專利名稱：：導(dǎo)電聚合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明一般涉及導(dǎo)電聚合物、空穴傳輸材料和發(fā)光材料以及有機(jī)電子器件的制造方法。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電子器件將電能轉(zhuǎn)化為輻射，通過電子方法檢測信號，將輻射轉(zhuǎn)化為電能，或者包括一個或多個有機(jī)半導(dǎo)體層。如同本領(lǐng)域技術(shù)人員意識到的，在有機(jī)電子器件的一些層中，導(dǎo)電聚合物是非常有用的。有機(jī)電子器件包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，該器件使用聚合物或小分子作為發(fā)光材料。小分子包括有機(jī)化合物和有機(jī)金屬絡(luò)合物，它們是熒光或磷光發(fā)光材料，在本領(lǐng)域是眾所周知的。己知使用水溶性非氟化聚合酸作為抗衡陰離子的常規(guī)導(dǎo)電聚合物(ECP)可用作緩沖層材料。但是，常規(guī)ECP的酸性非常高，pH低于1.8。這樣極高的酸性會攻擊陽極層和處理設(shè)備。而且，低pH值會縮短有機(jī)器件的應(yīng)力壽命(stresslife)。因此，必須改進(jìn)ECP。發(fā)明概述在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明提供pH值大于1.8的導(dǎo)電聚合物(ECP)組合物以及使用該組合物的器件、組合物和方法。上述概括說明和以下詳細(xì)說明僅僅是示例性和解釋性的，不旨在限制本發(fā)明，本發(fā)明由所附權(quán)利要求限定。附圖簡要說明為了更好地理解文中所述的內(nèi)容，結(jié)合實(shí)施方式。圖1是有機(jī)電子器件的示意圖。該圖是作為例子給出，不旨在限制本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，圖中的物體是為了簡單和清楚的目的示出，不需要按照比例繪制。例如，圖中一些物體的尺寸可以相對于其它物體放大，從而幫助理解本發(fā)明的實(shí)施方式。發(fā)明詳述在一個實(shí)施方式中，本發(fā)明提供一種導(dǎo)電聚合物(ECP)組合物，該組合物包含存在于液體介質(zhì)中的導(dǎo)電聚合物，其中所述組合物的pH值大于1.8。文中所用的術(shù)語"導(dǎo)電聚合物"指不需要加入炭黑或?qū)щ婎w粒本身就能夠?qū)щ姷娜魏尉酆衔锘虻途畚?。在一些?shí)施方式中，導(dǎo)電聚合物以質(zhì)子化的形式導(dǎo)電，而不是以非質(zhì)子化的形式導(dǎo)電。術(shù)語"聚合物"包括均聚物和共聚物。術(shù)語"導(dǎo)電性"包括導(dǎo)電性和半導(dǎo)電性。在一個實(shí)施方式中，由導(dǎo)電聚合物制備的膜的電導(dǎo)率至少為10.7S/Cm。在一個實(shí)施方式中，導(dǎo)電材料的體積電導(dǎo)率約大于10一68(西門子=1/歐姆)/。術(shù)語"液體介質(zhì)"指液體物質(zhì)，包括純液體，液體組合、溶液、分散體、懸浮液和乳液。不管是存在一種液體還是多種液體，都是使用液體介質(zhì)。在一個實(shí)施方式中，液體介質(zhì)是包含至少60重量％的水的水性介質(zhì)。在一個實(shí)施方式中，組合物中ECP的含量為0.5-10重量％。在一個實(shí)施方式中，ECP的含量為1-3重量％。ECP組合物的固有pH值通常等于或小于1.8。對于本申請，權(quán)利要求包括pH值已經(jīng)被調(diào)節(jié)到其固有pH值以上的常規(guī)ECP組合物。不鼓勵一定要進(jìn)行這樣的處理，因?yàn)檫@樣的改變降低了電導(dǎo)率。在一個實(shí)施方式中，ECP組合物的pH值大于2.0。在一個實(shí)施方式中，ECP組合物的pH值大于3.0。在一個實(shí)施方式中，ECP組合物的pH值大于3.9。應(yīng)理解，所有從1.8以上至7以上的pH值范圍的組合和亞組合都是可以的。在一些實(shí)施方式中，使ECP摻雜水溶性非氟化聚合酸。術(shù)語"摻雜的"指導(dǎo)電聚合物具有來自聚合酸的聚合抗衡離子以平衡導(dǎo)電聚合物的電荷。在一些實(shí)施方式中，ECP是緩沖材料。術(shù)語"緩沖層"或"緩沖材料"指在有機(jī)電子器件中起一種或多種作用的導(dǎo)電材料或半導(dǎo)電材料，這些作用包括但不限于，平面化底層，電荷傳輸和/或電荷注入性質(zhì)，清除氧或金屬離子之類的雜質(zhì)，以及其它有利于提高有機(jī)電子器件性能的方面。當(dāng)涉及層、材料、元件或結(jié)構(gòu)時(shí)，術(shù)語"電荷注入"指這種層、材料、元件或結(jié)構(gòu)能夠促進(jìn)電荷遷移入相鄰的層、材料、元件或結(jié)構(gòu)。當(dāng)涉及層、材料、元件或結(jié)構(gòu)時(shí)，術(shù)語"電荷傳輸"指這種層、材料、元件或結(jié)構(gòu)能夠促進(jìn)電荷以相對有效和電荷損失較小的方式遷移通過這種層、材料、元件或結(jié)構(gòu)的厚度。在一些實(shí)施方式中，ECP選自下組聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、多環(huán)芳族聚合物、它們的共聚物和它們的混合物。術(shù)語"多環(huán)芳族"指具有不止一個芳環(huán)的化合物。這些環(huán)可以通過一個或多個鍵連接，或者可以稠合在一起。術(shù)語"芳環(huán)"包括雜芳環(huán)。"多環(huán)雜芳族"化合物具有至少一個雜芳環(huán)。在一些實(shí)施方式中，ECP是被取代的。示例性的取代基包括但不限于以下例舉的基團(tuán)垸基(-R)、芳基(-Ar)、垸氧基(-OR)、羥基(-OH)、醇(-ROH)、羧酸/羧酸鹽(-RC02H或-RC02M，M-堿金屬或堿土金屬)和磺酸/磺酸鹽(-RS03H或-RS03M)。在一些實(shí)施方式中，ECP是聚二氧噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚(噻吩并噻吩)、它們的共聚物或它們的混合物。例如，聚苯胺和聚二氧噻吩材料可以通過苯胺或二氧噻吩單體在水溶液中、在水溶性聚合酸(例如，聚(苯乙烯磺酸)(PSS))存在下發(fā)生聚合反應(yīng)來制備。在一個實(shí)施方式中，ECP是聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)(PEDOT)/聚(苯乙烯磺酸酯)(PSS)水性分散體(可以商品名BAYTRON-P從德國的H.C.StarckGmbH商購)。在另一個實(shí)施方式中，ECP是聚苯胺(PAni)/PSS水性液體，可從德國的OrmeconChemieGmbH&Co.購得。聚噻吩是已知的導(dǎo)電聚合物，可選自以下文獻(xiàn)中描述的聚噻吩"HandbookofOligio-andPolythiophenes",D.Fichou，編輯，Wiley-VCH,紐約(1999);J.Roncali,Chem.Rev"97,173(1997);A.Kraft,A.C.Grimsdale和A.B.Holmes,Angew.Chem.，110，416(1998);J.Roncali,J.Mater.Chem.,9,1875(1999);J.Roncali,A皿u.Rep.Prog.Chem.Sec.C.,95,47(1999);A.J.Heeger,Synth.Met"55-57,3471(1993);G.Kobmehl和G.Schopf，Adv.Polym.Sci.,129，1(1996)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將選擇為了形成有機(jī)電子器件而適用于沉積的聚噻吩。在一個實(shí)施方式中，ECP是摻雜有有機(jī)磺酸的水性聚吡咯，例如，可從Aldrich,St.Louis,MO(產(chǎn)品目錄#482552)購得的水性聚吡咯。應(yīng)理解，ECP還可包含水溶性抗衡陰離子。在一個實(shí)施方式中，提供一種組合物，該組合物包含上述任何實(shí)施方式中所述的導(dǎo)電聚合物；以及在液體介質(zhì)中的空穴傳輸材料(HTM)，其中組合物的pH值大于1.8。在一個實(shí)施方式中，液體介質(zhì)是水性介質(zhì)。在一些實(shí)施方式中，空穴傳輸材料是N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基HU'-聯(lián)苯基]-4，4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二(4-乙烯基苯基HU'-聯(lián)苯基]-4,二胺(二乙烯基-p-TPD)、1，1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPC)、^1^-二(4-甲基苯基)^,:^'-二(4-乙基苯基)-[1，1'-(3,3'-二甲基)聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N,N',N'-2,5-苯二胺(PDA)、a-苯基4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、對(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯胺(TPA)、二[4(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[對-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對-(二乙基氨基)苯基]卩比唑啉(PPR或DEASP)、1,2反式-二(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(DCZB)、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(U'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺(TTB)、N,N'-二(萘-l-基)-N,N'-二-(苯基)聯(lián)苯胺(a-NPB)、4,4'-N，N'-二咔唑基聯(lián)苯(CBP)、葉啉化合物、聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、聚(芳基胺)，在另一個實(shí)施方式中，HTM包括芴-亞芳基的共聚物；例如，芴-咔唑、芴/l-(聯(lián)噻吩)、芴/3，(2，13-苯并噻二唑)、芴/2-(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-乙氧甲酰苯基)聯(lián)苯胺)等。在另一個實(shí)施方式中，HTM包括芳胺與共軛單體的共聚物。在另一個實(shí)施方式中，HTM聚合物或共聚物包含可交聯(lián)鏈段，使之后的層沉積物不能溶于溶劑中。在一個實(shí)施方式中，HTM是可從DowChemical購得的HT-6、HT-12或HT-25。在一個實(shí)施方式中，HTM是N,N'-二苯基-N,N'-二(4-乙烯基苯基)-[U'-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(二乙烯基-p-TPD)。在另一個實(shí)施方式中，本發(fā)明提供一種用于有機(jī)電子器件的組合物的制備方法，該方法包括提供水性分散體形式的導(dǎo)電聚合物；提高該分散體的pH值；使pH值提高的導(dǎo)電聚合物與空穴傳輸材料接觸。在一個實(shí)施方式中，導(dǎo)電聚合物和空穴傳輸材料在相鄰的、不同的、不連續(xù)層中。在一個實(shí)施方式中，導(dǎo)電聚合物和空穴傳輸材料在同一層中。在另一個實(shí)施方式中，本發(fā)明提供一種組合物，該組合物包含上述的組合物和至少一種溶劑、加工助劑、電荷傳輸材料或電荷阻擋材料。在另一個實(shí)施方式中，本發(fā)明提供一種包含上述組合物的有機(jī)電子器件。在一個實(shí)施方式中，導(dǎo)電聚合物和空穴傳輸材料在不連續(xù)層中。在一個實(shí)施方式中，導(dǎo)電聚合物和空穴傳輸材料在同一層中。在一個實(shí)施方式中，提供包含以下組分的組合物上述化合物和至少一種溶劑、加工助劑、電荷傳輸材料或電荷阻擋材料。這些組合物可以是任何形式，包括但不限于溶劑、乳液和膠狀分散體。器件參考圖1，顯示了示例性有機(jī)電子器件100。該器件100包括基材105。基材105可以是硬質(zhì)或軟質(zhì)的，例如，玻璃、陶瓷、金屬或塑料。當(dāng)施加電壓時(shí)，發(fā)射的光透過基材105可見。在基材105上沉積第一電接觸層110。為了說明的目的，層110是陽極層。陽極層可以作為線條(lines)沉積。陽極可由例如含有或包含金屬、混合金屬、合金、金屬氧化物或混合金屬氧化物的材料制成。陽極可包含導(dǎo)電聚合物、聚合物摻混物或聚合物混合物。合適的金屬包括第11族金屬，第4、5、6族的金屬，第8、IO族的過渡金屬。如果要求陽極是透光的，則通常使用第12、13和14族金屬的混合金屬氧化物，例如銦-錫-氧化物。陽極還可以包含有機(jī)材料，特別是導(dǎo)電聚合物如聚苯胺，包括在"FlexibleLight-EmittingDiodesMadeFromSolubleConductingPolymer,"Nature,第357巻，第477479頁(1992年6月11日)中所述的示例性材料。陽極和陰極中至少一個應(yīng)該是至少部分透明的，這樣可以觀察到產(chǎn)生的光。在陽極層110上沉積緩沖層120。在一個實(shí)施方式中，由pH值大于1.8的ECP組合物沉積緩沖層。在一個實(shí)施方式中，由pH值大于1.8并且還包含空穴傳輸材料的ECP組合物沉積緩沖層?？梢栽诰彌_層120上沉積包含空穴傳輸材料的任選層。在KirkOthmerEncyclopediaofChemicalTechnology,第4版，第18巻，第837860頁，1996，Y.Wang中已經(jīng)總結(jié)了適合用作空穴傳輸材料層的空穴傳輸材料的例子?？昭▊鬏?小"分子以及低聚物和聚合物都可以使用?？昭▊鬏敺肿影?，但不限于N,N'隱二苯基曙N,N'-二(3-甲基苯基HU'-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)、l,l-二[(二—4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPC)、N，N'-二(4-甲基苯基)-N,N'-二(4-乙基苯基HU'-(3,3'-二甲基)聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)^凡^[',:^-2,5-苯二胺(PDA)、a-苯基4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、對(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯胺(TPA)、二[4(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲垸(MPMP)、1-苯基-3-[對-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對-(二乙基氨基)苯基]口比唑啉(PPR或DEASP)、1，2反式-二(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁垸(DCZB)、N,N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(l,l'-聯(lián)苯基)-4,4'-二胺(TTB)、N,N'-二(萘隱l-基)-N,N'-二-(苯基)聯(lián)苯胺(a-NPB)、4，4'-N,N'-二咔唑基-聯(lián)苯基(CBP)和卟啉化合物，諸如銅酞菁?？捎玫目昭▊鬏斁酆衔锇?，但不限于，聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅垸和聚苯胺。HTM共聚物包括，但不限于芴-咔唑、芴/l-(聯(lián)噻吩)、芴/3，(2，13-苯并噻二唑、芴/2-(N,N'-二苯基-N,N'-二(3-乙氧甲酰苯基)聯(lián)苯胺)、和芳胺與共軛單體的共聚物。共軛單體包括，但不限于噻吩、芴和咔唑。HTM聚合物或共聚物可包含可交聯(lián)的鏈段，使之后的層沉積物不能溶于溶劑中。導(dǎo)電聚合物可作為一類物質(zhì)使用?？梢酝ㄟ^將空穴傳輸部分(例如上述的那些)摻雜到聚苯乙烯和聚碳酸酯之類的聚合物中來得到空穴傳輸聚合物。當(dāng)存在空穴傳輸材料層時(shí)，可以在該層上沉積有機(jī)層130，或者在第一緩沖層120上沉積有機(jī)層130。在一些實(shí)施方式中，有機(jī)層130可以是多個包含各種組分的不連續(xù)(discrete)層。根據(jù)器件的應(yīng)用，有機(jī)層130可以是通過施加電壓活化的發(fā)光層(例如在發(fā)光二級管或發(fā)光電化學(xué)電池中)，或者是在施加或不施加偏壓的情況下對輻射能具有響應(yīng)并能產(chǎn)生信號的材料層(例如在光檢測器中)。器件中的其它層可由考慮到這些層的作用適合用于這些層的任何材料制成。任何有機(jī)電致發(fā)光("EL")材料都可用作光敏材料(例如，在層130中)。這類材料包括，但不限于，熒光染料、小分子有機(jī)熒光化合物、熒光和磷光金屬絡(luò)合物、共軛聚合物和它們的混合物。熒光染料的例子包括，但不限于，芘、茈、紅熒烯、它們的衍生物和它們的混合物。金屬絡(luò)合物的例子包括，但不限于，金屬螯合的類喔星(oxinoid)化合物，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3);環(huán)金屬化的銥和鉬電致發(fā)光化合物，諸如Petrov等在公開的PCT申請WO02/02714中描述的銥與苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配體的絡(luò)合物，以及例如公開的申請US2001/0019782、EP1191612、WO02/15645和EP1191614中的有機(jī)金屬絡(luò)合物；以及它們的混合物。電致發(fā)光發(fā)射層包含電荷攜帶基質(zhì)(host)材料和金屬絡(luò)合物，Thompson等在美國專利6303238中，Burrows和Thompson在公開的PCT申請WO00/70655和WO01/41512中已經(jīng)對這些材料和金屬絡(luò)合物進(jìn)行了描述。共軛聚合物的例子包括，但不限于，聚(亞苯基亞乙烯基)、聚芴、聚(螺二芴)、聚噻吩、聚(對亞苯基)、它們的共聚物和它們的混合物。在本發(fā)明器件的一個實(shí)施方式中，光敏材料可以是有機(jī)金屬絡(luò)合物。在另一個實(shí)施方式中，光敏材料是銥或鉑的環(huán)金屬化絡(luò)合物。也可以使用其它可用的光敏材料。Petrov等在公開的PCT申請WO02/02714中揭示了作為電致發(fā)光化合物的銥與苯基吡啶、苯基喹啉或苯基嘧啶配體的絡(luò)合物。例如，公開的申請US2001/0019782、EP1191612、WO02/15645和EP1191614中描述了其它有機(jī)金屬絡(luò)合物。Burrows和Thompson在公開的PCT申請WO00/70655和WO01/41512中描述了具有摻雜有銥的金屬絡(luò)合物的聚乙烯基咔唑(PVK)的活性層的電致發(fā)光器件。電致發(fā)光發(fā)射層包含電荷攜帶基質(zhì)材料和磷光鉑絡(luò)合物，Thompson等在美國專利6303238中，Bradley等在Synth.Met.(2001)，116(1-3),379-383中，Campbell等在Phys.Rev.B,巻65085210中描述了這些材料和絡(luò)合物。在有機(jī)層130上沉積第二電接觸層160。為了說明的目的，層160是陰極層。陰極層作為線條或膜沉積。陰極可以是功函數(shù)比陽極低的任何金屬或非金屬。陰極材料的例子包括堿金屬，特別是鋰；第2族(堿土)金屬；第12族金屬，包括稀土元素和鑭系元素；和錒系元素?？梢允褂娩X、銦、鈣、鋇、釤和鎂之類的材料，以及它們的組合。還可以在有機(jī)層和陰極層之間沉積含鋰化合物和其它化合物(例如LiF和Li20)，以降低系統(tǒng)的工作電壓。將電子傳輸層140或電子注入層150任選地設(shè)置在與陰極相鄰的位置，陰極有時(shí)稱為"電子注入接觸層"。在接觸層160上沉積包封層170，以防止水和氧之類的不利組分進(jìn)入器件100。這類組分對有機(jī)層130產(chǎn)生不利的影響。在一個實(shí)施方式中，包封層170是阻擋層或膜。盡管沒有描述，應(yīng)理解器件100可包括其它層。例如，在陽極110和緩沖層120之間可存在一個層(未示出)以促進(jìn)正電荷的傳輸和/或?qū)又g的帶隙匹配，或者用作保護(hù)層?？墒褂帽绢I(lǐng)域中已知的其它層。另外，任何上述層都可包含兩個或更多個子層，或者形成層狀結(jié)構(gòu)?；蛘?，可以對陽極層110、緩沖層120、空穴傳輸層、電子傳輸層140和150、陰極層160和其它層中的全部或一些進(jìn)行處理，尤其是進(jìn)行表面處理，提高器件的電荷載流子傳輸效率或其它物理性質(zhì)。優(yōu)選通過綜合考慮提供具有高器件效率的器件的目的與器件工作壽命情況、制造時(shí)間和復(fù)雜性因素、以及其它本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)為需考慮的方面，來決定對各部分層的材料的選擇。應(yīng)該意識到確定最佳部分、部分的構(gòu)造和組成的一致性對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說是常規(guī)操作。在一個實(shí)施方式中，不同層具有以下范圍的厚度陽極IIO，500-5000A,在一個實(shí)施方式中，1000-2000A;緩沖層120和空穴傳輸層，各為50-2000A，在一個實(shí)施方式中，200-1000A;光敏層130，10-2000A，在一個實(shí)施方式中，100-lOOOA;層140和150，5-2000A，在一個實(shí)施方式中，100-1000A;陰極160，200-10000A，在一個實(shí)施方式中，300-5000A。各層的相對厚度會影響器件中電子-空穴重組區(qū)的位置，因而影響器件的發(fā)射光譜。因此，應(yīng)該對電子傳輸層的厚度加以選擇，使得電子-空穴重組區(qū)位于發(fā)光層中。所需的層厚度比取決于所用材料的確切性質(zhì)。在工作中，由合適的供電設(shè)備(未示出)向器件100施加電壓。電流因而通過器件100的所有層。電子進(jìn)入有機(jī)聚合物層，釋放出質(zhì)子。在一些OLED(稱為有效矩陣OLED顯示器)中，各光敏有機(jī)膜的沉積物會因?yàn)殡娏鞯耐ㄟ^而分別受到激發(fā)，形成各光發(fā)射像素。在一些稱為無源矩陣OLED顯示器的OLED中，光敏有機(jī)膜的沉積物可被行行列列的電接觸層激發(fā)?？墒褂酶鞣N技術(shù)制備器件。這些技術(shù)包括，但不限于，氣相沉積技術(shù)和液相沉積技術(shù)。還可以將器件作為子部件裝入各制件中，然后組合形成器件。在一個實(shí)施方式中，器件依次具有以下結(jié)構(gòu)陽極，緩沖層，空穴傳輸層，光敏層，電子傳輸層，電子注入層，陰極。在一個實(shí)施方式中，器件依次具有以下結(jié)構(gòu)陽極，緩沖層，空穴傳輸層，光敏層，空穴阻擋層，電子傳輸層，電子注入層，陰極。在一個實(shí)施方式中，陽極由銦錫氧化物或銦鋅氧化物制成。在一個實(shí)施方式中，緩沖層包含選自下組的ECP:聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、它們的共聚物和它們的混合物。在一個實(shí)施方式中，空穴傳輸層包含聚合物空穴傳輸材料。在一個實(shí)施方式中，空穴傳輸層是可交聯(lián)的。在一個實(shí)施方式中，空穴傳輸層包含具有三芳基胺或三芳基甲垸基團(tuán)的化合物。在一個實(shí)施方式中，空穴傳輸層如上所述包含選自下組的材料TPD、二乙烯基p-TPD、MPMP、NPB、CBP和它們的混合物。在一個實(shí)施方式中，光敏層包含電致發(fā)光金屬絡(luò)合物和基質(zhì)材料?；|(zhì)可以是電荷傳輸材料。在一個實(shí)施方式中，基質(zhì)材料是具有喹啉或8-羥基喹啉配體的有機(jī)金屬絡(luò)合物。在一個實(shí)施方式中，電致發(fā)光絡(luò)合物的含量至少為1重量％。在一個實(shí)施方式中，電致發(fā)光絡(luò)合物是2-20重量％。在一個實(shí)施方式中，電致發(fā)光絡(luò)合物是20-50重量％。在一個實(shí)施方式中，電致發(fā)光絡(luò)合物是50-80重量％。在一個實(shí)施方式中，電致發(fā)光絡(luò)合物是80-99重量％。在一個實(shí)施方式中，金屬絡(luò)合物是銥、鉑、錸或鋨的環(huán)金屬化絡(luò)合物。在一個實(shí)施方式中，光敏層還包含第二基質(zhì)材料。第二基質(zhì)材料可以是電荷傳輸材料。在一個實(shí)施方式中，第二基質(zhì)是空穴傳輸材料。在一個實(shí)施方式中，第二基質(zhì)是電子傳輸材料。在一個實(shí)施方式中，第二基質(zhì)材料是羥基芳基-N-雜環(huán)的金屬絡(luò)合物。在一個實(shí)施方式中，羥基芳基-N-雜環(huán)是未取代或取代的8-羥基喹啉。在一個實(shí)施方式中，金屬是鋁。在一個實(shí)施方式中，第二基質(zhì)是選自下組的材料三(8-羥基喹啉)鋁、二(8-羥基喹啉)(4-苯基酚)鋁、四(8-羥基喹啉)鋯和它們的混合物。第一基質(zhì)與第二基質(zhì)的比例為1:100至100:1。在一個實(shí)施方式中，該比例是1:10至10:1。在一個實(shí)施方式中，該比例是1:10至1:5。在一個實(shí)施方式中，該比例是1:5至1:1。在一個實(shí)施方式中，該比例是1:1至5:1。在一個實(shí)施方式中，該比例是5:1至5:10。在一個實(shí)施方式中，空穴阻擋層包含羥基芳基-N-雜環(huán)的金屬絡(luò)合物。在一個實(shí)施方式中，羥基芳基-N-雜環(huán)是未取代或取代的8-羥基喹啉。在一個實(shí)施方式中，金屬是鋁。在一個實(shí)施方式中，電子傳輸層包含選自下組的材料三(8-羥基喹啉)鋁、二(8-羥基喹啉)(4-苯基酚)鋁、四(8-羥基喹啉)鋯和它們的混合物。在一個實(shí)施方式中，電子傳輸層包含羥基芳基-N-雜環(huán)的金屬絡(luò)合物。在一個實(shí)施方式中，羥基芳基-N-雜環(huán)是未取代或取代的8-羥基喹啉。在一個實(shí)施方式中，金屬是鋁。在一個實(shí)施方式中，電子傳輸層包含選自下組的材料三(8-羥基喹啉)鋁、二(8-羥基喹啉)(4-苯基酚)鋁、四(8-羥基喹啉)鋯和它們的混合物。在一個實(shí)施方式中，電子注入層是BaO、LiF或Li02。在一個實(shí)施方式中，陰極是Al或Ba/Al。在一個實(shí)施方式中，通過液相沉積緩沖層、空穴傳輸層和光敏層，以及氣相沉積空穴阻擋層(如果存在)、電子傳輸層、電子注入層和陰極來制造器件。通過沉積文中所述的ECP組合物來形成緩沖層。液體介質(zhì)中ECP的含量為0.5-10重量Q/^。緩沖材料的其它重量百分?jǐn)?shù)取決于液體介質(zhì)。可以通過任何連續(xù)或非連續(xù)液相沉積技術(shù)施加緩沖層。在一個實(shí)施方式中，通過旋涂施加緩沖層。在一個實(shí)施方式中，通過噴墨印刷施加緩沖層。在液相沉積后，可以在空氣中、在惰性氣氛中或者通過真空在室溫或加熱的情況下除去液體介質(zhì)。在一個實(shí)施方式中，將層加熱到小于275。C的溫度。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是100'C至275。C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是IOO'C至120°C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是12(TC至140°C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是140。C至160°C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是16(TC至18(TC。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是18(TC至20(TC。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是20(TC至220。C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是19(TC至220。C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是220。C至240'C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是24(TC至26(TC。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是260'C至275°C。加熱時(shí)間取決于加熱溫度，通常為5-60分鐘。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-200納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-40納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為40-80納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為80-120納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為120-160納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為160-200納米?？捎煽昭▊鬏敳牧先芙饣蚍稚⒃谄渲胁⑶铱捎纱诵纬赡さ娜魏我后w介質(zhì)沉積空穴傳輸層。在一個實(shí)施方式中，液體介質(zhì)主要由一種或多種有機(jī)溶劑組成。在一個實(shí)施方式中，液體介質(zhì)主要由水或水和有機(jī)溶劑組成。在一個實(shí)施方式中，有機(jī)溶劑是芳族溶劑。在一個實(shí)施方式中，有機(jī)液體選自氯仿、二氯甲烷、甲苯、茴香醚和它們的混合物。液體介質(zhì)中空穴傳輸材料的含量是0.2-2重量％?？昭▊鬏敳牧系钠渌亓堪俜?jǐn)?shù)取決于液體介質(zhì)。可通過任何連續(xù)或不連續(xù)的液相沉積技術(shù)施加空穴傳輸層。在一個實(shí)施方式中，通過旋涂施加空穴傳輸層。在一個實(shí)施方式中，通過噴墨印刷施加空穴傳輸層。在液相沉積后，可以在空氣中、在惰性氣氛中或者通過真空在室溫或加熱的情況下除去液體介質(zhì)。在一個實(shí)施方式中，將層加熱到小于275'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是17(TC至275'C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是170'C至20(TC。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是19(TC至22(TC。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是21(TC至240。C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是230'C至27(TC。加熱時(shí)間取決于加熱溫度，通常為5-60分鐘。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-50納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-15納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為15-25納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為25-35納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為35-50納米?？捎晒饷舨牧先芙饣蚍稚⒃谄渲胁⑶铱捎纱诵纬赡さ娜魏我后w介質(zhì)沉積光敏層。在一個實(shí)施方式中，液體介質(zhì)主要由一種或多種有機(jī)溶劑組成。在一個實(shí)施方式中，液體介質(zhì)主要由水或水和有機(jī)溶劑組成。在一個實(shí)施方式中，有機(jī)溶劑是芳族溶劑。在一個實(shí)施方式中，有機(jī)液體選自氯仿、二氯甲烷、甲苯、茴香醚和它們的混合物。液體介質(zhì)中光敏材料的含量是0.2-2重量％。光敏材料的其它重量百分?jǐn)?shù)取決于液體介質(zhì)。可通過任何連續(xù)或不連續(xù)的液相沉積技術(shù)施加光敏層。在一個實(shí)施方式中，通過旋涂施加光敏層。在一個實(shí)施方式中，通過噴墨印刷施加光敏層。在液相沉積后，可以在空氣中、在惰性氣氛中或者通過真空在室溫或加熱的情況下除去液體介質(zhì)。在一個實(shí)施方式中，將沉積的層加熱到比具有最低Tg的材料的Tg更低的溫度。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度至少比最低Tg低IO'C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度至少比最低Tg低20'C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度至少比最低Tg低30'C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是50。C至150°C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是5(TC至75'C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是75'C至IO(TC。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是IO(TC至125°C。在一個實(shí)施方式中，加熱溫度是125。C至150°C。加熱時(shí)間取決于加熱溫度，通常為5-60分鐘。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為25-100納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為25-40納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為40-65納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為65-80納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為80-100納米。當(dāng)存在空穴阻擋層時(shí)，可通過任何氣相沉積法沉積該層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為l-100納米D在一個實(shí)施方式中，最終層厚為1-I5納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為15-30納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為30-45納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為45-60納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為60-75納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為75-90納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為卯-100納米?？赏ㄟ^任何氣相沉積法來沉積電子傳輸層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為1-100納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為l-15納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為15-30納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為30-45納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為45-60納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為60-75納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為75-90納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為卯-100納米。當(dāng)存在空穴阻擋層時(shí)，可通過任何氣相沉積法沉積該層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10_7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'8托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到10(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IO(TC至150'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到150。C至20(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到200。C至250'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到25(TC至30(TC的范圍。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到30(TC至350°C。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到35(TC至400'C。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為0.1-3納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為0.1-1納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為1-2納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為2-3納米。可通過任何氣相沉積法來沉積電子注入層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—s托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IOO'C至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IO(TC至15(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到150。C至200'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到200'C至25(rC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到25(TC至30(TC的范圍。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到30(TC至35(rC。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到350'C至400°C。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為0.1-3納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為0.1-1納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為1-2納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為2-3納米?？赏ㄟ^任何氣相沉積法來沉積陰極。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10-7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—s托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—8托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到10(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IOO'C至15(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到150'C至200'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到200'C至250'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到250'C至30(TC的范圍。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到30trC至35(TC。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到350'C至40CTC。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為10-10000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為10-1000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為10-50納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為50-100納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為100-200納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為200-300納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為300-400納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為400-500納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為500-600納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為600-700納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為700-800納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為800-900納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為900-1000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為1000-2000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為2000-3000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為3000-4000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為4000-5000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5000-6000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為6000-7000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為7000-8000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為8000-9000納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為9000-10000納米。在一個實(shí)施方式中，通過氣相沉積緩沖層、空穴傳輸層、光敏層、空穴阻擋層(如果存在)、電子傳輸層、電子注入層和陰極，制造器件。在一個實(shí)施方式中，可通過氣相沉積法來施加緩沖層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'8托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—8托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到10(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IOO'C至150"C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到150'C至20(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到20(TC至250。C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到25(TC至300。C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到30(TC至350。C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到35(TC至40(rC的溫度。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-200納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-30納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為30-60納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為60-90納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為卯-120納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為120-150納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為150-280納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為180-200納米。在一個實(shí)施方式中，可通過氣相沉積來施加空穴傳輸層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，真空度小于l(T6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'8托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—8托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到10(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IOO'C至150。C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到15(TC至200'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到20(TC至250'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到250'C至30(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到30(TC至350'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到35(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-200納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-30納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為30-60納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為60-90納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為90-120納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為120-150納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為150-280納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為180-200納米。在一個實(shí)施方式中，可通過氣相沉積來施加光敏層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，光敏層主要由一種電致發(fā)光化合物組成，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10-6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10-7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10"托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10-7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'8托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IO(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IOO'C至15(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到150'C至20(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到20(TC至25(rC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到25(TC至30(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到300。C至350。C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到350'C至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-200納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-30納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為30-60納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為60-90納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為90-120納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為120-150納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為150-280納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為180-200納米。在一個實(shí)施方式中，光敏層包含兩種電致發(fā)光材料，兩種材料都通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積?？墒褂蒙鲜鋈魏握婵諚l件和溫度?？墒褂蒙鲜鋈魏纬练e速率。相對沉積速率可以為50:1至1:50。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:1至1:3。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:3至1:5。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為l:5至1:8。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:8至1:10。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:10至1:20。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:20至1:30。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:30至1:50?？倢雍窨梢耘c上述單組分光敏層的厚度相同。在一個實(shí)施方式中，光敏層包含一種電致發(fā)光材料和至少一種基質(zhì)材料，兩種材料都通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來施加。可使用上述任何真空條件和溫度?？墒褂蒙鲜鋈魏纬练e速率。電致發(fā)光材料與基質(zhì)的相對沉積速率可以為1:1至1:99。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:1至1:3。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:3至1:5。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:5至1:8。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:8至1:10。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:10至1:20。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:20至1:30。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:30至1:40。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:40至1:50。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:50至1:60。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:60至1:70。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:70至1:80。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:80至1:90。在一個實(shí)施方式中，相對沉積速率為1:90至1:99?？倢雍窨梢耘c上述單組分光敏層的厚度相同。在一個實(shí)施方式中，如果存在空穴阻擋層，可通過氣相沉積來施加該層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'8托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10"托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10^托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10—8托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IO(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IOO'C至15(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到150。C至20(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到20(TC至25(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到25(TC至30(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到300'C至35(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到350'C至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-200納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-30納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為30-60納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為60-90納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為90-120納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為120-150納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為150-280納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為180-200納米。在一個實(shí)施方式中，通過氣相沉積來施加電子傳輸層。在一個實(shí)施方式中，通過在真空下進(jìn)行熱蒸發(fā)來沉積該層。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于1(T8托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10.6托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10'7托。在一個實(shí)施方式中，真空度小于10-8托。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到10(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到IO(TC至150"C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到15(TC至20(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到200'C至250'C的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到25(TC至30(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到300'C至35(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，將材料加熱到35(TC至40(TC的溫度。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為0.5-lA/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為l-2A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為2-3A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為3-4A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為4-5A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為5-6A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為6-7A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為7-8A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為8-9A/秒。在一個實(shí)施方式中，材料的沉積速率為9-10A/秒。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-200納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為5-30納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為30-60納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為60-90納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為90-120納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為120-150納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為150-280納米。在一個實(shí)施方式中，最終層厚為180-200納米。在一個實(shí)施方式中，如上所述通過氣相沉積來施加電子注入層。在一個實(shí)施方式中，如上所述通過氣相沉積來施加陰極。在一個實(shí)施方式中，通過氣相沉積一些有機(jī)層和液相沉積一些有機(jī)層來制造器件。在一個實(shí)施方式中，通過液相沉積緩沖層、氣相沉積所有其它層來制造器件。通過以下詳細(xì)描述和權(quán)利要求，任何的一個或多個實(shí)施方式的其它特征和優(yōu)點(diǎn)是顯而易見的。在詳細(xì)描述實(shí)施方式之前，先定義和闡述一些術(shù)語術(shù)語"有機(jī)電子器件"指包含一種或多種半導(dǎo)體層或材料的器件。有機(jī)電子器件包括，但不限于(l)將電能轉(zhuǎn)化為輻射的器件(例如，發(fā)光二極管、發(fā)光二極管顯示器、二極管激光器或照明板)；(2)通過電子方法檢測信號的器件(例如，光電檢測器、光電導(dǎo)管、光敏電阻器、光控開關(guān)、光電晶體管、光電管、紅外("IR")檢測器或生物傳感器)，(3)將輻射轉(zhuǎn)換成電能的器件(例如光生伏打器件或太陽能電池)，和(4)包括一個或多個具有一個或多個有機(jī)半導(dǎo)體層的電子部件的器件(例如晶體管或二極管)。術(shù)語器件還包括用于記憶存儲器件、抗靜電膜、生物傳感器、電致變色器件、固態(tài)電解質(zhì)電容器、能量存儲器件例如可充電電池、和電磁屏蔽應(yīng)用的涂料。術(shù)語"羥基芳基-N-雜環(huán)"指由具有至少一個含氮雜環(huán)基和至少一個具有羥基取代基的芳基的化合物得到的配體，其中羥基的O和雜環(huán)的N可與金屬配位，形成5-或6-元環(huán)。N-雜環(huán)基和羥基取代的芳基可通過單鍵連接，或者稠合在一起。N-雜環(huán)基和羥基取代的芳基各包含一個單環(huán)或者兩個或更多個稠環(huán)。本文中，術(shù)語"包含"、"含有"、"包括"、"具有"或它們的任意其它變體，都表示非排他性的包含。例如，包含一系列元件的過程、方法、制品、或裝置并不一定只限于那些元件，還可以包括沒有明顯列出的或這些過程、方法、制品、或裝置所固有的其它元件。而且，除非明確說明意思相反，否則"或"表示包含的或，而不表示排除的或。例如，以下任一條件滿足條件A或B:A為真(或存在)且B為假(或不存在)，A為假(或不存在)且B為真(或存在)，以及A和B都為真(或存在)。同樣，使用"一個"或"一種"對本發(fā)明的元件和組分進(jìn)行描述。這種做法只是為了方便起見，并給出本發(fā)明的大致含義。這種描述應(yīng)當(dāng)理解為包括一(個)種或至少一(個)種，單數(shù)也包括復(fù)數(shù)，除非很明顯其另有含義。除非另有指示，文中所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意義相同。盡管可使用與文中所述類似或等同的方法和材料來實(shí)施或測試本發(fā)明的實(shí)施方式，但是在下文中描述了合適的方法和材料。除非特別指出，文中提及的所有出版物、專利申請、專利和其它參考文獻(xiàn)的全部內(nèi)容通過參考結(jié)合于此。如有沖突，以本發(fā)明的說明書(包括定義)為準(zhǔn)。另外，材料、方法和實(shí)施例僅僅是說明性的，不旨在限制本發(fā)明。對于文中沒有描述的內(nèi)容，許多關(guān)于具體材料、處理操作和電路的詳細(xì)內(nèi)容是常規(guī)的，可以在有機(jī)發(fā)光二極管顯示器、光電檢測器、光生伏打元件和半導(dǎo)體元件領(lǐng)域的教科書和其它資料中找到。實(shí)施例以下實(shí)施例進(jìn)一步描述文中所述的內(nèi)容，這些實(shí)施例不限制權(quán)利要求中描述的本發(fā)明的范圍。實(shí)施例1A將101.67克聚吡咯水溶液樣品(Aldrich目錄#482552，在水中5質(zhì)量％)與101.67克去離子水混合。在混合后，加入13.15克從Aldrich公司得到的AMBERLYST15酸性陽離子交換樹脂，在雙滾筒上放置1小時(shí)。然后用濾紙過濾該樹脂混合物。向?yàn)V液中加入12.2克新鮮的AMBERLYST15酸性樹脂，在雙滾筒上攪拌1小時(shí)。過濾樹脂混合物，除去樹脂，然后與15克DOWEX550A(—種氫氧化物陰離子交換樹脂，從Aldrich購得)混合。將該樹脂組合物在雙滾筒上攪拌1.5個小時(shí)，然后過濾除去樹脂。向?yàn)V液中加入50.1克去離子水和20.0克AMBERLYST樹脂，在雙滾筒上攪拌過夜。然后過濾樹脂混合物。濾液稱重為185克。保留87克濾液樣品，測量其pH值為1.5。向樣品中加入lMNaOH溶液，達(dá)到pH值為3.9。發(fā)現(xiàn)該pH值在一段時(shí)間內(nèi)是穩(wěn)定的。通過沉積在ITO基材上來測量pH值為1.5和3.9的樣品的電導(dǎo)率。在沉積后，將沉積的樣品在130'C的空氣中烘烤IO分鐘。沉積的pH值為1.5和3.9的樣品的電導(dǎo)率分別為1.3X10'4S/cm和1.8Xl(T5S/cm，示于表1中。實(shí)施例IB從H.C.Starck購得Baytron-PVPAI4083，一種用聚(苯乙烯磺酸)作為抗衡陰離子的水性聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)分散體。未處理的聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)水性分散體的pH值為1.7。向兩個100克的樣品中加入1MNaOH溶液，使pH值分別達(dá)到1.9和3。表1顯示了電導(dǎo)率。使用AccuSizerModel780A(ParticleSizingSystems,SantaBarbara,CA)測量粒徑數(shù)據(jù)。測量結(jié)果顯示在1毫升分散體中各粒度范圍內(nèi)的顆粒的數(shù)目。實(shí)施例1C來自實(shí)施例IB中同一方法的不同批次的Baytron-PVPAI4083用于該實(shí)施例中。聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)水性分散體的pH值為1.72。向兩個100克的樣品中加入濃度為1M的氫氧化四甲銨溶液，使pH值分別達(dá)至lj3.97禾卩6.93。電導(dǎo)率數(shù)據(jù)總結(jié)在表1中。這些電導(dǎo)率適用于有機(jī)電子器件的空穴傳輸層。通過AccuSizerModel780A(ParticleSizingSystems,SantaBarbara,CA)測量粒度數(shù)據(jù)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>實(shí)施例2A制備具有以下構(gòu)造的有機(jī)電子器件(在該實(shí)施例中是PLED):ITO(銦錫氧化物-陽極)/ECP層/LEP(發(fā)光聚合物)/Ba(EIL(電子注入(空穴阻擋)層))/Al(陰極)。按照以下方法制造器件。對ITO/玻璃件進(jìn)行圖案化處理，產(chǎn)生0.25厘米2的發(fā)光活性區(qū)域。圖案化的ITO/玻璃件在使用前用紫外/臭氧進(jìn)行處理。將實(shí)施例1A得到的pH值為1.5和3.9的水性聚吡咯樣品旋涂到ITO上，形成ECP層。然后用濕布擦干凈電導(dǎo)線區(qū)域，接著在20(TC的空氣中烘烤5分鐘。ECP的標(biāo)稱厚度為100納米。然后將含ECP的層件轉(zhuǎn)移到充滿氮?dú)獾母稍锵渲校缓笤谏厦嫱坎糂P209,—種藍(lán)色的LEP(從DowChemicalsCompany,Midland,Michigan購得的發(fā)光聚合物)，用于涂布的是0.9X(w/v)的溶劑為二甲苯的溶液。然后用二甲苯擦干凈電接觸區(qū)域，然后在130°C、在干燥箱中的加熱板上烘烤IO分鐘。該層的標(biāo)稱厚度為75納米。然后將含有ECP和LEP的基材進(jìn)行掩模處理，放置到真空室中。在用泵將真空室的基礎(chǔ)壓力抽到2X10^托之后，沉積厚度為3納米的鋇層，形成電子注入層。隨后沉積400納米厚的鋁層，該層的作用是作為陰極。然后使室通氣，用玻璃蓋和紫外可固化環(huán)氧化物包封器件。然后測量器件的電流/電壓和亮度。計(jì)算數(shù)據(jù)總結(jié)在下表2中。數(shù)據(jù)顯示隨著pH值增加器件電壓升高，效率降低。應(yīng)理解，人們通常希望降低電壓和增加效率，從而延長器件壽命。實(shí)施例2B形成具有ITO/ECP/LEP/Ba/Al層的PLED。實(shí)施例1B中制備的聚合物用于ECP層。除了由1.0X的CR-01的甲苯溶液制備LEP層以外，烘烤條件和厚度與實(shí)施例2A中描述的大致相同。CR01是紅色的聚合物發(fā)光體(CovionCompany,Frankfurt,德國)。將該層在130°C、在干燥箱中的加熱板上烘烤10分鐘。該層的標(biāo)稱厚度為75納米。測量該器件的電流/電壓和亮度。數(shù)據(jù)總結(jié)在表2中。數(shù)據(jù)顯示隨著pH值增加，器件的電壓升高，效率下降。實(shí)施例3A形成具有ITO/ECP/HTL(空穴傳輸層)/LEP/Ba/Al層的PLED，以確定空穴傳輸層的影響。使用實(shí)施例1A的pH值為1.5和3.9的聚吡咯樣品和HT-Aa空穴傳輸材料。然后進(jìn)行實(shí)施例2A的所有步驟，不同的是在ECP和LEP層之間增加HTL層。通過沉積0.4X(w/v)的HT-A的甲苯溶液來制備HTL。然后用甲苯擦干凈涂布的HTL上的電接觸導(dǎo)線區(qū)域，然后在20(TC、在充滿干燥氮的干燥箱中的加熱板上烘烤IO分鐘。HTL的標(biāo)稱厚度為IO納米。依據(jù)實(shí)施例2A描述的步驟制造器件，并進(jìn)行測試。數(shù)據(jù)總結(jié)在表2中。該器件令人驚奇地改進(jìn)了器件效率，降低了器件電壓。實(shí)施例3B該實(shí)施例的PLED具有由實(shí)施例IB的pH值分別為1.7、1.9和3.0的聚合物形成的ECP和作為HTL的HT-A。然后進(jìn)行所有實(shí)施例2B的步驟，不同的是在ECP和LEP之間增加HTL層。通過沉積0.4X(w/v)的HT-A的甲苯溶液來加工HTL。然后用甲苯擦干凈涂布的HTL上的電接觸導(dǎo)線區(qū)域，然后在200'C、在充滿氮的干燥箱中的加熱板上烘烤10分鐘。HTL的標(biāo)稱厚度為10納米。與實(shí)施例2B的樣品同時(shí)進(jìn)行器件的制造和測試。數(shù)據(jù)總結(jié)在表2中。數(shù)據(jù)顯示結(jié)合HTL，可以極大地提高器件效率，降低器件電壓。結(jié)合了HTL的器件的性能在pH值從1.7升高到3.0的過程中所受的影響小得多。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>有機(jī)電子器件具有以下構(gòu)造ITO/ECP/SME(小分子發(fā)光材料)/HBL/ETL/EIL/Al。按照以下方法制造器件。從ThinFilmDeviceCompany購得圖案化的ITO/玻璃件，尺寸為35毫米X45毫米，具有4個2.25毫米X2.25毫米的活性區(qū)域(也稱為像素)，用紫外/臭氧處理5分鐘。表3中總結(jié)的各樣品使用兩件基材。將來自實(shí)施例1C的樣品沉積到ITO(140納米厚)/玻璃上，形成ECP層。將含ECP的層件轉(zhuǎn)移到充滿氮的干燥箱中，然后在上面涂布SME發(fā)光體，該材料是存在于間-二(咔唑基)苯(mCP)基質(zhì)中的[二-(2-苯基-3-甲基-喹啉)銥-2,4-(5-乙基-壬垸)二酮]。然后將基材進(jìn)行掩模處理，放置在真空室中。通過熱蒸發(fā)沉積一層BAlq(SensientCompany),形成HBL(空穴阻擋層)。在HBL上沉積AIQ(SensientCompany),形成ETL(電子傳輸層)。然后，沉積一層LiF，作為電子注入層(ETL)。通過熱蒸發(fā)在ETL上沉積一層鋁，用作陰極。然后使用玻璃蓋和紫外可固化環(huán)氧化物包封器件。測量這些器件的電流/電壓和亮度。最先三個樣品的數(shù)據(jù)都總結(jié)在表3中。數(shù)據(jù)清楚地表明ECP具有類似的最大效率、最大亮度以及450流明(luminance)時(shí)的效率和電壓。pH值為3.97的樣品似乎性能比pH值為1.72和6.93的樣品更好。該器件的數(shù)據(jù)是各樣品的8個像素的平均結(jié)果。實(shí)施例4B使用結(jié)合了二乙烯基p-TPD(空穴傳輸材料)的pH值為6.93的樣品制備類似于實(shí)施例4A的器件。為了制備二乙烯基p-TPD，將4-溴苯乙烯(10.16克，55.5毫摩爾)滴加到二苯基聯(lián)苯胺(6.22克，18.5毫摩爾)、NaO-Bu(5.33克，55.5毫摩爾)、Pd2(dba)3(0.85克，0.925毫摩爾)和P(tBu)3(0.19克，0.925毫摩爾)在甲苯(250毫升)中的混合物中，攪拌22小時(shí)。所得混合物通過硅藻土和二氧化硅過濾，溶劑蒸發(fā)，得到暗色粘性材料。將暗色粘性材料從二氯甲烷沉淀到甲醇中進(jìn)行純化。使用色譜(二氯甲垸/己垸1/4)純化所得材料，得到淺黃色粉末(2.63克，26%)。NMR(CD2C12,500MHz)7.48(4H,d，J=8.6Hz，Ar-H),7.32(4H，d，J=8.5Hz，Ar-H),7.28(4H,t,J=7.8Hz，Ar-H)，7.13-7.11(8H，m,Ar-H),7.07-7.04(6H，m,Ar-H)，6.69(2H,dd,J=17.6,11.3Hz,=CH)，5.66(2H,dd,J=17,6,0.8Hz,K:H2(順式))，5.17(2H,d,J=11.3Hz，=(^2(反式))。進(jìn)行實(shí)施例4中描述的步驟，不同的是在ECP和SME之間增加一層。通過在由pH值為6.93的樣品制得的ECP上旋涂二乙烯基p-TPD來對層進(jìn)行加工。然后加熱涂布的HTL，除去溶劑，使乙烯基在二乙烯基p-TPD之間交聯(lián)。該器件與實(shí)施例4A中的器件同時(shí)進(jìn)行測試。數(shù)據(jù)總結(jié)在表3中。數(shù)據(jù)顯示結(jié)合HTL能夠很大地提高器件在最大亮度和450流明時(shí)的效率。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>在上述說明中，結(jié)合具體的實(shí)施方式描述了本發(fā)明的概念。但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該意識到在不背離所附權(quán)利要求陳述的本發(fā)明的范圍的情況下可以進(jìn)行各種修改和變化。因此，說明和附圖被認(rèn)為是說明性的，而非限制性的，所有這些修改包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。以上結(jié)合具體實(shí)施方式己經(jīng)描述了益處、其它優(yōu)點(diǎn)和解決問題的方法。但是，益處、優(yōu)點(diǎn)、解決問題的方法以及任何導(dǎo)致產(chǎn)生任何益處、優(yōu)點(diǎn)或解決問題的方法或使其變得更顯著的其它特征不應(yīng)解釋為任何或全部權(quán)利要求的關(guān)鍵的、所需的或重要的特征。應(yīng)意識到，為了清楚起見，某些特征在本文的不同實(shí)施方式中進(jìn)行了描述，但是這些特征也可以組合在一個實(shí)施方式中。相反，為了簡明起見，在一個實(shí)施方式中描述的不同特征也可以單獨(dú)或以任何亞組合方式提供。此外，以范圍陳述的參考值包括該范圍內(nèi)的每個值。權(quán)利要求1.一種組合物，其包含存在于液體介質(zhì)中的導(dǎo)電聚合物和空穴傳輸材料，所述組合物的pH值大于1.8。2.如權(quán)利要求l所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物摻雜有水溶性非氟化酸。3.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物是空穴注入材料或空穴傳輸材料。4.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物是聚二氧噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚(噻吩并噻吩)、它們的共聚物、或它們的混合物。5.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物組合物是聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸酯)水性分散體。6.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物組合物是聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸酯)水性分散體。7.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物組合物是聚(噻吩并噻吩)/聚(苯乙烯磺酸酯)水性分散體。8.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物組合物是聚吡咯的水性分散體。9.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物組合物的pH值大于2.0。10.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物組合物的pH值大于3.0。11.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物組合物的pH值大于3.9。12.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述空穴傳輸材料是N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基HU'誦聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(TPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二(4-乙烯基苯基)-[l,r-聯(lián)苯基]-4,4'-二胺(二乙烯基-p-TPD)、1,1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPC)、^:^-二(4-甲基苯基)->^^-二(4-乙基苯基)-[1,1'-(3，3'-二甲基)聯(lián)苯基]-4，4'-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N，N',N'-2,5-苯二胺(PDA)、a-苯基4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、對(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)、三苯胺(TPA)、二[4(N,N-二乙基氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、l-苯基-3-[對-(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[對-(二乙基氨基)苯基]卩比唑啉(PPR或DEASP)、1，2反式-二(9H-咔唑-9-基)環(huán)丁烷(DCZB)、N，N,N',N'-四(4-甲基苯基)-(l，l'-聯(lián)苯基)-4，4'-二胺(TTB)、N，N'-二(萘-l-基)-N,N'-二-(苯基)聯(lián)苯胺(ci-NPB)、卟啉化合物、聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷或聚(芳基胺)。13.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述空穴傳輸材料是芴-亞芳基共聚物，或者是芳胺與共軛單體的共聚物。14.如權(quán)利要求12或13所述的組合物，其特征在于，所述空穴傳輸材料具有可交聯(lián)鏈段。15.如權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，所述空穴傳輸材料是N，N'-二苯基-N,N'-二(4-乙烯基苯基)-[U'-聯(lián)苯基]-4，4，-二胺。16.—種用于有機(jī)電子器件的組合物的制備方法，其包括提供水性分散體形式的導(dǎo)電聚合物；提高所述分散體的pH值；向pH值提高后的導(dǎo)電聚合物中加入其它空穴傳輸材料。17.—種有機(jī)電子器件，其包含由pH值大于1.8的組合物沉積的導(dǎo)電聚合物，和空穴傳輸材料。18.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子器件，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物和空穴傳輸材料在不同的、不連續(xù)的層中。19.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子器件，其特征在于，所述導(dǎo)電聚合物和空穴傳輸材料在同一層中。20.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子器件，其特征在于，還包含發(fā)光聚合物。21.如權(quán)利要求17所述的有機(jī)電子器件，其特征在于，還包含小分子發(fā)光材料。22.—種可用于制造有機(jī)電子器件的制件，其包含如權(quán)利要求1所述的組合物。全文摘要描述了用于pH值大于1.8的、包含空穴傳輸材料的導(dǎo)電聚合物組合物的方法和組合物。文檔編號B05D5/12GK101116148SQ200580044665公開日2008年1月30日申請日期2005年12月29日優(yōu)先權(quán)日2004年12月30日發(fā)明者C·-H·修,N·S·拉杜,S·金,W·J·甘伯吉申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司