專利名稱：：膜形成用材料、以及含硅絕緣膜及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及膜形成用材料、以及含硅絕緣膜及其形成方法。
背景技術(shù)：
：近年來，大規(guī)模半導體集成電路(ULSI)為了應對增大的信息處理量、功能的復雜性，強烈期望更進一步的高速處理。ULSI的高速化通過芯片內(nèi)元件的微細化、高集成化、膜的多層化來實現(xiàn)。然而，隨著元件的微細化，配線電阻、配線間寄生電容增大，配線延遲成為支配設(shè)備整體的信號延遲的要因。為了避免該問題，低電阻率配線材料、低介電常數(shù)(Low-k)層間絕緣膜材料的導入成為必須的技術(shù)。作為配線材料，研究了使用電阻率低的金屬Cu來代替Al，并已實用化。另一方面，層間絕緣膜材料多使用采用化學氣相沉積(CVD)法等真空工藝而形成的氧化硅(Si02)膜，對于層間絕緣膜的低介電常數(shù)(Low-k)化，提出了各種方案。作為低介電常數(shù)的層間絕緣膜，可以列舉例如降低了氧化硅(Si02)的膜密度的多孔氧化硅膜、作為摻雜了F的氧化硅膜的FSG、摻雜了C的SiOC膜等無機系層間絕緣膜、聚酰亞胺、聚芳撐、聚芳撐醚等有機系層間絕緣膜。此外，為了形成更均一的層間絕緣膜，提出了將稱為SOG膜的四烷氧基硅烷的水解縮合產(chǎn)物作為主要成分的涂布型層間絕緣膜、由將有機烷氧基珪烷水解縮合而得的聚珪氧烷形成的有機SOG膜。這里，轉(zhuǎn)而敘述有關(guān)層間絕緣膜的形成方法。關(guān)于層間絕緣膜的形成方法，大體分類為兩種方法。一種是使用旋涂機等來涂布絕緣膜形成用聚合物溶液而進行成膜的涂布法(或旋涂法)，另一種是，將反應氣體送入腔內(nèi)，利用在氣相中的反應來使膜堆積的化學氣相沉積(CVD)法。在涂布法和化學氣相沉積法中的任一種方法中，均提出了無機系材料和有機系材料的方案。一般來說，對于涂布法而言，雖然膜的均一性良好，但是很多情況下與基板、屏蔽金屬的密合性差。另一方面，對于化學氣相沉積法而言，被指出膜的均一性成為問題、或者很多情況下膜的低介電常數(shù)化不充分，通用的層間絕緣膜多采用CVD法成膜，因此贏得了操作上具有優(yōu)勢、與基板的密合性良好這樣的優(yōu)點，作為成膜方法具有優(yōu)勢。因此，提出了很多釆用化學氣相沉積法的方案。尤其是提出了多種對于反應中使用的硅烷化合物而言具有特征的方案。例如，提出了使用二烷氧基硅烷的方案(日本特開平11-288931號7>才艮、日本特開2002—329718號公報)、使用環(huán)狀珪烷化合物的方案(日本特表2002—503879號公報、日本特表2005-513766號公報)、使用叔碳或仲碳與Si鍵合的珪烷化合物的方案(日本特開2004—6607號乂>才艮、日本特開2005—51192號公報)。通過使用這樣的材料，可以得到低介電常數(shù)且充分確保了與屏蔽金屬等的密合性的膜。但是，這些硅烷化合物中，存在如下的硅烷化合物，即，由于化學上穩(wěn)定而在采用化學氣相沉積法進行成膜時必須要極度條件的硅烷化合物，相反化學上不穩(wěn)定而在向腔內(nèi)供給的配管中發(fā)生反應的硅烷化合物，進而硅烷化合物本身貯藏穩(wěn)定性差的硅烷化合物。此外，因選擇的化合物的不同，成膜后的絕緣膜的吸濕性高、與此相伴還會產(chǎn)生漏電流增高的弊端。進而，在實際的半導體裝置的制造工序中，多采用使用RIE(ReactiveIonEtching)將層間絕緣膜進行加工的工序，在該RIE時存在膜的介電常數(shù)上升的問題、由于在之后的清洗工序中使用的氫氟酸系藥液而使層間絕緣膜產(chǎn)生損壞的問題，因而需要加工耐性高的層間
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供如下的含硅膜形成用材料能夠形成可以4艮好地用于期望高集成化和多層化的半導體元件等中、化學上穩(wěn)定且最適于化學氣相沉積法、機械強度優(yōu)異、低電容率且吸濕性低、加工耐性高的層間絕緣膜。本發(fā)明的其它目的在于，提供機械強度優(yōu)異、低電容率且吸濕性低、加工耐性高的含硅絕緣膜及其形成方法。本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，具有硅-碳-硅骨架、任一方的硅上鍵合有氧的特定結(jié)構(gòu)的有機硅烷化合物在化學上穩(wěn)定，而適于化學氣相沉積法，還發(fā)現(xiàn)，通過使用該有機硅烷化合物，能夠形成低電容率且吸濕性低、加工耐性高的層間絕緣膜材料。本發(fā)明的一實施方式的含珪膜形成用材料，含有下述通式(1)所示的有機硅烷化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>(式中，1^~114相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)14的烷基、乙烯基、苯基，RS表示碳原子數(shù)1~4的烷基、乙?；?、苯基，n表示1~3的整數(shù)，m表示l2的整數(shù)。)上述含硅膜形成用材料可以用于形成含有硅、碳、氧和氫的絕緣膜。上述含硅膜形成用材料中，硅、碳、氧和氫以外的元素的含量可以小于10ppb,并且含水分量可以小于100ppm。本發(fā)明的一實施方式的含硅絕緣膜使用上述含硅膜形成用材料而形成。上述含硅絕緣膜可以通過化學氣相沉積法而形成。本發(fā)明的第3方式的含硅絕緣膜的形成方法，包括如下工序采用化學氣相沉積法使上述含珪膜形成用材料堆積在基板上而形成堆積膜的工序；以及對于所述堆積膜，進行選自加熱、電子束照射、紫外線照射和氧等離子體中的至少一種固化處理的工序。本發(fā)明的第4方式的含硅絕緣膜，通過上述含硅絕緣膜的形成方法而得到。上述含硅絕緣膜可以含有-Si-(CH2)n-Si-O-部位(這里，n表示1~3的整數(shù))。上述含硅絕緣膜的介電常數(shù)可以在3.0以下。上述含硅膜形成用材料，通過含有上述通式(1)所示的有機硅烷化合物，可以很好地用于期望高集成化和多層化的半導體元件等中，可以用于形成化學上穩(wěn)定且最適于化學氣相沉積法、機械強度優(yōu)異、低電容率且吸濕性低、加工耐性高的絕緣膜。上述通式(1)所示的有機硅烷化合物，一方硅原子的全部取代基與另一方硅原子的一個或兩個取代基被氫原子、碳原子數(shù)1~4的烷基、乙烯基、苯基中的任一個取代，而氧原子僅與單方硅原子的兩個或一個取代基鍵合。詳細的機制并不明確，但可以推測為，上述通式(1)所示的有機硅烷化合物中，WR2113-Si-(CH2)n-Si-W部分作為如下功能而發(fā)揮作用，即，減弱受到的來自RIE的損害、或者提高對氫氟酸系藥液的耐性的功能，并且，—Si-(OR5)m部分由于形成-Si-O-Si-鍵、形成3維的交聯(lián)度高的骨架，因此能夠得到機械強度優(yōu)異、低電容率且加工耐性高的絕緣膜。此外，上述含硅絕緣膜機械強度優(yōu)異、低電容率且加工耐性高。進而，根據(jù)上述含硅絕緣膜的形成方法，能夠得到機械強度優(yōu)異、低電容率且加工耐性高的絕緣膜。此外，上述含硅絕緣膜機械強度優(yōu)異、低電容率且加工耐性高。進而，根據(jù)上述含硅絕緣膜的形成方法，能夠得到機械強度優(yōu)異、低電容率且加工耐性高的絕緣膜。具體實施例方式以下，對本發(fā)明進行具體說明。1.含硅膜形成用材料及其制造方法l.l.含硅膜形成用材料本發(fā)明的一實施方式的含硅膜形成用材料，含有下述通式(l)所示的有機硅烷化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>(式中、1^~114相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)1~4的烷基、乙烯基、苯基，W表示碳原子數(shù)1~4的烷基、乙酰基、苯基，n表示1~3的整數(shù)，m表示l2的整數(shù)。)在上述通式(1)中，1^~114相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)1~4的烷基、乙烯基、苯基。這里，作為碳原子數(shù)1~4的烷基，可以列舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基。作為R1114,特別優(yōu)選甲基、乙烯基、氫原子。此外，在上述通式(l)中，RS表示碳原子數(shù)14的烷基、乙酰基、苯基。這里，作為碳原子數(shù)1~4的烷基，可以列舉例如與上述作為R1W而例示的基團同樣的烷基。作為R5，特別優(yōu)選甲基、乙基。進而，在上述通式(1)中，n表示1~3的整數(shù)，m表示1~2的整數(shù)。在上述通式(1)中，作為n=l且m=l的有機硅烷化合物，可以列舉例如以下的有機硅烷化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>在上述通式(1)中，作為ii-l且m=2的有機硅烷化合物，可以列舉例如以下的有機珪烷化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>在上述通式(l)中，作為11=2且《1=1的有機硅烷化合物，可以列舉例如以下的有機珪烷化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>在上述通式(l)中，作為11=2且111=2的化合物，可以列舉例如以下的化合物,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>在上述通式(l)中，作為n=3JLm=l的化合物，可以列舉例如以下的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>在上述通式(1)所示的有機硅烷化合物中，從合成和純化的容易性、操作的容易性的觀點出發(fā)，Ri~R4中氫原子的總數(shù)優(yōu)選為0~2，更優(yōu)選為0~1。在上述通式(1)所示的有機硅烷化合物中，從含硅膜的機械強度的》見點出發(fā)，優(yōu)選m-l、2,更優(yōu)選m-l。本實施方式的含硅膜形成用材料，優(yōu)選主要由上述通式(1)所示的有機硅烷化合物構(gòu)成，但可以含有其它成分。本實施方式的含珪膜形成用材料，優(yōu)選含有30~100%的上述通式(1)所示的有機硅烷化合物，更優(yōu)選含有60~100%,特別優(yōu)選含有90~100%。本實施方式的含硅膜形成用材料，可以用于形成含有硅、碳、氧和氫的絕緣膜。這樣的絕緣膜由于對在半導體制造工序中的清洗工序中通用的氫氟酸系藥液具有高耐性，因此具有加工耐性高的特征。此外，本實施方式的含硅膜形成用材料雖然含有上述通式(1)所示的有機硅烷化合物，但作為絕緣膜形成用材料使用時，優(yōu)選硅、碳、氧和氫以外的元素(以下，也稱為"雜質(zhì)"。)的含量小于10ppb，且含水分量小于100ppm。通過使用這樣的絕緣膜形成用材料來形成絕緣膜，可以收率良好地得到低電容率且加工耐性優(yōu)異的絕緣膜。1.2.有機硅烷化合物的制造方法上述通式(1)所示的有機硅烷化合物的制造方法沒有特別限制，可以列舉例如，使下述通式(2)所示的有機硅烷化合物與下述通式(3)所示的有機硅烷化合物在金屬存在下進行偶聯(lián)反應的方法。作為金屬，通常使用鎂。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(式中，R^RS相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)1~4的烷基、乙烯基、苯基，X表示面原子，a表示02的整數(shù)。)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>……(3)(式中，W相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)14的烷基、乙烯基、苯基，115表示碳原子數(shù)1~4的烷基、乙?；?、苯基，Y表示卣原子、氫原子、烷氧基，m表示l2的整數(shù)。)在上述通式(2)和(3)中，作為RiRS所示的碳原子數(shù)14的烷基，可以列舉在上述通式(1)中作為RiRS所示的碳原子數(shù)1~4的烷基而例示的基團，作為X、Y所示的面原子，可以列舉例如溴原子、氯原子，作為Y所示的烷氧基，可以列舉在上述通式(l)中作為-OR5所示的烷氧基而例示的基團。2.含珪膜的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一實施方式的含硅膜(絕緣膜)的形成方法沒有限制，優(yōu)選釆用化學氣相沉積法(CVD法)來進行，特別優(yōu)選采用等離子體增強CVD法(PECVD法)來進行。在PECVD法裝置中，采用氣化器使上述通式(1)所示的有機硅烷化合物氣化，導入成膜腔內(nèi)，采用高頻電源施加于成膜腔內(nèi)的電極，產(chǎn)生等離子體，從而可以在成膜腔內(nèi)的基材上形成等離子體CVD膜。作為形成有本實施方式的含珪膜的基材，可以列舉Si、Si02、SiN、SiC、SiCN等含Si層。這時，為了在成膜腔內(nèi)產(chǎn)生等離子體，可以導入氬、氦等氣體、氧、一氧化二氮等氧化劑。通過采用PECVD裝置使用本實施方式的含硅膜形成材料來成膜，可以形成作為半導體設(shè)備用的低介電常數(shù)材料而適用的薄膜(堆積膜)。對于PECVD裝置的等離子體產(chǎn)生方法，沒有特別限制，可以使用例如電感耦合型等離子體、電容耦合型等離子體、ECR等離子體等。這樣得到的含硅堆積膜的膜厚優(yōu)選為0.05~5.0)im。然后，通過對得到的該堆積膜進行固化處理，可以形成含硅膜(絕緣膜)。作為固化處理，可以為選自加熱、電子束照射、紫外線照射和氧等離子體中的至少一種。采用加熱進行固化時，例如，將采用化學氣相沉積法形成的堆積膜在惰性環(huán)境下或減壓下加熱至80t:~450匸。作為這時的加熱方法，可以4吏用熱板、烘箱、火爐等，作為加熱環(huán)境，可以在惰性環(huán)境下或減壓下進行。此外，為了控制堆積膜的固化速度，可以根據(jù)需要，進行階段性加熱、或者選擇氮、空氣、氧、減壓等環(huán)境。通過以上的工序，可以形成含硅膜。3.含硅膜本發(fā)明一實施方式的含硅膜可以通過上述形成方法而得到。本實施方式的含硅膜為低介電常數(shù)且表面平坦性優(yōu)異，因此作為LSI、SystemLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D-RDRAM等的半導體元件用層間絕緣膜特別優(yōu)異，并且可以很好地用于蝕刻終止膜、半導體元件的表面涂膜等的保護膜、使用多層抗蝕劑的半導體制作工序的中間層、多層配線基板的層間絕緣膜、液晶顯示元件用的保護膜、絕緣膜等。此外，本實施方式的含硅膜適于例如通過銅大馬士革(Damascene)工藝而形成的半導體裝置。本實施方式的含硅膜由于使用上述含硅膜形成用材料而形成，因此可以含有-Si-(CH2)n-Si-O-部位(在此，n表示l3的整數(shù))。本實施方式的含硅膜通過含有上述部位，試劑耐性優(yōu)異，并且可以抑制加工時電容率的上升，因此為低電容率且加工耐性優(yōu)異。本實施方式的含硅膜的電容率優(yōu)選為3.0以下，更優(yōu)選為1.8~3.0，進一步優(yōu)選2.2~3.0。本實施方式的含硅膜的彈性模量優(yōu)選為4.0~15.0GPa，更優(yōu)選為4.0~12.0GPa，硬度優(yōu)選為O.lGPa以上，更優(yōu)選為0.5GPa以上。由此，可以說本實施方式的含硅膜的機械強度、電容率等絕緣膜特性極其優(yōu)異。4.實施例以下，列舉實施例更具體地說明本發(fā)明。本發(fā)明不限于以下的實施例。此外，只要沒有特殊記載，實施例和比較例中的"份"和"％"分別表示重量份和重量％。4.1.評價方法各種評價如下進行。4丄1.有機硅烷化合物中的雜質(zhì)含量純化的有機硅烷化合物中的水分量和雜質(zhì)含量使用卡爾費-希爾水分計(平沼產(chǎn)業(yè)公司制、微量水分測定裝置AQ-7)和原子吸光分光光度計(HitachiHigh-Technologies公司制、偏光塞曼原子吸收分光光度計Z-5700)進行測定。4.1.2.電容率測定采用PECVD法，按照后述的條件，在8英寸硅晶片上形成含硅絕緣膜。在得到的膜上釆用蒸鍍法形成鋁電極圖案，制成電容率測定用樣品。對于該樣品，以頻率100kHz的頻率，使用YOKOGAWA-Hewlett-Packard公司制、HP16451B電極和HP4284A精密LCR測量儀，采用CV法測定該絕緣膜的電容率。Ak是在24t:、40Y。RH的環(huán)境下測定的電容率(k@RT)與在200X:、干燥氮環(huán)境下測定的電容率(k@200"C)之間的差(Ak^k⑥RT-k⑥200匸)。由該△k可以對主要由膜吸濕引起的電容率的上升部分進行評價。通常，Ak在0.15以上時，可以說是吸水性高的有機氧化硅膜。4.1.3.絕緣膜的硬度和彈性模量(楊氏模量)評價在MTS公司制超微少硬度計(NanoindentatorXP)中安裝Berkovich型壓頭，求出得到的絕緣膜的通用硬度。此外，彈性模量通過連續(xù)剛性測定法進行測定。4.1.4.保存穩(wěn)定性采用GC(裝置本體:Agilenttechnologies公司制68卯N、色鐠柱:S叩elco公司制SPB-35)，求出在40X:保存了30天的有機珪烷化合物的純度。保存前后的純度變化小于0.5%時，判斷為保存穩(wěn)定性良好。4.1.5.藥液耐性將形成有含硅絕緣膜的8英寸晶片在室溫、0.2%的稀氫氟酸水溶液中浸漬3分鐘，觀察浸漬前后的含硅膜的膜厚變化。下述定義的殘余膜率在99%以上時，判斷為藥液耐性良好。殘余膜率(％)=(浸漬后的膜的膜厚)+(浸漬前的膜的膜厚)xl00A:殘余膜率在99%以上。B:殘余膜率小于99%。4.2.膜形成用材料的制造4.2.1.合成例1將具有冷凝器和滴液漏斗的3口燒瓶在50X:減壓干燥后，進行氮填充。然后，在燒瓶內(nèi)加入鎂20g和THF500ml，邊在室溫進行攪拌邊加入(氯甲基)三甲基硅烷25g。攪拌片刻，確認發(fā)熱后，用30分鐘從滴液漏斗加入(氯甲基)三甲基硅烷55g。滴加結(jié)束后，確認液溫已返回室溫后，向燒瓶中加入THF250ml和甲基三甲氧基硅烷237g的混合液，接著，通過在70"C加熱回流6小時，使反應完結(jié)。將反應液冷卻至室溫后，濾除生成的鎂鹽和未反應的鎂，將濾液分餾，從而得到[(三甲基甲硅烷基)甲基]甲基二甲氧基硅烷75g(收率60%)。用GC法得到的純度為99.4%。此外，殘存水分量為80ppm，硅、碳、氧和氫以外的元素的含量(金屬雜質(zhì)含量)為，Na=1.4ppb、K=1.0ppb、Fe=1.8ppb，Li、Mg、Cr、Ag、Cu、Zn、Mn、Co、Ni、Ti、Zr、Al、Pb、Sn、W各元素為檢測極限值(0.2ppb)以下。由以上結(jié)果可以確認，本合成例中得到的有機硅烷化合物，具有作為絕緣膜形成材料的充分純度。4.2.2.合成例2將具有冷凝器和滴液漏斗的3口燒瓶在50X:減壓干燥后，進行氮填充。然后，在燒瓶內(nèi)加入鎂20g和THF500ml，邊在室溫進行攪拌邊加入(氯甲基)三曱基硅烷25g。攪拌片刻，確認發(fā)熱后，用30分鐘從滴液漏斗加入(氯甲基)三曱基硅烷55g。滴加結(jié)束后，確認液溫已返回室溫后，向燒瓶中加入THF250ml和乙烯基三甲氧基硅烷258g的混合液，接著，通過在70"C加熱回流6小時，使反應完結(jié)。將反應液冷卻至室溫后，濾除生成的鎂鹽和未反應的鎂，將濾液分鎦，從而得到[(三甲基曱硅烷基)曱基乙烯基二曱氧基硅烷80g(收率60%)。用GC法得到的純度為99.1%。此外，殘存水分量為80ppm,硅、碳、氧和氫以外的元素的含量(金屬雜質(zhì)含量)為，Na=l.lppb、K=1.3ppb、Fe=1.5ppb，Li、Mg、Cr、Ag、Cu、Zn、Mn、Co、M、Ti、Zr、Al、Pb、Sn、W各元素為檢測極限值(0.2ppb)以下。由以上結(jié)果可以確認，本合成例中得到的有機硅烷化合物，具有作為絕緣膜形成材料的充分純度。4.2.3.合成例3將具有冷凝器和滴液漏斗的3口燒瓶在50X:減壓干燥后，進行氮填充。然后，在燒瓶內(nèi)加入甲苯500ml，邊在室溫進行攪拌邊加入乙基二氯硅烷129g和乙烯基三乙基硅烷142g。攪拌片刻，向其中加入氯鉑酸100mg，在100t;反應5小時。將其冷卻至室溫后，加入吡咬160g，邊攪拌邊滴加乙醇100g。滴加后在室溫反應3小時后，濾除生成的鹽，將濾液分餾，從而得到[(三乙基甲硅烷基)乙基乙基二乙氧基硅烷180g(收率62%)。用GC法得到的純度為99.2%。此外，殘存水分量為30ppm,硅、碳、氧和氫以外的元素的含量(金屬雜質(zhì)含量)為，Na=l.lppb、K=1.5ppb、Fe=1.9ppb,Li、Mg、Cr、Ag、Cu、Zn、Mn、Co、M、Ti、Zr、Al、Pb、Sn、W、Pt各元素為檢測極限值(0.2ppb)以下。由以上結(jié)果可以確認，本合成例中得到的有機硅烷化合物，具有作為絕緣膜形成材料的充分純度。4.3.膜的形成4.3.1.實施例1使用SAMCO公司制等離子體CVD裝置PD-220N,在[(三曱基曱硅烷基)曱基]甲基二曱氧基硅烷的氣體流量25(sccm)、Ar的氣體流量3(sccm)、RF電力250W、基板溫度380"C、反應壓力10Torr的條件下，采用等離子體CVD法，在硅基板上成膜含硅膜(1-1)500nm。4.3.2.實施例2使用與實施例1相同的裝置，作為氧化硅源使用[(三曱基甲硅烷基)甲基乙烯基二甲氧基珪烷，除此之外在與實施例1同樣條件下，在硅基板上成膜含硅膜(1-2)500nm。4.3.3.實施例3使用與實施例1相同的裝置，作為氧化硅源使用[(三乙基甲硅烷基)乙基乙基二乙氧基珪烷，除此之外在與實施例1同樣條件下，在硅基板上成膜含珪膜(1-3)500nm。4.3.2.比較例1使用與實施例l相同的裝置，作為氧化硅源使用二甲氧基二甲基硅烷，除此之外在與比較例1同樣條件下，在硅基板上成膜含硅膜(2)500麵。4.3.2.比較例2使用與實施例l相同的裝置，作為氧化硅源使用二乙烯基二甲氧基硅烷，除此之外在與實施例1同樣條件下，在硅基板上成膜含硅膜(2—2)500證。4.3.3.比較例3使用與實施例l相同的裝置，作為氧化硅源使用1,2-雙(三乙氧基甲硅烷基)乙烷，除此之外在與實施例1同樣條件下，在硅基板上成膜含珪膜(2-3)500nm。將實施例1和比較例1中得到的含硅膜的評價結(jié)果示于表1。[表1<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>實施例1-3中得到的含硅膜，機械強度優(yōu)異，作為表示電容率和吸濕性的指標的Ak低，而且藥液耐性和保存穩(wěn)定性也優(yōu)異。與此相對，比較例1-3中得到的膜與實施例1-3中得到的膜相比，機械強度低，電容率和Ak高，而且藥液耐性低。由以上可知，本發(fā)明的含硅膜機械強度優(yōu)異，電容率低，而且耐吸濕性、藥液耐性和保存穩(wěn)定性也優(yōu)異，因此可以;f艮好地用作半導體元件等的層間絕緣膜。權(quán)利要求1.一種含硅膜形成用材料，含有下述通式(1)所示的有機硅烷化合物，式中，R1～R4相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)1～4的烷基、乙烯基、苯基，R5表示碳原子數(shù)1～4的烷基、乙酰基、苯基，n表示1～3的整數(shù)，m表示1～2的整數(shù)。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的含硅膜形成用材料，用于形成含有硅、碳、氧和氫的絕緣膜。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的含硅膜形成用材料，硅、碳、氧和氫以外的元素的含量小于10ppb，并且含水分量小于100ppm。4.一種含硅絕緣膜，使用權(quán)利要求1~3中任一項所述的含硅膜形成用材料而形成。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的含硅絕緣膜，通過化學氣相沉積法而形成。6.—種含硅絕緣膜的形成方法，包括如下工序采用化學氣相沉積法，使權(quán)利要求1~3中任一項所述的含硅膜形成用材料堆積在基板上而形成堆積膜的工序；以及對于所述堆積膜，進行選自加熱、電子束照射、紫外線照射和氧等離子體中的至少一種固化處理的工序。7.—種含硅絕緣膜，通過權(quán)利要求6所述的含硅絕緣膜的形成方法而得到。8.根據(jù)權(quán)利要求4、5和7中任一項所述的含硅絕緣膜，含有-Si-(CH2)n-Si-O-部位，其中，n表示l3的整數(shù)。9.根據(jù)權(quán)利要求4、5、7和8中任一項所述的含硅絕緣膜，介電常數(shù)為3.0以下。全文摘要本發(fā)明提供一種含硅膜形成用材料，含有右述通式(1)所示的有機硅烷化合物。(式中，R¹～R⁴相同或不同，表示氫原子、碳原子數(shù)1～4的烷基、乙烯基、苯基，R⁵表示碳原子數(shù)1～4的烷基、乙?；?、苯基，n表示1～3的整數(shù)，m表示1～2的整數(shù)。)文檔編號C09D183/00GK101528874SQ200780030018公開日2009年9月9日申請日期2007年8月14日優(yōu)先權(quán)日2006年8月15日發(fā)明者中川恭志,小久保輝一,秋山將宏申請人:Jsr株式會社