專利名稱：沉積用于元件的薄膜的方法、和有機電致發(fā)光元件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種沉積用于元件的薄膜層的方法、以及一種有機電致發(fā)光元件(以下稱作有機EL元件)，具體地涉及一種沉積用于元件的薄層/薄膜層的方法，包括，通過真空蒸發(fā)法沉積兩種或多種待沉積的材料(稱作材料)，這樣在待沉積的基材(稱作基材)上形成均勻性優(yōu)異的一層或多層薄層，并涉及由該膜沉積法制成的有機EL元件。
背景技術：
最近，對于顯示器等，已經(jīng)注意到有機EL元件并已進行研究。一般來說，有機EL元件主要具有透明電極(陽極)、由有機材料制成的發(fā)光層、和相對電極(陰極)。許多有機EL元件進一步具有電子注入層、空穴注入層等以提高發(fā)光性能，并具有這樣一種結構，其中這些層在基材上沉積為疊層結構。原理是，由陰極注射到發(fā)光層的電子在發(fā)光層與由陽極注射到發(fā)光層的空穴進行復合，由此產(chǎn)生發(fā)光。
對于具有其中薄膜層沉積為疊層結構的結構的元件，如上述的有機EL元件，相應的層在許多情況下由真空蒸發(fā)法而沉積。
但如果薄膜層通過該真空蒸發(fā)法在具有大屏幕的基材上沉積為疊層結構，會產(chǎn)生不能形成均勻薄膜的問題。因此，許多基材片不能排列在大面積的基材中，從而不能規(guī)模生產(chǎn)。如果生產(chǎn)大尺寸的裝置，會在其發(fā)光平面中產(chǎn)生發(fā)光變化，這樣該裝置變成有缺陷的產(chǎn)品。
針對這些問題，JP-A-10-335062提出了一種方法，其中材料在基材上的沉積位置與其蒸氣密度之間的關系由函數(shù)cosnθ表示，其n值設定為3-6，并將其蒸發(fā)源設定至距離基材中心的某個位置上。但通過該方法，難以在具有大屏幕的基材上形成均勻薄膜。即，發(fā)光性能的變化仍然不能得到克服。因此，考慮到在有機EL元件或類似元件的結構中，薄膜層在具有大屏幕的基材上沉積為疊層結構，以下是未解決的問題保持該元件中各個位置上的發(fā)光性能的均勻性。
(1)如果薄膜沉積為疊層結構，每個膜在沉積基材上的各個位置上的膜厚度變化大。即，在有機EL元件的情況下，在元件的平面內(nèi)部產(chǎn)生發(fā)光性能變化。
(2)對于有機EL元件或類似元件，如果其發(fā)光層的主體材料和摻雜劑材料作為蒸發(fā)源共蒸發(fā)，摻雜劑的密度在元件的平面中不恒定，因此產(chǎn)生發(fā)光性能的變化。
本發(fā)明由上述觀點而得到。本發(fā)明的一個目的是提供一種通過真空蒸發(fā)法，即使在具有大屏幕的沉積基材上也能沉積用于元件的均勻薄膜層的方法，該方法能夠實現(xiàn)以下效果。如果將許多層沉積為疊層結構，每個膜在沉積基材上各個位置上的膜厚度變化可變小。如果共蒸發(fā)多個蒸發(fā)源，每種材料在沉積基材上各個位置上的密度變化可變小。
本發(fā)明的另一目的是提供一種通過這種用于沉積元件用薄膜層的方法而制成且在元件各個位置上的發(fā)光性能變化小的有機EL元件。
本發(fā)明的公開內(nèi)容為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明人進行了認真的研究。結果，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在通過真空蒸發(fā)法將多種材料沉積為膜時，如果待沉積的材料i在沉積基材上的位置與沉積膜的膜厚度之間的關系由cosniθ表示，且每種材料的ni值控制在特定范圍內(nèi)，那么可得到非常高的膜厚度均勻性?；谠摪l(fā)現(xiàn)，本發(fā)明得以完成。因此，本發(fā)明的主題如下。
(1)一種通過真空蒸發(fā)沉積兩種或多種材料而在基材上形成一層或多層用于元件的膜的方法，包括在以下情形在每種材料的ni值為k±0.5，其中k為2-5的常數(shù)的控制情況下，沉積每種材料，如果材料i在基材上的沉積位置與膜厚度之間的關系由下式(1)近似Di/D0i∝(L0/Li)3cosniθi(1)其中L0是蒸發(fā)源在垂直方向上與基材平面的距離，D0i是材料i在蒸發(fā)源至基材平面的垂直線的交叉點處的膜厚度，且Di是基材在以相對垂直線角度θi的方向上離開蒸發(fā)源距離Li的位置上的材料i的膜厚度。
(2)根據(jù)項(1)的方法，其中k為2-3。
(3)根據(jù)項(1)的方法，其中k為2。
(4)根據(jù)項(1)-(3)中任何一項的方法，其中ni值由(a)調(diào)節(jié)用于盛裝蒸發(fā)源的坩堝的形狀的方法和/或(b)調(diào)節(jié)蒸發(fā)速率的方法來控制。
(5)根據(jù)項(1)-(4)中任何一項的方法，其中兩種或多種材料順序沉積以形成薄膜層的疊層結構。
(6)根據(jù)項(1)-(4)中任何一項的方法，其中兩種或多種材料同時沉積成一個膜。
(7)根據(jù)項(1)-(6)中任何一項的方法，其中通過偏心回轉蒸發(fā)法來沉積材料。
(8)根據(jù)項(1)-(7)中任何一項的方法，其中所述材料是用于有機電致發(fā)光元件的有機層的有機材料且所述層使用所述材料形成。
(9)根據(jù)項(6)的方法，其中所述材料是有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層的主體材料和摻雜劑材料，且所述發(fā)光層通過共沉積所述主體和摻雜劑材料而形成。
(10)一種有機電致發(fā)光元件，包含通過項(8)的方法形成的有機層。
(11)一種有機電致發(fā)光元件，包含通過項(9)的方法形成的發(fā)光層。
(12)根據(jù)項(10)或項(11)的有機電致發(fā)光元件，其中CIE發(fā)光色度的X坐標的變化為0.005/250毫米或更低且其Y坐標的變化為0.02/250毫米或更低。
(13)根據(jù)項(10)-(12)中任何一項的有機電致發(fā)光元件，其中電功率轉化效率的變化為15％/250毫米或更低。
附圖的簡要描述

圖1是一種通過偏心回轉蒸發(fā)法沉積膜的方法的示意圖，與本發(fā)明的一個實施方案有關；圖2給出了按照本發(fā)明實施例1和對比例1的膜沉積法的有機EL元件的發(fā)光色度(X軸)的變化；圖3給出了按照本發(fā)明實施例1和對比例1的膜沉積法的有機EL元件的發(fā)光色度(Y軸)的變化；和圖4給出了按照本發(fā)明實施例1和對比例1的膜沉積法的有機EL元件的功率產(chǎn)生轉化效率(效率)的變化。
實現(xiàn)本發(fā)明的最佳方式以下描述本發(fā)明的實施方案。
本發(fā)明涉及一種通過真空蒸發(fā)沉積兩種或多種材料而在基材上形成一層或多層用于元件的薄膜的方法，包括在以下情形在每種材料的ni值為k±0.5，其中k為2-5的常數(shù)的情況下，沉積每種材料，即當材料i在基材上的沉積位置與膜厚度之間的關系由下式(1)近似時Di/D0i∝(L0/Li)3cosniθi(1)其中L0是蒸發(fā)源在垂直方向上與基材平面的距離，D0i是材料i在蒸發(fā)源至基材平面的垂直線的交叉點處的膜厚度，且Di是基材在以相對垂直線角度θi的方向上離開蒸發(fā)源距離Li的某個位置上的材料i的膜厚度。
假設任何蒸發(fā)源在真空蒸發(fā)時是一個點蒸發(fā)源，式(1)中的余弦側是真實的。該式中的相應符號描述如上。ni值是正值，表示蒸發(fā)源蒸氣的顆粒的傳播，且根據(jù)材料而原本不同，且為其每種所特定的值。例如，對于Al之類的金屬，它們的ni值大且一般為6-10或更高。另一方面，對于有機材料，它們的ni值小于金屬。如果該ni值大，蒸氣顆粒的傳播小且往往具有一種局部分布。如果ni值小，傳播往往具有一種擴散分布。
因此，如果單個材料沉積成膜，其ni值一般設定為約2-6，且優(yōu)選設定為2-4。本發(fā)明涉及一種控制該ni值并將每種材料的ni值調(diào)節(jié)在k±0.5范圍內(nèi)以進行真空蒸發(fā)的方法，其中k是常數(shù)2-5。為了使膜的均勻性更高并抑制材料的擴散損失，常數(shù)k更優(yōu)選2-3。約2是特別優(yōu)選的。如果該值為約2，可形成具有高均勻性的膜，即使沒有采用以下描述的偏心回轉蒸發(fā)法。
在本發(fā)明中，用于控制ni值的方法的例子包括以下方法(a)和(b)。
(a)調(diào)節(jié)坩堝形狀的方法這是一種調(diào)節(jié)坩堝形狀的方法，所述坩堝是一種用于接納材料的元件。用于此調(diào)節(jié)的要素是，例如坩堝開口的直徑(h)、開口的厚度(t)、其深度(d)、等。通過調(diào)節(jié)這些要素，ni值得到調(diào)節(jié)。例如，如果d/t變大，ni值變小。例如，如果坩堝的深度h變小，ni值也變小。簡言之，例如在改變d/t和h時，ni值可調(diào)節(jié)至所需值。
通常，所用的坩堝可以是一種成型為基本上圓柱形狀且由石英、石墨、玻璃碳、BN(氮化硼)、氧化鋁或類似物制成的產(chǎn)品。
(b)改變蒸發(fā)速率的方法這是一種增加或降低蒸發(fā)速率以調(diào)節(jié)ni值的方法。如果蒸發(fā)速率變大，ni值變小且沉積顆粒具有更高可分散程度的性質。因為蒸發(fā)速率隨著坩堝溫度而變化，ni值通常通過升高或降低坩堝溫度而調(diào)節(jié)。
作為這種用于控制ni值的方法，可以使用方法(a)或方法(b)中的任何一個，或可以使用其兩種或多種方法的組合。
因此，本發(fā)明的目的可通過將材料特有的ni值與一種或多種上述用于調(diào)節(jié)ni值和在成膜時將材料的ni值控制在給定范圍(k±0.5)內(nèi)的方法結合起來而實現(xiàn)。換句話說，如果通過將多種材料的ni值控制成基本上相同的數(shù)值并順序蒸發(fā)上述材料而形成多個薄膜，那么每種膜在沉積基材上各個位置上的膜厚度是均勻的。如果多種材料同時共蒸發(fā)以形成共沉積膜，所形成的薄膜可使得每種材料在沉積基材的整個表面上具有小的密度變化。
因此需要同時共蒸發(fā)多種材料以形成共沉積膜并進一步調(diào)節(jié)每種材料的密度。該方法優(yōu)選通過在蒸發(fā)源和沉積基材之間和靠近蒸發(fā)源處安置一個所謂的切斷機構來進行。換句話說，期望的是，該方法通過由上述方法(a)或(b)調(diào)節(jié)ni值，并在保持所述ni值的同時將蒸氣到達沉積基材的量調(diào)節(jié)至低值而進行。切斷機械的具體例子包括其中圓柱體的上部具有弧形開口且該開口通過旋轉而定期打開或關閉的機械。
本發(fā)明沉積用于元件的薄膜層的方法可以是任何方法，只要滿足上述條件。例如，該方法可以是其中沉積基材被固定而不旋轉且蒸發(fā)源安置在其中心之下(非旋轉沉積法)的方法、其中上述沉積基材旋轉的方法、或其中沉積基材旋轉且蒸發(fā)源離開沉積基材的旋轉中心設置的所謂偏心回轉蒸發(fā)法。這種偏心回轉蒸發(fā)法是一種對于其中沉積基材面積大的場合特別有效的方法。這種偏心回轉蒸發(fā)法的具體例子可例如由圖1示意性地給出。在圖1中，1表示沉積基材，2是蒸發(fā)源臺架；3是沉積基材的旋轉軸；且4是蒸發(fā)源。沉積基材1圍繞沉積基材旋轉軸3作為中心進行旋轉，而且蒸發(fā)源4離開該沉積基材旋轉軸(中心)布置。在該方法中，膜的沉積條件一般為沉積基材的長邊尺寸為20-80厘米，蒸發(fā)源臺架和沉積基材之間的距離b為20-100厘米，且蒸發(fā)源的偏心距離為10-40厘米。旋轉速率通常為2-10rpm。
以下，上述用于沉積元件用薄膜層的方法可用于包含，例如太陽能電池、光導材料或有機材料的功能元件或類似元件，且該方法對于有機EL元件的生產(chǎn)特別有效。以下描述在生產(chǎn)有機EL元件時用于沉積薄膜層的方法。即，本發(fā)明是上述用于沉積元件用薄膜層的方法，其中所述材料是有機電致發(fā)光元件的有機層的有機材料且所述層使用所述材料而形成。
該方法可得到有機EL元件的有機層，其中每個膜在元件中各個位置上的膜厚度變化小。結果，在有機EL元件各個位置上沒有產(chǎn)生發(fā)光性能變化并可表現(xiàn)出均勻的發(fā)光性能，即使該元件是一種大面積的元件。
本發(fā)明還提供上述用于沉積元件用薄膜層的方法，其中所述材料是有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層的主體材料和摻雜劑材料，且所述發(fā)光層通過共沉積主體和摻雜劑材料而形成。在膜沉積中，明智的是，摻雜劑的密度通過安置上述切斷機構而調(diào)節(jié)。
這種膜沉積法的優(yōu)點在于，發(fā)光層的膜厚度可變得均勻，且發(fā)光層中的摻雜劑密度可變得均勻。因此，沒有產(chǎn)生有機EL元件的發(fā)光性能變化并可表現(xiàn)出更均勻的發(fā)光性能，即使該元件是一種大面積的元件。
以下具體描述有機EL元件的有機層，包括發(fā)光層。
作為用于本發(fā)明的有機EL元件，通常使用一種在由透明電極制成的陽極上具有至少一復合區(qū)和發(fā)光區(qū)作為有機層的有機EL元件。復合區(qū)和發(fā)光區(qū)通常存在于發(fā)光層中。因此，僅發(fā)光層用作有機層。但除了發(fā)光層，空穴注入層、電子注入層、有機半導體層等也可根據(jù)需要使用。陰極在這些有機層上形成。
以下給出了用于本發(fā)明的有機EL元件的典型組成例子。當然，本發(fā)明并不局限于這些例子。
可以給出如下結構(1)透明電極(陽極)/發(fā)光層/電極(陰極)，(2)透明電極(陽極)/空穴注入層/發(fā)光層/電極(陰極)，(3)透明電極(陽極)/發(fā)光層/電子注入層/電極(陰極)，(4)透明電極(陽極)/空穴注入層/發(fā)光層/電子注入層/電極(陰極)，(5)陽極/有機半導體層/發(fā)光層/陰極，(6)陽極/有機半導體層/電子阻擋層/發(fā)光層/陰極，和(7)陽極/空穴注入層/發(fā)光層/粘附促進層/陰極。其中，優(yōu)選使用結構(4)。除了這些，可由陰極側發(fā)光，即，陰極可制成透明電極?；蛘?，可從陽極和陰極的兩面發(fā)光。
1.發(fā)光層的蒸發(fā)材料作為構成有機EL元件發(fā)光層的蒸發(fā)材料(主體材料)，優(yōu)選使用由以下通式(I)表示的二苯乙烯基亞芳基化合物 該化合物公開于JP-A-2-247278。
在該通式中，Y1-Y4分別獨立地表示氫原子、具有1-6個碳原子的烷基、具有1-6個碳原子的烷氧基、具有7-8個碳原子的芳烷基、具有6-18個碳原子的取代或未取代芳基、取代或未取代環(huán)己基、具有6-18個碳原子的取代或未取代芳氧基、或具有1-6個碳原子的烷氧基。此處的取代基是具有1-6個碳原子的烷基、具有1-6個碳原子的烷氧基、具有7-8個碳原子的芳烷基、具有6-18個碳原子的芳氧基、具有1-6個碳原子的?；?、具有1-6個碳原子的酰氧基、羧基、苯乙烯基、具有6-20個碳原子的芳基羰基、具有6-20個碳原子的芳氧基羰基、具有1-6個碳原子的烷氧基羰基、乙烯基、苯氨基羰基、氨基甲?；?、苯基、硝基、羥基、或鹵素。取代基可以是單獨的或組合的。Y1-Y4可以相同或不同。Y1和Y2可相互鍵接，且Y3和Y4可相互鍵接以形成取代或未取代飽和5-元環(huán)或取代或未取代飽和6-元環(huán)。Ar表示具有6-40個碳原子的取代或未取代亞芳基，且可在單個位置或多個位置上被取代。其鍵接部分可以是鄰、對或間位。但如果Ar是未取代亞苯基，Y1-Y4分別獨立地表示選自具有1-6個碳原子的烷氧基、具有7-8個碳原子的芳烷基、取代或未取代萘基、聯(lián)苯基、環(huán)己基、和芳氧基中的任何一種。作為這些二苯乙烯基亞芳基化合物的例子，可以給出以下化合物。
(t-Bu叔丁基)
作為構成另一優(yōu)選發(fā)光層的蒸發(fā)材料(主體材料)，可以提及8-羥基喹啉或其衍生物的金屬配合物。其具體例子包括金屬螯合物oxanoid化合物，包括羥基喹啉(一般，8-喹啉酚或8-羥基喹啉)的螯合物。這些化合物具有高性能水平，且容易塑造成薄膜形式。oxanoid化合物的例子滿足以下結構式。 其中Mt表示金屬，n是1-3的整數(shù)，Z’的位置相互獨立且Z是完成至少兩個稠合芳環(huán)所需的原子。
由Mt表示的金屬可以是一價、二價或三價金屬。其例子包括堿金屬如鋰、鈉和鉀；堿土金屬如鎂和鈣；以及土金屬如硼和鋁?？梢允褂盟械囊话惴Q作有用的螯合物化合物的一價、二價和三價金屬。
Z表示形成一種雜環(huán)的原子，在所述雜環(huán)中，至少兩個稠合芳環(huán)中的一個是吡咯或吖嗪。如果需要，某些其它的環(huán)可加入該稠合芳環(huán)中。為了避免龐大的分子而沒有提高功能，由Z表示的原子的數(shù)目優(yōu)選為18或更低。螯合的oxanoid化合物的具體例子包括三(8-喹啉酚)鋁、二(8-喹啉酚)鎂、二(苯并-8-喹啉酚)鋅、二(2-甲基-8-喹啉酚合)鋁氧化物、三(8-喹啉酚)銦、三(5-甲基-8-喹啉酚)鋁、8-喹啉酚鋰、三(5-氯-8-喹啉酚)鎵、二(5-氯-8-喹啉酚)鈣、5，7-二氯-8-喹啉酚鋁、和三(5，7-二溴-8-羥基喹啉酚)鋁。
描述于JP-A-5-198378的酚根(phenolate)取代8-羥基喹啉的金屬配合物是優(yōu)選的藍色發(fā)光材料。這種酚根取代8-羥基喹啉的金屬配合物的具體例子包括二(2-甲基-8-喹啉酚根(quinolinolate))(酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(鄰甲酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(間甲酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(對甲酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(鄰-苯基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(間-苯基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(對-苯基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(2，3-二甲基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(2，6-二甲基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(3，4-二甲基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(3，5-二甲基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(3，5-二叔丁基苯酚根)鋁(III)、二(2-甲基-8-喹啉酚根)(2，6-二苯基苯酚根)鋁(III)、和二(2-甲基-8-喹啉酚根)(2，4，6-三苯基苯酚根)鋁(III)。這些發(fā)光材料可單獨或兩種或多種結合使用。
以下進行更具體的描述。例如，在形成兩個發(fā)光層的情況下，第一發(fā)光層可以使用各種已知的發(fā)光材料。第一發(fā)光層的優(yōu)選例子可以是其中向oxanoid化合物中加入少量，即0.2-3％重量的綠色熒光染料的一層。此處所加的綠色發(fā)染料是香豆靈型或喹吖啶酮型。通過加入該材料，具有第一發(fā)光層的元件有可能實現(xiàn)具有高效率5-20(lm/W)的綠色發(fā)光。如果要求從第一發(fā)光層高效率地獲得黃或橙色，采用這樣一層，其中向oxanoid化合物中加入0.2-3％重量的紅熒烯、其衍生物、二氰基吡喃衍生物或苝衍生物。這種元件可以高輸出效率3-10(lm/W)進行發(fā)光。通過同時加入綠色熒光染料和紅色熒光染料，可以實現(xiàn)橙色。優(yōu)選地，例如，香豆靈和二氰基吡喃型染料、喹吖啶酮和苝染料、或香豆靈和苝染料可同時使用。第一發(fā)光層的另一特別優(yōu)選的例子是多亞芳基亞乙烯基衍生物。這樣有可能非常有效地輸出綠色或橙色。對于第二發(fā)光層，可以使用各種已知的藍色發(fā)光材料。例如，二苯乙烯基亞芳基衍生物、三苯乙烯基亞芳基衍生物、和烯丙基氧化的喹啉酚根金屬配合物是高水平的藍色發(fā)光材料。作為聚合物，可以提及聚對亞苯基衍生物。
發(fā)光層的膜厚度并不特別限定。膜厚度優(yōu)選為1納米至10μm，特別優(yōu)選5納米至0.5μm。
2.空穴注入層的蒸發(fā)材料空穴注入層對用于元件的元件不是必要的，但優(yōu)選用于提高發(fā)光性能。該空穴注入層是用于幫助將空穴注射到發(fā)光層中的一層。其空穴遷移率大，且其離子化能通常小至5.5eV或更低。這種空穴注入層優(yōu)選由一種在較低電場下將空穴傳輸?shù)桨l(fā)光層中的材料制成。更優(yōu)選，空穴的遷移率至少為約10-6厘米2/伏特·秒，例如，當施加104-106伏特/厘米的電場時。構成有機EL元件的這種空穴注入層的蒸發(fā)材料并不特別限定，只要該材料具有上述的優(yōu)選性能?？梢允褂眠x自通常在光導材料中用作傳輸電荷和空穴的材料、和用于EL元件的空穴注入層的已知材料中的任何一種。其具體例子包括三唑衍生物(參見美國專利3112197)、噁二唑衍生物(參見美國專利3189447)、咪唑衍生物(參見JP-B-37-16096)、多芳基烷烴衍生物(參見美國專利3615402、3820989和3542544、JP-B-45-555、JP-B-51-10983、JP-A-51-93224、JP-A-55-17105、JP-A-56-4148、JP-A-55-108667、JP-A-55-156953和JP-A-56-36656)、吡唑啉衍生物和吡唑啉酮衍生物(參見美國專利3180729和4278746、JP-A-55-88064、JP-A-55-88065、JP-A-49-105537、JP-A-55-51086、JP-A-56-80051、JP-A-56-88141、JP-A-57-45545、JP-A-54-112637、和JP-A-55-74546)、亞苯基二胺衍生物(參見美國專利3615404、JP-B-51-10105、JP-B-46-3712、JP-B-47-25336、JP-A-54-53435、JP-A-54-110536、和JP-A-54-119925)、芳基胺衍生物(參見美國專利3567450、3180703、3240597、3658520、4232103、4175961和4012376、JP-B-49-35702、JP-B-39-27577、JP-A-55-144250、JP-A-56-119132、JP-A-56-22437、和西德專利1110518)、氨基取代查耳酮衍生物(參見美國專利3526501)、噁唑衍生物(公開于美國專利3257203中的衍生物)、芴酮衍生物(參見JP-A-54-110837)、腙衍生物(參見美國專利3717462、JP-A-54-59143、JP-A-55-52063、JP-A-55-52064、JP-A-55-46760、JP-A-55-85495、JP-A-57-11350、JP-A-57-148749和JP-A-2-311591)、苯乙烯基蒽衍生物(參見JP-A-56-46234)、茋衍生物(參見JP-A-61-210363、JP-A-61-228451、JP-A-61-14642、JP-A-61-72255、JP-A-62-47646、JP-A-62-36674、JP-A-62-10652、JP-A-62-30255、JP-A-60-93445、JP-A-60-94462、JP-A-60-174749和JP-A-60-175052)、硅氮烷衍生物(參見美國專利4950950)、聚硅烷衍生物(JP-A-2-204996)、苯胺型共聚物(JP-A-2-282263)、和公開于JP-A-211399的導電聚合物低聚物(尤其是，噻吩低聚物)。作為空穴注入層的材料，可以使用上述的那些材料，但優(yōu)選使用以下材料卟啉化合物(公開于JP-A-63-29569的化合物)、和芳族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物(參見美國專利4127412、JP-A-53-27033、JP-A-54-58445、JP-A-54-149634、JP-A-54-64299、JP-A-55-79450、JP-A-55-144250、JP-A-56-119132、JP-A-61-295558、JP-A-61-98353、和JP-A-63-295695)，尤其是芳族叔胺化合物。卟啉化合物的代表例包括卟啉、1，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉銅(II)、1，10，15，20-四苯基-21H，23H-卟啉鋅(II)、5，10，15，20-四(五氟苯基)-21H，23H-卟啉、酞菁氧化硅、酞菁氯化鋁、酞菁(非金屬)、酞菁二鋰、四甲基酞菁銅、銅酞菁、鉻酞菁、鋅酞菁、鉛酞菁、酞菁氧化鈦、Mg酞菁、和八甲基銅酞菁。芳族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物的代表例包括N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基苯基、N，N’-二苯基-N，N’-二-(3-甲基苯基)-[1，1’-聯(lián)苯]-4，4’-二胺(以下簡稱TPD)、2，2-二(4-二-對-甲苯基氨基苯基)丙烷、1，1-二(4-二-對-甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷、N，N，N’，N’-四-對甲苯基-4，4’-二氨基苯基、1，1-二(4-二-對-甲苯基氨基苯基)-4-苯基環(huán)己烷、二(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、二(4-二-對-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N，N’-二苯基-N，N’-二-(4-甲氧基苯基)-4，4’-二氨基聯(lián)苯、N，N，N’，N’-四苯基-4，4’-二氨基苯基醚、4，4’-二(二苯基氨基)四苯基、N，N，N-三(對甲苯基)胺、4-(二-對甲苯基氨基)-4’-[4(二-對甲苯基氨基)苯乙烯基]茋、4-N，N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N，N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、在其分子中具有兩個稠合芳環(huán)并公開于美國專利5061569的4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯基(以下簡稱NPD)、以及具有三個連接成星爆發(fā)形狀的三苯胺單元并公開于JP-A-4-308688的4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(以下簡稱MTDATA)。除了作為發(fā)光層材料給出的上述芳族二亞甲基型化合物，無機化合物如p-型Si和p-型SiC可用作空穴注入層的材料?？昭ㄗ⑷雽涌赏ㄟ^真空蒸發(fā)法將上述化合物變成薄膜而形成?？昭ㄗ⑷雽拥哪ず穸炔⒉惶貏e限定，且通常為5納米至5μm。該空穴注入層可以是由一種或多種上述材料制成的單層，或可以是一種疊層結構，其中沉積有由不同于上述空穴注入層的化合物制成的空穴注入層。有機半導體層是有助于將空穴或電子注射到發(fā)光層中的一層，并合適地具有10-10S/cm或更高的導電率。作為這種有機半導體層的材料，可以使用導電低聚物如含噻吩的低聚物、和含芳基胺的低聚物、以及導電樹枝狀聚合物(dendrimer)如含芳基胺的樹枝狀聚合物。
3.電子注入層的蒸發(fā)材料另一方面，電子注入層是有助于將電子注射到發(fā)光層中的一層，且其電子遷移率大。粘附促進層是電子注入層中的由具有良好陰極粘附性的材料制成的一層。構成有機EL元件的這種電子注入層的蒸發(fā)材料的優(yōu)選例子為8-羥基喹啉或其衍生物、或噁二唑衍生物的金屬配合物。作為用于粘附促進層的材料，8-羥基喹啉或其衍生物的配合物是特別合適的。8-羥基喹啉或其衍生物的配合物的具體例子包括金屬螯合物oxanoid化合物，包括羥基喹啉(一般，8-喹啉酚或8-羥基喹啉)的螯合物。另一方面，噁二唑衍生物的例子是由通式(II)、(III)和(IV)表示的電子傳導化合物 其中Ar10-Ar13分別獨立地表示取代或未取代芳基，且Ar10和Ar11可以相同或不同，且Ar12和Ar13可以相同或不同。Ar14表示取代或未取代亞芳基。芳基的例子包括苯基、聯(lián)苯基、蒽基、苝基和芘基。亞芳基的例子包括亞苯基、亞萘基、亞聯(lián)苯基、亞蒽基、亞苝基和亞芘基。取代基的例子包括具有1-10個碳原子的烷基、具有1-10個碳原子的烷氧基和氰基。作為這種電子傳導化合物，成膜化合物是優(yōu)選的。電子傳導化合物的具體例子包括 4.其它的有機蒸發(fā)材料有機層具有如上述的結構，但可進一步具有電子阻擋層、粘附促進層、等。但這些對發(fā)光均勻性的影響較小。因此，形成這些層的方法并不限定，且可以是本發(fā)明的方法或某些其它的已知方法。
電子阻擋層的蒸發(fā)材料可以是上述TPD、聚苯基化合物、或類似物，且粘附促進材料的蒸發(fā)材料可以是描述為電子注射材料的上述Alq(8-羥基喹啉的金屬配合物)、或類似物。
為了形成這些層，可以使用本發(fā)明沉積元件所用薄膜層的方法，但該方法不是必須使用。可以使用在說明各部分中描述的不同的膜沉積方法。
1.透明電極(陽極)的蒸發(fā)材料作為陽極，可以提及具有大功函數(shù)(4eV或更高)的ITO。陽極可通過濺射、離子鍍覆、電子束蒸發(fā)、CVD、MOCVD、等離子體CVD或類似方法形成薄膜而得到。如果由按照此方式的陽極得到來自發(fā)光層的發(fā)光，優(yōu)選將陽極的發(fā)光透過率設定超過10％。陽極的片電阻率優(yōu)選為幾百個Ω/□或更低。陽極的厚度取決于其材料，通常為10納米至1μm，優(yōu)選10-200納米。在本發(fā)明中，基材電極通常用作陽極。
2.電極(陰極)的蒸發(fā)材料作為陰極，使用其電極材料為具有較小功函數(shù)(4.0eV或更低)的金屬、合金、導電化合物或其混合物的陰極。這種電極材料的蒸發(fā)材料的具體例子包括鈉、鈉-鉀合金、鎂、鋰、鎂-銀合金、鋁/氧化鋁(Al2O3)、鋁-鋰合金、銦、和稀土金屬。該陰極按照形成透明電極膜時的相同方式，例如蒸發(fā)或濺射，通過將電極材料沉積為薄膜而制成。陰極的片電阻率優(yōu)選為幾百個Ω/□或更低，且其膜厚度通常為10納米至1μm，優(yōu)選50-200納米。在用于本發(fā)明的有機EL元件中，陽極或陰極之一優(yōu)選為透明或半透明的，因為發(fā)光取出效率由于發(fā)光的透過而良好。
用于本發(fā)明的載體基材優(yōu)選由具有透明性和足以承載多色發(fā)光裝置的剛性的材料制成。本發(fā)明中，多色發(fā)光裝置通過安置載體基材而增強，這樣可得到高的機械強度如抗震性。
該材料的具體例子包括玻璃板、陶瓷板、和塑料板(聚碳酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、氯乙烯樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂等)。
沉積本發(fā)明元件所用薄膜的方法描述如上。具有通過這些方法形成的發(fā)光層或有機層的有機EL元件具有下述性能有機層的各處膜厚度非常均勻，這樣該元件的發(fā)光性能均勻性變高。
例如假設不存在非發(fā)光點，發(fā)光性能的這種均勻性可，通過取決于與沉積基材中心的距離的發(fā)光色度變化、取決于與沉積基材中心的距離的電功率轉化效率變化、等來檢查。本發(fā)明取決于與沉積基材中心的距離的發(fā)光色度變化如下在CIE發(fā)光色度的X坐標上可得到0.005/250毫米或更低，尤其是0.002/250毫米或更低的變化；并在其Y坐標上可得到0.02/250毫米或更低，尤其是0.01/250毫米或更低的變化。對于電功率轉化效率的變化，可得到15％/250毫米或更低的變化。
因此，如果元件具有大屏幕，有可能得到一種在相同元件的發(fā)光性能變化上具有以下性能的元件在CIE發(fā)光色度的X坐標上具有0.005/250毫米或更低的變化、在其Y坐標上具有0.02/250毫米或更低的變化、和在電功率轉化效率上具有15％/250毫米或更低的變化的元件。
實施例本發(fā)明通過實施例更具體地描述，但不限于這些實施例。
實驗實施例1(其中測定ni值的實施例)使用一種真空蒸發(fā)機器，其中蒸發(fā)源設定在沉積基材(尺寸360×465毫米)和蒸發(fā)源臺架之間垂直距離為500毫米，且距離蒸發(fā)源臺架與一垂直線的交叉點250毫米的某個位置上，所述垂直線由沉積基材的中心向下至蒸發(fā)源臺架。在蒸發(fā)源中，將1.5克材料，三(8-喹啉酚)鋁(以下簡稱Alq)均勻填充到一個開口直徑為25毫米、厚度為1.6毫米且深度為70毫米的石墨坩堝的底部。坩堝的溫度設定為283℃(這樣基材中心處的蒸發(fā)速率為1.0埃/秒)。蒸發(fā)進行至所得膜在基材中心處的厚度為2500埃。通過一種針接觸型厚度測試儀Dektak FPD500來測定在沉積基材區(qū)域內(nèi)的50個點處的膜厚度。匹配相應的膜厚度以滿足等式(I)，然后計算ni值。該膜沉積中的ni值為2.38。
實驗實施例2-5(其中測定蒸發(fā)速率和ni值的實施例)按照實施例1的相同方式，將4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯基(以下簡稱NPD，在實驗實施例2中)、4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(以下簡稱MTDATA，在實驗實施例3中)、4，4’-二[2-[4-(N，N-二-對甲苯基)苯基]乙烯基]聯(lián)苯基(以下簡稱DTAVBi，在實驗實施例4中)、和4，4’-二(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯基(以下簡稱DPVBi，在實驗實施例5中)蒸發(fā)至每個所得膜在基材中心處的厚度為2500埃。坩堝溫度設定為258、260、287或230℃且蒸發(fā)速率分別設定為1.0埃/秒以進行蒸發(fā)。每個ni值在表1中給出。
表1

實驗實施例6(其中ni值通過坩堝形狀進行調(diào)節(jié)的實施例)將具有不同深度的以下坩堝A和B放置在沉積基材(尺寸210×260毫米)和蒸發(fā)源臺架之間垂直距離為400毫米，且距離蒸發(fā)源臺架與一垂直線的交叉點為100毫米的某個位置上，所述垂直線由沉積基材的中心向下至蒸發(fā)源臺架，這樣坩堝以相對沉積基材平面的垂直線成15°的角度傾斜。將材料DTAVBi填充到每個坩堝中，在以下條件下進行蒸發(fā)。以下，通過一種針接觸型厚度測試儀Dektak FPD500來測定在沉積基材區(qū)域內(nèi)的9個點處的膜厚度，然后計算ni值。
蒸發(fā)條件坩堝的形狀A由石英制成，內(nèi)徑20毫米，φ，深度75毫米B由石英制成，內(nèi)徑20毫米，φ，深度37.5毫米蒸發(fā)速率坩堝A和B的溫度分別設定為283和293℃，并將沉積基材中心處的蒸發(fā)速率分別設定為0.15埃/秒。
ni值坩堝A2.85坩堝B5.85實驗實施例7(其中ni值通過蒸發(fā)速率進行調(diào)節(jié)的實施例)按照實驗實施例1(實驗實施例4)的相同方式進行蒸發(fā)并測定ni值，只是以0.05埃/秒的蒸發(fā)速率蒸發(fā)DTAVBi。此時，蒸發(fā)溫度為275℃且ni值為6.28。
(在控制ni值的同時形成有機EL元件的膜，以及所得元件的發(fā)光性能的評估I偏心回轉蒸發(fā)法)(1)在控制ni值的同時形成有機EL元件的膜使用一種真空蒸發(fā)機器，其中蒸發(fā)源設定在沉積基材和蒸發(fā)源臺架之間垂直距離為500毫米，且距離蒸發(fā)源臺架與一垂直線的交叉點250毫米的某個位置上，所述垂直線由沉積基材的中心向下至蒸發(fā)源臺架。沉積基材的旋轉數(shù)設定為4.8rpm，然后將通過偏心回轉蒸發(fā)法進行以下的膜沉積。使用一種由石墨制成且開口直徑為25毫米、厚度為1.6毫米和深度為70毫米的坩堝。將分別在其表面上沉積有ITO(為陽極且厚度為120納米)的25(5×5)個玻璃基材(25×25×1.1毫米)放置到尺寸為390×490毫米的基材臺架上，并將該臺架加載到真空蒸發(fā)機器上。蒸發(fā)進行至真空度為2×10-4Pa或更低。將用于有機EL元件有機層的5種材料和用于由無機層組成的電極的一種材料在坩堝中以同心形狀放置。在改變蒸發(fā)速率的同時，分別控制成膜時的ni值以順序形成下示的膜a-e。但在使用有機材料的成膜a-d之前，放置一個用于圖案化膜的蒸發(fā)掩膜(由SUS制成，厚度0.2納米)以進行成膜a-d(成膜1-4)。然后，放置一個用于圖案化電極的蒸發(fā)掩膜(由SUS制成，厚度0.2納米)以進行使用無機材料的成膜e(成膜5)。即，生產(chǎn)出其中每個基材的發(fā)光面積為4×8毫米的元件。
a.沉積1蒸發(fā)材料4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(以下簡稱MTDATA)，作為用于第一空穴注入層的材料，蒸發(fā)條件ni值(n1值)2.05，蒸發(fā)速率(在沉積基材的中心處)2.8-3.0埃/秒，和膜厚度60納米，b.沉積2蒸發(fā)材料4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯基(以下簡稱NPD)，作為用于第二空穴注入層的材料，蒸發(fā)條件ni值(n2值)2.25，膜厚度20納米，和蒸發(fā)速率2.2-2.4埃/秒，c.沉積3蒸發(fā)材料作為發(fā)光層的材料，發(fā)光摻雜劑材料4，4’-二[2-[4-(N，N-二-對甲苯基)苯基]乙烯基]聯(lián)苯基(以下簡稱DTAVBi)、和發(fā)光主體材料4，4’-二(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯基(以下簡稱DPVBi)，蒸發(fā)條件ni值(主體材料，n3H值)2.35ni值(摻雜劑材料，n3D值)2.44，蒸發(fā)速率(在沉積基材的中心處)1.0埃/秒，切斷機械將切斷器放置在DTAVBi(摻雜劑材料)的蒸發(fā)坩堝的開口與閘門之間。
蒸發(fā)方法通過同時雙蒸發(fā)(共蒸發(fā))，由兩個相鄰的蒸發(fā)源同時蒸發(fā)兩種材料，膜厚度40納米，d.沉積4蒸發(fā)材料電子傳輸材料，三(8-喹啉酚)鋁(以下簡稱Alq)蒸發(fā)條件ni值(n4值)2.38，蒸發(fā)速率(在沉積基材的中心處)1.0-1.1埃/秒，和膜厚度20納米，e.沉積5蒸發(fā)材料由陰極材料Al和Li制成且Li濃度為10％(原子)的合金材料，蒸發(fā)條件ni值(n5值)6.12，蒸發(fā)速率5-8埃/秒，膜厚度150納米，和蒸發(fā)時的真空度1.0×10-4Pa(2)有機EL元件的發(fā)光性能的評估將6V直流電壓施加到元件上，該元件放置在基材臺架的中心，選自通過上述成膜法得到的元件。結果，流過的電流為4.16mA/cm2并發(fā)出亮度為378nit的藍色光。這時，電功率轉化效率為4.751m/W，且發(fā)光色度為(0.173，0.258)。亮度和發(fā)光色度按照由Topcon公司制造的BM-7來測定。在4×8毫米□的發(fā)光區(qū)中，肉眼沒有觀察到非發(fā)光點。發(fā)光的均勻性也良好。
(有機EL元件的成膜，其中所有的ni值沒有控制)按照實施例1的相同方式生產(chǎn)出元件，只是在蒸發(fā)摻雜劑材料以沉積為發(fā)光層時沒有使用切斷機且蒸發(fā)速率通過降低坩堝溫度而調(diào)節(jié)至0.05埃/秒。該摻雜劑材料的ni值(n3D值)為6.28。
對于在實施例1和對比例1中得到的有機EL元件，圖2和3給出了在發(fā)光色度的X坐標和Y坐標上相對與沉積基材旋轉中心的距離的變化。在實施例1的有機EL元件中，從沉積基材的中心至距離該中心250毫米的位置，發(fā)光顏色是均勻的。X坐標和Y坐標的實質變化分別為約0.01和約0.01。對于相對沉積基材中心的距離的電功率轉化效率(lm/W)，如圖4所示，可以理解，從基材中心至距離該中心250毫米的位置，發(fā)光效率的變化在10％以內(nèi)且均勻。
另一方面，在對比例1的有機EL元件中，從基材中心至距離該中心250毫米的位置，發(fā)光色度在X坐標和Y坐標中的變化分別為0.008和0.033。例如，如果將對比例1的距離基材中心230毫米處的元件與實施例1的元件進行比較，對比例1的元件具有變化的發(fā)光色度。其發(fā)光顏色為綠色。
電功率轉化效率(lm/W)相對與沉積基材中心的距離的變化在距離250毫米的位置上為約20％。
(在控制ni值的同時形成有機EL元件的膜，以及所得元件的發(fā)光性能的評估II非旋轉蒸發(fā)法)使用一種真空蒸發(fā)機器，其中能夠旋轉到以下6個蒸發(fā)源剛好之上的定位(可確定位置)的沉積基材與蒸發(fā)源臺架之間的垂直距離為500毫米，且進行以下的有機EL元件的成膜。蒸發(fā)源在蒸發(fā)源臺架上沿著同心回路放置，其中與實施例1相同的6種材料被放入用于實施例1的坩堝中，所述臺架的中心位于蒸發(fā)源臺架與一垂直線的交叉點上，所述垂直線由沉積基材的中心向下至蒸發(fā)源臺架。將分別沉積有120納米厚ITO的玻璃基材1和2分別加載到沉積基材與該蒸發(fā)源臺架上蒸發(fā)源定位之處的垂直線的交叉點上、以及位于沉積基材上并朝向中心地距離該交叉點10厘米處的位置上。進行抽空直到真空度為2×10-4Pa或更低。然后，將待沉積的6種材料的蒸發(fā)源一個接一個地固定到剛好在玻璃基材1之下的位置上，這樣形成膜。形成各個膜的蒸發(fā)條件與實施例1相同。因此在成膜時，沉積基材上的玻璃基材1總是存在于各蒸發(fā)源的垂直線上。玻璃基材2存在于朝向中心地與玻璃基材1距離10厘米處的位置上。在固定蒸發(fā)源和玻璃基材的狀態(tài)下進行成膜。在沉積3中，切斷機器按照實施例1的相同方式設置。另外，也可按照實施例1的相同方式設置一個圖案化掩膜。
這樣，得到分別具有尺寸4×8毫米的發(fā)光區(qū)的元件1(位于蒸發(fā)源的垂直線上)和元件2(朝向中心地與元件1相距10厘米)。兩者有機材料層的膜厚度、膜厚度之間的差異、及其變化率在表2中給出，且兩者在發(fā)光效率、發(fā)光效率之間的差異、及其變化率在表3中給出。
(有機EL元件的成膜，其中沒有控制ni值非旋轉蒸發(fā)法)通過真空蒸發(fā)，按照實施例2的相同方式，形成按照成膜1-5的有機EL元件的膜，只是實施例2中的成膜1的蒸發(fā)條件如下。但在成膜1中，材料與實施例2相同。
蒸發(fā)條件使用由鉬制成且開口直徑為1毫米、厚度為0.5毫米和深度為10毫米的舟，替代由石墨制成且開口直徑為25毫米、厚度為1.6毫米和深度為70毫米的坩堝。
ni值(nl值)4.82，蒸發(fā)速率(在沉積基材的中心處)0.8-1.2埃/秒，舟溫度325℃，和膜厚度60納米這樣，得到分別具有尺寸4×8毫米的發(fā)光區(qū)的元件1(位于蒸發(fā)源的垂直線上)和元件2(朝向中心地與元件1相距10厘米)。兩者有機材料層的膜厚度、膜厚度之間的差異、及其變化率在表2中給出，且兩者在發(fā)光效率、發(fā)光效率之間的差異、及其變化率在表3中給出。
表2

表3
從表2和3看出，對于在實施例2中通過非旋轉蒸發(fā)法得到的有機EL元件，其中在形成有機層時控制了ni值，膜厚度的變化率為5％或更低且在發(fā)光效率的變化為1％，即使該有機EL元件為10厘米遠。另一方面，對于在對比例2中通過非旋轉蒸發(fā)法得到的有機EL元件，其中ni值在成膜1時設定為4.82，膜厚度的變化率為10％或更低且在發(fā)光效率的變化為約30％。因此，如果在控制ni值的同時沉積多層，可得到一種均勻的元件，其中在沉積基材各個位置上的膜厚度和發(fā)光效率的變化小。
工業(yè)實用性按照本發(fā)明這種沉積元件用薄膜層的方法，即使在具有大屏幕的沉積基材上，也可形成均勻的膜。均勻性高。如果將多層沉積為疊層結構，每個膜的膜厚度在沉積基材的各個位置上變化小。如果共蒸發(fā)多種材料，可得到這樣一種膜，其中每種材料的密度在沉積基材的各個位置上變化小。
在該方法中得到的有機EL元件是均勻的，其中發(fā)光性能在該元件的各個位置上變化小。
權利要求
1.一種通過真空蒸發(fā)沉積兩種或多種材料而在基材上形成一個或多個用于元件的薄膜的方法，包括在以下情形在每種材料的ni值為k±0.5，其中k為常數(shù)2-5的控制條件下，沉積每種材料，當材料i在基材上的沉積位置與膜厚度之間的關系近似為下式(1)Di/D0i∝(L0/Li)3cosniθi(1)其中L0是蒸發(fā)源在垂直方向上與基材平面的距離，D0i是材料i在蒸發(fā)源至基材平面的垂直線的交叉點處的膜厚度，且Di是基材在以相對垂直線成角度θi的方向上距離蒸發(fā)源為Li的某個位置上的材料i的膜厚度。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其中k為2-3。
3.根據(jù)權利要求1的方法，其中k為2。
4.根據(jù)權利要求1-3中任何一項的方法，其中ni值由(a)調(diào)節(jié)用于盛裝蒸發(fā)源的坩堝的形狀的方法和/或(b)調(diào)節(jié)蒸發(fā)速率的方法來控制。
5.根據(jù)權利要求1-4中任何一項的方法，其中兩種或多種材料順序沉積以形成薄膜層的疊層結構。
6.根據(jù)權利要求1-4中任何一項的方法，其中兩種或多種材料同時沉積成一個膜。
7.根據(jù)權利要求1-6中任何一項的方法，其中通過偏心回轉蒸發(fā)法來沉積材料。
8.根據(jù)權利要求1-7中任何一項的方法，其中所述材料是用于有機電致發(fā)光元件的有機層的有機材料且所述層使用所述材料形成。
9.根據(jù)權利要求6的方法，其中所述材料是有機電致發(fā)光元件的發(fā)光層的主體材料和摻雜劑材料，且所述發(fā)光層通過共沉積所述主體和摻雜劑材料而形成。
10.一種有機電致發(fā)光元件，包含通過權利要求8的方法形成的有機層。
11.一種有機電致發(fā)光元件，包含通過權利要求9的方法形成的發(fā)光層。
12.根據(jù)權利要求10或權利要求11的有機電致發(fā)光元件，其中CIE發(fā)光色度的X坐標的變化為0.005/250毫米或更低且其Y坐標的變化為0.02/250毫米或更低。
13.根據(jù)權利要求10-12中任何一項的有機電致發(fā)光元件，其中電功率轉化效率的變化為15％/250毫米或更低。
全文摘要
本發(fā)明涉及通過真空蒸發(fā)沉積兩種或多種材料而在基材上形成一個或多個薄膜的方法,包括:在以下情形在每種材料的ni值為k±0.5,其中k為常數(shù)2－5的情況下,沉積每種材料,即當材料i在基材上的沉積位置與膜厚度之間的關系由下式(1)近似:D
文檔編號C09K11/06GK1366561SQ01800781
公開日2002年8月28日 申請日期2001年3月27日 優(yōu)先權日2000年3月30日
發(fā)明者東海林弘, 長崎義和 申請人:出光興產(chǎn)株式會社