技術(shù)編號：3819520
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)漿料組合物，更具體地，涉 及用于拋光多晶硅表面的CMP漿料組合物。本發(fā)明也涉及制備 CMP漿料組合物的方法和拋光多晶硅表面的方法。背景技術(shù)由512M位和1G位動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM) 表的集 成電路技術(shù)中超大規(guī)模集成(ULSI)，可通過高性能和高集成度的 半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)。因此，隨著制造這些器件所要求的最小加工尺寸 的進(jìn)一步變小，在制造下一代器件中可形成相對小的線寬(如55 到60 ■)。集成電路中的集成導(dǎo)致半導(dǎo)體器件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。