專利名稱：磁盤基材的拋光組合物和使用該組合物的拋光方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤基材的拋光組合物，所述基材用于制造磁盤，該磁盤用作存儲裝置例如計算機，還涉及使用該組合物的拋光方法。
背景技術(shù)：
人們一直在努力使磁盤例如用于計算機或家用電器設備的存儲硬盤小型化、容量更大和價格更低。目前，用于制備這樣的磁盤的磁盤基材(下面簡稱為基材)是通過在由金屬材料例如鋁制成的基材(坯體材料)上形成鍍膜例如化學鍍Ni-P鍍膜來制備。
在該情形下，鍍膜沿著在形成坯體材料時形成的波紋形成，或沿著坯體材料表面上的凸凹不平形成，所述的波紋或凸凹不平有時會留在基材表面上。由此，為了脫除這些波紋和凸凹不平，使基材表面平坦和光滑，就要利用磁盤基材的拋光組合物(有時在下面簡稱為拋光組合物)對基材拋光。
近年來，隨著磁盤容量的增大，對拋光后基材表面的表面質(zhì)量的要求日益嚴格，目前，雖然表面粗糙度會根據(jù)磁盤的等級而變化，但是要求由AFM(Digital Instruments Company，美國)作為探針類型表面粗糙度儀器測得的表面粗糙度Ra至多為10埃。
由此，對拋光后基材表面的精確度的要求就極其苛刻，并需要一種拋光組合物，用該組合物能夠獲得更平整和光滑的拋光表面。
為了達到上述目的，迄今實施的拋光是采用含有氧化鋁或各種其他研磨劑、水和各種拋光促進劑的拋光組合物。例如，JA-A-61-278587和JP-A-62-25187就揭示了一種存儲硬盤使用的拋光組合物，它通過向水和氫氧化鋁中加入硝酸鋁、硝酸鎳或硫酸鎳作為拋光促進劑，然后混合，獲得一種漿料來制成。
另外，JPA-A-2-84485揭示了一種鋁磁盤使用的酸性拋光組合物，它含有水和氧化鋁研磨劑粉和葡萄糖酸或乳酸作為拋光促進劑和氧化鋁膠體作為表面改性劑，JP-A-7-133477揭示了一種含水的拋光組合物，它含有氧化鋁研磨劑、氧化鋁膠體和堿性硝酸鹽，JP-A-9-316430揭示了一種磁盤基材用的拋光組合物，它含有水、α-氧化鋁和拋光促進劑，其中所述的拋光促進劑是草酸鋁。
另外，已知的還有JP-A-7-216345和JP-A-2000-1665所揭示的組合物。前者所述的拋光組合物含有水、氧化鋁研磨劑和包含鉬酸鹽和有機酸的拋光促進劑；后者所述的拋光組合物包含水和至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦、硝酸硅和二氧化錳的研磨劑，還含有溶解在該組合物中的丁二酸或它的鹽。
這些常規(guī)拋光組合物中的每種都有高的磨削速率，并被設計成使用來拋光基材時，可在基材表面上抑制表面缺陷例如微凸起和微凹坑的形成。
另一方面，為了滿足增大存儲硬盤容量的需求，不僅要求制成的拋光表面更平整和光滑，而且也要求有效地利用存儲硬盤的周邊部分(邊緣部分)，擴大存儲面積，由此增大存儲容量。
但是，如果用所述的常規(guī)拋光組合物拋光基材，會在基材邊緣部分產(chǎn)生下陷，由此就有不能有效地利用存儲硬盤的邊緣部分的問題?；牡倪吘壊糠之a(chǎn)生下陷，與高速旋轉(zhuǎn)的基材保持一定距離(飛行高度)的設計磁頭就難于讀出和寫出存儲信息，在這樣的邊緣部分就不能記錄數(shù)據(jù)，由此產(chǎn)生數(shù)據(jù)的存儲區(qū)減小的問題。
發(fā)明的內(nèi)容本發(fā)明研究了現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種磁盤基材使用的拋光組合物，它可抑制拋光期間基材邊緣部分的邊緣下陷，由此可以有效地利用存儲硬盤的邊緣區(qū)域，從而保證了較寬的存儲區(qū)，因此，基材就能夠以高磨削速率進行拋光，并能夠抑制磁盤拋光后基材內(nèi)表面缺陷的形成，本發(fā)明還提供一種使用該組合物的拋光方法。
為了達到上述目的，本發(fā)明提供(1)磁盤基材的拋光組合物，它包含(a)拋光促進劑，該促進劑包含至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、丁二酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁和硝酸鐵(III)的化合物，(b)邊緣下陷阻止劑，它含有至少一種選自聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯的化合物，(c)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦和碳化硅的研磨劑，和(d)水。
此外，本發(fā)明還提供(2)拋光組合物，它用于上述(1)中的磁盤基材，其中所述的(b)中的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯是至少一種選自聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單辛酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯的化合物。
本發(fā)明還提供(3)拋光組合物，它用于上述(1)中的磁盤基材，其中所述的(b)中的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯是這樣的，環(huán)氧乙烷的加入量相對于每摩爾失水山梨糖醇或山梨糖醇至多為30；(4)其中(b)中所述的聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量為2500-2900000；或(5)其中組分(b)的含量為0.001-2重量％，以拋光組合物的總重量為基準。
另外，本發(fā)明還提供(6)拋光組合物，它用于上述(1)中的磁盤基材，其中所述的組分(a)的含量為0.01-25重量％，以拋光組合物的總重量為基準；和(7)一種磁盤基材的拋光方法，它包括使用上述(1)-(6)中任一項所述的拋光組合物拋光磁盤基材。
附圖的簡要說明

圖1是用于評價邊緣下陷的測試位置的說明圖。
發(fā)明的詳細說明下面參照優(yōu)選實施方式詳細說明本發(fā)明。
如上所述，本發(fā)明磁盤基材的拋光組合物包含(a)拋光促進劑，它含有至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、丁二酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁和硝酸鐵(III)的化合物，(b)邊緣下陷阻止劑，它含有至少一種選自聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯的化合物，(c)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦和碳化硅的研磨劑，和(d)水。
組分(a)的拋光促進劑作為拋光促進劑加入，通過下述組分(c)的研磨劑的機械作用，通過化學作用侵蝕基材表面，來促進基材的拋光。
作為組分(a)的拋光促進劑的具體例子，可以提到的是上述化合物，但是其中優(yōu)選至少一種選自馬來酸、乙醇酸、丁二酸和檸檬酸的化合物，最優(yōu)選丁二酸，因為這樣可以獲得高磨削速率，和抑制表面缺陷例如凹坑或微凸起的形成。
組分(a)的拋光促進劑可以單獨加入或以兩種或多種的混合物形式加入。
另外，組分(a)的拋光促進劑的含量優(yōu)選為0.01-25重量％，更優(yōu)選0.1-20重量％，最優(yōu)選0.2-10重量％，以拋光組合物的總重量為基準。如果該含量低于0.01重量％，那么拋光組合物的磨削速率就會低。另外，如果該含量超過25％，那么就不能提高磨削速率，由此拋光成本就會增大。
另外，組分(b)的邊緣下陷阻止劑作為將拋光墊與基材之間的摩擦減少至合適程度的邊緣下陷阻止劑加入，由此可阻止基材的邊緣部分的局部拋光，而不降低上述拋光促進劑的化學作用或下述組分(c)的研磨劑的機械拋光作用。
作為組分(b)的邊緣下陷阻止劑的具體例子，可以提到的有上述化合物，但是在它們中間，從能夠更有效地抑制基材的邊緣下陷形成的角度考慮，聚乙烯基吡咯烷酮的分子量優(yōu)選為2500-2290000，更優(yōu)選為6000-450000，最優(yōu)選為6000-80000。
另一方面，聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯優(yōu)選是至少一種選自聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單辛酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯的化合物，更優(yōu)選是至少一種選自聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單油酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯的化合物，最優(yōu)選是聚氧乙烯失水山梨糖醇單油酸酯。
此外，對于聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯，環(huán)氧乙烷的加入量相對于每摩爾失水山梨糖醇或山梨糖醇，優(yōu)選至多為30，更優(yōu)選至多為20。
組分(b)的邊緣下陷阻止劑可以單獨加入或以兩種或多種混合物的形式加入。
組分(b)的含量優(yōu)選為0.001-2重量％，更優(yōu)選0.005-0.5重量％，最優(yōu)選0.01-0.1重量％，以拋光組合物的總重量為基準。
如果該含量低于0.001重量％，那么抑制邊緣下陷就很困難。另一方面，如果該含量超過2重量％，就不會獲得阻止邊緣下陷的效果，磨削速率就很可能受損害。
然后，加入組分(c)的至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦和碳化硅的研磨劑，來拋光被上述組分(a)的拋光促進劑通過機械作用侵蝕的基材表面。
作為氧化鋁，可以提到的有α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁和其他不同形態(tài)的氧化鋁。此外，有一種由其制備方法得名的所謂鍛制氧化鋁。作為二氧化硅，有膠體二氧化硅，鍛制二氧化硅和性能或制備方法不同的各種其他類型的二氧化硅。
作為氧化鈰，從化合價來說，可以提到的有三價和四價的氧化鈰，從晶體晶系來說，可以提到的有六方晶系、等軸晶系或面心立方晶系。作為氧化鋯，從晶體晶系來說，可以提到的有單斜晶系、四方晶系和無定形。另外，從其制備方法來說，有一種所謂的鍛制氧化鋯。
作為氧化鈦，從其晶體晶系來說，可以提到的有一氧化鈦、三氧化二鈦、二氧化鈦和其他類型。另外，從其制備方法來說，有一種所謂的鍛制氧化鈦。作為氮化硅，可以提到的有α-氮化硅、β-氮化硅、無定形氮化硅和其他的不同形態(tài)的氮化硅。
作為碳化硅，可以提到的有α-碳化硅、β-碳化硅、無定形碳化硅和其他不同形態(tài)的碳化硅。
在本文中，在本發(fā)明的拋光組合物中，上述組分可以根據(jù)需要任選進行組合。當它們組合時，組合方法和所用組分的組合比例沒有特別限制。
上述研磨劑是通過研磨粒子的機械作用來拋光需要拋光的表面。研磨劑粒子的尺寸根據(jù)研磨劑粒子的類型、要處理表面的類型、拋光條件和所需要的基材規(guī)格而變，沒有特別限制。但是，二氧化硅的粒度優(yōu)選0.005-0.5微米，尤其優(yōu)選0.01-0.3微米，這是通過BET方法自所測量的表面所獲得的平均粒度。
另外，氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氮化硅或碳化硅的粒度優(yōu)選為0.01-2微米，尤其優(yōu)選為0.05-1.5微米，這是由激光衍射粒度分析儀LS-230(由美國的Coulter Co.制造)測得的平均粒度。此外，氧化鈰的粒度優(yōu)選為0.01-0.5微米，尤其優(yōu)選0.05-0.45微米，這是由掃描電子顯微鏡觀察到的平均粒度。
如果這些研磨劑的平均粒度超過上述各自范圍，那么拋光表面的表面粗糙度會出現(xiàn)很大的問題，或有可能形成劃痕，由此拋光過程中需要小心。另一方面，如果平均粒度小于上述各自的范圍，那么磨削速率就會非常低，以致于拋光組合物不起作用。
組分(c)的含量優(yōu)選0.1-40重量％，更優(yōu)選1-25％(重量)，以拋光組合物的總重為基準。
如果該含量小于0.1重量％，那么拋光組合物的機械拋光作用就會弱，磨削速率就會小。另一方面，如果該含量超過40重量％，那么拋光組合物或廢棄液體的粘度就會增大，由此進行處理就會很困難。此外，拋光墊也會被堵塞，磨削速率就會低，就會形成表面缺陷。
組分(d)中的水作為組分(a)拋光促進劑和組分(b)邊緣下陷阻止劑的溶劑和組分(c)研磨劑的分散介質(zhì)加入。水優(yōu)選含有盡可能少的雜質(zhì)。具體地說，優(yōu)選過濾的去離子水或蒸餾水。
拋光組合物的pH值優(yōu)選2-7。如果該pH值低于2，拋光所用的機器例如拋光機就會被腐蝕。另一方面，如果該pH值超過7，那么拋光組合物的磨削速率就會低，拋光后基材的表面粗糙度就會增大，就會形成劃痕。因此，如果拋光組合物的pH值低于2或高于7，就優(yōu)選向拋光組合物中加入酸或堿，將拋光組合物的pH值調(diào)節(jié)到上述范圍內(nèi)。
拋光組合物可以含有下述物質(zhì)作為其他添加劑組分纖維素，例如纖維素、羧甲基纖維素和羥乙基纖維素；可溶于水的醇，例如乙醇、丙醇或乙二醇；表面活性劑，例如烷基苯磺酸鈉或福爾馬林冷凝的萘磺酸、有機聚陰離子物質(zhì)，例如木質(zhì)素磺酸鹽或聚丙烯酸酯；可溶于水的聚合物(乳化劑)，例如聚乙烯醇；螯合劑，例如丁二酮肟、雙硫腙、8-羥基喹啉、乙酰丙酮、甘氨酸、EDTA或NTA；殺真菌劑，例如海藻酸鈉或碳酸氫鉀。這些其他添加劑組分的含量可以根據(jù)拋光組合物所用的通常方法來確定。
拋光組合物通過混合和將水以外的各組分分散到水中來制備?；旌虾头稚⒌木唧w例子可以是用葉輪型攪拌器攪拌，用例如高速攪拌器進行超聲波分散或剪切攪拌。此外，關(guān)于水以外的各組分的混合順序是，所有組分可以同時混合，或其中任何組分可以隨后混合。
下面描述作為磁盤的存儲硬盤的制造方法，和用拋光組合物拋光磁盤基材的方法。
為了制成存儲硬盤，首先在坯體材料表面上通過鍍例如化學鍍Ni-P形成第一膜。接著，使用拋光組合物拋光基材表面。根據(jù)拋光基材的通常方法，選擇拋光方法和拋光條件。此外，作為用來拋光的拋光機的具體例子，可以提到的有單面拋光機和雙面拋光機。作為拋光墊的具體例子，可以提到的有絨面革類型、非織造織物類型、織造織物類型和植絨織物類型或起絨類型織物。
作為要拋光的基材的具體例子，可以提到的有Ni-P盤、Ni-Fe盤、碳化硼盤或碳盤。其中尤其優(yōu)選在由鋁、鋁合金等制成的坯體材料表面上形成有Ni-P化學鍍鍍膜的Ni-P盤；因為它價格不貴而且容易得到。
接著，用含有研磨劑例如金剛石細粉、拋光促進劑、水等的組織組合物，沿著存儲硬盤的旋轉(zhuǎn)方向，在基材表面上形成同心組織，來進行組織加工。在具有這樣形成的組織的基材表面上，形成磁性層和保護層來獲得存儲硬盤。近年來，對于存儲硬盤，要求制成的基材表面比以往更平整，來滿足更高容量的要求。因此，拋光以兩步進行，使得在第一步的拋光步驟中，拋光的目的是脫除基材的波紋和大表面缺陷，例如基材表面上的劃痕或凸凹不平，它們在第二步的精飾拋光步驟中不能被脫除。
然而，在第二步的拋光步驟中，精飾拋光的目的是將表面粗糙度調(diào)節(jié)至所要求的很小水平，并脫除在第一步的拋光步驟中形成的表面缺陷或在第一步的拋光步驟中沒有完全脫除的表面缺陷。
在一些情形下，拋光可以分為三個或更多的步驟。
本發(fā)明的拋光組合物可以用于這些拋光步驟中的任何一個中。例如，當它用于第一步的拋光步驟中時，就使用較大粒度的研磨劑制備磨削速率大的拋光組合物，來增大機械作用。然而，對于第二步或隨后步驟中的精飾拋光，就使用較小粒度的研磨劑，制成適用于精飾拋光的拋光組合物，目的是抑制機械作用，并用化學作用調(diào)節(jié)它。
另外，為了制成高容量的存儲硬盤，可以實施淡組織，使基材表面上形成的組織更薄。此外，存儲硬盤可以采用沒有施加組織的無組織基材制成。本發(fā)明的拋光組合物可以用來制成具有普通組織或上述淡組織的基材，或無組織基材。
另外，關(guān)于本發(fā)明磁盤基材的拋光組合物，首先，該拋光組合物可以制成較高濃度的原液形式，然后，當它用于拋光時，它可以用水稀釋，然后再使用。用該方式，就可以提高運輸或存儲的效率。
下面用實施例和對比例對比詳細說明本發(fā)明的實施方式(下面簡稱為實施例)。
實施例和對比例的樣品表1顯示了實施例1-28和對比例1-9的各拋光組合物的構(gòu)成成分。
各拋光組合物分別通過混合和在去離子水中分散表1所示的拋光促進劑、邊緣下陷阻止劑和研磨劑來制成。用于組合物的研磨劑含有20重量％平均粒度0.8微米的氧化鋁，制成的各拋光組合物的總重量是100％。
關(guān)于表1所示的各拋光組合物(實施例1-28和對比例1-9)，測試pH值，然后測試并評價下述各項。結(jié)果如表2所示。
表1


A1聚氧乙烯失水山梨糖醇單油酸酯B聚丙烯酸鈉A2聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯 C月桂基磺基丁二酸二鈉A3聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯 D十二烷基苯磺酸鈉A4聚氧乙烯失水山梨糖醇四油酸酯5 E椰子油脂肪酸二乙醇PVP聚乙烯基吡咯烷酮 F聚二甲基亞甲基糊椒酰氯(piperinium chloride)(1)拋光測試采用表1所示各拋光組合物，采用作為要拋光工件的基材，進行拋光測試。拋光測試的條件如下所述。
拋光條件要拋光的工件(基材) 直徑3.5英寸的化學鍍Ni-P基材要拋光的工件數(shù) 15個拋光機 雙面拋光機(工作臺直徑700mm)拋光墊 BELLATRIX N0048(由Kanebo Ltd.制造)負荷100克/厘米2
上工作臺轉(zhuǎn)速24轉(zhuǎn)/分鐘下工作臺轉(zhuǎn)速16轉(zhuǎn)/分鐘組合物的稀釋比例1∶3純水拋光組合物的喂入速率150厘米3/分鐘基材的拋光量機器容許量3微米(雙面)(用表1所示的各拋光組合物，進行預測試，由下面(2)所述的方法預先獲得磨削速率，設定拋光時間，使得機器容許量恒定)。
(2)磨削速率的測試拋光測試之后，將基材洗滌和干燥，測試拋光前后的基材的重量，從它們的差值(重量的減少)、基材的化學鍍Ni-P的比重和面積和拋光時間得到磨削速率。磨削速率的評價標準如下所述◎至少0.70微米/分鐘，○至少0.65微米/分鐘，并低于0.70微米/分鐘，△至少0.60微米/分鐘，并低于0.65微米/分鐘，×低于0.60微米/分鐘。
(3)邊緣下陷的測試用MicroXAM(由美國PhaseShift Company制造)在圖1所示的位置測試了表示基材邊緣部分的形狀的翹起和彎曲。在本文中，圖1顯示出了基材邊緣部分的剖面，其中水平方向(X軸)表示基材表面上的直徑軸線，垂直方向表示基材的厚度方向。圖中的X0、X1和X2如下表所示。

關(guān)于該翹起和彎曲的測試方法，測試位置和測試方法通常不作限定，由基材的各制造商任意指定。
圖1是有關(guān)翹起和彎曲的測試位置的示意圖。
此時，本發(fā)明人根據(jù)在圖1所示各點測得的翹起和彎曲的值，通過計算拋光前后翹起和彎曲的改善程度，就可以評價邊緣下陷。該測試方法適用于評價基材邊緣部分的邊緣下陷，是常用的方法。
下面的表2顯示了各拋光組合物的邊緣下陷的評價結(jié)果(翹起和彎曲)。
不含本發(fā)明邊緣下陷阻止劑的拋光組合物的翹起和彎曲(對比例1)分別用HR0和HD0表示，含有邊緣下陷阻止劑的拋光組合物的翹起和彎曲分別用HR和HD表示，然后，由下式得到邊緣下陷通過拋光得到的改善程度A(％)A(％)＝[1-(HR，HD)/(HR0，HD0)]×100此外，改善程度A(％)的評價標準如下所述◎改善程度A(％)至少為20％；○改善程度A(％)至少為10％，并低于20％；△改善程度A(％)低于10％；×沒有觀察到有改善。
表2


如表2所示，在每個實施例1-28中，翹起和彎曲的評價結(jié)果是優(yōu)良。另一方面，沒有加入本發(fā)明邊緣下陷阻止劑的常規(guī)拋光組合物(對比例1-4)和加入了表面活性劑而沒有加入本發(fā)明邊緣下陷阻止劑的拋光組合物的翹起和彎曲的評價結(jié)果是低的。
此外，采用差分干涉顯微鏡(×50，Nikon Corporation制造)在20點各處觀察了用表1所示各拋光組合物拋光的基材表面，在每種情形下，都沒有觀察到表面缺陷例如微凸起、劃痕等。
如上面詳細描述的本發(fā)明的實施方式所述，本發(fā)明具有下述效果。
本發(fā)明的磁盤基材用的拋光組合物含有上述組分(b)邊緣下陷阻止劑，由此就能夠在拋光過程中阻止基材的邊緣部分下陷，就可以通過有效地利用存儲硬盤的邊緣部分來保證更寬的存儲區(qū)域。此外，由于加入組分(a)的拋光促進劑，基材就能夠在高磨削速率下進行拋光，就可以阻止拋光后在磁盤基材內(nèi)形成表面缺陷。
即，(1)在第一方面，本發(fā)明提供一種磁盤基材用的拋光組合物，它包含(a)拋光促進劑，該促進劑包含至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、丁二酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁和硝酸鐵(III)的化合物，(b)邊緣下陷阻止劑，它含有至少一種選自聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯的化合物，(c)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦和碳化硅的研磨劑，和(d)水，由此就能夠在拋光過程中在基材邊緣部分抑制邊緣下陷的形成，而不會在拋光后在磁盤基材內(nèi)形成表面缺陷。
(2)在本發(fā)明的第二方面，所述的(b)中的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯是至少一種選自聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單辛酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯的化合物，由此，除了上述(1)中的作用，還能夠在基材的邊緣部分抑制邊緣下陷的形成。
(3)在本發(fā)明的第三方面，所述的(b)中的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯是這樣的，環(huán)氧乙烷的加入量相對于每摩爾失水山梨糖醇或山梨糖醇至多為30；(4)在本發(fā)明的第四方面，其中(b)中所述的聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量為2500-2900000；和(5)在本發(fā)明的第五方面，其中組分(b)的含量為0.001-2重量％，以拋光組合物的總重量為基準。由此，除了上述(1)的作用，還能夠更確切地在基材的邊緣部分抑制邊緣下陷的形成。
另外，(6)在本發(fā)明的第六方面，所述組分(a)的含量為0.01-25重量％，以拋光組合物的總重量為基準，由此，除了上述(1)的作用，還能夠穩(wěn)定地提高磨削速率。
(7)在本發(fā)明的第七方面，本發(fā)明提供一種磁盤基材的拋光方法，它包括使用上述(1)-(6)中任一項所述的拋光組合物拋光磁盤基材，由此就能夠制成良好的磁盤基材。
2001年11月28日提出的日本專利申請No2001-362137的全文，包括說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要都結(jié)合參考于此。
權(quán)利要求
1.一種磁盤基材的拋光組合物，它含有(a)拋光促進劑，該促進劑包含至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、丁二酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁和硝酸鐵(III)的化合物；(b)邊緣下陷阻止劑，該阻止劑含有至少一種選自聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯的化合物；(c)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦和碳化硅的研磨劑，和(d)水。
2.如權(quán)利要求1所述的磁盤基材的拋光組合物，其特征在于所述(b)中的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯是至少一種選自聚氧乙烯失水山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯失水山梨糖醇單辛酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇四油酸酯的化合物。
3.如權(quán)利要求1所述的磁盤基材的拋光組合物，其特征在于所述(b)中的聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯使得環(huán)氧乙烷的加入量相對于每摩爾失水山梨糖醇或山梨糖醇至多為30。
4.如權(quán)利要求1-3中任一項所述的磁盤基材的拋光組合物，其特征在于所述(b)中的聚乙烯基吡咯烷酮的平均分子量為2500-2900000。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項所述的磁盤基材的拋光組合物，其特征在于，以拋光組合物的總重量為基準，所述組分(b)的含量為0.001-2重量％。
6.如權(quán)利要求1-5中任一項所述的磁盤基材的拋光組合物，其特征在于，以拋光組合物的總重量為基準，所述組分(a)的含量為0.01-25重量％。
7.一種磁盤基材的拋光方法，它包括使用權(quán)利要求1-6中任一項所述的拋光組合物拋光磁盤基材。
全文摘要
一種磁盤基材的拋光組合物,它含有:(a)拋光促進劑,該促進劑包含至少一種選自蘋果酸、乙醇酸、丁二酸、檸檬酸、馬來酸、衣康酸、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、巴豆酸、煙酸、硝酸鋁、硫酸鋁和硝酸鐵(III)的化合物；(b)邊緣下陷阻止劑,該阻止劑含有至少一種選自聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯和聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯的化合物；(c)至少一種選自氧化鋁、二氧化硅、氧化鈰、氧化鋯、氧化鈦和碳化硅的研磨劑,和(d)水。
文檔編號C09K3/14GK1422922SQ0215431
公開日2003年6月11日 申請日期2002年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月28日
發(fā)明者石橋智明 申請人:不二見株式會社