專利名稱：有機發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光器件，且更具體地說，涉及包括無機中間層和空穴傳輸層的有機發(fā)光器件，其通過防止來自于空穴注入層的雜質(zhì)擴散進(jìn)入發(fā)射層，而免于激子猝滅(exciton quenching)，且通過改進(jìn)電子阻擋和反向擴散現(xiàn)象及空穴傳輸進(jìn)入發(fā)射層中的能力，從而具有高發(fā)射效率和延長的壽命。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光器件為自發(fā)射顯示器，當(dāng)將電流施加到有機層上時，其通過熒光或磷光有機層中的電子和空穴的再結(jié)合而發(fā)光。有機發(fā)光器件具有例如重量輕、構(gòu)成元件簡單、制造過程簡單、圖像質(zhì)量優(yōu)異、和寬視角的優(yōu)點。此外，有機發(fā)光器件可以極好地形成活動圖像，產(chǎn)生高色純度，并具有適用于移動電子設(shè)備的電性能，例如低功耗和低驅(qū)動電壓。
考慮到發(fā)射效率的提高和驅(qū)動電壓的降低，在有機發(fā)光器件中，由空穴注入層、發(fā)射層、電子注入層等構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)通常用作有機層，以取代單發(fā)射層。
作為具有這種多層結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件的一個實例，Conley等的美國專利No.6,670,053公開了一種有機發(fā)光器件，其在空穴傳輸層和發(fā)射層之間包括由含3-苯基吲哚基的有機化合物制得的層。同時，Liao等的美國專利No.6,603,150公開了一種有機發(fā)光器件，其在空穴傳輸層和發(fā)射層之間包括由有機材料制得的中間層以提供更平衡的載體再結(jié)合。
然而，普通有機發(fā)光器件不能提供令人滿意的發(fā)射效率和壽命。因此，強烈需要對有機發(fā)光器件進(jìn)行改進(jìn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種包括無機中間層和由有機材料制得的空穴傳輸層的有機發(fā)光器件，其通過防止來自于空穴注入層的雜質(zhì)擴散進(jìn)入發(fā)射層而免于激子猝滅，且通過改進(jìn)電子阻擋和反向擴散現(xiàn)象及空穴傳輸?shù)桨l(fā)射層中的能力，從而具有高發(fā)射效率和延長的壽命。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種有機發(fā)光器件，其包括第一電極；順序地堆疊在第一電極上的空穴注入層、無機中間層、空穴傳輸層、和發(fā)射層；和第二電極。


通過參考下列附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施方式，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點將變得更為明晰，其中圖1為說明本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光器件的示意圖；圖2和3為說明本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光器件效率的曲線圖；和圖4為說明本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光器件壽命特性的曲線圖。
具體實施例方式
下面，通過參考附圖，將對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光器件包括由無機材料制得的無機中間層，其位于空穴注入層和空穴傳輸層之間。無機中間層可防止來自于空穴注入層的雜質(zhì)擴散進(jìn)入發(fā)射層并從而防止可發(fā)生在空穴注入層中的激子猝滅。
優(yōu)選，構(gòu)成無機中間層的材料的能帶隙大于構(gòu)成空穴傳輸層的材料的能帶隙。更詳細(xì)地，構(gòu)成無機中間層的材料的能帶隙比構(gòu)成空穴傳輸層的材料的能帶隙高0.1-15eV，優(yōu)選高0.5-5eV。當(dāng)構(gòu)成本發(fā)明無機中間層的材料的能帶隙滿足上述范圍時，促進(jìn)在發(fā)射層和空穴傳輸層之間界面上的電子積聚和電子反向擴散進(jìn)入發(fā)射層，從而提高發(fā)射效率。
當(dāng)無機中間層由介電材料制得時，可使用介電常數(shù)為1.0-80，優(yōu)選為1.2-15的介電材料。介電常數(shù)小于1.0的介電材料為氣態(tài)材料，且因此不能用于本發(fā)明。另一方面，介電常數(shù)在80以上的介電材料為具有大的偶極動量(dipole momentum)的液態(tài)材料(例如水)，且因此不能用于本發(fā)明。
當(dāng)無機中間層由具有良好導(dǎo)電性的金屬制得時，可使用功函數(shù)為3.0-6.0eV，優(yōu)選為4.5-5.5eV的金屬材料。如果構(gòu)成無機中間層的金屬材料的功函數(shù)小于3.0eV，由于金屬材料的反應(yīng)性過高，可形成不穩(wěn)定的層結(jié)構(gòu)且空穴注入能力可降低。另一方面，構(gòu)成無機中間層的金屬材料的功函數(shù)不能超過6.0eV，因為沒有功函數(shù)在6.0eV以上的金屬材料。
考慮到上述能帶隙、介電常數(shù)、和功函數(shù)，本發(fā)明有機發(fā)光器件的無機中間層可由選自金屬鹵化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬鹽、和金屬中的一種或多種制得。更詳細(xì)地，無機中間層可由金屬鹵化物例如LiF、NaF、MgF2、AlF3、CaF2、BaF2、CsF2、和NaCl；金屬氧化物例如MgO、Al2O3、SiO、SiO2、Sc2O3、ZnO、和TiO2；金屬氮化物例如SiNx其中x≥1；金屬鹽例如LiI、LiClO4、NaI、NaBr、和KI；或金屬例如Au、Pt、Al、Ag、Au、和Cr制得，但不限于此。當(dāng)需要時，可使用選自上述材料中的兩種或多種的材料的組合。
具體地說，優(yōu)選Al2O3、LiF、和BaF2作為構(gòu)成本發(fā)明無機中間層的材料，且在lMHz下，其介電常數(shù)分別為10、9.1、和7.33。同時，在構(gòu)成本發(fā)明無機中間層的材料中，LiF、BaF2、MgO、Al2O3、和TiO2的能帶隙分別為14eV、9.1eV、7.9eV、6-9eV、和3-6eV。
無機中間層的厚度可為0.1-10nm，優(yōu)選0.2-5nm，更優(yōu)選0.5-1nm。如果無機中間層的厚度小于0.1nm，不能充分防止來自于空穴注入層的雜質(zhì)的擴散及激子猝滅。另一方面，如果厚度超過10nm，驅(qū)動電壓可增加且發(fā)射效率可降低。
根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光器件包括位于無機中間層和發(fā)射層之間的空穴傳輸層?？昭▊鬏攲佑捎袡C材料制得，并用于促使空穴傳輸進(jìn)入發(fā)射層，且同時，用作電子阻擋層。
考慮到用于發(fā)射層的空穴傳輸能力和電子阻擋能力，構(gòu)成空穴傳輸層的材料的能帶隙等于構(gòu)成發(fā)射層的材料的能帶隙，或比構(gòu)成發(fā)射層的材料的能帶隙高出高達(dá)3.0eV，優(yōu)選高達(dá)1.0eV。
不具體限定構(gòu)成空穴傳輸層的材料，但其可為選自含有空穴傳輸咔唑-和/或芳基胺-基團(tuán)的化合物、酞菁-基化合物、和苯并菲衍生物中的一種或多種。更詳細(xì)地，空穴傳輸層可由選自1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-二咔唑基聯(lián)苯、聚乙烯咔唑、間-二咔唑基苯基、4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基聯(lián)苯、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、二(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-聯(lián)苯基]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-(1，1′-聯(lián)苯基)-4，4′-二胺(NPB)、IDE320(Idemizu，日本)、聚(9，9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯胺(TFB)、和聚(9，9-二辛基芴-共-二-N，N′-(4-丁基苯基)--N，N′-苯基-1，4-苯二胺(PFB)中的一種或多種制得，但不限于此。
空穴傳輸層的厚度可為1-100nm，優(yōu)選5-50nm。特別優(yōu)選空穴傳輸層的厚度為30nm或更小。如果空穴傳輸層的厚度小于1nm，可形成過薄的空穴傳輸層，且因此可降低空穴傳輸能力。另一方面，如果超過100nm，驅(qū)動電壓可增加。
本發(fā)明的有機發(fā)光器件包括空穴注入層。不具體限定構(gòu)成空穴注入層的材料，但其可為銅酞菁(CuPc)；Starburst胺例如TCTA、m-MTDATA、和HI406(Idemizu)；或可溶導(dǎo)電聚合物例如Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(poly(4-styrenesulfonate)、Pani/CSA(聚苯胺/樟腦磺酸)、和PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-磺苯乙烯)。

具體地說，PEDOT/PSS是非常穩(wěn)定的材料，即使當(dāng)在100℃下在空氣中放置1,000小時其導(dǎo)電性也不發(fā)生改變。然而，當(dāng)空穴注入層由Pani/DBSA或PEDOT/PSS制得時，可發(fā)生來自于空穴注入層的雜質(zhì)(例如磺酸、硫酸鹽、和堿金屬離子)可擴散進(jìn)入鄰近于空穴注入層的有機層(例如發(fā)射層)，從而降低有機發(fā)光器件的發(fā)射效率和壽命。然而，如上所述，本發(fā)明的有機發(fā)光器件包括位于空穴注入層和空穴傳輸層之間的無機中間層，且因此防止來自于空穴注入層的雜質(zhì)擴散進(jìn)入發(fā)射層，從而提供高發(fā)射效率和長壽命。
空穴注入層的厚度可為5-100nm，優(yōu)選10-70nm。優(yōu)選空穴注入層的厚度為50nm。如果空穴注入層的厚度小于5nm，可形成過薄的空穴注入層，且因此空穴注入能力不足。另一方面，如果超過100nm，透光率降低。
下面參考圖1，將對一種制造本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光器件的方法進(jìn)行描述。
首先，在基底的上表面上形成第一電極。在此，該基底可為通常用于有機發(fā)光器件的基底?？紤]到透明度、表面光潔度、處理性能、耐水性等，玻璃基底或透明塑料基底可用作基底。第一電極可為由具有良好導(dǎo)電性的材料制得的透明電極，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、二氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、或In2O3?？蛇x擇地，第一電極可為由反射層和形成在反射層上的透明電極層構(gòu)成的反射電極，其中反射層由Ag、Al、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、或其化合物制得，且透明電極層由ITO、IZO、ZnO、或In2O3制得。此外，可對上述第一電極進(jìn)行各種改進(jìn)。
通過真空熱沉積或旋涂，使空穴注入層、無機中間層、和空穴傳輸層順序地形成在第一電極的上表面上。在上面已經(jīng)描述了構(gòu)成各層的材料及各層的厚度，且因此省略其詳細(xì)描述。同時，當(dāng)空穴注入層由PEDOT/PSS制得時，其可使用溶液通過旋涂形成，其中該溶液通過將PEDOT/PSS溶解在水或醇溶劑中而獲得。可使用溶液通過旋涂形成空穴傳輸層，其中該溶液通過將空穴傳輸材料溶解在有機溶劑中而獲得。在此，有機溶劑可為二甲亞砜(DMSO)、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、四氫呋喃(THF)等，且可由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員容易地選擇。
發(fā)射層形成在空穴傳輸層上。不具體限定構(gòu)成發(fā)射層的材料。構(gòu)成發(fā)射層的材料的實例包括，但不限于，發(fā)藍(lán)光的材料例如噁二唑二聚物染料(Bis-DAPOXP))、螺環(huán)化合物(Spiro-DPVBi、Spiro-6P)、三芳基胺化合物、二(苯乙烯基)胺(DPVBi、DSA)、Flrpic、CzTT、蒽、TPB、PPCP、DST、TPA、OXD-4、BBOT、和AZM-Zn；發(fā)綠光的材料例如香豆素6、C545T、喹吖啶酮、和Ir(ppy)3；發(fā)紅光的材料例如DCM1、DCM2、Eu(噻吩甲酰三氟丙酮)3(Eu(TTA)3)、丁基-6-(1，1，7，7，-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)；和含聚合物例如亞苯基類、亞苯基-亞乙烯基類、噻吩、芴、和螺-芴的聚合物發(fā)光材料，以及含氮芳族化合物。
發(fā)射層的厚度可為10-500nm，優(yōu)選50-120nm。特別優(yōu)選發(fā)藍(lán)光層的厚度為70nm。如果發(fā)射層的厚度小于10nm，漏電流可增加，從而降低發(fā)射效率和壽命。另一方面，如果超過500nm，驅(qū)動電壓的升高可增加。
通過空穴阻擋材料的真空沉積或旋涂，可在發(fā)射層上選擇性地形成空穴阻擋層。不具體限定空穴阻擋材料，只要其具有電子傳輸能力且電離電位高于光發(fā)射材料即可?？昭ㄗ钃醪牧系膶嵗ǘ?2-甲基-8-quinolato)-(對-苯基苯酚鹽)(p-phenylphenolato)-鋁(Balq)、浴銅靈(BCP)、和三(N-芳基苯并咪唑)(TPBI)。
空穴阻擋層的厚度可為1-100nm，優(yōu)選5-50nm。如果空穴阻擋層的厚度小于1nm，空穴阻擋能力不足。另一方面，如果超過100nm，驅(qū)動電壓增加。

通過電子傳輸材料的真空沉積或旋涂，可在發(fā)射層或空穴阻擋層上選擇性地形成電子傳輸層。不具體限定電子傳輸材料，但其可為通常已知的電子傳輸材料中的一種或多種，例如Alq3、紅熒烯、喹啉-基低分子或聚合物化合物、和喹喔啉-基低分子或聚合物化合物。電子傳輸層也可為由不同材料制得的兩層或多層構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)。
電子傳輸層的厚度可為1-100nm，優(yōu)選10-50nm。如果電子傳輸層的厚度小于1nm，電子傳輸能力降低。另一方面，如果超過100nm，驅(qū)動電壓增加。
通過真空沉積或旋涂，可在發(fā)射層、空穴阻擋層、或電子傳輸層上選擇性地形成電子注入層。構(gòu)成電子注入層的材料的實例包括，但不限于，BaF2、LiF、NaF、MgF2、AlF3、CaF2、NaCl、CsF、Li2O、BaO、和Liq。
電子注入層的厚度可為0.1-30nm，優(yōu)選1-10nm。特別優(yōu)選電子注入層的厚度為2-6nm。如果電子注入層的厚度小于0.1nm，電子注入能力不足。另一方面，如果超過30nm，驅(qū)動電壓增加或發(fā)射效率降低。
最后，通過第二電極材料的沉積，在電子注入層上形成第二電極，從而完成有機發(fā)光器件。
第二電極材料可為鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、鎂-銀(Mg-Ag)、鈣-鋁(Ca-Al)等，但不限于此。例如，當(dāng)?shù)诙姌O為由鈣層和鋁層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)時，鈣層可形成至2-10nm的厚度且鋁層可形成至100-300nm的厚度。
第一電極和第二電極可分別作為陽極和陰極。當(dāng)然，第一電極和第二電極可分別作為陰極和陽極?？稍诟鞣N型式的有機發(fā)光顯示器中提供本發(fā)明的有機發(fā)光器件。具體地說，當(dāng)在有源矩陣有機發(fā)光顯示器中提供本發(fā)明的有機發(fā)光器件時，第一電極可電連接到薄膜晶體管的漏極。
雖然已經(jīng)參考圖1，對根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光器件及其制造方法進(jìn)行了具體顯示和描述，圖1圖示了具有第一電極、空穴注入層、無機中間層、空穴傳輸層、發(fā)射層、電子注入層、和第二電極的順序堆疊結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光器件，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，不脫離權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍，可在形式和細(xì)節(jié)上對本發(fā)明進(jìn)行各種變化。
下面，將通過實施例對本發(fā)明進(jìn)行更具體的描述。然而，下列實施例僅用于進(jìn)行說明，且因此本發(fā)明不限于此。
實施例實施例1將15Ω/cm2(1,200)ITO玻璃基底(由Corning Inc.制造)切成大小為50mm×50mm×0.7mm的小塊，隨后在異丙醇和去離子水中進(jìn)行超聲波清洗(各5分鐘)，然后進(jìn)行UV/臭氧清洗(30分鐘)，以用作第一電極。
通過用作空穴注入材料的PEDOT/PSS(由Bayer制造)的水溶液的旋涂，在第一電極上形成厚度為50nm的空穴注入層。然后，通過沉積Al2O3，在空穴注入層上形成厚度為1nm的無機中間層并通過用作空穴傳輸材料的PFB(由Dow Chemical制造)的旋涂，在無機中間層上形成厚度為10nm的空穴傳輸層。
將螺芴-基聚合物用作發(fā)藍(lán)光的材料，在空穴傳輸層上形成厚度為70nm的發(fā)射層，然后通過沉積BaF2，在發(fā)射層上形成厚度為4nm的電子注入層。最后，通過順序沉積Ca(2.7nm)和Al(250nm)，在電子注入層上形成第二電極，從而完成如圖1所示的有機發(fā)光器件，其被指定為“樣品1”。
實施例2將15Ω/cm2(1,200)ITO玻璃基底(由Corning Inc.制造)切成大小為50mm×50mm×0.7mm的小塊，隨后在去離子水和異丙醇中進(jìn)行超聲波清洗(各5分鐘)，然后進(jìn)行UV/臭氧清洗(30分鐘)，以用作第一電極。
通過用作空穴注入材料的PEDOT/PSS(由Bayer制造)的水溶液的旋涂，在第一電極上形成厚度為50nm的空穴注入層。然后，通過沉積BaF2，在空穴注入層上形成厚度為0.5nm的無機中間層并通過用作空穴傳輸材料的PFB(由Dow Chemical制造)的旋涂，在無機中間層上形成厚度為10nm的空穴傳輸層。
將不同于實施例1中所用的螺芴-基聚合物的螺芴-基聚合物用作發(fā)藍(lán)光的材料，在空穴傳輸層上形成厚度為70nm的發(fā)射層，然后通過沉積BaF2，在發(fā)射層上形成厚度為4nm的電子注入層。最后，通過順序沉積Ca(2.7nm)和Al(250nm)，在電子注入層形成第二電極，從而完成如圖1所示的有機發(fā)光器件，其被指定為“樣品2”。
比較例1A-1C以與實施例1相同的方法制造有機發(fā)光器件，只是無機中間層和空穴傳輸層如下表1所限定。比較例1A、1B、和1C中制造的有機發(fā)光器件分別作為“樣品1A、1B、和1C”。
表1

×不存在目標(biāo)層；○存在目標(biāo)層比較例2A-2C以與實施例2相同的方法制造有機發(fā)光器件，只是無機中間層和空穴傳輸層如下表2所限定。比較例2A、2B、和2C中制造的有機發(fā)光器件分別為“樣品2A、2B、和2C”。
表2

×不存在目標(biāo)層；○存在目標(biāo)層評價例1-發(fā)射效率特性評價樣品1、1A、1B、和1C以及樣品2、2A、2B、和2C的發(fā)射效率，且結(jié)果分別顯示在圖2和3中。使用Spectroscan PR650分光光度計測定發(fā)射效率。
如圖2所示，包括作為無機中間層的Al2O3層和作為空穴傳輸層的PFB層兩者的樣品1，與不包括Al2O3層和PFB層的樣品1A、不包括Al2O3層的樣品1B、和不包括PFB層的樣品1C相比，其發(fā)射效率高出約1.5-7.2cd/A。換句話說，與樣品1A-1C相比，樣品1的發(fā)射效率提高了約15-170％。
同樣地，如圖3所示，包括作為無機中間層的BaF2層和作為空穴傳輸層的PFB層兩者的樣品2，與不包括BaF2層和PFB層的樣品2A、不包括BaF2層的樣品2B、和不包括PFB層的樣品2C相比，其發(fā)射效率高出約1.9-3.2cd/A。換句話說，與樣品2A-2C相比，樣品2的發(fā)射效率提高了約25-47％。
因此，可以看出，本發(fā)明的包括無機中間層和空穴傳輸層兩者的有機發(fā)光器件表現(xiàn)出良好的發(fā)射效率。
評價例2-壽命特性評價了樣品2和2B的壽命特性，且其結(jié)果顯示在圖4中。通過使用光電二極管測定亮度隨時間的變化，對壽命特性進(jìn)行評價。
如圖4所示，在初始亮度為800cd/m2時，樣品2的壽命特性為約130小時，其中樣品2B的壽命特性為約100小時。因此，可以看出，與普通有機發(fā)光器件相比，本發(fā)明的有機發(fā)光器件的壽命增加約30％。
如上所述，本發(fā)明的有機發(fā)光器件具有空穴注入層、無機中間層、空穴傳輸層、和發(fā)射層的順序堆疊結(jié)構(gòu)，并提供了下列優(yōu)點。
首先，無機中間層和空穴傳輸層的組合可防止來自于空穴注入層的雜質(zhì)擴散進(jìn)發(fā)射層中。
第二，無機中間層和空穴傳輸層的組合可防止空穴注入層內(nèi)的激子猝滅。
第三，無機中間層和空穴傳輸層的組合可促進(jìn)在空穴傳輸層和發(fā)射層之間界面上的電子積聚。
第四，無機中間層和空穴傳輸層的組合可促進(jìn)電子阻擋和反向擴散進(jìn)入發(fā)射層。
第五，無機中間層和空穴傳輸層的組合使得發(fā)射效率增加15％或更高(最高130％)且使得壽命特性增加30％或更高。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光器件，包括第一電極；在第一電極上順序形成的空穴注入層、無機中間層、空穴傳輸層、和發(fā)射層；和第二電極。
2.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中構(gòu)成該無機中間層的材料的能帶隙比構(gòu)成該空穴傳輸層的材料的能帶隙高0.1-15eV。
3.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該無機中間層由介電常數(shù)為1.0-80的材料制成。
4.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該無機中間層由功函數(shù)為3.0-6.0eV的材料制成。
5.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該無機中間層由選自金屬鹵化物、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬鹽、和金屬中的一種或多種制成。
6.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該無機中間層由選自LiF、NaF、MgF2、AlF3、CaF2、BaF2、CsF2、NaCl、MgO、Al2O3、SiO、SiO2、Sc2O3、ZnO、其中x≥1的SiNx、LiI、LiClO4、NaI、NaBr、KI、Au、Pt、Al、Ag、Au、和Cr的一種或多種制成。
7.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該無機中間層的厚度為0.1-10nm。
8.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中構(gòu)成該空穴傳輸層的材料的能帶隙等于構(gòu)成該發(fā)射層的材料的能帶隙，或比構(gòu)成該發(fā)射層的材料的能帶隙高3.0eV。
9.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該空穴傳輸層由選自含有咔唑基、芳胺基、或其組合的化合物，酞菁-基化合物，和苯并菲衍生物中的一種或多種制成。
10.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該空穴傳輸層由選自1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-二咔唑基聯(lián)苯、聚乙烯咔唑、間-二咔唑基苯基、4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基聯(lián)苯、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、二(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-聯(lián)苯基]-4，4′-二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基聯(lián)苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-(1，1′-聯(lián)苯基)-4，4′-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯基胺(TFB)、和聚(9，9-二辛基芴-共-二-N，N′-(4-丁基苯基)-二-N，N′-苯基-1，4-苯二胺(PFB)中的一種或多種制成。
11.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該空穴傳輸層的厚度為1-100nm。
12.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，其中該空穴注入層由選自銅酞菁(CuPc)；Starburst胺；和可溶性導(dǎo)電聚合物中的一種或多種制成，該Starburst胺選自TCTA和m-MTDATA，該可溶性導(dǎo)電聚合物選自Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3，4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)、Pani/CSA(聚苯胺/樟腦磺酸)、和PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-磺苯乙烯)。
13.權(quán)利要求1的有機發(fā)光器件，進(jìn)一步包括選自電子注入層、電子傳輸層、和空穴阻擋層中的一層或多層。
全文摘要
提供了一種有機發(fā)光器件，包括第一電極；順序形成在第一電極上的空穴注入層、無機中間層、空穴傳輸層、和發(fā)射層；和第二電極。該有機發(fā)光器件具有高發(fā)射效率和延長的壽命。
文檔編號C09K11/06GK1838846SQ200510137519
公開日2006年9月27日 申請日期2005年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者李泰雨, 盧泰用, 金有珍, 夫龍淳, 樸商勛, 姜仁男, 金相烈, 金武謙 申請人:三星Sdi株式會社