專利名稱：熱可剝離的壓敏粘合片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種熱可剝離的壓敏粘合片，其具有半導(dǎo)體晶片加工中使用的粘合片的適當(dāng)粘合性，并且能夠通過熱處理而容易將其剝離，以及在剝離后通過水洗其能夠減少半導(dǎo)體晶片表面上的污染物。
背景技術(shù)：
迄今為止已經(jīng)知道熱可剝離的壓敏粘合片，其中含有發(fā)泡劑或膨脹劑，例如熱可膨脹的微膠囊的粘合層形成在基片上(參見專利文獻(xiàn)1～5)。該熱可剝離的壓敏粘合片是一種粘合片，其中粘合性和使用后的可剝離性是穩(wěn)定的。具體地，在實(shí)現(xiàn)粘附粘合體(adhesion body)的目的之后，加熱含有發(fā)泡劑或膨脹劑，例如熱可膨脹的微膠囊的粘合層，由此使該粘合層發(fā)泡或膨脹，粘合層的表面變?yōu)椴灰?guī)則的表面，由于與粘合體的粘合面積減小，因而粘合性降低，所以能容易分離粘合體。因此，已將該片材用于各種目的，例如在加工電子部件及其材料等時(shí)用于固定(暫時(shí)固定等)以及在流通，例如運(yùn)輸中用于固定(暫時(shí)固定等)。
但是，當(dāng)此常規(guī)熱可剝離的壓敏粘合片用于半導(dǎo)體晶片(硅晶片等)的切割(dicing)、其背面的拋光等時(shí)，產(chǎn)生了污染問題，視覺無法觀察的超細(xì)污染物(特別是有機(jī)污染物)嚴(yán)重地殘留在已通過熱處理剝離了粘合片的半導(dǎo)體晶片的表面上，并且制備的電子部件有時(shí)不適于實(shí)際使用。它們具有嚴(yán)重問題。
JP-B-50-13878[專利文獻(xiàn)2]JP-B-51-24534[專利文獻(xiàn)3]JP-A-56-61468[專利文獻(xiàn)4]
JP-A-56-61469[專利文獻(xiàn)5]JP-A-60-252681發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的是提供一種熱可剝離的壓敏粘合片，其能夠通過熱處理容易剝離，并且其使得剝離后通過水洗能夠容易減少粘合體表面上的污染物。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種熱可剝離的壓敏粘合片，其使得當(dāng)用于切削(cutting)半導(dǎo)體晶片的背面的步驟時(shí)，能夠在熱處理剝離后通過用水，例如冷卻水或用于切割步驟的清潔水(cleaning water)洗滌容易減少半導(dǎo)體晶片表面上的污染物，而無需提供清潔步驟。
為獲得前述目的，本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)行了努力的研究，因此發(fā)現(xiàn)當(dāng)在用于暫時(shí)固定半導(dǎo)體晶片的熱可剝離的壓敏粘合片中，在作為粘合面的粘合層中引入特定組分時(shí)，即使被污染，也可在熱剝離后通過水洗容易清潔半導(dǎo)體晶片的表面。該發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致本發(fā)明的完成。
即，本發(fā)明具有以下方面。
(1)一種熱可剝離的壓敏粘合片，其包含基片、在基片的至少一個(gè)表面上形成的熱可膨脹的粘合層和表面活性劑，其中表面活性劑包含在作為粘合面的熱可膨脹的粘合層中。
(2)一種熱可剝離的壓敏粘合片，其包含基片、在基片的至少一個(gè)表面上形成的熱可膨脹的粘合層、表面活性劑和非熱可膨脹的粘合層，其中表面活性劑包含在熱可膨脹的粘合層上作為粘合面的非熱可膨脹的粘合層中。
(3)根據(jù)上述(1)或(2)的熱可剝離的壓敏粘合片，其為用于加工半導(dǎo)體晶片的熱可剝離的壓敏粘合片。
(4)根據(jù)上述(1)～(3)中任一項(xiàng)的熱可剝離的壓敏粘合片，其中當(dāng)將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片上時(shí)，在通過熱處理從半導(dǎo)體晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片并且用水進(jìn)一步洗滌半導(dǎo)體晶片之后，通過XPS測(cè)量的半導(dǎo)體晶片表面上的碳元素比例(carbon element ratio)RC1(％)滿足下述關(guān)系式(1)
RC1≤50+RC2(1)其中RC2表示在粘附到熱可剝離的壓敏粘合片之前，通過XPS測(cè)量的半導(dǎo)體晶片表面上的碳元素比例(％)。
(5)根據(jù)上述(1)～(4)中任一項(xiàng)的熱可剝離的壓敏粘合片，其中當(dāng)將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片上且半導(dǎo)體晶片為硅晶片時(shí)，在通過加熱從硅晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片并且用水進(jìn)一步洗滌硅晶片后，通過XPS測(cè)量的硅晶片表面上的碳元素比例RC1Si滿足下述關(guān)系式(2)RC1Si≤2.5RSi(2)其中RSi表示在通過加熱從硅晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片，并且用水進(jìn)一步洗滌硅晶片后，通過XPS測(cè)量的硅晶片表面上的硅元素比例(％)。
(6)根據(jù)上述(1)～(5)中任一項(xiàng)的熱可剝離的壓敏粘合片，其中包含至少一種HLB為10或更高的表面活性劑作為表面活性劑。
在本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片中，通過熱處理能夠容易剝離粘合片，并且剝離后通過水洗能夠容易減少粘合體表面上的污染物。特別是當(dāng)該片用于切削半導(dǎo)體晶片的背面的步驟時(shí)，熱處理剝離后，通過用水，例如冷卻水或用于切割步驟的清潔水洗滌能容易減少半導(dǎo)體晶片表面上的污染物，而無需提供清潔步驟。


圖1為本發(fā)明熱可剝離的壓敏粘合片的實(shí)施例的橫截面示意圖。
圖2為本發(fā)明熱可剝離的壓敏粘合片的實(shí)施例的橫截面示意圖。
在圖中，附圖標(biāo)記1為熱可剝離的壓敏粘合片，2為基片(支撐基片)，3為含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層，4為隔板(防粘襯里(release liner))，5為熱可剝離的壓敏粘合片，6為基片(支撐基片)，7為熱可膨脹的粘合層，8為含表面活性劑的粘合層和9為隔板(防粘襯里)。
具體實(shí)施例方式
以下將更詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式，必要時(shí)參考附圖。同時(shí)，相同的附圖標(biāo)記有時(shí)表示相同的元件或部件。
如圖1和2所示，本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片具有含有表面活性劑的熱可膨脹的粘合層(下文中有時(shí)稱作“含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層”)或在熱可膨脹的粘合層上形成的、并且含有表面活性劑的非熱可膨脹的粘合層(下文中有時(shí)稱作“含表面活性劑的粘合層”)。圖1和2各自為本發(fā)明熱可剝離的壓敏粘合片的實(shí)施例的橫截面示意圖。圖1中，附圖標(biāo)記1為熱可剝離的壓敏粘合片，2為基片(支撐基片)，3為含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層，以及4為隔板(隔離襯里)。圖2中，5為熱可剝離的壓敏粘合片，6為基片(支撐基片)，7為熱可膨脹的粘合層，8為含表面活性劑的粘合層和9為隔板(隔離襯里)。
圖1所示的熱可剝離的壓敏粘合片1包含基片2、在基片2的一個(gè)表面上形成的含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層3和保護(hù)含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層3的表面的隔板4。圖2所示的熱可剝離的壓敏粘合片5包含基片6、在基片6的一個(gè)表面上形成的熱可膨脹的粘合層7、在熱可膨脹的粘合層7上形成的含表面活性劑的粘合層8和保護(hù)含表面活性劑的粘合層8的表面的隔板9。
因此，本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片具有以下結(jié)構(gòu)，其中熱可膨脹的粘合層形成在基片的至少一個(gè)表面上，并且表面活性劑至少包含在作為粘合面的粘合層(熱可膨脹的粘合層、形成在熱可膨脹的粘合層上的非熱可膨脹的粘合層等)中。
(基片)諸如圖1中所示的基片2或圖2中所示的基片6等的基片可以用作各種粘合層的支撐體(support body)，粘合層例如熱可膨脹的粘合層(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合片3、熱可膨脹的粘合層7等)和非熱可膨脹的粘合層(含表面活性劑的粘合層8等)。同時(shí)，基片可為單層或?qū)訅褐破返男问健?br> 作為基片，有可能使用適當(dāng)?shù)谋〔牧?，例如，紙型基片，如紙；纖維基片，如紡織品、無紡織物、氈和網(wǎng)織物；金屬基片，如金屬箔和金屬板；塑料基片，如塑料膜和塑料片；橡膠基片，如橡膠片；泡沫塑料，如泡沫片及其層壓制品(特別是塑料基片和其它基片的層壓制品，塑料膜(或片)的層壓制品等)等。考慮到加熱后的可操作性，優(yōu)選為耐熱性優(yōu)異的基片，其在熱可膨脹的粘合層的熱處理溫度下不熔化。作為基片，可以優(yōu)選使用塑料基片，例如塑料膜和塑料片。此種塑料基片中的材料的實(shí)例包括使用α-烯烴作為單體成分的烯烴樹脂，例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)；聚酯，例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；聚氯乙稀(PVC)；聚苯硫(PPS)；酰胺樹脂，例如聚酰胺(尼龍)和全芳基聚酰胺(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)等。這些材料可以單獨(dú)使用或其兩種或多種組合使用。
當(dāng)將塑料基片用作基片時(shí)，其變形性，例如伸長(zhǎng)率可以通過拉伸處理而控制。此外，當(dāng)在熱可膨脹的粘合層等中使用輻射可固化物質(zhì)時(shí)，優(yōu)選使用不阻礙輻射透過的基片。
可以根據(jù)強(qiáng)度、柔韌性和用途適當(dāng)選擇基片的厚度。例如，厚度通常為1000微米或更小(例如，1～1000微米)，優(yōu)選為1～500微米，更優(yōu)選為3～300微米，特別優(yōu)選為5～250微米。但是厚度并不局限于此。
為了提高與在基片上形成的各種粘合層(各種粘合層，例如含表面活性劑或不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層，以及含表面活性劑和或不含表面活性劑的非熱可膨脹的粘合層)的粘合性，可使基片的表面經(jīng)受常規(guī)的表面處理，例如通過化學(xué)或物理方法的氧化處理(如鉻酸處理、臭氧處理、火焰暴露(flame exposure)、高壓電擊暴露或電離輻射處理)以及經(jīng)受底涂助劑(undercoating agent)進(jìn)行涂敷處理。此外，為了賦予從在基片上形成的各種粘合層的可剝離性，其可經(jīng)受用脫模劑，例如硅氧烷類樹脂或含氟樹脂的涂敷處理。
在本發(fā)明中，如圖1和2所示，熱可膨脹的粘合層(各種熱可膨脹的粘合層，例如含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層和不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層)可以形成在基片的至少一個(gè)表面(一個(gè)表面或兩個(gè)表面)上，并且基片可以包埋在各種熱可膨脹的粘合層中。
(熱可膨脹的粘合層)熱可膨脹的粘合層(例如圖1所示的含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層3，或圖2所示的熱可膨脹的粘合層7)包含至少一種用于賦予粘合性的粘合劑和用于賦予熱膨脹性的發(fā)泡劑(特別是熱可膨脹的微膠囊)。因此，將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到，如半導(dǎo)體晶片等粘合體上，然后加熱熱可膨脹的粘合層一段任選的時(shí)間，以使發(fā)泡劑，例如熱可膨脹的微膠囊發(fā)泡和/或膨脹，從而使熱可膨脹的粘合層膨脹。通過此膨脹，可減少熱可膨脹的粘合層和粘合體(半導(dǎo)體晶片等)之間的粘合面積，以減少由熱可膨脹的粘合層所產(chǎn)生的粘合性，使得有可能從粘合體上容易剝離熱可剝離的壓敏粘合片。含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層通常用作待粘附到粘合體上的熱可膨脹的粘合層。
同時(shí)，使用熱可膨脹的粘合層(不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層)以降低粘附到粘合體上的、在熱可膨脹的粘合層上形成的含表面活性劑的粘合層所產(chǎn)生的粘合性。
(發(fā)泡劑)作為發(fā)泡劑，可以優(yōu)選使用熱可膨脹的微膠囊。此熱可膨脹的微膠囊可以合適地選自已知的熱可膨脹的微膠囊?？紤]到容易進(jìn)行混合步驟，優(yōu)選使用微膠囊化的發(fā)泡劑作為熱可膨脹的微膠囊。此熱可膨脹的微膠囊的實(shí)例包括下述微膠囊，其中通過加熱氣化而容易膨脹的物質(zhì)，例如異丁烷、丙烷和戊烷包含在彈性殼中。該殼一般由熱可熔物質(zhì)或通過熱膨脹而破裂的物質(zhì)形成。形成該殼的物質(zhì)的實(shí)例包括偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏二氯乙烯、聚砜等。熱可膨脹的微膠囊可以通過常規(guī)方法，例如凝聚法(coacervationmethod)或界面聚合法制備。作為熱可膨脹的微膠囊，存在例如商品名為“Matsumoto Miscrosphere”的市售產(chǎn)品(由Matsumoto Yushi Seiyaku K.K.制造)。
為了通過熱處理有效并穩(wěn)定地降低熱可膨脹的粘合層的粘合性，熱可膨脹的微膠囊具有直至體積膨脹率大于5倍，優(yōu)選大于7倍，特別優(yōu)選大于10倍時(shí)才發(fā)生破裂的適當(dāng)強(qiáng)度是有利的。
可以根據(jù)粘合性降低的程度，適當(dāng)確定熱可膨脹的微膠囊的混合量。具體地，熱可膨脹的微膠囊的混合量可以選自，例如1～100重量份(優(yōu)選為5～80重量份，更優(yōu)選為10～50重量份)，基于100重量份的構(gòu)成熱可膨脹的粘合層的粘合劑的基體聚合物(base polymer)。
根據(jù)熱可膨脹的粘合層等的厚度，可以適當(dāng)選擇熱可膨脹的微膠囊的粒度(平均粒度)。熱可膨脹的微膠囊的平均粒度可以選自例如100微米或更小(優(yōu)選為80微米或更小，更優(yōu)選為1～50微米，特別優(yōu)選為1～30微米)。在形成熱可膨脹的微膠囊過程中或形成后通過例如分級(jí)等步驟，可以調(diào)節(jié)熱可膨脹的微膠囊的粒度。
在本發(fā)明中，不同于熱可膨脹的微膠囊的發(fā)泡劑可以與熱可膨脹的微膠囊一起使用，或代替熱可膨脹的微膠囊。作為此發(fā)泡劑，可以適當(dāng)選擇性地使用各種發(fā)泡劑，例如無機(jī)發(fā)泡劑和有機(jī)發(fā)泡劑。無機(jī)發(fā)泡劑的典型實(shí)例包括碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、氫氧化硼鈉(sodium boronhydroxide)、各種疊氮化物等。有機(jī)發(fā)泡劑的典型實(shí)例包括水；氯氟鏈烷化合物，例如三氯一氟甲烷和二氯一氟甲烷；偶氮化合物，例如偶氮二異丁腈、偶氮二碳酰胺和偶氮二羧酸鋇；肼化合物，例如對(duì)甲苯磺酰肼、二苯基砜-3，3′-二磺酰肼、4，4′-氧代雙(苯磺酰肼)和烯丙基雙(磺酰肼)；氨基脲化合物，例如對(duì)甲基亞苯基磺?；被搴?，4′-氧代雙(苯磺?；被?；三唑化合物，例如5-morphoryl-1，2，3，4-噻三唑；N-亞硝基化合物，例如N，N′-二亞硝基五亞甲基四胺和N，N′-二亞硝基對(duì)苯二酰胺等。
(粘合劑)作為用于各種熱可膨脹的粘合層(例如，含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層和不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層)中的粘合劑，在加熱時(shí)盡可能地不抑制發(fā)泡劑(特別是熱可膨脹的微膠囊)的發(fā)泡和/或膨脹的粘合劑是優(yōu)選的。粘合劑的實(shí)例包括已知的粘合劑，例如橡膠粘合劑、丙烯酸(酯)類粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物粘合劑、乙烯基烷基醚粘合劑、硅氧烷類粘合劑、聚酯類粘合劑、聚酰胺類粘合劑、氨基甲酸酯類粘合劑、含氟類粘合劑和通過將這些粘合劑與熔點(diǎn)低于200℃的熱可熔化的樹脂混合而獲得的蠕變性質(zhì)改進(jìn)的粘合劑(creeping property-improved adhesive)，它們可以單獨(dú)或其兩種或多種組合使用(參見，例如JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17891和JP-A-56-13040)。此外，作為粘合劑，輻射固化粘合劑(或能量射線固化粘合劑)也是適合的。這些粘合劑可以單獨(dú)或其兩種或多種組合使用。
考慮到熱處理前適當(dāng)?shù)恼澈闲院蜔崽幚砗笳澈闲缘慕档椭g的平衡，更優(yōu)選的粘合劑是基于聚合物的粘合劑，在室溫至150℃的溫度下，該聚合物的動(dòng)態(tài)彈性為0.5～100(Pa)[從50000～10000000(達(dá)因/平方厘米)]。
取決于粘合劑的類型等，構(gòu)成熱可膨脹的粘合層的粘合劑除含有如粘合劑成分(基體聚合物)等聚合物成分之外，還可以含有合適的添加劑，例如交聯(lián)劑、粘合性賦予樹脂(adhesivity-imparting resin)(室溫下為固態(tài)、半固態(tài)或液態(tài)的樹脂，例如松香衍生的樹脂、多萜樹脂、石油樹脂和油溶性酚醛樹脂)、增塑劑、填料和抗氧化劑。使用作為基體聚合物而引入、并通過加入交聯(lián)劑交聯(lián)的具有官能團(tuán)的聚合物的熱可膨脹的粘合層具有內(nèi)聚力，并且能夠減少由熱可膨脹的粘合層產(chǎn)生的污染物。但是，在該使用中(其中在需要低污染的情況下，添加劑轉(zhuǎn)移到粘合體中產(chǎn)生了問題)，不含例如粘合性賦予樹脂和增塑劑等添加劑的組成的粘合劑也是可利用的。對(duì)交聯(lián)劑沒有特別限定。
交聯(lián)劑的實(shí)例包括異氰酸酯類交聯(lián)劑，例如甲苯二異氰酸酯、三羥甲基丙烷三異氰酸酯和二苯基甲烷二異氰酸酯；環(huán)氧類交聯(lián)劑，例如聚乙二醇二縮水甘油醚、二縮水甘油醚和三羥甲基丙烷三縮水甘油醚；密胺類交聯(lián)劑，例如烷基醚密胺化合物；金屬鹽類交聯(lián)劑；金屬螯合物類交聯(lián)劑；氨基類交聯(lián)劑、過氧化物類交聯(lián)劑；偶聯(lián)劑型交聯(lián)劑，例如硅烷偶聯(lián)劑等。
作為粘合劑，可優(yōu)選使用橡膠粘合劑和丙烯酸(酯)類粘合劑(特別是丙烯酸(酯)類粘合劑)。具體地，橡膠粘合劑使用天然橡膠和合成橡膠作為基體聚合物。合成橡膠的實(shí)例包括聚異戊二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯(SB)橡膠、苯乙烯-異戊二烯(SI)橡膠、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SIS)橡膠、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物(SBS)橡膠、苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)橡膠、苯乙烯-乙烯-丙烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEPS)橡膠、苯乙烯-乙烯-丙烯嵌段共聚物(SEP)橡膠、再生橡膠、丁基橡膠、聚異丁烯橡膠、這些橡膠的改性產(chǎn)物等。
丙烯酸(酯)類粘合劑具體含有丙烯酸(酯)類聚合物作為基體聚合物。丙烯酸(酯)類聚合物含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為單體的主要組分，并且視需要，含有可共聚的單體作為可共聚的成分。丙烯酸(酯)類聚合物可以單獨(dú)或其兩種或多種組合使用。對(duì)于作為單體主要成分的(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可以優(yōu)選使用(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯。
(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯的實(shí)例包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸新戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。(甲基)丙烯酸C1-20烷基酯可以單獨(dú)或兩種或多種組合使用。
根據(jù)(甲基)丙烯酸烷基酯的類型，適當(dāng)選擇含在丙烯酸(酯)類聚合物中作為可共聚的成分的可共聚的單體?？晒簿鄣膯误w的實(shí)例包括(甲基)丙烯酸脂環(huán)烴酯，例如(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸冰片酯和(甲基)丙烯酸異冰片酯；含羧基的單體，例如(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸和異巴豆酸，或它們的酸酐；含磺基的單體，例如乙烯基磺酸鈉；芳族乙烯基化合物，例如苯乙烯和取代的苯乙烯；含氰基單體，例如丙烯腈和甲基丙烯腈；烯烴或二烯，例如乙烯、丁二烯、異戊二烯和異丁烯；乙烯基酯，例如乙酸乙烯酯；乙烯基醚，例如乙烯基烷基醚；氯乙烯；含酰胺基的單體，例如丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮和N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺；含羥基的單體，例如(甲基)丙烯酸羥基烷基酯，例如(甲基)丙烯酸羥乙酯和(甲基)丙烯酸羥丙酯，以及二甲基丙烯酸甘油酯；含氨基的單體，例如(甲基)丙烯酸氨基乙酯和(甲基)丙烯酰嗎啉；含酰亞胺基的單體，例如環(huán)己基馬來酰亞胺和異丙基馬來酰亞胺；含環(huán)氧基的單體，例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯和(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯；含異氰酸酯基的單體，例如2-甲基丙烯酰氧乙基異氰酸酯等。
作為可共聚的單體，可以使用多官能可共聚的單體(多官能單體)，其實(shí)例包括二(甲基)丙烯酸三甘醇酯、二(甲基)丙烯酸二甘醇酯、二(甲基)丙烯酸乙二醇酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、二(甲基)丙烯酸新戊二醇酯、二(甲基)丙烯酸1，6-己二醇酯、三(甲基)丙烯酸三羥甲基丙烷酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二乙烯基苯等。可共聚的單體可以單獨(dú)或兩種或多種組合使用。
在含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層(其中熱可膨脹的粘合層是粘合面)的情況下，構(gòu)成含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層的粘合劑優(yōu)選為低污染的粘合劑。該具有低污染的粘合劑包括含有低分子量聚合物成分的橡膠粘合劑或丙烯酸(酯)類粘合劑，該低分子量聚合物成分的重均分子量為100000或更小，其基于所有聚合物成分的比例為15重量％或更小(優(yōu)選10重量％或更小，更優(yōu)選5重量％或更小，特別優(yōu)選1重量％或更小)等。此外，它包括輻射可固化的粘合劑，其可被固化，以使固化后重均分子量為100000或更小的低分子聚合物成分的比例為所有聚合物成分的15重量％或更小(優(yōu)選10重量％或更小，更優(yōu)選5重量％或更小，特別優(yōu)選1重量％或更小)。
(表面活性劑)在熱可膨脹的粘合層中，含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層還含有表面活性劑。作為表面活性劑，可利用各種表面活性劑(例如，非離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑和兩性表面活性劑)。表面活性劑可以單獨(dú)或兩種或多種組合使用。
作為表面活性劑，可以優(yōu)選使用非離子表面活性劑。非離子表面活性劑的實(shí)例包括醚類非離子表面活性劑，例如聚氧乙烯烷基苯基醚(聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯十二烷基苯基醚等)、聚氧乙烯烷基烯丙基醚、聚氧乙烯烷基醚(聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯月桂基醚等)和聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚合物；酯醚類非離子表面活性劑，例如聚乙二醇脂肪酸酯(聚乙二醇油酸酯等)和聚氧乙烯脫水山梨糖醇脂肪酸酯(聚氧乙烯脫水山梨糖醇單棕櫚酸酯等)；酯類非離子表面活性劑，例如甘油脂肪酸酯(單硬脂酸甘油酯等)，脫水山梨糖醇脂肪酸酯(脫水山梨糖醇單硬脂酸酯等)；蔗糖脂肪酸酯(蔗糖硬脂酸酯等)；鏈烷醇酰胺類非離子表面活性劑，例如脂肪酸鏈烷醇酰胺(月桂酸二乙醇酰胺等)等。非離子表面活性劑的優(yōu)選實(shí)例包括醚類非離子表面活性劑(特別是聚氧乙烯烷基苯基醚和聚氧乙烯烷基醚)。
作為陰離子表面活性劑，可以使用各種陰離子表面活性劑，例如磷酸酯類陰離子表面活性劑、硫酸酯類陰離子表面活性劑、磺酸類陰離子表面活性劑和羧酸類陰離子表面活性劑。作為陽(yáng)離子表面活性劑，可以使用各種陽(yáng)離子表面活性劑，例如胺鹽類陽(yáng)離子表面活性劑和季銨鹽類陽(yáng)離子表面活性劑。作為兩性表面活性劑，可以使用各種兩性表面活性劑，例如羧基甜菜堿類兩性表面活性劑和甘氨酸類兩性表面活性劑。
作為表面活性劑，可以優(yōu)選使用HLB(親水親油平衡)為10或更大(優(yōu)選為13或更大)的表面活性劑。當(dāng)表面活性劑的HLB為10或更大時(shí)，表面活性劑能夠有效地從粘合層滲到粘合體的表面上。
因此，作為含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層中的表面活性劑，HLB為10或更大(優(yōu)選13或更大)的非離子表面活性劑是優(yōu)選的。
基于100重量份構(gòu)成含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層的粘合劑的基體聚合物，表面活性劑的加入量可以選自例如0.01～10重量份(優(yōu)選為0.05～5重量份，更優(yōu)選為0.1～2重量份)。
熱可膨脹的粘合層(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層)可以通過例如常規(guī)方法形成，在該方法中混合粘合劑、發(fā)泡劑(特別是熱可膨脹的微膠囊)以及根據(jù)需要的表面活性劑、溶劑和其它添加劑，并將混合物成型為片狀層。具體地，含表面活性劑或不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層可以通過，例如，將粘合劑、發(fā)泡劑(例如熱可膨脹的微膠囊)以及根據(jù)需要的表面活性劑、溶劑和其它添加劑的混合物涂敷到基片或下面將描述的橡膠有機(jī)彈性層上的方法，或者將混合物涂敷到適當(dāng)?shù)母舭?隔離紙等)上以形成熱可膨脹的粘合層，然后將其轉(zhuǎn)移(移動(dòng))到基片或橡膠有機(jī)彈性層上的方法。
熱可膨脹的粘合層(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層)可以為單層或多層的形式。
根據(jù)粘合性的降低等，可以適當(dāng)?shù)剡x擇熱可膨脹的粘合層(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層)的厚度。例如，厚度為500微米或更小(優(yōu)選5～200微米)。當(dāng)厚度太大時(shí)，在熱處理后剝離時(shí)，在熱可膨脹的粘合層中出現(xiàn)內(nèi)聚失敗(cohesion failure)，從而，粘合劑殘余在半導(dǎo)體晶片上，并且半導(dǎo)體晶片易于被過度污染。同時(shí)，當(dāng)熱可膨脹的粘合層的厚度太小時(shí)，熱可膨脹的粘合層通過熱處理的變形程度小。因此，不能平穩(wěn)降低粘合性，或者待加入的熱可膨脹的微膠囊的粒度過度減小。
(含表面活性劑的粘合層)含表面活性劑的非熱可膨脹的粘合層，例如圖2所示的含表面活性劑的粘合層8，為不含發(fā)泡劑(熱可膨脹的微膠囊等)并且不具有熱膨脹性的粘合層。此含表面活性劑的粘合層包括至少一種用于賦予粘合性的粘合劑和表面活性劑。因此，含表面活性劑的粘合層對(duì)應(yīng)于從中除去了發(fā)泡劑(熱可膨脹的微膠囊等)的含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層。含表面活性劑的粘合層用作粘附到粘合體上的粘合層。此外，在通過加熱降低粘合性的過程中，含表面活性劑的粘合層用于防止具有熱可膨脹的粘合層的粘合體內(nèi)污染物(特別是微污染物)的增加。通過使熱可膨脹的粘合層(不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層)膨脹，此含表面活性劑的粘合層降低了與粘合體的粘合性，從而能夠容易從粘合體上剝離熱可剝離的壓敏粘合片。
作為用在含表面活性劑的粘合層內(nèi)的粘合劑，可使用與在含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層中使用的那些相同的已知常規(guī)的粘合劑(例如，橡膠粘合劑、丙烯酸(酯)類粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物粘合劑、乙烯基烷基醚粘合劑、硅氧烷類粘合劑、聚酯類粘合劑、聚酰胺類粘合劑、氨基甲酸酯類粘合劑、含氟類粘合劑、蠕變性質(zhì)改進(jìn)的粘合劑和輻射可固化的粘合劑)。粘合劑可以單獨(dú)或兩種或多種組合使用。
取決于粘合劑的類型等，粘合劑除含有例如粘合劑成分(基體聚合物)等聚合物成分外，還可以含有適當(dāng)?shù)奶砑觿缃宦?lián)劑、粘合性賦予樹脂(室溫下為固態(tài)、半固態(tài)或液態(tài)的樹脂，例如松香衍生的樹脂、多萜樹脂、石油樹脂和油溶性酚醛樹脂)、增塑劑、填料和抗氧化劑。使用作為基體聚合物而引入、并通過加入交聯(lián)劑交聯(lián)的具有官能團(tuán)的聚合物的粘合層具有內(nèi)聚力，并且能夠減少由粘合層產(chǎn)生的污染物。但是，在該使用中(在需要低污染的情況下，添加劑轉(zhuǎn)移到粘合體中產(chǎn)生了問題)，不含例如粘合性賦予樹脂和增塑劑等添加劑的組成的粘合劑也是合適的。對(duì)交聯(lián)劑沒有特別限定。
交聯(lián)劑的實(shí)例包括異氰酸酯類交聯(lián)劑，例如甲苯二異氰酸酯、三羥甲基丙烷三異氰酸酯和二苯基甲烷二異氰酸酯；環(huán)氧類交聯(lián)劑，例如聚乙二醇二縮水甘油醚、二縮水甘油醚和三羥甲基丙烷三縮水甘油醚；密胺類交聯(lián)劑，例如烷基醚密胺化合物；金屬鹽類交聯(lián)劑；金屬螯合物類交聯(lián)劑；氨基類交聯(lián)劑；過氧化物類交聯(lián)劑；偶聯(lián)劑型交聯(lián)劑，例如硅烷偶聯(lián)劑等。
作為粘合劑，與在熱可膨脹的粘合層中一樣，可優(yōu)選使用橡膠粘合劑和丙烯酸(酯)類粘合劑(特別是丙烯酸(酯)類粘合劑)。在橡膠粘合劑和丙烯酸(酯)類粘合劑中基體聚合物等的具體實(shí)例與上面列舉的相同。
與構(gòu)成含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層的粘合劑一樣，構(gòu)成含表面活性劑的粘合層的粘合劑優(yōu)選為低污染的粘合劑。該具有低污染的粘合劑包括含有低分子量聚合物成分的橡膠粘合劑或丙烯酸(酯)類粘合劑，該低分子量聚合物成分的重均分子量為100000或更小，其基于所有聚合物成分的比例為15重量％或更小(優(yōu)選10重量％或更小，更優(yōu)選5重量％或更小，特別優(yōu)選1重量％或更小)等。此外，它包括輻射可固化的粘合劑，其可被固化，以使固化后重均分子量為100000或更小的低分子聚合物成分的比例為所有聚合物成分的15重量％或更小(優(yōu)選10重量％或更小，更優(yōu)選5重量％或更小，特別優(yōu)選1重量％或更小)。
作為在含表面活性劑的粘合層中使用的表面活性劑，可以使用與含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層中使用的那些相同的表面活性劑(例如，非離子表面活性劑、陰離子表面活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑和兩性表面活性劑)。其中，優(yōu)選使用非離子表面活性劑。作為非離子表面活性劑，可以使用前述非離子表面活性劑。其具體實(shí)例包括醚類非離子表面活性劑，例如聚氧乙烯烷基苯基醚(聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯十二烷基苯基醚等)、聚氧乙烯烷基烯丙基醚、聚氧乙烯烷基醚(聚氧乙烯油基醚、聚氧乙烯月桂基醚等)和聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段聚合物；酯醚類非離子表面活性劑，例如聚乙二醇脂肪酸酯(聚乙二醇油酸酯等)和聚氧乙烯脫水山梨糖醇脂肪酸酯(聚氧乙烯脫水山梨糖醇單棕櫚酸酯等)；酯類非離子表面活性劑，例如甘油脂肪酸酯(甘油單硬脂酸酯等)，脫水山梨糖醇脂肪酸酯(脫水山梨糖醇單硬脂酸酯等)；蔗糖脂肪酸酯(蔗糖硬脂酸酯等)；鏈烷醇酰胺類非離子表面活性劑，例如脂肪酸鏈烷醇酰胺(月桂酸二乙醇酰胺等)；等。
非離子表面活性劑的優(yōu)選實(shí)例包括醚類非離子表面活性劑(特別是聚氧乙烯烷基苯基醚和聚氧乙烯烷基醚)。
作為陰離子表面活性劑，可以使用各種陰離子表面活性劑，例如磷酸酯類陰離子表面活性劑、硫酸酯類陰離子表面活性劑、磺酸類陰離子表面活性劑和羧酸類陰離子表面活性劑。作為陽(yáng)離子表面活性劑，可使用各種陽(yáng)離子表面活性劑，例如胺鹽類陽(yáng)離子表面活性劑和季銨鹽類陽(yáng)離子表面活性劑。作為兩性表面活性劑，可以使用各種兩性表面活性劑，例如羧基甜菜堿類兩性表面活性劑和甘氨酸類兩性表面活性劑。
如上所述，為使表面活性劑能夠有效地從粘合層滲到粘合體的表面上，作為表面活性劑，可以優(yōu)選使用HLB為10或更大(優(yōu)選為13或更大)的表面活性劑。
因此，作為含表面活性劑的粘合層內(nèi)的表面活性劑，HLB為10或更大(優(yōu)選13或更大)的非離子表面活性劑是優(yōu)選的。
基于100重量份構(gòu)成含表面活性劑的粘合層的粘合劑的基體聚合物，表面活性劑的加入量可以選自例如0.01～10重量份(優(yōu)選0.05～5重量份，更優(yōu)選0.1～2重量份)。
含表面活性劑的粘合層可以通過例如常規(guī)方法形成，在該方法中混合粘合劑、表面活性劑以及根據(jù)需要的溶劑和其它添加劑，并將混合物成型為片狀層。具體地，含表面活性劑的粘合層可以通過，例如將粘合劑、表面活性劑以及根據(jù)需要的溶劑和其它添加劑的混合物被涂敷到熱可膨脹的粘合層上的方法，或者將混合物涂敷到適當(dāng)?shù)母舭?隔離紙等)上以形成含表面活性劑的粘合層，然后將其轉(zhuǎn)移(移動(dòng))到熱可膨脹的粘合層上的方法。
含表面活性劑的粘合層可以為單層或多層的形式。
對(duì)含表面活性劑的粘合層的厚度沒有具體限定，可以根據(jù)熱可剝離的壓敏粘合片的用途、通過加熱粘合性的降低等適當(dāng)?shù)剡x擇厚度。通常，當(dāng)含表面活性劑的粘合層的厚度太小時(shí)，通過加熱后在熱可膨脹的粘合層不規(guī)則變形中，容易產(chǎn)生粘合性不足或內(nèi)聚失敗。同時(shí)，當(dāng)含表面活性劑的粘合層厚度太大時(shí)，難以通過加熱跟隨熱可膨脹的粘合層的不規(guī)則變形。
因此，考慮到防止熱變形中的內(nèi)聚破壞(進(jìn)一步地，防止在粘合體，例如半導(dǎo)體晶片的表面上的污染物增加)，熱可膨脹的粘合層的不規(guī)則變形的跟隨(進(jìn)一步地與粘合體，例如半導(dǎo)體晶片的粘合性的降低或失去)等，希望含表面活性劑的粘合層的厚度為，例如20微米或更小(優(yōu)選0.1～10微米，更優(yōu)選1～5微米)。
當(dāng)熱可剝離的壓敏粘合片具有含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層時(shí)，希望含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層形成在基片的至少一個(gè)表面上。其實(shí)例包括(1a)熱可剝離的壓敏粘合片，其結(jié)構(gòu)為含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層形成在基片的一個(gè)表面上；(1b)熱可剝離的壓敏粘合片，其結(jié)構(gòu)為含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層形成在基片的兩個(gè)表面上；(1c)熱可剝離的壓敏粘合片，其結(jié)構(gòu)為含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層形成在基片的一個(gè)表面上，而且不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或不含表面活性劑的非熱可膨脹的粘合層作為粘合層形成在基片的另一個(gè)表面上，該表面是粘合面。
另一方面，當(dāng)熱可剝離的壓敏粘合片具有熱可膨脹的粘合層和含表面活性劑的粘合層時(shí)，希望熱可膨脹的粘合層和含表面活性劑的粘合層按照此順序形成在基片的至少一個(gè)表面上。其實(shí)例包括(2a)熱可剝離的壓敏粘合片，其結(jié)構(gòu)為熱可膨脹的粘合層和含表面活性劑的粘合層按照此順序形成在基片的一個(gè)表面上；(2b)熱可剝離的壓敏粘合片，其結(jié)構(gòu)為熱可膨脹的粘合層和含表面活性劑的粘合層按照此順序形成在基片的兩個(gè)表面上；(2c)熱可剝離的壓敏粘合片，其結(jié)構(gòu)為熱可膨脹的粘合層和含表面活性劑的粘合層按照此順序形成在基片的一個(gè)表面上，并且不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或不含表面活性劑的非熱可膨脹的粘合層作為粘合層形成在基片的另一個(gè)表面上，該表面是粘合面等。
當(dāng)熱可剝離的壓敏粘合片的結(jié)構(gòu)為作為粘合層(其是粘合面)的含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層形成在基片的一個(gè)表面上，以及粘合層(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層、含表面活性劑的粘合層、不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或不含表面活性劑的非熱可膨脹的粘合層)也形成在其另一個(gè)表面上(例如，結(jié)構(gòu)(1b)、(1c)、(2b)和(2c)的熱可剝離的壓敏粘合片)時(shí)，在基片的另一個(gè)表面上的粘合層可以用作，例如待粘附到支撐物(support)上的粘合層(用于支撐物的粘合層)。
在熱可剝離的壓敏粘合片中，例如一個(gè)或多個(gè)中間層(橡膠有機(jī)彈性層等)可以形成在基片和含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層之間。
(用于支撐物的粘合層)如上所述，用于支撐物的粘合層可以形成在熱可剝離的壓敏粘合片上。即，可以任選地形成用于支撐物的粘合層。作為粘附有用于支撐物的粘合層的支撐物，可以列舉在半導(dǎo)體晶片加工中的支座(support seat)等。因此，用于支撐物的粘合層可以為用于支座的粘合層。當(dāng)如此提供用于支座的粘合層時(shí)，例如，半導(dǎo)體晶片可通過使用用于支座的粘合層由支座支撐，以使更容易加工半導(dǎo)體晶片。
對(duì)用于形成用于支撐物的粘合層的粘合劑沒有具體限定，可以使用作為用于熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層中的粘合劑而列舉的已知常規(guī)粘合劑(例如，橡膠粘合劑、丙烯酸(酯)類粘合劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物粘合劑、乙烯基烷基醚粘合劑、硅氧烷類粘合劑、聚酯類粘合劑、聚酰胺類粘合劑、氨基甲酸酯類粘合劑、含氟類粘合劑、蠕變性質(zhì)改進(jìn)的粘合劑和輻射可固化的粘合劑)。粘合劑可以單獨(dú)或其兩種或多種組合使用。用于形成用于支撐物的粘合層的粘合劑可以含有已知的常規(guī)添加劑，例如交聯(lián)劑、粘合性賦予劑、增塑劑、填料、抗氧化劑和表面活性劑。
當(dāng)用于支撐物的粘合層是在半導(dǎo)體晶片加工中用于支座的粘合層時(shí)，用于支座的粘合層可以不含低污染，這是因?yàn)槠洳挥糜谡掣桨雽?dǎo)體晶片。
用于支撐物的粘合層的厚度可以為，例如300微米或更小(例如，1～300微米，優(yōu)選5～100微米)。作為用于形成用于支撐物的粘合層的方法，可以采用在形成熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層中使用的相同方法(例如，在基片上涂敷粘合層的方法，和通過將粘合層涂敷到隔板上然后將其轉(zhuǎn)移到基片上的方法)。用于支撐物的粘合層可以為單層或多層。
(中間層)在熱可剝離的壓敏粘合片中，如上所述可以在基片和含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層之間形成一層或多層中間層。中間層的實(shí)例包括用于賦予剝離性的剝離劑(peeling agent)涂層，和用于改進(jìn)粘合性的底涂劑涂層。除了剝離劑涂層和底涂劑涂層之外，中間層的實(shí)例包括用于賦予良好變形性的層、用于增加與半導(dǎo)體晶片的粘合面積的層、用于改進(jìn)粘合性的層、用于令人滿意地跟隨半導(dǎo)體晶片的表面形狀的層、用于改進(jìn)通過加熱降低粘合性的處理的層、用于改進(jìn)加熱后從半導(dǎo)體晶片上的剝離性的層等。
特別是，考慮到對(duì)熱可剝離的壓敏粘合片賦予可變形性或改進(jìn)加熱后的剝離性，橡膠有機(jī)彈性層優(yōu)選作為中間層形成在基片和含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層之間。因此，提供橡膠有機(jī)彈性層，從而在將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片以增加粘合面積時(shí)，熱可剝離的壓敏粘合片的表面(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層的表面)可以令人滿意地跟隨半導(dǎo)體晶片的表面形狀。此外，當(dāng)熱可剝離的壓敏粘合片從半導(dǎo)體晶片上熱剝離時(shí)，含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層的熱膨脹得到高度控制(具有良好的精確星)，并且含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層可以在厚度方向上擇優(yōu)并均勻地膨脹。此外，即使在含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層中含有的熱可膨脹的微膠囊的粒度稍大時(shí)，其導(dǎo)致的不均勻也會(huì)被橡膠有機(jī)彈性層吸收，從而有可能最小化含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層的表面粗糙度。順便提及，橡膠有機(jī)彈性層是按需要提供的層，并且其不是必須提供的。
優(yōu)選以疊加的狀態(tài)，在含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層的表面上，在基片側(cè)形成橡膠有機(jī)彈性層。其可以形成除在基片和含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或熱可膨脹的粘合層之間的中間層之外的層。橡膠有機(jī)彈性層可以設(shè)置在基片的一個(gè)或兩個(gè)表面上。
橡膠有機(jī)彈性層優(yōu)選由例如天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性(根據(jù)ASTM D-2240測(cè)量的肖氏(Shore)D硬度為50或更小，特別是40或更小)的合成樹脂形成。
合成橡膠或具有橡膠彈性的合成樹脂的實(shí)例包括腈類、二烯類和丙烯酸(酯)類合成橡膠；聚烯烴類和聚酯類熱塑性彈性體；以及具有橡膠彈性的合成樹脂，例如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚丁二烯和軟質(zhì)聚氯乙烯。如聚氯乙烯等基本上硬質(zhì)的聚合物與如增塑劑和柔軟劑等添加劑結(jié)合，表現(xiàn)出橡膠彈性。此組合物可以用作橡膠有機(jī)彈性層的構(gòu)成材料。粘合劑材料，例如構(gòu)成熱可膨脹的粘合層的粘合劑能夠優(yōu)選用作橡膠有機(jī)彈性層的構(gòu)成材料。
橡膠有機(jī)彈性層可以通過下述方法形成，即，將含有橡膠有機(jī)彈性層形成材料，例如天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性的合成樹脂的涂層溶液涂敷到基片上的方法(涂敷法)，將由橡膠有機(jī)彈性層形成材料制成的膜或其中由橡膠有機(jī)彈性層形成材料制成的層預(yù)先形成在一個(gè)或多個(gè)熱可膨脹的粘合層上的層壓膜粘附到基片上的方法(干層壓法)，共擠出含有基片的構(gòu)成材料的樹脂組合物和含有橡膠有機(jī)彈性層形成材料的樹脂組合物的方法等。
橡膠有機(jī)彈性層的厚度通常為500微米或更小(例如，1～500微米)，優(yōu)選為3～300微米，更優(yōu)選為5～150微米。橡膠有機(jī)彈性層可以為單層或多層的形式。
當(dāng)熱可膨脹的粘合層(例如含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層，含表面活性劑的粘合層或用于支撐物的粘合層)的粘合層中使用輻射可固化的物質(zhì)時(shí)，需要在橡膠有機(jī)彈性層中使用不阻礙輻射透過的物質(zhì)。
中間層(橡膠有機(jī)彈性層等)可以形成在除了基片和用于支撐物的粘合層之間的位置以外的位置。
(隔板)作為隔板，例如圖1所示的隔板4或圖2所示的隔板9，可使用常規(guī)隔離紙等。該隔板用作作為粘合面的粘合層(例如，含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層、含表面活性劑的粘合層、用于支撐物的粘合層等)的保護(hù)材料，并且當(dāng)熱可剝離的壓敏粘合片粘附到粘合體上(例如半導(dǎo)體晶片或支座)時(shí)，將其剝離。隔板不是必須提供的。
作為隔板，可以使用具有防粘層的基片，例如塑料膜和用硅氧烷類、長(zhǎng)鏈烷基類、含氟類和硫化鉬脫模劑處理的紙；由含氟聚合物制成的低粘合性物質(zhì)，例如聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物和氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物；由非極性聚合物制成的低粘合性物質(zhì)，例如烯烴樹脂(例如，聚乙烯和聚丙烯)。這些隔板可以用作用于支撐各種粘合層(例如熱可膨脹的粘合層，例如含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層和不含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層、含表面活性劑的粘合層和用于支撐物的粘合層)的基片。
隔板可以通過常規(guī)方法形成。對(duì)隔板的厚度等沒有特別限制。
本發(fā)明中，熱可剝離的壓敏粘合片可以為片、帶等形狀。作為熱可剝離的壓敏粘合片(帶)，在輥壓狀態(tài)或形狀下，其可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，如上所述，作為粘合面的粘合層(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層、不含表面活性劑的粘合層等的粘合層)被隔板保護(hù)。其可以具有這樣的結(jié)構(gòu)，即作為粘合面的粘合層(含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層、含表面活性劑的粘合層等的粘合層)形成在基片的一個(gè)表面上，并且剝離處理層(處理層的背面)形成在基片的另一個(gè)表面上。
(用途)本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片可以用在常規(guī)粘合片的各種應(yīng)用中，例如粘附粘合體。該片具有這樣的性質(zhì)，即其能夠以很強(qiáng)的粘合性粘附，并且在任何時(shí)候，通過熱處理降低粘合性容易從粘合體上分離。因此，其可以有利地用在可以有效呈現(xiàn)這些特性的應(yīng)用中(例如，在將片粘附到粘合體上一段預(yù)定的時(shí)間后，需要粘附的狀態(tài)或希望粘附的狀態(tài)被釋放的應(yīng)用)。
對(duì)粘合體沒有特別限制。其材料的實(shí)例包括任意材料，例如金屬、陶瓷、塑料、木材和紙。對(duì)粘合體的形狀沒有特別限制，任何形狀都可以。具體地，對(duì)粘合體的形狀而言，例如熱可剝離的壓敏粘合片的粘附表面可以為平面(板)型、曲面型、纖維型等的任一種。
特別是，在本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片中，表面活性劑含有在作為粘合面的粘合層(熱可膨脹的粘合層或非熱可膨脹的粘合層)中。因此，即使粘合體中與熱可剝離的壓敏粘合片粘附的表面被來自于粘合層中的粘合劑成分污染，在通過加熱降低粘合性而通過熱處理將該片從粘合體上剝離后，粘合體的粘合面上的污染物能夠容易通過水洗粘合體(特別是粘合體的粘合面)而除去。具體地，在熱可剝離的壓敏粘合片中，在作為粘合面的粘合層(熱可膨脹的粘合層或非熱可膨脹的粘合層)中含有的表面活性劑成分在粘合邊界，即粘合體的表面滲出。因此，在通過加熱降低粘合性之后，來自粘合劑成分的成分(污染物)和表面活性劑殘留在粘合體的表面上。因此，殘留在粘合體表面上的、來自粘合劑成分的成分(污染物)容易通過水洗而除去。即使粘合體的表面在熱處理熱可剝離的壓敏粘合片以降低粘合性時(shí)被污染，可以通過水洗等簡(jiǎn)單方法清潔粘合體，以減少污染物。為此，作為粘合體，可優(yōu)選使用能夠水洗的材料。
因此，在加工時(shí)，可以以強(qiáng)粘合性粘附本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片，并且可以在加工后釋放粘附狀態(tài)。此外，該片可有利地使用希望較少污染粘合體表面的應(yīng)用中。作為用于此應(yīng)用的粘合體，例如可以列舉半導(dǎo)體晶片。即，在半導(dǎo)體晶片中，來自粘合劑成分的成分產(chǎn)生了污染的問題。
因此，粘合體可以是半導(dǎo)體晶片。為此，熱可剝離的壓敏粘合片可以用作，例如在半導(dǎo)體晶片的加工中使用的熱可剝離的壓敏粘合片。具體地，當(dāng)粘合體是半導(dǎo)體晶片時(shí)，半導(dǎo)體晶片加工的實(shí)例包括各種加工，例如背面的拋光處理、切割處理(dicing treatment)和半導(dǎo)體晶片的精細(xì)處理(finetreatment)。在這些加工中，熱可剝離的壓敏粘合片具有在加工中保護(hù)半導(dǎo)體晶片的功能和固定或支撐半導(dǎo)體晶片的功能。
在半導(dǎo)體晶片的加工中，當(dāng)電路圖形成在半導(dǎo)體晶片上之后，用于保護(hù)的粘合劑膜粘附到半導(dǎo)體晶片的表面(形成電路圖的表面)上，用于防止半導(dǎo)體晶片的形成電路圖的表面被污染或破壞，然后切削半導(dǎo)體晶片的背面。在切下半導(dǎo)體晶片的背面后，剝離用于保護(hù)的粘合劑膜，切割半導(dǎo)體晶片的表面。在該處理中，通常將冷卻水或清潔水噴到作為頂面的形成電路圖的表面上。由此，當(dāng)熱可剝離的壓敏粘合片在切削半導(dǎo)體晶片的背面過程用作用于保護(hù)的粘合劑膜時(shí)，切下半導(dǎo)體晶片的背面，通過熱處理剝離熱可剝離的壓敏粘合片，之后，在切割處理中，用冷卻水或清潔水噴到半導(dǎo)體晶片的表面，通過水洗可以除去來自殘留在半導(dǎo)體晶片的表面上的粘合劑成分的成分(污染物)。
因此，當(dāng)熱可剝離的壓敏粘合片在切削半導(dǎo)體晶片的步驟中用作用于保護(hù)的粘合劑膜時(shí)，在切削步驟后的切割步驟中，可以除去粘附到半導(dǎo)體晶片的表面上的污染物(來自粘合層的污染物)，而無需單獨(dú)提供清洗步驟。因此，當(dāng)使用本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片時(shí)，即使通過使用半導(dǎo)體晶片的加工方法中的常規(guī)設(shè)備，也能夠減少半導(dǎo)體晶片表面上的污染物。為此，無需新提供清洗步驟或在切割步驟中使用特殊水作為冷卻水或清洗水。
對(duì)作為粘合體的半導(dǎo)體晶片沒有特別限制，只要其是已知的常規(guī)半導(dǎo)體晶片?？梢詢?yōu)選使用硅晶片。除了半導(dǎo)體晶片之外的粘合體的具體實(shí)例包括多層基片、層壓陶瓷、一次性可密封的模塊(once-sealable module)等。除了半導(dǎo)體晶片外的粘合體，當(dāng)然也可以使用熱可剝離的壓敏粘合片，通過表面保護(hù)或固定(暫時(shí)固定)進(jìn)行各種加工。
通過將含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層的粘合面粘附到待加工的粘合體(半導(dǎo)體晶片等)上，以使用熱可剝離的壓敏粘合片。在此情況下，可以將支撐物粘附到熱可剝離的壓敏粘合片的另一個(gè)表面上，以更有力地支撐粘合體。當(dāng)需加工的粘合體是半導(dǎo)體晶片時(shí)，可以使用已知的常規(guī)支座作為支撐物。此支座的實(shí)例包括不銹鋼板、玻璃板、預(yù)鍛片(dummy wafer)等。取決于半導(dǎo)體晶片的類型、半導(dǎo)體晶片的加工方法等，可適當(dāng)選擇支座。
當(dāng)使用本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片如此加工半導(dǎo)體晶片時(shí)，能夠減少半導(dǎo)體晶片表面被熱可剝離的壓敏粘合片所污染。具體地，當(dāng)將本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片的表面上時(shí)，在通過加熱從半導(dǎo)體晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片，并且用水進(jìn)一步洗滌半導(dǎo)體晶片之后，通過XPS測(cè)量的半導(dǎo)體晶片表面上的碳元素比例RC1(％)滿足下述關(guān)系式(1)RC1≤50+RC2(1)其中RC2表示在粘附到熱可剝離的壓敏粘合片之前并且在提供水溶性保護(hù)層之前，通過XPS測(cè)量的半導(dǎo)體晶片表面上的碳元素比例(％)。
即，半導(dǎo)體晶片(例如硅晶片等)的表面(已經(jīng)粘附有熱可剝離的壓敏粘合片的表面)上的碳元素比例RC1(％)和半導(dǎo)體晶片表面上的碳元素比例RC2(％)之間的差(有時(shí)稱作“ΔRc1-2”)可以設(shè)定在50或更小，其中碳元素比例RC1是在以下條件下通過XPS測(cè)量的在將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片的表面上，使得熱可剝離的壓敏粘合片的含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層的表面或含表面活性劑的粘合層的表面粘附到半導(dǎo)體晶片的表面上，并且根據(jù)需要進(jìn)一步用支座支撐該片，以使半導(dǎo)體晶片進(jìn)行例如所需的加工，然后通過加熱將熱可剝離的壓敏粘合片從半導(dǎo)體晶片上剝離，并且用水進(jìn)一步清洗半導(dǎo)體晶片；碳元素比例RC2(％)是在將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片之前通過XPS測(cè)量的。
特別是當(dāng)半導(dǎo)體晶片是硅晶片時(shí)，在通過加熱從硅晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片并且用水進(jìn)一步洗滌硅晶片后，通過XPS測(cè)量的硅晶片表面上的碳元素比例RC1Si滿足下述關(guān)系式(2)RC1Si≤2.5RSi(2)其中RSi表示在通過加熱從硅晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片，并且用水進(jìn)一步洗滌硅晶片后，通過XPS測(cè)量時(shí)，硅晶片表面上的硅元素比例(％)。
即，當(dāng)半導(dǎo)體晶片為硅晶片時(shí)，硅晶片表面(已經(jīng)粘附有熱可剝離的壓敏粘合片的表面)的碳元素比例RC1Si(％)和硅晶片表面(已經(jīng)粘附有熱可剝離的壓敏粘合片的表面)硅元素比例RSi(％)的比例[RC1Si/RSi](有時(shí)稱作“Rc/Si”)可以設(shè)定為2.5或更小，其中RC1Si(％)是在下述條件下，通過XPS測(cè)量的在熱可剝離的壓敏粘合片粘附到硅晶片的表面上，使得熱可剝離的壓敏粘合片的含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層的表面粘附到硅晶片的表面上，并且根據(jù)需要用支座支撐該片，且例如在硅晶片進(jìn)行所需的加工后，通過加熱將熱可剝離的壓敏粘合片從硅晶片上剝離，并且用水進(jìn)一步清洗硅晶片；硅元素比例RSi(％)在下述條件下，通過XPS測(cè)量的在將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到硅晶片的表面上，使得熱可剝離的壓敏粘合片的含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層的表面粘附到硅晶片的表面上，并且根據(jù)需要用支座支撐該片，且例如在硅晶片進(jìn)行所需的加工后，通過加熱將熱可剝離的壓敏粘合片從硅晶片上剝離，并且用水進(jìn)一步清洗硅晶片。
在本發(fā)明中，優(yōu)選滿足上述關(guān)系式(1)和(2)中至少一個(gè)。特別是當(dāng)半導(dǎo)體晶片是硅晶片時(shí)，優(yōu)選同時(shí)滿足關(guān)系式(1)和(2)。
對(duì)ΔRc1-2沒有特別限制，只要其是50或更小。例如，其可以選自0～50(優(yōu)選30或更小(例如，0.1～30)，更優(yōu)選20或更小(0.5～20)，特別優(yōu)選5或更小(例如，1～5))。ΔRc1-2可以是負(fù)值。當(dāng)ΔRc1-2超過50時(shí)，在已經(jīng)與熱可剝離的壓敏粘合片粘附的半導(dǎo)體晶片表面上的污染程度增加，通過加工得到的部件，例如半導(dǎo)體芯片可能為不能實(shí)際使用的不可接受的部件。
對(duì)RC/Si沒有特別限制，只要其為2.5或更小。例如，其可以選自0～2.5(優(yōu)選2.25或更小(例如，0.05～2.25)，更優(yōu)選1.5或更小(例如，0.1～1.5)，特別優(yōu)選0.5或更小(例如，0.2～0.5))。當(dāng)RC/Si超過2.5時(shí)，在已經(jīng)與熱可剝離的壓敏粘合片粘附的半導(dǎo)體晶片表面上的污染程度增加，通過加工得到的部件，例如半導(dǎo)體芯片可能為不能實(shí)際使用的不可接受的部件。
元素比例[碳元素比例RC1(當(dāng)半導(dǎo)體晶片為硅晶片時(shí)，碳元素比例RC1Si)(％)、碳元素比例RC2(％)、硅元素比例RSi(％)等]是通過XPS(X射線光電子能譜)測(cè)量的。具體地，可以通過例如，將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片上，使得含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層或含表面活性劑的粘合層的表面與半導(dǎo)體晶片的表面接觸，然后在130℃的熱空氣干燥器中進(jìn)行熱處理10分鐘，然后從半導(dǎo)體晶片上玻璃熱可剝離的壓敏粘合片，用水清洗半導(dǎo)體晶片的表面，其后使用X射線光電子能譜裝置(型號(hào)“5400”，由Albackfai制造)，X射線源的條件為MgKα15KV(300W)，提出角(withdrawal angle)45°，和測(cè)量面積1×3.5mm，對(duì)半導(dǎo)體晶片的表面進(jìn)行X射線光電子能譜測(cè)量，該半導(dǎo)體晶片的表面已經(jīng)粘附有熱可剝離的壓敏粘合片，測(cè)量根據(jù)XPS的碳元素比例RC1(％)或硅元素比例RSi(％)。
另一方面，可以通過使用X射線光電子能譜裝置(型號(hào)“5400”，由Albackfai制造)，在X射線源的條件為MgKα15KV(300W)，提出角45°，和測(cè)量面積1×3.5mm[在與測(cè)量碳元素比例RC1(％)、硅元素比例RSi]％)相同的條件下使用相同的裝置]，在粘附熱可剝離的壓敏粘合片之前，對(duì)半導(dǎo)體晶片表面進(jìn)行X射線光電子能譜測(cè)量，可以測(cè)量根據(jù)XPS的碳元素比例RC2(％)。
可以通過適當(dāng)?shù)募訜嵫b置，例如熱板、熱空氣干燥器、近紅外燈或空氣干燥器，進(jìn)行熱處理，將熱可剝離的壓敏粘合片從半導(dǎo)體晶片上剝離。加熱溫度可以在熱可膨脹的粘合層中的熱可膨脹的微膠囊開始發(fā)泡的溫度以上。根據(jù)半導(dǎo)體晶片的表面條件、熱可膨脹的微膠囊的類型等、基片或半導(dǎo)體晶片的耐熱性、加熱方法(熱體積(heat volume)、加熱裝置等)，取決于粘合面積的減少，可以適當(dāng)確定熱處理?xiàng)l件。
通常的熱處理?xiàng)l件是溫度為100～250℃，時(shí)間為5～60秒(熱板等)或5～15分鐘(熱空氣干燥器等)。在此加熱條件下，熱可膨脹的粘合層的熱可膨脹的微膠囊膨脹和/或發(fā)泡，從而將熱可膨脹的粘合層膨脹并且變形以導(dǎo)致不規(guī)則變形，這導(dǎo)致粘合性的降低或失去。根據(jù)使用的目的，可以在適當(dāng)?shù)碾A段進(jìn)行熱處理。此外，紅外燈或熱水可以用作加熱源。
對(duì)用水洗滌半導(dǎo)體晶片的水洗沒有特別限制，只要其是用水清洗?？梢允褂眠m當(dāng)?shù)那逑捶椒ɡ缬昧魉逑椿蛟谒谐曁幚?純水超聲處理等)。在使用流水清洗的情況下，對(duì)流量、流速等沒有特別限制。在半導(dǎo)體的切割步驟中，冷卻水或清潔水的流量通常為3～15升/分鐘(優(yōu)選為5～15升/分鐘)。
例如，可以通過加工半導(dǎo)體晶片得到半導(dǎo)體芯片。因?yàn)橛墒褂帽景l(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片加工的半導(dǎo)體晶片形成的半導(dǎo)體芯片的表面污染低，在這點(diǎn)上其不會(huì)成為不可接受的產(chǎn)品，并且可以投入實(shí)際應(yīng)用。其可用作電子部件的半導(dǎo)體芯片、電路基板的半導(dǎo)體芯片等。
實(shí)施例通過參考實(shí)施例，將更詳細(xì)地解釋本發(fā)明。但是，本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1制備包含100重量份丙烯酸(酯)類共聚物(丙烯酸酯共聚物，含有作為單體成分的70重量份丙烯酸乙酯、30重量份丙烯酸2-乙基己基酯、5重量份甲基丙烯酸甲酯和4重量份丙烯酸2-羥基乙基酯)、1.4重量份異氰酸酯類交聯(lián)劑(商品名“Coronate L”，由Japan Polyurethane Kogyo K.K.制造)、30重量份熱可膨脹的微膠囊(商品名“Matsumoto Microsphere F-501D”，由Matsumoto Yushi Seiyaku K.K.制造)和1重量份聚氧乙烯十二烷基醚(商品名“Noigen ET160”，由Dai-ichi Kogyo Seiyaku Co.Ltd.制造，HLB16，非離子表面活性劑)的樹脂組合物(混合物)。
將該混合物涂敷到作為基片的聚酯膜(厚度5微米)上，以使干燥后的厚度成為35微米，并且加熱干燥以獲得熱可剝離的壓敏粘合片，其層結(jié)構(gòu)為“基片/含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層(厚度35微米；粘合面)”。
實(shí)施例2
按照與實(shí)施例1相同的方式獲得熱可剝離的壓敏粘合片，不同之處在于1重量份的聚氧乙烯烷基醚(商品名Noigen ET187”，由Dai-ichi KogyoSeiyaku Co.Ltd.制造，HLB18，非離子表面活性劑)作為表面活性劑。即，熱可剝離的壓敏粘合片具有“基片/含表面活性劑的熱可膨脹的粘合層(厚度35微米；粘合面)”的層結(jié)構(gòu)。
實(shí)施例3制備包含100重量份丙烯酸(酯)類共聚物(丙烯酸酯共聚物，含有作為單體成分的70重量份丙烯酸乙酯、30重量份丙烯酸2-乙基己基酯、5重量份甲基丙烯酸甲酯和4重量份丙烯酸2-羥基乙基酯)、1.4重量份異氰酸酯類交聯(lián)劑(商品名“Coronate L”，由Japan Polyurethane Kogyo K.K.制造)和30重量份熱可膨脹的微膠囊(商品名“Matsumoto Microsphere F-501D”，由Matsumoto Yushi Seiyaku K.K.制造)的樹脂組合物(混合物)。
將該混合物涂敷到作為基片的聚酯膜(厚度50微米)上，以使干燥后的厚度成為35微米，并且加熱干燥以獲得熱可膨脹的粘合層。
此外，制備包含100重量份丙烯酸(酯)類共聚物(丙烯酸酯共聚物，含有作為單體成分的70重量份丙烯酸乙酯、30重量份丙烯酸2-乙基己基酯、5重量份甲基丙烯酸甲酯和4重量份丙烯酸2-羥基乙基酯)、1.4重量份異氰酸酯類交聯(lián)劑(商品名“Coronate L”，由Japan Polyurethane Kogyo K.K.制造)和1重量份聚氧乙烯十二烷基醚(商品名“Noigen ET160”，由Dai-ichi KogyoSeiyaku Co.Ltd.制造，HLB16，非離子表面活性劑)的樹脂組合物(混合物)。
將該混合物涂敷到隔板上，以使干燥后的厚度成為3微米，并加熱干燥以形成含表面活性劑的非熱可膨脹的粘合層(含表面活性劑的粘合層)。
將形成在聚酯膜上的熱可膨脹的粘合層和形成在隔板上的含表面活性劑的粘合層層壓，以使它們彼此接觸以獲得熱可剝離的壓敏粘合片，其具有“基片/熱可膨脹的粘合層(厚度35微米)/含表面活性劑的粘合層(厚度30微米；粘合面)”的層結(jié)構(gòu)。
對(duì)比例1按照與實(shí)施例1相同的方式獲得熱可剝離的壓敏粘合片，不同之處在于沒有使用表面活性劑。即，熱可剝離的壓敏粘合片具有“基片/熱可膨脹的粘合層(厚度35微米；粘合面)”的層結(jié)構(gòu)。
對(duì)比例2
按照與實(shí)施例3相同的方式獲得熱可剝離的壓敏粘合片，不同之處在于沒有使用表面活性劑。即，熱可剝離的壓敏粘合片具有“基片/熱可膨脹的粘合層(厚度35微米)/非熱可膨脹的粘合層(厚度35微米；不含表面活性劑；粘合面)”的層結(jié)構(gòu)。
(粘合性評(píng)價(jià))通過使用一個(gè)往復(fù)運(yùn)動(dòng)的2公斤輥筒，將厚度為25微米的聚酯膜(商品名“Lumilar S-10”，由Toray Industries Inc.制造)粘附到每個(gè)實(shí)施例和對(duì)比例中獲得的熱可剝離的壓敏粘合片(切成20毫米寬度)的粘合面上，并在加熱之前或之后，使用Shimadzu Autograph AGS-50D(由Shimadzu Corporation制造)測(cè)量180°剝離粘合性(peel adhesivity)(N/20mm)(剝離速度300毫米/分鐘，溫度23±2℃，濕度65±5％RH，剝離聚酯膜)。在130℃的熱空氣干燥器中熱處理3分鐘。評(píng)價(jià)的結(jié)果示于欄“粘合性(N/20mm)”中。
(顆粒數(shù)目的測(cè)量)將在每個(gè)實(shí)施例和對(duì)比例中獲得的熱可剝離的壓敏粘合片粘附到已經(jīng)在清潔的室內(nèi)進(jìn)行了鏡面拋光的4英寸硅晶片(硅晶片“CZ-N POLISHEDWAFER”(4英寸)”由Shin-etsu Semiconductor K.K.制造)的鏡面上，使其放置1小時(shí)，然后在130℃下熱剝離。此時(shí)，用激光表面檢測(cè)裝置“LS-5000”(由Hitachi Denshi Engineering K.K制造)測(cè)量硅晶片的鏡面上的粒度為0.28微米或更高的顆粒數(shù)目(顆粒數(shù)目/4英寸硅晶片)。接著，使用切割裝置，將水噴到硅晶片上，同時(shí)用相同的激光表面檢測(cè)裝置“LS-5000”(由Hitachi DenshiEngineering K.K.制造)類似地測(cè)量硅晶片的鏡面上的粒度為0.28微米或更高的顆粒數(shù)目(顆粒數(shù)目/4英寸硅晶片)。
(通過XPS評(píng)價(jià)污染)將實(shí)施例和對(duì)比例中獲得的各個(gè)熱可剝離的壓敏粘合片粘附到已經(jīng)在清潔的室內(nèi)進(jìn)行了鏡面拋光的4英寸硅晶片(硅晶片“CZ-N POLISHEDWAFER”(4英寸)”由Shin-etsu Semiconductor K.K.制造)的鏡面上，使其放置1小時(shí)，然后在130℃下熱剝離。此時(shí)，對(duì)于硅晶片，使用X射線光電子能譜裝置，通過XPS(X射線光電子能譜)測(cè)量表面上的碳元素比例Rc1a(％)，并同時(shí)測(cè)量此時(shí)表面上的硅元素比例RSia(％)。
此外，對(duì)于最初的經(jīng)過鏡面拋光的4英寸硅晶片(硅晶片“CZ-NPOLISHED WAFER”(4英寸)”由Shin-etsu Semiconductor K.K.制造)的鏡面(在粘附到粘合片之前，鏡面拋光4英寸硅晶片的鏡面)，同樣使用相同的X射線光電子能譜裝置，通過XPS測(cè)量表面上的碳元素比例RC2(％)。
接著，將已經(jīng)熱剝離了熱可剝離的壓敏粘合片的硅晶片切成1厘米的正方形，同時(shí)使用切割裝置(“DFD651”，由Disco制造)噴水，同樣使用相同的X射線光電子能譜裝置，通過XPS測(cè)量表面上的碳元素比例RC1b(％)，并同時(shí)測(cè)量此時(shí)表面上的硅元素比例RSib(％)。
使用按此方式測(cè)得的RC1a、RSia、RC2、RC1b和RSib，獲得RC1a和RC2之間的差[RC1a-RC2(＝ΔRC1-2a)]和RC1a與RSia(％)之比[RC1a/RSia(＝RC/Sia)]，并且獲得RC1b和RC2之間的差[RC1b-RC2(＝ΔRC1-2b)]和RC1b與RSib(％)之比[RC1b/RSib(＝RC/Sib)]，以評(píng)價(jià)污染。評(píng)價(jià)結(jié)果顯示表1的對(duì)應(yīng)欄中。
對(duì)于ΔRC1-2a、RC/Sia、ΔRC1-2b和RC/Sib，值越大污染程度越高。此外，因?yàn)樵诩訜岷蟮闹当燃訜崆暗闹荡螅酝ㄟ^熱處理減小了污染程度。
使用X射線光電子能譜裝置(型號(hào)“5400”，由Albackfai制造)，在以下X射線源的條件下進(jìn)行測(cè)量MgKα15KV(300W)，提出角45°，和測(cè)量面積1×3.5mm。
表1

從表1中，可以發(fā)現(xiàn)在實(shí)施例中，ΔRC1-2b遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于ΔRC1-2a。同時(shí)，表1顯示在對(duì)比例中，ΔRC1-2a和ΔRC1-2b幾乎沒有區(qū)別。
此外，在實(shí)施例中，RC/Sib遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于RC/Sia。同時(shí)，表1顯示在對(duì)比例中，RC/Sia和RC/Sib幾乎沒有區(qū)別。
由此，已經(jīng)確認(rèn)，使用本發(fā)明的熱可剝離的壓敏粘合片能夠保持粘合體(半導(dǎo)體晶片等)在加工中具有令人滿意的粘合性，通過熱處理能夠從粘合體上容易剝離粘合片，并且在熱處理剝離后，通過水洗可容易減少粘合體(半導(dǎo)體晶片等)表面上的污染物(來自于粘合層的污染物)。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的具體實(shí)施方式
詳細(xì)描述了本發(fā)明，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見的是，在不脫離本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變和變化。
本申請(qǐng)基于在2003年12月19日提交的日本專利申請(qǐng)2003-422313，在此引入其公開的全部?jī)?nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種熱可剝離的壓敏粘合片，其包含基片、在基片的至少一個(gè)表面上形成的熱可膨脹的粘合層和表面活性劑，其特征在于表面活性劑包含在作為粘合面的熱可膨脹的粘合層中。
2.一種熱可剝離的壓敏粘合片，其包含基片、在基片的至少一個(gè)表面上形成的熱可膨脹的粘合層、表面活性劑和非熱可膨脹的粘合層，其特征在于表面活性劑包含在熱可膨脹的粘合層上作為粘合面的非熱可膨脹的粘合層中。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求1或2的熱可剝離的壓敏粘合片，其為用于加工半導(dǎo)體晶片的熱可剝離的壓敏粘合片。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)的熱可剝離的壓敏粘合片，其中當(dāng)將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片上時(shí)，在通過加熱從半導(dǎo)體晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片并且用水進(jìn)一步洗滌半導(dǎo)體晶片之后，通過XPS測(cè)量的半導(dǎo)體晶片表面上的碳元素比例RC1(％)滿足下述關(guān)系式(1)RC1≤50+RC2(1)其中RC2表示在粘附到熱可剝離的壓敏粘合片之前，通過XPS測(cè)量的半導(dǎo)體晶片表面上的碳元素比例(％)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)的熱可剝離的壓敏粘合片，其中當(dāng)將熱可剝離的壓敏粘合片粘附到半導(dǎo)體晶片上，且半導(dǎo)體晶片為硅晶片時(shí)，在通過加熱從硅晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片并且用水進(jìn)一步洗滌硅晶片后，通過XPS測(cè)量的硅晶片表面上的碳元素比例RC1Si滿足下述關(guān)系式(2)RC1Si≤2.5RSi(2)其中RSi表示在通過加熱從硅晶片上剝離熱可剝離的壓敏粘合片并且用水進(jìn)一步洗滌硅晶片后，通過XPS測(cè)量的硅晶片表面上的硅元素比例(％)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)的熱可剝離的壓敏粘合片，其特征在于包含至少一種HLB為10或10以上的表面活性劑作為表面活性劑。
全文摘要
一種熱可剝離的壓敏粘合片，其包含基片、在基片的至少一個(gè)表面上形成的熱可膨脹的粘合層和表面活性劑，其中表面活性劑包含在作為粘合面的熱可膨脹的粘合層中。
文檔編號(hào)C09J201/00GK1637104SQ20041010215
公開日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2004年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月19日
發(fā)明者岸本知子, 谷本正一, 有滿幸生, 川西道朗 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社