自獨(dú)立為OH,F,CI,COOR',N02,CN，COOH或H，并且X,，X2，X3和X4中的至少一個(gè)是COOH)。另外，能夠與酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物可以被使用，只要是可以與在上述酸性介晶化合物中的OH基團(tuán)或COOH基團(tuán)形成氫鍵的化合物即可，并且在由式(5)至(8)表示的烷氧基化合物之中，特別是可以使用與由式(1)和(2)表示的酚衍生物的OH基團(tuán)，和由式(3)和(4)表示的苯甲酸衍生物的COOH基團(tuán)形成氫鍵的垸氧基化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>(在式(5)中，R是H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-o-、-s-、^0~、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R是CN、F、Cl或COOR'，或者在適合時(shí)為OH;R'是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR');A1、A^口V各自獨(dú)立為(a)l，4-亞環(huán)己基或反式-l，4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被O禾口/或S代替，(b)l,4-亞苯基，另外，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1,4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l,4-二基、萘-2,6-二基、十氫化萘-3,6-二基或1，2,3,4-四氫化萘-2,6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立為未取代、被F單取代或多取代；Z,、Z2和Z3各自獨(dú)立為-CO-O-,-O-CO-,-COCH2-，-CH2-CO-，-CH20-，-OCHr,-CH2CHr,-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)r,-(CH2)3CO-，-(CH2)2-0-CO-，-(CH2)2-(CO-0)-，-CH=CH-CH2-CH2-，-CH2-CH2-CH=CH-，-CH2-CH-CH-CH2-或單鍵；n、m和o各自獨(dú)立為O或l;X,，X2，X3,X4和X5各自獨(dú)立為OH,F,Cl,COOR',N02,CN，COOH,OR"或H，R"是H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的垸基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、乂卜、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R"是CN、F、Cl或COOR"'，或者在適合時(shí)為OH;R'"是H或r"(其中排除CN、F、OH或COOR");并且X,，X2，X3，X4和X5中的至少一個(gè)是OR')。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>(在式(6)中，R是H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、^(^、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R是CN、F、Cl或COOR'，或者在適合時(shí)為OH;R，是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR');A,、A2和A3各自獨(dú)立為(a)l，4-亞環(huán)己基或反式-l,4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被O和/或S代替，(b)l，4-亞苯基，另外，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1，4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l，4-二基、萘-2,6-二基、十氫化萘-3,6-二基或1，2，3,4-四氫化萘-2,6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立為未取代的、被F單取代或多取代的；Z,、Z2和Z3各自獨(dú)立為-CO-O-,-O-CO-,-COCHr，-CH2-CO-，-CH20-，-OCH2-，-CH2CH2-，-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)4-，-(CH2)3CO-，-(CH2)2-0-CO-，-(CH2)r(CO-0)-，-CH=CH-CH2-CH2-，-CH2-CH2-CH=CH-，n、m和o各自獨(dú)立為O或l;Xl5X2,X3,X4和X5各自獨(dú)立為OH，F(xiàn),Cl，COOR'，N02,CN,COOH,OR"或H;R"是H，各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、《—、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R"是CN、F、Cl或COOR'"，或者在適合時(shí)為OH;R"'是H或R"(其中排除CN、F、OH或COOR");并且XhX2，X3，X4和X5中的至少一個(gè)是OR')。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>(在式(7)中，R,和R2各自獨(dú)立為H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)0原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、^>"、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R,和R2是CN、F、Cl或COOR'，或者在適合時(shí)為OH;R'是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR');A1、八2和八3各自獨(dú)立為(a)l,4-亞環(huán)己基或反式-l，4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被0和/或S代替，(b)l,4-亞苯基，另夕卜，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1,4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l，4-二基、萘國2,6-二基、十氫化萘-3,6-二基或1,2，3,4-四氫化萘-2,6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立為未取代的、被F單取代或多取代的；Z^Z2和Z3各自獨(dú)立為-CO-O-，-O-CO-,-COCH2-，-CH2-CO-，-CH20-，-OCH2-，-CH2CH2-，-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)4-，-(CH2)3CO-，-(CH2)2-0-CO-，-(CH2)2-(CO-0)-，-CH=CH-CH2-CH2-，-CH2-CH2-CH=CH-，-CH2-CENCH-CH2-或單鍵；n、m和o各自獨(dú)立為O或l;XhX2,X3和X4各自獨(dú)立為OH,F，CI,COOR'，N02,CN,COOH，OR"或H;R"是H，各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、~<^、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R"是CN、F、Cl或COOR"'，或者在適合時(shí)為OH;R'"是H或R"(其中排除CN、F、OH或COOR");并且X,，X2，X3和X4中的至少一個(gè)是OR')。X1X2Ri-(A1-ZV(A2-Z2)m~(C〕)^(A3-Z3)。-R2(8)X3X4(在式(8)中，R,和R2各自獨(dú)立為H、各自具有1或2至15個(gè)碳原子的垸基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、~<h、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R,和R2是CN、F、Cl或COOR'，或者在適合時(shí)為OH;R，是H或R(其中排除CN、F、OH或COOR，)；A"A2和A3各自獨(dú)立為(a)l,4-亞環(huán)己基或反式-l，4-亞環(huán)己烯基，另外，其中一個(gè)或多個(gè)不相鄰的CH2基團(tuán)可以被O和/或S代替，(b)l，4-亞苯基，另外，其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以被N代替，和(c)1，4-雙環(huán)[2.2.2]辛烯-二基、哌啶-l,4-二基、萘-2,6-二基、十氫化萘-3,6-二基或1,2,3，4-四氫化萘-2，6-二基，其中(a)和(b)獨(dú)立為未取代、被F單取代或多取代的；z卜Z2和Z3各自獨(dú)立為-co-o-,-o-co-,-coch2-，-ch2-co-，-ch20-，-OCH2-，-CH2CH2-，-CH=CH-，二苯乙炔基，-(CH2)4-，-(CH2)3CO-，-cch2;)2-0-co-,《ch2)2-(co-c0-，-ch=ch-ch2-ch2-，-ch2-ch2-ch=ch-，-CH2-CHK:H-CH2-或單鍵；n、m和o各自獨(dú)立為O或l;XbX2，X3和X4各自獨(dú)立為OH，F(xiàn)，CI,COOR'，N02，CN,COOH,OR"或H;R"是H，各自具有1或2至15個(gè)碳原子的烷基或鏈烯基，其是未取代的、被CN或CF3單取代或多取代的，另外，其中在這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)可以以沒有兩個(gè)O原子直接相互結(jié)合的這樣一種方式相互獨(dú)立地被-O-、-S-、《—、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-代替，或者備選地，R"是CN、F、Cl或COOR"'，或者在適合時(shí)為OH;R"'是H或R"(其中排除CN、F、OH或COOR");并且X,,X2,Xs和X4中的至少一個(gè)是OR')。這些烷氧基化合物預(yù)先包含于液晶組合物中，但是近年來在需要具有提高的響應(yīng)速度的LCD中趨向于不使用它們。根據(jù)本發(fā)明通過滴注和基板組裝方法制造的LCD使用這種近年來趨向于不使用的垸氧基化合物，從而表現(xiàn)出能夠防止因酸性介晶化合物的不均勻分布所致的滴落痕跡的非常顯著的效果。通常，通過稱量如液晶組合物的被包含組分，然后將它們混合(以下稱為在滴落之前的液晶)而制備液晶組合物。根據(jù)本發(fā)明的液晶組合物還通過將包含的每一種組分稱重，然后將它們混合而制備，因此容易將酚衍生物和烷氧基化合物調(diào)節(jié)為預(yù)定含量。而且，本發(fā)明人通過儀器分析比較了在將它們滴落之前和在將它們滴落并且密封于LCD中之后的液晶組成(composition)，并且證實(shí)了在酚衍生物和垸氧基化合物的這兩種液晶組成之間的差別分別是約10%，從而不可能對本發(fā)明的結(jié)果具有任何影響?？梢酝ㄟ^氣相色譜-質(zhì)譜法(GCMS)測定在液晶組合物中含有的酚衍生物和烷氧基化合物的以重量％計(jì)的含量。GCMS是將氣相色譜分析方法(GC)與質(zhì)譜法(MS:質(zhì)量)組合的分析方法。GCMS分析方法通過下列方式鑒別化合物將液晶組合物溶解于體積大100倍至10，000倍的有機(jī)溶劑如丙酮中，使溶液通過稱為氣相色譜分析儀的柱子的分離用薄管，以分離在液晶組合物中含有的每一種組分，并且使它們以多個(gè)峰的形式出現(xiàn)，隨后通過使用質(zhì)譜分析儀測量質(zhì)譜以鑒別分離的峰是什么類型的化合物。在氣相色譜分析中出現(xiàn)的每一種組分的峰的強(qiáng)度通常都不等于每一種組分的含量。具體而言，當(dāng)通過氣相色譜技術(shù)分析含有化合物(A)和化合物(B)的重量的混合物時(shí)，兩個(gè)峰的面積并不總是相等。所述值是通過利用校正因子校正的。當(dāng)通過使用氣相色譜技術(shù)分析例如以任意比率包含化合物(A)和化合物(B)的混合物時(shí)，可以通過下列步驟確定化合物(A)與化合物(B)的重量比首先，測量化合物(A)和化合物(B)各自的相對靈敏度，即每一種化合物的峰面積與標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)如甲苯的峰面積的比率；確定校正因子，它是相對靈敏度的倒數(shù)；以及將化合物(A)和化合物(B)各自的峰面積乘以各自的校正因子。以任意的液晶組成含有的組分的校正因子是未知的，但是幸運(yùn)的是，每一種組分的校正因子都近似為1，所以在氣相色譜分析中獲得的每一種組分的峰面積的比率可以被認(rèn)為是每一種組分的重氣相色譜分析的分析精度取決于檢測器，但是當(dāng)將用作普通的檢測器的火焰電離檢測器(FID)作為一個(gè)實(shí)例時(shí)，相對于lmg的被引入溶液，最小的檢測量為25ng。假設(shè)使用丙酮溶液將液晶組合物稀釋到400倍，則該值對應(yīng)在初始液晶組合物中含有的組分的0.001重量％的量。將參考圖1描述使用根據(jù)本發(fā)明的橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD的像素結(jié)構(gòu)。首先，將參考沿著圖1-1的平面圖和沿圖1-1的線A-A截取的截面圖(圖l-2)描述在其上形成TFT的TFT基板10的結(jié)構(gòu)。TFT基板10由下列組成第一透明基板lh形成在上面的第一夾層絕緣膜12;在上述第一夾層絕緣膜12上形成的像素輔助電極13和數(shù)據(jù)線14;和進(jìn)一步在像素輔助電極13和數(shù)據(jù)線14上形成的第二夾層絕緣膜17。第二夾層絕緣膜17具有雙層結(jié)構(gòu)，在該雙層結(jié)構(gòu)中，從基板側(cè)依次層疊氮化硅膜15和透明的丙烯酸類樹脂膜16。在第二夾層絕緣膜17上，安置包含ITO的像素電極18，ITO為透明導(dǎo)電膜；和共用電極19。像素電極18和共用電極19相互平行，并且具有沿著數(shù)據(jù)線14的延伸方向(摩擦方向)的Z字形結(jié)構(gòu)。在第一透明基板11和第一夾層絕緣膜12之間，安置掃描線31，并且將TFT安置在上述數(shù)據(jù)線14和上述掃描線31的交叉點(diǎn)附近。TFT具有如在沿著圖1-1的線B-B截取的截面圖(圖l-3)中所示的結(jié)構(gòu)，其中在柵極電極(掃描線31)上的第一夾層絕緣膜12上形成非晶硅32，并且通過歐姆層33將上述非晶硅32連接到漏極電極34和源極電極35。通過被安置在源極電極35上的第二夾層絕緣膜17的接觸孔36，將TFT的源極電極35連接到在第二夾層絕緣膜17上由ITO制成的像素電極18上。而且，如在圖l-l的平面圖中所示，將共用電極布線37安置在第一透明基板ll和第一夾層絕緣膜12之間的位置上。通過形成在第一夾層絕緣膜12和第二夾層絕緣膜17之間的接觸孔38，將由ITO制成的共用電極19連接到共用電極布線37上。將濾色器基板20安置在上述TFT基板10的相對側(cè)。濾色器基板20包含形成在第二透明基板22上的黑底(blackmatrix)23和著色層24。在上述著色層24和上述黑底23上形成外涂膜25，并且將用于形成間隙的柱狀隔體(未顯示)安置在上述外涂膜25上。將柱狀隔體安置在面向安置柵極布線的區(qū)域的位置，并且不將數(shù)據(jù)線和非晶硅安置在TFT基板10上。將由聚酰亞胺等制成的具有均勻厚度的排列層40形成于在TFT基板10和濾色器基板20的相對表面上，并且進(jìn)行摩擦處理(稍后描述)。然后，將液晶41安置在兩個(gè)基板之間。另外，將偏振片42分別安置在TFT基板10和濾色器基板20的外表面上。另外，將導(dǎo)電層21安置在濾色器基板20的偏振片42的內(nèi)側(cè)。其次，將參考圖3描述在本發(fā)明中的一個(gè)示例性實(shí)施方案的制造LCD的方法。所述制造方法首先包括清洗兩個(gè)基板，即TFT基板和濾色器基板(相對基板)；使用紅外線將它們干燥(IR干燥)以使水蒸發(fā)；通過使用印刷機(jī)將聚酰亞胺溶液涂敷到兩個(gè)基板的表面上；將基板有限時(shí)間地?zé)?；將基板充分燒制以形成具有均勻厚度的排列?步驟(A));和使用巻繞在旋轉(zhuǎn)金屬輥上的磨光布，將燒制的基板進(jìn)行在固定方向上摩擦排列層表面的摩擦處理(步驟(B))。此時(shí)，如在圖1-1中所示，將摩擦方向設(shè)定為垂直于掃描線31的延伸方向。像素電極18和共用電極19相互平行，并且被設(shè)定為在與摩擦方向?qū)ΨQ的方向上彎曲(inflect)。例如，可以將由摩擦方向和像素電極18或共用電極19的縱向形成的角度((3)設(shè)定為15°。所述制造方法包括隨后清洗并且干燥兩個(gè)基板以除去在基板表面上的殘留物(步驟(C))。然后，使用絲網(wǎng)印刷技術(shù)或分配器繪制技術(shù)，將由可紫外線固化的樹脂或熱固性樹脂制成的密封材料涂敷到在一對相對基板中的一個(gè)基板(例如TFT基板)上的顯示部分的周圍(步驟(D))。隨后，通過在凈室氣氛中使用滴落液晶用的裝置，如用于滴落液晶的分配器，將適當(dāng)量的根據(jù)本發(fā)明的液晶組合物滴落在一個(gè)基板(這里為TFT基板)上的被密封材料包圍的顯示部分上，所述液晶組合物己經(jīng)通過將該液晶組合物留置于真空中而被預(yù)先除去污染水分或氣體組分(步驟(E));并且將該基板與另一個(gè)基板(這里為濾色器基板)在真空中排列和層壓，使得氣泡不能進(jìn)入間隔(步驟(F))。基板通過下列方法組裝將基板在常壓下放置于真空室中的臺(tái)上，并且在經(jīng)過例如約90秒的同時(shí)，將真空室減壓到1Pa。隨后，所述制造方法包括通過從兩側(cè)按壓所述一對基板，以將密封材料變平，從而形成需要的間隙；和通過使用紫外線等從基板(這里為TFT基板)的背面輻照密封材料，使密封材料有限時(shí)間地固化(步驟(G));通過將基板在預(yù)定溫度下進(jìn)一步加熱使密封材料充分固化(步驟(H));和在密封材料的外側(cè)的預(yù)定部分切割所述一對基板(步驟(I))。然后，將偏振片組裝以形成LCD面板。組裝在第一透明基板上的偏振片，使得其偏振光透射軸基本上平行于排列層的摩擦方向，所述排列層形成在第一透明基板上。另一方面，組裝在第二透朋基板上的偏振片，使得其偏振光透射軸基本上垂直于排列層的摩擦方向，所述排列層形成在第二透明基板上。隨后通過將下列裝置安裝在LCD面板上完成LCD:轉(zhuǎn)換板，其配置有源極驅(qū)動(dòng)器、柵極驅(qū)動(dòng)器、背光、電源電路和信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，該信號(hào)轉(zhuǎn)換電路用于將輸入的模擬型圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為8位(256灰度)的數(shù)字型信號(hào)；接口板，其配置有用于輸出背光變換器的控制信號(hào)的控制電路；和配置有數(shù)據(jù)處理電路的信號(hào)處理板。圖2是根據(jù)本發(fā)明的LCD的一個(gè)示例性實(shí)施方案的電路構(gòu)造圖，并且說明了用于根據(jù)從信號(hào)源51輸送的圖像信號(hào)驅(qū)動(dòng)具有上述像素結(jié)構(gòu)的LCD面板58的電路結(jié)構(gòu)。在圖像信號(hào)為隔行模式時(shí)，該電路通過預(yù)定的IP轉(zhuǎn)換方法將從信號(hào)源51輸入到例如信號(hào)轉(zhuǎn)換電路52中的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)，并且在圖像信號(hào)為逐行模式時(shí)，該電路直接或通過預(yù)定的形式將從信號(hào)源51輸入到例如信號(hào)轉(zhuǎn)換電路52中的圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)據(jù)，并且將轉(zhuǎn)換的數(shù)據(jù)傳輸?shù)娇刂撇糠?3中。存儲(chǔ)部分54由用于在其中存儲(chǔ)處理程序或各種數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器形成，并且將必需的數(shù)據(jù)或程序傳輸?shù)娇刂撇糠?3中，或者存儲(chǔ)從控制部分輸送到其中的數(shù)據(jù)。而且，控制部分53將預(yù)定的控制信號(hào)輸送到柵極驅(qū)動(dòng)器55、源極驅(qū)動(dòng)器56和背光裝置57中以控制它們。附圖標(biāo)記59表示信號(hào)處理板。根據(jù)本發(fā)明的LCD是使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD,但是可以廣泛用于LCD的制造，該LCD是使用含有酸性介晶化合物的液晶組合物，通過滴注和基板組裝方法制造的。本發(fā)明涉及使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD，但是對于在使用酸性化合物降低液晶的電阻的所有LCD中，如在STN(超扭曲向列)LCD中防止殘留圖像和滴落痕跡是有效的。根據(jù)本發(fā)明的使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD是IPS(面內(nèi)轉(zhuǎn)換)LCD，其中像素電極和共用電極位于相同層中，并且接觸排列層，但是像素電極可以形成與共用電極不同的層。另外，像素電極或共用電極或兩個(gè)電極可以不與排列層接觸。而且，根據(jù)本發(fā)明的LCD可以適用于使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的FFS(散射場轉(zhuǎn)換)型的有源矩陣尋址LCD的。下面，本發(fā)明將參考實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，但是并不限于這些實(shí)施例。實(shí)施例1.在實(shí)施例1中的LCD使用這樣的液晶組合物，在所述液晶組合物中，將0.0125重量％的由上述式(1)表示的酚衍生物和4重量°/。的由上述式(11)表示的烷氧基化合物加入到基礎(chǔ)液晶組合物中，所述基礎(chǔ)液晶組合物具有在25。C例如為5.0xl013Qcm的比電阻并且不將手性試劑加入其中。上述液晶組合物主要包含末端氟化的化合物和末端含氟化合物，并且是基于用于橫向電場型的顯示裝置的液晶混合物，和用于在D2的"0036"中引用的每一份專利文件(GB2310669，EP0807153,DE19528104,DE19528107,EP0768359,DE19611096和DE19625100)中描述的這些LCD的混合物的概念制備的。上述液晶組合物還使用2-氰基-3-氟-5-(4-正丙基-反式-環(huán)己基)苯酚(以下稱為酚衍生物(I-1))作為上述酚衍生物，原因是該酚化合物隨著含量變化比較逐漸地改變液晶組合物的比電阻，并且容易調(diào)節(jié)電阻值，這在上述己知的現(xiàn)有技術(shù)中是已知的。而且，使用其中在上述式(II)中R"為丙基并且R2為甲基的化合物(以下稱為烷氧基化合物(II-1))作為上述垸氧基化合物，因?yàn)槭?n)的烷氧基化合物被認(rèn)為是根據(jù)國際專利申請11-510199的日本公布的權(quán)利要求9的式XVII，并且具有低的粘度和低的揮發(fā)性。另外，在本發(fā)明中所有的摩爾濃度都由在25。C的值表示。式(I-1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>式(II-1)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>現(xiàn)在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1描述當(dāng)將逐行模式的圖像信號(hào)從信號(hào)源輸入到在使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD中的信號(hào)轉(zhuǎn)換電路時(shí)出現(xiàn)的操作效果。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1的LCD表現(xiàn)出優(yōu)良的殘留圖像特性。這是因?yàn)長CD含有0.0125重量％的酚衍生物(1-1)。在實(shí)施例1的LCD中使用的液晶組合物在將酚衍生物(I-l)和烷氧基化合物(II-l)加入到液晶組合物之前表現(xiàn)出5.0x1013Qcm的比電阻，并且在只將烷氧基化合物(II-l)加入到液晶組合物之后表現(xiàn)出5.0x1(^Dcm的比電阻，因而沒有變化。然而，進(jìn)-一步添加酚衍生物(I-1)的示例性實(shí)施方案1,的液晶組合物表現(xiàn)出5.0x10'"Qcm的降低的比電阻，因此，表現(xiàn)出合適的殘留圖像特性。除0.0125重量％的酚衍生物(1-1)以外，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1中的液晶組合物還含有4重量％的垸氧基化合物(11-1)。酚衍生物(I-1)具有261的分子量，并且根據(jù)實(shí)施例1的液晶組合物具有在25°C為1.05g/ml的密度，使得在由摩爾濃度，即每1升液晶組合物的物質(zhì)的量(摩爾)表示時(shí)，在液晶組合物中的酚衍生物(I-1)的含量為0.00050摩爾/L。換句話說，當(dāng)由當(dāng)量濃度表示時(shí)，酚衍生物(I-1)的濃度為0.00050N，因?yàn)榉友苌?I-1)是--價(jià)酸。這里，當(dāng)量濃度是通過將摩爾濃度乘以酸/堿的價(jià)而計(jì)算的。而且，以摩爾濃度計(jì)，烷氧基化合物(II-1)的含量為0.176摩爾/L，因?yàn)橥檠趸衔?II-1)的分子量為238。所述液晶組合物含有其量相當(dāng)于酚衍生物(I-1)的約352當(dāng)量的烷氧基化合物(II-1)，換句話說，含有相對于酚衍生物(I-l)為10當(dāng)量以上的垸氧基化合物(II-1)。然后，由于下述原因，LCD沒有表現(xiàn)出滴落痕跡。換句話說，根據(jù)實(shí)施例1的LCD可以同時(shí)解決殘留圖像特性和滴落痕跡的兩個(gè)問題。表1至4顯示了在通過使用上述用于制造LCD的方法包含于LCD中的液晶組合物中的酚衍生物和垸氧基化合物的含量分別與殘留圖像特性、可見斑點(diǎn)特性、滴落痕跡特性和響應(yīng)特性之間的關(guān)系。將逐行模式的圖像信號(hào)從信號(hào)源輸入到LCD的信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中，所述LCD含有在表1至4中所示的液晶組合物。另外，在表1至4中的LCD中的液晶組合物中的酚衍生物和烷氧基化合物的含量是通過拆開LCD并且分析含有的液晶組合物的化學(xué)組成而獲得的值。在LCD連續(xù)8小時(shí)顯示格旗圖，其中各自具有一側(cè)由100個(gè)像素形成的方塊形狀的黑(O灰度)顯示部分和白(255灰度)顯示部分交替排列，隨后LCD顯示具有127灰度的純色圖像(solidimage)達(dá)30分鐘之后，測試在表1中所示的殘留圖像特性；并且當(dāng)在具有127灰度的純色圖像上，沒有看到與上述格旗圖的位置匹配的亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"o"，并且在看到亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"x"。在LCD被置于保持在60°C的溫度和60%的濕度的恒溫恒濕室中，并且顯示白(256灰度)顯示達(dá)1000小時(shí)之后，測試出在表2中所示的可見斑點(diǎn)特性；并且在具有127灰度的純色圖像的顯示部分中沒有新出現(xiàn)可見亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"o"，并且在出現(xiàn)可見亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"x"。通過在具有17灰度的純色圖像的顯示部分中是否可看見與在滴落液晶的位置匹配的近似圓形的亮度不均勻性，檢測出在表3中所示的滴落痕跡特性；并且在亮度不均勻性不可看見時(shí)，將其評價(jià)為"o"，并且在亮度不均勻性可看見時(shí)，將其評價(jià)為"x"。用于評價(jià)滴落痕跡的具有17級(jí)的灰度是在0和255之間的全部灰度之中，其中滴落痕跡最容易看到的灰度。另外，由當(dāng)顯示從黑改變至白時(shí)液晶的響應(yīng)時(shí)間和當(dāng)顯示從白改變至黑時(shí)液晶的響應(yīng)時(shí)間的總值顯示表4中的響應(yīng)特性。所述總值是在酚衍生物的濃度為0N(O重量％)并且垸氧基化合物的濃度為0mol/L(0重量％)時(shí)被確定為1的液晶組合物的響應(yīng)時(shí)間的相對值。在上面的描述中，從黑到白變化的響應(yīng)時(shí)間是在亮度相對于在白顯示中的亮度從10%變化至90%時(shí)的時(shí)間周期，并且從白到黑變化的響應(yīng)時(shí)間是在亮度相對于在白顯示中的亮度從90%變化至10%時(shí)的時(shí)間周期。表l殘留圖像特性<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>表2可見斑點(diǎn)特性<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>如在表1中所示，當(dāng)酚衍生物的濃度不大于0.00004N(不大于0.001重量％)時(shí)，殘留圖像特性不好，而當(dāng)酚衍生物的濃度不小于0.00010N(不小于0.0025重量％)時(shí)，殘留圖像特性是良好的。然而，當(dāng)酚衍生物的濃度過高時(shí)，殘留圖像特性不好。如在表2中所示，當(dāng)酚衍生物的濃度超過0.04023N(l重量％)時(shí)，可見斑點(diǎn)變成問題。這是因?yàn)橐壕У碾娮枳兊眠^低，并且施加到液晶上的電壓在一幀中大大降低。因此，當(dāng)在液晶組合物中的酚衍生物的濃度在0.00010N至0.04023N(不小于0.0025重量％且不小于1重量％)的范圍內(nèi)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)良好的殘留圖像特性，而不導(dǎo)致如可見斑點(diǎn)的問題。如在表3中所示，當(dāng)酚衍生物的濃度在0.00004N至0.00201N(不小于0.0010重量％且不大于0.0500重量％)的范圍內(nèi)，并且烷氧基化合物的濃度不小于0.044mol/L(不小于1重量％)時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)；此外，當(dāng)酚衍生物的濃度為0.00402N(0.1重量％)，并且垸氧基化合物的濃度不小于0.176mol/L(不小于4重量。/。)時(shí)，它沒有出現(xiàn)。此外，當(dāng)酚衍生物的濃度為0.02011N(0.5重量％)，并且垸氧基化合物的濃度不小于0.265mol/L(不小于6重量％)時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)，當(dāng)酚衍生物的濃度為0.04023N(0.1重量％)，并且烷氧基化合物的濃度不小于0.397mol/L(不小于9重量％)時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)。表5顯示了烷氧基化合物相對于酚衍生物的當(dāng)量。當(dāng)液晶組合物在被表5中的黑粗線包圍的區(qū)域中時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)。當(dāng)液晶組合物含有相對于酚衍生物為不小于10當(dāng)量的烷氧基化合物時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)，而當(dāng)液晶組合物含有不小于10當(dāng)量時(shí)，滴落痕跡出現(xiàn)。因此，當(dāng)垸氧基化合物的含量不小于0.044mol/L并且相對于酚衍生物不小于10當(dāng)量時(shí),滴落痕跡沒有出現(xiàn)。然而，如在表4中所示，隨著烷氧基化合物的濃度變得更高，響應(yīng)時(shí)間變得更長。表6顯示在含有濃度為0N(0重量M)的酚衍生物和濃度為0mol/L(0重量％)的烷氧基化合物的液晶組合物的旋轉(zhuǎn)粘度系數(shù)為1的條件下，該液晶組合物的旋轉(zhuǎn)粘度系數(shù)的相對值。因?yàn)轫憫?yīng)時(shí)間與旋轉(zhuǎn)粘度系數(shù)成比例，所以隨著烷氧基化合物的濃度變得越高，響應(yīng)時(shí)間變得越長。在液晶組合物中，加入含有表現(xiàn)出高電負(fù)性的氟原子的化合物，以賦予液晶組合物介電各向異性，并且氟原子和在垸氧基化合物的氧原子中的孤電子對相互吸引而增加液晶組合物的粘度。因?yàn)轫憫?yīng)時(shí)間與液晶組合物的粘度成比例，所以隨著烷氧基化合物的濃度變得越高，響應(yīng)時(shí)間變得越長。只要烷氧基化合物的濃度為0.265mol/L或更低(6重量％以下)，與含有0重量。/。(Omol/L)烷氧基化合物的液晶組合物相比，響應(yīng)時(shí)間的增量為10%以下，并且LCD可以可靠地表現(xiàn)出合適的響應(yīng)速度。因此，當(dāng)在液晶組合物中的垸氧基化合物的含量在0.044mol/L至0.265mol/L(1重量％以上并且6重量％以下)的范圍內(nèi)，并且烷氧基化合物為酚衍生物的10當(dāng)量以上時(shí)，LCD沒有顯示出滴落痕跡，并且可以可靠地表現(xiàn)出合適的響應(yīng)時(shí)間。表5當(dāng)量.比<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>-331001324026481324659329663322表6旋轉(zhuǎn)粘度系數(shù)(相對值)<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>順便提及，液晶組合物不能防止雜質(zhì)如鈉和鉀在制造過程中污染組合物，因此液晶組合物是被很少量的雜質(zhì)污染的。該雜質(zhì)的量不可能被控制為恒定值，所以液晶組合物的比電阻在寬的范圍內(nèi)變化。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例中，在其中加入酚衍生物和烷氧基化合物之前和之后的液晶組合物的比電阻分別是5.0x10"f2cm和5.0x10"Qcm，但是要說明的是，即使以相同的組成比率和以相同的方法制備液晶組合物，取決于雜質(zhì)的量，前者的比電阻也在1.0x1()BQcm至丄0x10"Qcm的范圍內(nèi)，而后者的比電阻也在1.0xlO"Qcm至1.0xlO"Q的范圍內(nèi)。然而，經(jīng)證實(shí)，即使在液晶組合物的比電阻變化時(shí)，LCD也表現(xiàn)出恒定的殘留圖像特性和滴落痕跡特性，條件是該液晶組合物含有相同量的酚衍生物。原因被認(rèn)為是因?yàn)樵贚CD的制造過程中進(jìn)入液晶組合物中的雜質(zhì)量大于之前包含在液晶組合物中的雜質(zhì)量，此外，在制造過程中進(jìn)入液晶組合物中的雜質(zhì)量是近似恒定的，因此密封在兩片基板之間的液晶組合物的比電阻是恒定的，條件是酚衍生物的含量是恒定。根據(jù)本發(fā)明的其中將逐行方法的圖像信號(hào)從信號(hào)源輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換基板中的LCD的上述效果概括在圖7的圖中。如在圖7中所示，在該中，酚衍生物的濃度為0.00010N(0.0025重量％)以上、垸氧基化合物的濃度為0.265mol/L(6重量％)以下并且垸氧基化合物的含量為酚衍生物的10當(dāng)量以上的陰影區(qū)中，LCD表現(xiàn)出合適的殘留圖像特性、滴落痕跡特性、可見斑點(diǎn)特性和響應(yīng)特性。實(shí)施例2其次，現(xiàn)在將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址LCD。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的LCD是使用與在實(shí)施例1中相同的方法制造的，并且只是在液晶組合物方面不同于實(shí)施例1。在本發(fā)明的實(shí)施例2中的液晶組合物包含作為主要組分的末端氟化的化合物和末端含氟的化合物，0.05重量％的作為酸性化合物的酚衍生物(1-1)和14重量％的烷氧基化合物(11-1)，并且不包含手性試劑?，F(xiàn)在將描述在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的LCD中的工作效果，其中在LCD顯示其中在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白和黑的,橫向條紋時(shí)的情況下，將隔行方法的圖像信號(hào)輸入LCD中。當(dāng)通常顯示黑顯示的LCD顯示橫向條紋時(shí)，將在白顯示中的直流電壓的一半施加到液晶上。在實(shí)施例2中將在白顯示中的電壓設(shè)定在6V，因而將平均為3V的DC電壓施加到液晶上。然而，實(shí)施例2的LCD表現(xiàn)出合適的殘留圖像特性。該LCD通過下列方法表現(xiàn)出合適的殘留圖像特性加入酚衍生物以降低液晶的比電阻，因此減輕由在液晶中的DC電壓所導(dǎo)致的電荷極化。而且，除0.05重量％的酚衍生物(1-1)以外，在實(shí)施例2中的液晶組合物還包含14重量％的烷氧基化合物(11-2)。酚衍生物(1-1)具有261的分子量，并且根據(jù)本發(fā)明的液晶組合物具有在25。C下為1.05g/ml的密度，所以當(dāng)以摩爾濃度表示時(shí)，酚衍生物(I-1)的含量為0.00201mol/L。另外，酚衍生物(I-1)是一價(jià)酸，所以當(dāng)以當(dāng)量濃度表示時(shí)，酚衍生物(I-1)的濃度為0.00201N。而且，當(dāng)以摩爾濃度表示時(shí)，烷氧基化合物(II-1)的含量為0.618mol/L，因?yàn)橥檠趸衔?II-1)的分子量為238。液晶組合物含有其量相當(dāng)于酚衍生物(I-1)的約307當(dāng)量的烷氧基化合物(II-1)，并且含有相對于烷氧基化合物為150當(dāng)量以上的酚衍生物。因此，LCD沒有因下面將要描述的原因而顯示出滴落痕跡。表7至9顯示了在使用隔行模式的圖像信號(hào)的同時(shí)，LCD顯示其中在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白和黑的橫向條紋時(shí)的情況下的殘留圖像特性、可見斑點(diǎn)特性和滴落痕跡特性。在表7至9的LCD中的液晶組合物中的酚衍生物和烷氧基化合物的含量是通過拆開LCD并且分析所含有的液晶組合物的化學(xué)組成而獲得的值。在LCD連續(xù)30分鐘顯示格旗圖，其中具有一側(cè)由IOO個(gè)像素形成的方塊形狀的黑(O灰度)顯示部分和其中在水平方向上每隔一根掃描線改變白(255灰度)和黑(O灰度)的橫向條紋顯示部分交替排列，隨后LCD顯示具有127灰度的純色圖像達(dá)30分鐘之后，測試在表7中所示的殘留圖像特性；并且當(dāng)在具有127灰度的純色圖像上，不可看見與上述格旗圖的位置匹配的亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"o"，并且在可看見亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"x"。在LCD被置于保持在60°C的溫度和60%的濕度的恒溫恒濕室中，并且顯示其中在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白和黑的橫向條紋達(dá)1000小時(shí)之后，檢測出在表8中所示的可見斑點(diǎn)特性；并且在具有127灰度的純色圖像的顯示部分中沒有新出現(xiàn)可見亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"o"，并且在出現(xiàn)可見亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"x"。在己經(jīng)連續(xù)顯示其中在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白(255灰度)和黑(O灰度)的橫向條紋達(dá)30分鐘，隨后切換LCD以顯示具有17灰度的純色圖像之后，檢測出在表9中所示的滴落痕跡特性；并且在不可看見匹配液晶滴落位置的近似圓形的亮度不均勻性時(shí)，將其評價(jià)為"o"，并且在亮度不均勻性可見時(shí)，將其評價(jià)為"x"。用于評價(jià)滴落痕跡的具有17級(jí)的灰度是在0和255之間的全部灰度之中，滴落痕跡最容易見到的灰J變表7殘留圖像特性<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>表8可見斑點(diǎn)特性<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>表9滴落雍跡特性<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>表io顯示了液晶組合物的低溫特性(相容性)，在所述液晶組合物中，只有酚衍生物和烷氧基化合物的含量不同于在本發(fā)明的第二實(shí)施例中的含量。在將液晶組合物在冷凍機(jī)中-20。C下留置一周之后，測試出表10中所示的低溫特性，并且在不出現(xiàn)近晶相時(shí)，將其評價(jià)為"O"，并且在出現(xiàn)近晶相時(shí)，將其評價(jià)為"x"。表10低溫特性<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>表ll當(dāng)量比<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>如表7中所示，當(dāng)如在實(shí)施例2中將隔行方法的圖像信號(hào)輸入LCD中時(shí)，LCD表現(xiàn)出合適的殘留圖像特性，條件是酚衍生物的濃度為0.00100N以上(0.025重量。/。以上)，而不依賴于烷氧基化合物的含量。然而，如在表8中所示，當(dāng)酚衍生物的濃度超過0.04023N(1重量％)時(shí)，可見斑點(diǎn)成為問題。這被認(rèn)為是因?yàn)橐壕У碾娮杞档?，所以電?dǎo)率增加，因而，在一幀中施加到液晶上的電壓大大降低。因此，當(dāng)在液晶組合物中的酚衍生物的濃度在0.00100N至0.04023N(0.025重量％以上并且1重量％以下)的范圍內(nèi)時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)合適的殘留圖像特性，而不導(dǎo)致性能失常如可見斑點(diǎn)。如在表9中所示，當(dāng)酚衍生物的濃度為0.00100N(0.025重量％)，并且烷氧基化合物的濃度為0.176mol/L或更高(4重量％或更高)時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)，以及當(dāng)酚衍生物的濃度為0.00201N(0.05重量％)，并且烷氧基化合物的濃度為0.397mol/L或更高(9重量％或更高)時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)。此外，當(dāng)酚衍生物的濃度為0.00403N(O.l重量％)，并且垸氧基化合物的濃度為0.618mol/L或更高(14重量y?；蚋?時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)。表11顯示了烷氧基化合物相對于酚衍生物的當(dāng)量。當(dāng)液晶組合物在被表11中的黑粗線包圍的區(qū)域中時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)。當(dāng)液晶組合物含有相對于酚衍生物為150當(dāng)量以上的垸氧基化合物時(shí)，滴落痕跡沒有出現(xiàn)，但是當(dāng)液晶組合物含有150當(dāng)量以下時(shí)，滴落痕跡出現(xiàn)。因此，當(dāng)烷氧基化合物的含量相對于酚衍生物為150當(dāng)量以上時(shí),滴落痕跡沒有出現(xiàn)。液晶組合物需要含有0.00100N以上(0.025重量％以上)的酚衍生物以防止殘留圖像特性，所以烷氧基化合物的濃度需要是0.15mol/L(3.4重量%)以上，該濃度相當(dāng)于濃度為0.00100N的酚衍生物的150當(dāng)量。烷氧基化合物相對于酚衍生物的含量的當(dāng)量比在逐行方法的情況下為10當(dāng)量以上，并且在隔行模式的情況下為150當(dāng)量以上；因此在隔行模式的情況下更大。如上所述，在逐行模式的情況下，施加到液晶上的DC電壓最大約為0.3V，而在隔行模式的情況下，DC電壓約為3V。在隔行模式中施加到液晶上的DC電壓大于在逐行模式中施加到液晶上的DC電壓。為了防止滴落痕跡出現(xiàn)，與在逐行模式中相比，與隔行模式兼容的LCD需要更好地降低氧離子和酚鹽離子的形成，因此被認(rèn)'為需要使得烷氧基化合物相對于酚衍生物的含量的這種當(dāng)量比不導(dǎo)致在隔行模式中的滴落痕跡大于在逐行模式中的滴落痕跡。為了防止滴落痕跡在屏幕中出現(xiàn)，液晶組合物需要含有許多垸氧基化合物，而當(dāng)烷氧基化合物的濃度超過1.324mol/L(30重量。/。)時(shí)，如在表10中所示，與液晶的相容性惡化，并且形成近晶相。因此，當(dāng)液晶組合物中的酚衍生物的濃度在0.15mol/L至1.324mol/L(3.4重量％以上，但是30重量％以下)的范圍內(nèi)，并且垸氧基化合物是酚衍生物的150當(dāng)量以上時(shí)，LCD沒有出現(xiàn)滴落痕跡，并且可以保持液晶組合物的合適的相容性。另一方面，烷氧基化合物的濃度的上限為1.324mol/L(30重量M)，并且烷氧基化合物需要相對于酚衍生物為至少150當(dāng)量以上，使得酚衍生物的含量的上限為0.00883N(0.22重量％)以下。因此，當(dāng)將隔行模式的圖像信號(hào)從信號(hào)源輸入到LCD的信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中時(shí)，通過將酚衍生物的濃度控制在0.00100N至0.00883N(0.025重量%以上，但是0.22重量％以下)的范圍內(nèi)，并且將烷氧基化合物的濃度控制在0.15mol/L至1.324mol(3.4重量％以上，但是30重量％以下)的范圍內(nèi)，并且相對于酚衍生物為150當(dāng)量以上，LCD可以在殘留圖像特性、可見斑點(diǎn)特性、滴落痕跡特性和液晶組合物的相容性方面表現(xiàn)出合適的特性。在將隔行模式的圖像信號(hào)輸入到LCD中的情況下的上述效果概括于圖8的圖中。如在圖8中所示，在酚衍生物的濃度為0.00100N(0.025重量%)或更高、烷氧基化合物的濃度為1.324mol/L(30重量Q/。)或更低，并且烷氧基化合物的含量為酚衍生物的150當(dāng)量以上的陰影區(qū)中，LCD表現(xiàn)出合適的殘留圖像特性、滴落痕跡特性、可見斑點(diǎn)特性和低溫特性(液晶相容性)。在實(shí)施例1中，將逐行模式的圖像信號(hào)輸入LCD中，但是在實(shí)施例1中描述的液晶組合物的范圍可以適用于其上安裝電路板的LCD,所述電路板載有圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換電路并且產(chǎn)生輸入其中的隔行模式的圖像信號(hào)，所述圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換電路配置有如D6(日本專利申請公開9-236787)的"本發(fā)明的實(shí)施方案"中所述的隔行-逐行轉(zhuǎn)換電路(IP轉(zhuǎn)換電路)。然而，在這種情況下，沒有避免的是因?yàn)榘嘿F的IP轉(zhuǎn)換電路的必要性，因此LCD變得昂貴。另一方面，在實(shí)施例2中，當(dāng)在沒有如D6中所公開的昂貴的IP轉(zhuǎn)換電路的情況下，將隔行模式的圖像信號(hào)輸入LCD中以顯示其中在水平方向上每隔一根掃描線交替改變白和黑的橫向條紋時(shí)，描述該情況的操作。然而，以在第(2N-1)(其中N為l以上的整數(shù))和第2N根掃描線上的相鄰像素分別顯示黑(或白)和白(或黑)時(shí)的情況下，產(chǎn)生類似的問題，而與反向驅(qū)動(dòng)的類型(幀反向、線反向和點(diǎn)反向)無關(guān)。本發(fā)明對于在顯示裝置中的屬于問題的殘留圖像和滴落痕跡是有效的。另外，根據(jù)本發(fā)明的LCD顯示了當(dāng)除黑之外的灰度代替黑被顯示或者除白之外的灰度代替白被顯示時(shí)改善殘留圖像和滴落痕跡的作用，因此，將大的DC電壓施加到液晶上。而且，因?yàn)椴槐厥褂萌鏒6中公開的昂貴的IP轉(zhuǎn)換電路，所以本發(fā)明可以提供廉價(jià)的其中將隔行的圖像信號(hào)從信號(hào)源輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中的LCD,。在實(shí)施例2中，將在白顯示中的電壓設(shè)定為6V，但是通過評價(jià)在白顯示的上述電壓范圍內(nèi)的滴落痕跡特性，證實(shí)LCD在4V至8V的范圍內(nèi)表現(xiàn)出合適的滴落痕跡特性。在用于制造根據(jù)本發(fā)明的LCD的方法中，在凈室氣氛中，將液晶組合物滴落在一個(gè)基板上的被密封材料所包圍的顯示部分上，但是在氮?dú)鈿夥栈驕p壓氣氛，而不是凈室氣氛中將液晶滴落到基板上的方法也表現(xiàn)出降低形成滴落痕跡的風(fēng)險(xiǎn)的作用。盡管參考其實(shí)施例具體顯示并且描述了本發(fā)明，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施方案。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解在不偏離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的改變。權(quán)利要求1.一種液晶顯示裝置，其中所述液晶顯示裝置包含液晶組合物，所述液晶組合物含有酸性介晶化合物和能夠與所述酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物，所述液晶組合物是通過滴注和基板組裝方法填充的，其中將逐行圖像信號(hào)從信號(hào)源輸入到信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述酸性介晶化合物的含量為0.00010N以上，所述能夠與所述酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物的含量為0.265mol/L以下，并且為相當(dāng)于所述酸性介晶化合物的10當(dāng)量以上的含量。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述酸性介晶化合物是酚衍生物。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述能夠與所述酸性介晶化合物氫鍵鍵合的所述介晶化合物是垸氧基化合物。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中所述酸性介晶化合物由下列通式(I)表示OH其中R表示含7個(gè)以下的碳原子的烷基或鏈烯基，并且所述垸氧基化合物由下列通式(II)表示其中R,表示含7個(gè)以下的碳原子的烷基或鏈烯基；并且0R2表示含10個(gè)以下的碳原子的垸氧基。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶組合物不含有手性試劑。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶顯示裝置是使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址液晶顯示裝置。8.—種液晶顯示裝置，其中所述液晶顯示裝置包含液晶組合物，所述液晶組合物含有酸性介晶化合物和能夠與所述酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物，所述液晶組合物是通過滴注和基板組裝方法填充的，其中將隔行圖像信號(hào)從信號(hào)源輸入到信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中所述酸性介晶化合物的含量為0.00100N以上，并且所述能夠與酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物的含量為1.324mol/L以下，并且為相當(dāng)于所述酸性化合物的150當(dāng)量以上的含量。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中所述酸性介晶化合物是酚衍生物。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中所述能夠與所述酸性介晶化合物氫鍵鍵合的介晶化合物是烷氧基化合物。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中所述酸性介晶化合物由下列通式(I)表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中R表示含7個(gè)以下的碳原子的垸基或鏈烯基，并且所述烷氧基化合物由下列通式(II)表示(II)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中R,表示含7個(gè)以下的碳原子的垸基或鏈烯基；并且OR2表示含10個(gè)以下的碳原子的垸氧基。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶組合物不含有手性試劑。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶顯示裝置是使用橫向電場驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的有源矩陣尋址液晶顯示裝置。全文摘要本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置(LCD)，所述液晶顯示裝置是通過滴注和基板組裝方法制備的有源矩陣尋址LCD，并且防止滴落痕跡的產(chǎn)生，并且具有優(yōu)良的殘留圖像特性。通過將酸性化合物(例如酚衍生物412)加入到液晶組合物中以調(diào)節(jié)介電常數(shù)，從而提高圖殘留圖像特性。通過將可以與酸性化合物形成氫鍵的化合物(例如烷氧基化合物413)加入到液晶組合物中，以當(dāng)將LC組合物滴落在基板上時(shí)，防止酸性化合物與水409形成氫鍵，從而防止滴落痕跡的產(chǎn)生。在逐行模式中，酚化合物的含量為0.00010N以上，并且烷氧基化合物的含量為0.265mol/l以下，并且相對于所述酚化合物為10當(dāng)量以上。在隔行模式中，酚化合物的含量為0.00100N以上，并且烷氧基化合物的含量為1.324mol/l，并且相對于所述酚化合物為150當(dāng)量以上。文檔編號(hào)C09K19/30GK101271213SQ20081008626公開日2008年9月24日申請日期2008年3月24日優(yōu)先權(quán)日2007年3月23日發(fā)明者井上大輔,元松俊彥,杉本光弘,桑田恒申請人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社