本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種含有二芳基酮的化合物,以及其作為發(fā)光層材料在有機(jī)發(fā)光二極管上的應(yīng)用。
背景技術(shù):
有機(jī)電致發(fā)光(OLED:Organic Light Emission Diodes)器件技術(shù)可以用來制造新型顯示產(chǎn)品和照明產(chǎn)品,有望替代現(xiàn)有的液晶顯示和熒光燈照明,應(yīng)用前景十分廣泛。
然而,傳統(tǒng)有機(jī)熒光材料只能利用電激發(fā)形成的25%單線態(tài)激子發(fā)光,器件的內(nèi)量子效率較低(最高為25%)。外量子效率普遍低于5%,與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強(qiáng)的自旋-軌道耦合增強(qiáng)了系間竄越,可以有效利用電激發(fā)形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子發(fā)光,使器件的內(nèi)量子效率達(dá)100%。但磷光材料存在價格昂貴,材料穩(wěn)定性較差,器件效率滾落嚴(yán)重等問題限制了其在OLEDs的應(yīng)用。熱激活延遲熒光(TADF)材料是繼有機(jī)熒光材料和有機(jī)磷光材料之后發(fā)展的第三代有機(jī)發(fā)光材料。該類材料一般具有小的單線態(tài)-三線態(tài)能級差(△EST),三線態(tài)激子可以通過反系間竄越轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子,器件的內(nèi)量子效率可以達(dá)到100%。同時,材料結(jié)構(gòu)可控,性質(zhì)穩(wěn)定,價格便宜無需貴重金屬,在OLEDs領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
雖然理論上TADF材料可以實現(xiàn)100%的激子利用率,但實際上存在如下問題:(1)設(shè)計分子的T1和S1態(tài)具有強(qiáng)的CT特征,非常小的S1-T1態(tài)能隙,雖然可以通過TADF過程實現(xiàn)高T1→S1態(tài)激子轉(zhuǎn)化率,但同時導(dǎo)致低的S1態(tài)輻射躍遷速率,因此,難于兼具(或同時實現(xiàn))高激子利用率和高熒光輻射效率;(2)即使已經(jīng)采用摻雜器件減輕T激子濃度猝滅效應(yīng),大多數(shù)TADF材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴(yán)重。
就當(dāng)前OLED顯示照明產(chǎn)業(yè)的實際需求而言,目前OLED材料的發(fā)展還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠,落后于面板制造企業(yè)的要求,作為材料企業(yè)開發(fā)更高性能的有機(jī)功能材料顯得尤為重要。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題,本申請人提供了一種基于二芳基酮的化合物及其在有機(jī)電致發(fā)光器件上的應(yīng)用。本發(fā)明化合物基于TADF機(jī)理,可作為發(fā)光層主體材料和摻雜材料應(yīng)用于OLED,制作出的OLED器件具有良好的光電性能,能夠滿足面板制造企業(yè)的要求。
本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
本申請人提供了一種基于二芳基酮的化合物,該化合物的結(jié)構(gòu)如通式(1)所示:
其中,
n=1或2;
Ar表示為苯基、萘基或聯(lián)苯基;
X表示為氧原子、硫原子、硒原子、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基、芴基、氧雜蒽或吖啶中的一種;
R表示為氫原子、C1-10直鏈或支鏈烷烴、咔唑基、通式(2)、通式(3)或通式(4)所示結(jié)構(gòu):
其中,
Y表示為氧原子、硫原子、硒原子、羰基、C1-10直鏈或支鏈烷基取代的亞烷基、芳基取代的亞烷基、烷基或芳基取代的叔胺基、芴基、氧雜蒽、吖啶或蒽酮中的一種;
R1、R2分別獨立的表示為苯基、萘基、二聯(lián)苯基、三聯(lián)苯基、二苯并呋喃、二苯并噻吩、9,9-二甲基芴或咔唑。
優(yōu)選的,通式(1)中的基團(tuán),當(dāng)X表示為氧原子、硫原子或硒原子時,R不表示為氫原子。
優(yōu)選的,通式(1)中的基團(tuán)表示為:
優(yōu)選的,通式(2)表示結(jié)構(gòu)為:
優(yōu)選的,通式(3)表示結(jié)構(gòu)為:
中的任一種。
優(yōu)選的,通式(4)表示結(jié)構(gòu)為:
優(yōu)選的,本申請人提供的基于二芳基酮的化合物的具體結(jié)構(gòu)式為:
中的任一種。
本申請人還提供了一種制備所述基于二芳基酮的化合物的方法,反應(yīng)方程式是:
n=1時,
稱取溴代芳基酮和用甲苯溶解;再加入Pd(PPh3)4、碳酸鈉;在惰性氣氛下,將上述反應(yīng)物的混合溶液于反應(yīng)溫度95~110℃,反應(yīng)10~24小時,冷卻并過濾反應(yīng)溶液,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物;所述溴代芳基酮與的摩爾比為1:1.2~3.0,Pd(PPh3)4與溴代芳基酮的摩爾比為0.005~0.02:1,碳酸鈉與溴代芳基酮的摩爾比為2.0~4.0:1。
本申請人還提供了一種含有所述基于二芳基酮的化合物的發(fā)光器件,所述化合物作為發(fā)光層主體材料,應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管。
本申請人還提供了一種含有所述基于二芳基酮的化合物的發(fā)光器件,所述化合物作為發(fā)光層摻雜材料,應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管。
本發(fā)明有益的技術(shù)效果在于:
本發(fā)明化合物以二芳基酮為母核,兩側(cè)或單側(cè)連接芳香雜環(huán)基團(tuán),避免了分子間的聚集作用,分子中多為剛性基團(tuán),具有好的成膜性和熒光量子效率,可以作為發(fā)光層摻雜材料使用;所述化合物結(jié)構(gòu)分子內(nèi)包含電子給體(donor,D)與電子受體(acceptor,A)的組合可以增加軌道重疊、提高發(fā)光效率,同時,連接的芳香雜環(huán)基團(tuán)為獲得HOMO、LUMO空間分離的電荷轉(zhuǎn)移態(tài)材料,可實現(xiàn)小的S1態(tài)和T1態(tài)的能級差,從而在熱刺激條件下實現(xiàn)反向系間竄越,適合作為發(fā)光層主體材料使用。
本發(fā)明化合物具有較寬的能帶,HOMO能級范圍較寬,并且所包含的D基團(tuán)三線態(tài)能級(T1)足夠高,可搭配咔唑類材料,形成性能互補(bǔ)的摻雜雙主體材料,摻雜雙主體搭配使材料體系的空穴、電子更均衡,寬范圍的HOMO及LUMO能級更利于空穴及電子注入。摻雜雙主體發(fā)光材料對于OLED發(fā)光器件的發(fā)光和壽命特性提升具有顯著效果,目前,此技術(shù)已得到廣泛的量產(chǎn)應(yīng)用。
本發(fā)明所述化合物可作為發(fā)光層材料應(yīng)用于OLED發(fā)光器件制作,并且分別作為發(fā)光層主體材料或摻雜材料,均可以獲得良好的器件表現(xiàn),器件的電流效率,功率效率和外量子效率均得到很大改善;同時,對于器件壽命提升非常明顯。
本發(fā)明所述化合物在OLED發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果,具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
附圖說明
圖1為本發(fā)明化合物應(yīng)用于OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖;
其中,1為透明基板層,2為ITO陽極層,3為空穴注入層,4為空穴傳輸層,5為發(fā)光層,6為電子傳輸層,7為電子注入層,8為陰極反射電極層。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和實施例,對本發(fā)明進(jìn)行具體描述。
實施例1:化合物1的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮,0.025mol 9,9-二甲基-9H-芴-2-硼酸,0.03mol碳酸鈉,2×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全;自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度99.3%,收率77.5%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C43H34O):理論值C,91.13;H,6.05;O,2.82;測試值:C,91.15;H,6.10;O,2.75。
HPLC-MS:材料分子量為566.26,實測分子量566.57。
實施例2:化合物4的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮,0.025mol 9-苯基-9H-咔唑-3-硼酸,0.03mol碳酸鈉,2×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全;自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度99.1%,收率72.3%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C49H32N2O):理論值C,88.53;H,4.85;N,4.21;O,2.41;測試值:C,88.61;H,4.82;N,4.25;O,2.32。
HPLC-MS:材料分子量為664.25,實測分子量664.65。
實施例3:化合物6的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮,0.025mol硼酸化合物,0.03mol碳酸鈉,2×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全;自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度98.9%,收率62.8%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C65H38O3):理論值C,90.05;H,4.42;O,5.54;測試值:C,90.06;H,4.46;O,5.48。
HPLC-MS:材料分子量為866.28,實測分子量866.52。
實施例4:化合物8的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮,0.025mol B-[8-(9H-咔唑-9-基)-4-二苯并呋喃]-硼酸,0.03mol碳酸鈉,2×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全。自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度99.1%,收率63.2%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C61H36N2O3):理論值C,86.71;H,4.29;N,3.32;O,5.68;測試值:C,86.70;H,4.27;N,3.32;O,5.71。
HPLC-MS:材料分子量為844.27,實測分子量844.62。
實施例5:化合物11的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol 4,4'-二溴二苯甲酮,0.025mol中間體A,0.03mol碳酸鈉,2×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全。自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度98.7%,收率63.8%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C67H52N2O):理論值C,89.30;H,5.82;N,3.11;O,1.78;測試值:C,89.31;H,5.80;N,3.12;O,1.77。
HPLC-MS:材料分子量為900.41,實測分子量900.62。
實施例6:化合物16的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol(4-溴-苯基)-苯基-甲酮,0.015mol中間體B,0.02mol碳酸鈉,1×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全。自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度99.3%,收率76.2%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C52H37NO2):理論值C,88.23;H,5.27;N,1.98;O,4.52;測試值:C,88.23;H,5.26;N,1.95;O,4.56。
HPLC-MS:材料分子量為707.28,實測分子量707.56。
實施例7:化合物21的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol(4-溴-苯基)-苯基-甲酮,0.015mol中間體C,0.02mol碳酸鈉,1×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全。自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度99.5%,收率78.6%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C52H39NO):理論值C,90.01;H,5.67;N,2.02;O,2.31;測試值:C,89.98;H,5.65;N,2.05;O,2.32;。
HPLC-MS:材料分子量為693.30,實測分子量693.58。
實施例8:化合物24的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol(4-溴-苯基)-苯基-甲酮,0.015mol中間體D,0.02mol碳酸鈉,1×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全。自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度99.6%,收率76.1%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C49H33NO2):理論值C,88.13;H,4.98;N,2.10;O,4.79;測試值:C,88.12;H,4.99;N,2.11;O,4.78。
HPLC-MS:材料分子量為667.25,實測分子量667.57。
實施例9:化合物28的合成
合成路線:
250ml的四口瓶,在通入氮氣的氣氛下,加入0.01mol(4-溴-苯基)-苯基-甲酮,0.015mol中間體E,0.02mol碳酸鈉,1×10-4mol Pd(PPh3)4,150ml甲苯,加熱回流24小時,取樣點板,反應(yīng)完全。自然冷卻,過濾,濾液旋蒸,過硅膠柱,得到目標(biāo)產(chǎn)物,純度99.4%,收率74.9%。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C49H32N2O2):理論值C,86.45;H,4.74;N,4.11;O,4.70;測試值:C,86.44;H,4.75;N,4.13;O,4.68。
HPLC-MS:材料分子量為680.79,實測分子量680.98。
實施例10:化合物36的合成
合成路線:
化合物36的制備方法同實施例5,不同之處在于用中間體F替換中間體A。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C67H48N2O3):理論值C,86.61;H,5.21;N,3.02;O,5.17;測試值:C,86.59;H,5.23;N,3.03;O,5.15。
HPLC-MS:材料分子量為928.37,實測分子量928.55。
實施例11:化合物42的合成
合成路線:
化合物42的制備方法同實施例6,不同之處在于用中間體G替換中間體B。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C50H31NO3):理論值C,86.56;H,4.50;N,2.02;O,6.92;測試值:C,86.55;H,4.52;N,2.03;O,6.90。
HPLC-MS:材料分子量為693.23,實測分子量693.55。
實施例12:化合物48的合成
合成路線:
化合物48的制備方法同實施例5,不同之處在于用中間體H替換中間體A。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C61H40N2O3):理論值C,86.30;H,4.75;N,3.30;O,5.65;測試值:C,86.28;H,4.74;N,3.32;O,5.66。
HPLC-MS:材料分子量為848.30,實測分子量848.55。
實施例13:化合物50的合成
化合物50的制備方法同實施例6,不同之處在于用中間體K替換中間體B。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C62H43NO):理論值C,91.03;H,5.30;N,1.71;O,1.96;測試值:C,90.99;H,5.31;N,1.72;O,1.98。
HPLC-MS:材料分子量為818.01,實測分子量818.57。
實施例14:化合物53的合成
化合物53的制備方法同實施例6,不同之處在于用中間體K替換中間體B。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C43H30N2O):理論值C,87.43;H,5.12;N,4.74;O,2.71;測試值:C,88.48;H,4.11;N,4.71;O,2.73。
HPLC-MS:材料分子量為590.71,實測分子量590.97。
實施例15:化合物57的合成
化合物57的制備方法同實施例2,不同之處在于用中間體J替換4,4'-二溴二苯甲酮。
元素分析結(jié)構(gòu)(分子式C57H36N2O):理論值C,89.50;H,4.74;N,3.66;O,2.10;測試值:C,89.52;H,4.73;N,3.64;O,2.11。
HPLC-MS:材料分子量為764.91,實測分子量765.17。
對本發(fā)明化合物進(jìn)行理化特性表征,其中化合物11、16、21、50和現(xiàn)有材料CBP進(jìn)行熱性能、發(fā)光光譜及HOMO、LUMO能級的測定,測試結(jié)果如表1所示。
表1
注:熱失重溫度Td是在氮氣氣氛中失重1%的溫度,在日本島津公司的TGA-50H熱重分析儀上進(jìn)行測定,氮氣流量為20mL/min;λPL是樣品溶液熒光發(fā)射波長,利用日本拓普康SR-3分光輻射度計測定;Φf是固體粉末熒光量子效率(利用美國海洋光學(xué)的Maya2000Pro光纖光譜儀,美國藍(lán)菲公司的C-701積分球和海洋光學(xué)LLS-LED光源組成的測試固體熒光量子效率測試系統(tǒng),參照文獻(xiàn)Adv.Mater.1997,9,230-232的方法進(jìn)行測定);最高占據(jù)分子軌道HOMO能級及最低占據(jù)分子軌道LUMO能級是由光電子發(fā)射譜儀(AC-2型PESA)、紫外可見分光光度計測定,測試為大氣環(huán)境。
由上表數(shù)據(jù)可知,本發(fā)明化合物具有合適的HOMO、LUMO能級以及較高的熱穩(wěn)定性,適合作為發(fā)光層的主體材料;同時,本發(fā)明化合物具有合適的發(fā)光光譜,較高的Φf(熒光量子效率),使得應(yīng)用本發(fā)明化合物作為摻雜材料的OLED器件效率和壽命得到提升。
以下通過實施例16-30和比較例1-3詳細(xì)說明本發(fā)明合成的OLED材料在器件中作為發(fā)光層主體材料的應(yīng)用效果。本發(fā)明所述17-30、比較例1-3與實施例16相比所述器件的制作工藝完全相同,并且所采用了相同的基板材料和電極材料,電極材料的膜厚也保持一致,所不同的是對器件中的發(fā)光層5的主體材料及摻雜材料做了變換。各實施例所得器件的結(jié)構(gòu)組成如表2所示。所得器件的測試結(jié)果見表3所示。
實施例16
透明基板層1/ITO陽極層2/空穴注入層3(三氧化鉬MoO3,厚度10nm)/空穴傳輸層4(TAPC,厚度80nm)/發(fā)光層5(化合物10和GD19按照100:5的重量比混摻,厚度30nm)/電子傳輸層6(TPBI,厚度40nm)/電子注入層7(LiF,厚度1nm)/Al。相關(guān)材料的結(jié)構(gòu)式如下:
具體制備過程如下:
透明基板層1為透明基材,如透明PI膜、玻璃等。
對ITO陽極層2(膜厚為150nm)進(jìn)行洗滌,即依次進(jìn)行堿洗滌、純水洗滌、干燥,再進(jìn)行紫外線-臭氧洗滌以清除透明ITO表面的有機(jī)殘留物。
在進(jìn)行了上述洗滌之后的ITO陽極層2上,利用真空蒸鍍裝置,蒸鍍膜厚為10nm的三氧化鉬MoO3作為空穴注入層3使用。緊接著蒸鍍80nm厚度的TAPC作為空穴傳輸層4。
上述空穴傳輸材料蒸鍍結(jié)束后,制作OLED發(fā)光器件的發(fā)光層5,其結(jié)構(gòu)包括OLED發(fā)光層5所使用材料化合物10作為主體材料,GD19作為摻雜材料,摻雜材料摻雜比例為5%重量比,發(fā)光層膜厚為30nm。
在上述發(fā)光層5之后,繼續(xù)真空蒸鍍電子傳輸層材料為TPBI。該材料的真空蒸鍍膜厚為40nm,此層為電子傳輸層6。
在電子傳輸層6上,通過真空蒸鍍裝置,制作膜厚為1nm的氟化鋰(LiF)層,此層為電子注入層7。
在電子注入層7上,通過真空蒸鍍裝置,制作膜厚為80nm的鋁(Al)層,此層為陰極反射電極層8使用。
如上所述地完成OLED發(fā)光器件后,用公知的驅(qū)動電路將陽極和陰極連接起來,測量器件的電流效率,發(fā)光光譜以及器件的壽命。所得器件的測試結(jié)果見表3所示。
表2
表3
表3的測試結(jié)果表明:實施例16-20為本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層TADF主體材料應(yīng)用于OLED發(fā)光器件制作,并且與比較例1相比;實施例21-25為本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層主體材料搭配TADF摻雜材料應(yīng)用于OLED發(fā)光器件制作,并且與比較例2相比;實施例26-30為本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層Co-host材料搭配咔唑類主體材料材料應(yīng)用于OLED發(fā)光器件制作,并且與比較例3相比;無論是效率還是壽命均比已知OLED材料獲得較大提升。
以下通過實施例31-35和比較例4說明本發(fā)明合成的化合物在器件中作為發(fā)光層摻雜材料的應(yīng)用效果。本發(fā)明所述31-35、比較例4與實施例16相比所述器件的制作工藝完全相同,并且所采用了相同的基板材料和電極材料,電極材料的膜厚也保持一致,所不同的是器件中的發(fā)光層5中主體材料為CBP、摻雜材料為本發(fā)明化合物及對比材料GD19,摻雜濃度變?yōu)?%。各器件的結(jié)構(gòu)組成如表4所示。所得器件的測試結(jié)果見表5所示。
表4
表5
表5的結(jié)果可以看出本發(fā)明所述化合物作為發(fā)光層摻雜材料可應(yīng)用與OLED發(fā)光器件制作,并且與比較例4相比,無論是效率還是壽命均比已知OLED材料獲得較大提升。
從以上數(shù)據(jù)應(yīng)用來看,本發(fā)明化合物作為發(fā)光層材料在OLED發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果,具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
雖然已通過實施例和優(yōu)選實施方式公開了本發(fā)明,但應(yīng)理解,本發(fā)明不限于所公開的實施方式。相反,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)明白,其意在涵蓋各種變型和類似的安排。因此,所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)與最寬的解釋相一致以涵蓋所有這樣的變型和類似的安排。