專利名稱：：化學機械拋光漿料組合物、及其制備方法和應用方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及化學機械拋光(CMP)漿料組合物，更具體地，涉及用于拋光多晶硅表面的CMP漿料組合物。本發(fā)明也涉及制備CMP漿料組合物的方法和拋光多晶硅表面的方法。
背景技術：
：由512M位和1G位動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)表的集成電路技術中超大規(guī)模集成(ULSI)，可通過高性能和高集成度的半導體器件實現(xiàn)。因此，隨著制造這些器件所要求的最小加工尺寸的進一步變小，在制造下一代器件中可形成相對小的線寬(如55到60■)。集成電路中的集成導致半導體器件尺寸的減小并要求多層互連。高度集成的半導體可通過重復和交替地在彼此上面沉積導電和絕緣材料形成圖案而制造。在各個材料層的表面在圖案形成后沒有平面化時，要在其頂部上形成新的圖案層有困難。例如，在新材料層連續(xù)層疊在材料層間不均勻表面上的情形中，入射光可AU斤射膜上以不同角度反射，導致顯影后形成不精確的光刻膠圖案。因此需要平面化半導體材料的表面以便實現(xiàn)有效的光刻。為了該目的，化學才幾械拋光(CMP)是理想的平面化4支術。多晶石圭的CMP特別重要，因為在半導體制造工藝中，多晶硅材料被廣泛用來在器件中形成才妄觸部和引線。7CMP組合物通常包括漿料，該漿料通常是研磨溶液。在某些工藝中，漿沖+可以施加到晶片和拋光墊表面間的空間中，以1更漿剩-可與晶片的表面化學反應，同時拋光墊物理除去晶片部分表面。用在半導體CMP工藝中的漿料可包括，例如去離子水、金屬氧化物、用于調整pH值的堿或酸、控制拋光速率和選擇性的添加劑等。金屬氧化物可包括二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈰、氧化鋯、二氧化鈥等，這些通常都是用煙化工藝或溶膠-凝膠工藝制造的。胺基添加劑可有助于實現(xiàn)相對高的多晶硅膜的拋光速率，同時提供對絕緣層提供低拋光速率。人們嘗試了改變CMP工藝中的4旭光漿料以^更增加拋光速率的多種方法。例如，美國專利No.4,169,337討論了添加刻蝕劑，如羥乙基乙二胺(aminoethylethanolamine)，美國專矛jNo.3,262,766和3,768,989討i侖了通過在制造Si02過禾呈中共沉淀少量其伸j顆并立，如Ce02顆4立制備拋光纟且合物。進一步，在MechanismofGlassPolishing(玻璃拋光機理)Vol.152,1729,1971中討i侖了添加無才幾鹽，如Ce(OH)4、NH4S04、和Fe(S04)到漿料中。此外，美國專利No.4,169,337討論了由二氧化硅/胺/有機鹽/多元醇構成的漿料；美國專利No.4,169,337討論了由二氧化硅/胺構成的漿料；美國專利No.5,139,571討-論了由二氧化石圭/季銨鹽構成的漿沖+;美國專利No.5,759,917討論了由二氧化鈰/羧酸/二氧化硅構成的漿料；和美國專利No.5，938，505討i侖了由四甲基銨鹽/過氧化氫構成的漿泮+。用于拋光多晶硅膜的漿料相對于用作阻擋層(stoplayer)的絕纟彖氧化物膜對多晶^圭膜具有拋光選"^性。然而，該拋光選擇性可導致多晶-圭膜由于化學才幾械作用產生凹陷(dishing)。出玉見凹陷對隨后的光處理會產生不利影響，這可導致形成的多晶硅線(polycrystallinesiliconlines)產生高度差。結果惡4匕單元內電氣特性和接觸特征。因此，需要改善或消除凹陷問題并因此改善晶片內不均勻性的漿料組合物。
發(fā)明內容技術問題因此，本發(fā)明考慮了現(xiàn)有技術的上述問題，本發(fā)明的目的是提供具有高度選擇性的化學機械拋光(CMP)漿料組合物，其包括金屬氧化物和添加劑，包括氟化表面活性劑和季銨表面活性劑。:技術方案本發(fā)明某些實施方式中提供的化學機械拋光(CMP)漿料組合物，包括(a)金屬氧化物；(b)pH調節(jié)劑；(c)氟化表面活性劑；以及(d)季銨表面活性劑。在本發(fā)明某些實施方式中，氟化表面活性劑可包括非離子型全氟烷基磺酰化合物。在某些實施方式中，非離子型全氟烷基磺?；衔锟砂ㄓ苫瘜W式1表示的化合物CF3(CF2)nS02X(1)其中n可以是從1至約20的整數(shù)；X可以是COOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3或(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3;R可以是d.2o烷基基團；m可以是/人1至約100的整數(shù)。在某些實施方式中，基于漿料組合物的總重量，漿^f十組合物中存在的氟化表面活性劑的量在約0.001%至約1%的范圍。在本發(fā)明的某些實施方式中，季銨表面活性劑可包4舌季銨鹽。在某些實施方式中，季銨鹽可包括由化學式2表示的化合物0—\+Rb-N-(CH2)p-CH—(CH2)q—N-ReX(2)其中Ra、Rb、Rc、&、Re和Rf各自獨立地是d-2o烷基基團；X—是卣素陰離子；而p和q各自獨立地是范圍在1至10的整#:。在某些實施方式中，基于漿料組合物的總重量，漿庫牛組合物中存在的季4妄表面活性劑的量按重量計在約0.001%至約1%的范圍。在本發(fā)明某些實施方式中，pH調節(jié)劑可包4舌季銨石威。在某些實施方式中，基于漿料組合物的總重量，漿料組合物中pH調節(jié)劑的量4要重量計在約0.01%至約5%的范圍。在本發(fā)明某些實施方式中，金屬氧化物包括Si02、Al203、Ce02、Zr02和Ti02中的至少一種。在具體實施方式中，金屬氧化物的原始粒徑(primaryparticlesize)在約10nm至約300nm的范圍內，且比表面積在約10至約300mVg的范圍內。而且，才艮據(jù)本發(fā)明實施方式提供了制備漿泮牛組合物的方法。此外，本文提供了多晶硅表面的拋光方法，包括提供根據(jù)本發(fā)明實施方式的漿料組合物至多晶硅表面，并實施CMP工藝從而拋光多晶石圭表面。具體實施例方式下面更全面地說明本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以許多不同形式實施，且不能理解為限于這里列出的實施方式。而且，提供這些實施方式以4吏本7>開內容是充分和完整的，并向本領域技術人員全面?zhèn)鬟_本發(fā)明的范圍。發(fā)明。如本文所用的，除非本說明書明確指出，單數(shù)形式"一"，"一個"和"該"也包4舌其多凄史形式。進一步可以理解，用在本"i兌明書中的術語"包括"和/或"包含"指明存在所列出的特征、整體、步驟、操作、元素、和/或組分，但不排除存在或添加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元素、組分和/或其組合。除非另外定義，所有術語(包括技術和科學術語)與本發(fā)明所屬領域普通4支術人員通常所理解的意義相同。進一步可以理解術語t者如在通?！嚼粲玫脑~典中所定義的那些術語應解釋為具有與在相關領域上下文中的含義相一致的意義，且不能解釋為理想的或過度正式的意義，除非本"i兌明書明確這樣定義。所有本說明書引用的文獻通過引用結合于此。ii在本發(fā)明的某些實施方式中，化學機械拋光(CMP)漿料組合物可包括(a)金屬氧化物；(b)pH調節(jié)劑；(c)氟化表面活性劑；以及(d)季銨表面活性劑。任何可用煙化(fuming)或溶膠-凝膠工藝制備的合適金屬氧化物都可使用。合適的金屬氧化物包括但不限于二氧化^圭(Si02)、氧化鋁(A1203)、二氧化鈰(Ce02)、二氧化4告(Zr02)和二氧化鈦(Ti02)等。這些金屬氧化物可單獨使用或聯(lián)合使用。在本發(fā)明某些實施方式中，金屬氧化物具有的原始粒徑在約10nm到約300nm的范圍內，且在某些實施方式中，在約20nm到約300nm范圍內，通過透射電子顯微鏡(TEM)測定。在某些實施方式中，金屬氧化物具有的比表面積在約10到約300m々g的范圍內。在一種具體實施方式中，金屬氧化物包括二氧化石圭顆粒。當原始粒徑(原始粒徑)在約10nm以下時，拋光速率(即磨掉速率)相對低，這可能不期望地會減少通吐量。然而，當原始粒徑在約300nm以上，會存在相當量的大顆粒，這可導致形成ja-劃痕。在本發(fā)明某些實施方式中，基于組合物的總重量，漿料中金屬氧化物存在的量按重量計在約0.1%到30%范圍內，在某些實施方式中，按重量計在約1°/。到20%范圍內。才艮據(jù)本發(fā)明實施方式的CMP漿料組合物可以具有至少為9的pH值，這可提供所期望的多晶硅拋光速率。為了該目的，根據(jù)本發(fā)明的CMP漿料組合物可包括pH調節(jié)劑，其可包括季銨A咸。合適的季銨堿包括但不限于四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氬氧化銨和四丁基氫氧化銨。pH調節(jié)劑可單獨-使用或聯(lián)合使用。在某些實施方式中，基于漿料的總重量，CMP漿料組合物中存在的pH調節(jié)劑的量按重量計在約0.01%到約5%范圍內。然而，在某些實施方式中，CMP漿料組合物中存在的pH調節(jié)劑的量按重量計在約0.01%到約1%范圍內。氟化表面活性劑有助于控制拋光速率，并可改善多晶石圭膜的晶片內不均勻寸生(within畫wafer-non畫uniformity)。在某些實施方式中，氟化表面活性劑可包括非離子型全氟烷基石黃酰4b合物(perfluoroalkylsulfonylcompound)。非離子型全氟》克基磺?；衔锏娜榛糠挚砂ㄖ辨?、支鏈或環(huán)形全氟烷基。而且，非離子型全氟烷基石黃?；衔锟砂ㄔ谑S?；腿榛g的非氟代烷基間隔(alky1spacer),如亞甲基或亞乙基基團。在某些實施方式中，非離子型全氟烷基磺?；衔锇ㄓ苫瘜W式1表示的化合物CF3(CF2)nS02X(1)其中n可以是從1到約20的整數(shù)；X可以是COOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3或(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3;R可以是Cuo烷基；m可以是從1到約100的整凌丈。如這里所用，Cu。烷基是指具有1到20個碳原子的烷基。此外，在某些實施方式中，n可以是1到約8范圍內的整數(shù)。在本發(fā)明的某些實施方式中，化學式1表示的至少兩個不同氟化表面活性劑可同時用在本發(fā)明中。13在某些實施方式中，基于漿料的總重量，CMP漿料組合物中氟化表面活性劑的存在量按重量計在約0.001%到約1%的范圍內。在具體實施方式中，CMP漿料組合物中氟化表面活性劑的存在量按重量計在約0.001%到約0.5%的范圍。當氟化表面活性劑的存在量按重量計小于約0.001%時，多晶硅的拋光速率會太高，且晶片邊緣部分可能會被過度拋光，這將惡化晶片內不均勻性。然而，當氟化表面活性劑的存在量按重量計超過約1%時，多晶硅的拋光速率會太低，且晶片邊緣部分會拋光不夠，這將惡化晶片內不均勻性。此外，通過適當控制CMP漿料組合物中氟化表面活性劑的含量，可改善邊續(xù)4侖廓并減少凹陷。季銨表面活性劑可用于改善多晶硅膜相對絕緣氧化物膜的拋光選擇性，并可改善多晶硅膜的晶片內不均勻性。在某些實施方式中，季銨表面活性劑可包括季銨鹽。在某些實施方式中，季銨鹽可包括化學式2表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自獨立地是C"2o烷基基團；X-可以是鹵素陰離子；而p和q各自獨立地是范圍在1至10的整數(shù)。此外，在某些實施方式中，Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自獨立地是具有1到約4個碳原子的烷基基團。而且，在某些實施方式中，p和q各自獨立地是l到3范圍內的整凄t,且在具體的實施方式中，p和q均是i。在某些實施方式中，x-是cr。在本發(fā)明的某些實施方式中，由化學式2表示的至少兩個不同季銨鹽可同時用在根據(jù)本發(fā)明的組合物中。在某些實施方式中，基于漿料的總重量，CMP漿料組合物中季銨表面活性劑的存在量按重量計在約0.001%到約1%的范圍內。在具體的實施方式中，CMP漿料組合物中季銨表面活性劑的存在量按重量計在約0.001%到約0.5%的范圍內。當季銨表面活性劑的存在量按重量計小于約0.001%時，多晶硅的拋光速率會太低，并可在所形成的圖案表面上沖企測到本應在拋光后除去的多晶硅殘余。然而，當季銨表面活性劑的存在量按重量計超過約1%時，多晶硅的拋光速率會太高并可出現(xiàn)凹陷，這會惡化晶片內不均勻性。在本發(fā)明某些實施方式中，根據(jù)本發(fā)明實施方式的CMP漿料組合物對多晶硅膜相對絕緣氧化物膜的選擇性可在約50:1到約1000:1的范圍內。CMP漿沖牛組合物的方法，包括基于漿料的總重量，將按重量計約0.001%到約1%的氟4匕表面活性劑、4姿重量計約0.001%到約1%的季銨表面活性劑、按重量計約0.01%到約5%的pH調節(jié)劑和按重量計約0.1%到約30°/。的金屬氧化物加入到水中，其中水的存在量按重量計在約65%到99%的范圍內，然后攪動混合物。在某些實施方式中，氟化表面活性劑包括非離子型全氟烷基磺?；衔?，以及在某些實施方式中，氟化表面活性劑包括由化學式1表示的化合物。在某些實施方式中，季銨表面活性劑包括季銨鹽，在某些實施方式中，季銨鹽包括由化學式2表示的化合物。在某些實施方式中，pH調節(jié)劑包括季銨堿。在某些實施方式中，水是超純水。在本發(fā)明某些實施方式中，拋光多晶義圭表面的方法包4舌向多晶硅表面提供根據(jù)本發(fā)明實施方式的漿料組合物，并進行CMP工藝/人而拋光多晶石圭表面。具體實施例方式本發(fā)明將參考下面的實施例更詳細地描述。然而，應合出這些例子是為了說明的目的，而不能解釋為限制本發(fā)明的范圍。實施例實施例1首先，12.5g的20wt。/。四曱基氬氧化銨(TMAH)的水溶液加入到4111.9g的超純水中。加入10分鐘后，向其中添加O.lg聚氧乙烯全氟丁基石黃酰酯和0.5g式3表示的化合物。H3CH3C/C4H9.CH2—CH—CH2—N-CH3\c4H9CI(3)該混合物與875g20wt。/。的膠體二氧化硅水溶液在反應器中混合。產生的混合物以500rpm攪動并通過5纟啟米過濾器過濾從而獲得漿料。在下面的條件下，用該漿料拋光晶片一分鐘拋光機器MIRRA(AMAT);4旭光墊IC1010/SubaIVKgroove(Rhom&Haas);拋光襯底Poly-Si,PTEOS，8"空白晶片；盤速120rpm;頭速度115rpm;壓力2.0psi;溫度25°C;漿泮牛流量200ml/min。測量晶片在拋光前后的厚度，以光學揮:針(optiprobe)用98點分析評16估邊緣3毫米外的晶片內不均勻性(WIWNU)。結果在下面表1中示出。實施例2漿料是以如實施例1相同的方式獲得的，只不過加入l.Og式3表示的化合物。漿料的拋光性能是按照實施例1中所述的步驟評估的。結果在下面表l中示出。實施例3漿料是以如實施例1相同的方式獲得的，只不過加入1.5g式3表示的化合物。漿料的拋光性能是按照實施例1中所述的步驟評估的。該結果在下面表l中示出。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>如從表1所示數(shù)據(jù)中看到的那樣，隨著季銨表面活性劑的濃度增加，多晶硅膜相對絕緣氧化物膜的拋光選擇性被改善。比較例1以與實施例l相同的方式獲得漿料，只不過省去了式3表示的化合物。漿料的拋光性能是根據(jù)實施例1中所述的過程評估的。結果在下面表2中示出。比較例2以與實施例l相同的方式獲得漿料，只不過省去了聚氧乙烯全氟丁基磺酰酯。漿料的拋光性能是根據(jù)實施例1中所述的過程評估的。結果在下面表2中示出。表2膠體二氧化娃(20%)量拋光性能聚氧乙烯全氟丁基磺酰酯TMAH(20%)式3的化合物多晶娃PTEOS選擇性拋光速率(A/min)WIW而(%)拋光速率(A/min)WIWNU(%)比較例1875gO.lg12.5g—12516.84383.35332諒軍875g一12.5g0.5g24817.95143.54177如從表2中所示數(shù)據(jù)看到的那樣，當不用季銨表面活性劑時，多晶硅膜相對絕緣氧化物膜的拋光選擇性顯著減小。此外，當不用季銨表面活性劑或氟化表面活性劑時，晶片內不均勻性惡化。t匕4交侈寸3以與實施例1相同的方式獲得漿泮牛，除了加入乙二胺(ethylenediamine)代替式3所示的化合物。漿料的拋光性能是^4居實施例1中所述的過程評估的。結果在下面表3中示出。18表3<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>如從表3中所示數(shù)據(jù)看到的那樣，當加入乙二胺來代替季銨表面活性劑時，多晶硅膜相對絕緣氧化物膜的拋光選擇性顯著減小，且晶片內不均勻性惡化。如從上面的描述明顯看出的那樣，本發(fā)明^是供拋光多晶硅膜的CMP漿^牛組合物，其可改善或消除凹陷的問題，并^是供理想的晶片內不均勻性，同時保持足夠的選擇性。雖然為了說明的目的公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但本領域才支術人員將理解可進4亍各種》務改、添加和替4灸，而不偏離所附4又利要求限定的本發(fā)明的范圍和精神。權利要求1.一種化學機械拋光(CMP)漿料組合物，包括(a)金屬氧化物；(b)pH調節(jié)劑；(c)氟化表面活性劑；以及(d)季銨表面活性劑。2.根據(jù)權利要求1所述的CMP漿料組合物，其中所述氟化表面活性劑包括非離子型全氟烷基磺?；衔?。3.根據(jù)權利要求2所述的CMP漿料組合物，其中所述非離子型全氟烷基石黃?；衔锇ㄓ苫瘜W式1表示的化合物CF3(CF2)nS02X(1)其中n是從1到約20的整數(shù)；X是選自COOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3和(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3組成的組；R是d.2o烷基基團；且m是從1到約100的整數(shù)。4.根據(jù)權利要求1所述的漿料組合物，其中，基于所述漿料組合物的總重量，所述氟化表面活性劑的存在量按重量計在約0.001%至約1%的范圍內。5.才艮據(jù)4又利要求1所述的CMP漿津+組合物，其中所述季銨表面活性劑包括季銨鹽。6.根據(jù)權利要求5所述的CMP漿料組合物，其中所述季銨鹽包括式2表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>(2)其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自獨立地是d-2。烷基基團；X-是卣素陰離子；而p和q各自獨立地是范圍在1至10的整數(shù)。7.根據(jù)權利要求6所述的CMP漿料組合物，其中Ra、Rb、Rc、Rd、R^和Rf各自獨立地是d-C4烷基基團；p和q均是l;且x-是cr。8.根據(jù)權利要求1所述的漿料組合物，其中，基于所述漿料組合物的總重量，所述季銨表面活性劑的存在量按重量計在約0.001%至約1%的范圍內。9.根據(jù)權利要求1所述的CMP漿料組合物，其中所述pH調節(jié)劑包4舌季4妄石威。10.才艮據(jù)誶又利要求9所述的漿泮+組合物，其中所述季銨石咸包括選自由四曱基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨和四丁基氬氧化銨組成的組中的至少一種化合物。11.根據(jù)權利要求1所述的漿料組合物，其中，基于所述漿料組合物的總重量，所述pH調節(jié)劑的存在量按重量計在約0.01%至約5%的范圍內。12.根據(jù)權利要求1所述的漿料組合物，其中所述金屬氧化物包括選自由Si02、A1203、Ce02、Zr02和1102組成的組中的至少一種化合物。13.才艮據(jù)權利要求1所述的漿料組合物，其中所述金屬氧化物的原始粒徑在約10nm至約300nm的范圍內，且比表面積在約10至約300m2/g的范圍內。14.根據(jù)權利要求3所述的漿料組合物，其中所述氟化表面活性劑包括至少兩種不同的氟化表面活性劑，其中所述至少兩種不同的氟化表面活性劑由化學式1表示。15.根據(jù)權利要求6所述的漿料組合物，其中所述季銨鹽包括至少兩種不同的季銨鹽，其中所述至少兩種不同的季銨鹽由化學式2表示。16.—種制備CMP漿津+組合物的方法，包括基于所述漿并+的總重量，向水中添加4要重量計約0.001%至約1%的氟化表面活性劑、按重量計約0.001%至約1%的季銨表面活性劑、按重量計約0.01%至約5%的pH調節(jié)劑和按重量計約0.1%至30%的金屬氧4匕物，以形成混合物，其中水的存在量4要重量計在約65%至99%的范圍內，并4覺4半所述混合物。17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述氟化表面活性劑是化學式1表示的非離子型全氟烷基磺?；衔顲F3(CF2)nS02X(1)其中n是從1至約20的整數(shù)；X選自由COOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3和(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3組成的組；R是Cwo烷基基團；并且m是從1至約100的整數(shù)。18.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述季銨表面活性劑是化學式2表示的季銨鹽<formula>formulaseeoriginaldocumentpage5</formula>其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自獨立地是Cwo烷基基團；X-是卣素陰離子；并且p和q各自獨立地是范圍在1至10的整數(shù)。19.根據(jù)權利要求18所述的CMP漿料組合物，其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自獨立地是C廣C4烷基基團；p和q均是l;并且x-是cr。20.—種用于拋光多晶石圭表面的方法，包括向多晶硅表面提供漿料組合物，其中所述漿料組合物包括(a)金屬氧化物；(b)pH調節(jié)劑；(c)氟化表面活性劑；和(d)季銨表面活性劑；以及實施CMP工藝/人而4勉光所述多晶石圭表面。21.根據(jù)權利要求20所述的方法，其中所述氟化表面活性劑是化學式1表示的非離子型全氟烷基磺酰化合物CF3(CF2)nS02X(1)其中n是從1至約20的整數(shù)；X是選自由COOR、OR、(OCH2CH2)mOCH2CH3和(OCH2CH(OH)CH2)mOCH2CH(OH)CH3組成的組；R是C^o烷基基團；并且m是從1到約100的整數(shù)。22.根據(jù)權利要求20所述的方法，其中所述季銨表面活性劑是化學式2表示的季銨鹽<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(2)其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re和Rf各自獨立地是Cwo烷基基團；X-是卣素陰離子；而p和q各自獨立地是范圍在1至10的整tt。23.根據(jù)權利要求22所述的CMP漿料組合物，其中Ra、Rb、Rc、Rd、R^和Rf各自獨立地是C廣C4烷基基團；p和q均是l;并且x-是cr。全文摘要本文提供了化學機械拋光(CMP)漿料及其制造方法。本發(fā)明實施方式包括CMP漿料，該漿料包括(a)金屬氧化物；(b)pH調節(jié)劑；(c)氟化表面活性劑；和(d)季銨表面活性劑。在某些實施方式中，氟化表面活性劑是非離子型全氟烷基磺酰化合物。本文還提供了拋光多晶硅表面的方法，包括向多晶硅表面提供根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的漿料組合物，并實施CMP工藝從而拋光多晶硅表面。文檔編號C09K3/14GK101535441SQ200680056303公開日2009年9月16日申請日期2006年11月29日優(yōu)先權日2006年11月7日發(fā)明者李仁慶,鄭載薰申請人:第一毛織株式會社