介電材料、由其形成子組件的方法以及由此形成的子組件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種電路子組件，包括由介電組合物形成的介電層，在以該組合物的總體積計(jì)的情況下，該介電組合物包括：約15至約65體積百分比的介電填料；以及約35至約85體積百分比的熱固性組合物，該熱固性組合物包括：聚芳醚，以及羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物。
【專(zhuān)利說(shuō)明】介電材料、由其形成子組件的方法以及由此形成的子組件
[0001] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2010年6月11日、申請(qǐng)?zhí)枮?01080025702. 5 (PCT/ US2010/038303)、發(fā)明名稱(chēng)為"介電材料、由其形成子組件的方法以及由此形成的子組件" 的專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002] 本發(fā)明總體上涉及聚合物介電材料、形成包括該聚合物介電材料的電路和電路子 組件的方法，以及由此形成的電路和子組件。

【背景技術(shù)】
[0003] 聚合物介電材料廣泛用于電子電路的制造中。經(jīng)常將聚合物介電材料以電路子組 件的形式作為層來(lái)提供給電路或設(shè)備制造商。這些子組件用于許多諸如集成電路（1C)基 板、射頻（RF)系統(tǒng)以及高速數(shù)字系統(tǒng)的半導(dǎo)體封裝應(yīng)用中。例如，1C芯片（例如，微處理 器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、微控制器以及專(zhuān)用集成電路等）的電路通常通過(guò)諸如中介層、基板和 /或板的互連結(jié)構(gòu)來(lái)與電路的另一個(gè)元件相連接。為了使得電子裝備較小、較快、較輕以及 較便宜，制作高密度的互連結(jié)構(gòu)來(lái)容納每單位面積的大量導(dǎo)體通路。高密度互連結(jié)構(gòu)不僅 使得1C封裝的覆蓋區(qū)域小型化，而且可以改善信號(hào)完整性，諸如噪聲降低以及低衰減。制 造高密度互連結(jié)構(gòu)的一個(gè)方法是使用順次累積（SBU，sequential buildup)法來(lái)制造電路 子組件，特別是SBU電路子組件。
[0004] 常規(guī)的SBU電路子組件具有兩個(gè)不同的元件：芯和累積層。芯可以包括介電基板 層（例如，如在印刷電路板（PCB)中使用的玻璃增強(qiáng)環(huán)氧樹(shù)脂）、傳導(dǎo)性金屬層（例如，銅或 鋁）、陶瓷層、芯粘合層或者PCB，該P(yáng)CB包括介電層和至少一個(gè)（特別是兩個(gè)）傳導(dǎo)性電路 層，該至少一個(gè)（特別是兩個(gè)）傳導(dǎo)性電路層被布置在介電層或具有多于1個(gè)介電層和多 于兩個(gè)傳導(dǎo)性層的多層PCB的相反側(cè)上。SBU處理通常開(kāi)始于芯，芯用作用于制作累積層的 載體并提供機(jī)械支持。累積層包括介電層和布線層，并且累積層被交替地在芯基板的一個(gè) 或兩個(gè)表面上順次地堆疊。布線層包括提供各種布線功能的多個(gè)電路圖案。通過(guò)激光成形 的或光限定的（photo defined)傳導(dǎo)性過(guò)孔來(lái)提供層間連接。為使芯的一側(cè)上的累積層與另 一側(cè)上的累積層互連，芯基板中的通孔是機(jī)械地和/或激光鉆孔或穿孔的，并且這些孔是 利用標(biāo)準(zhǔn)PCB技術(shù)來(lái)用導(dǎo)體填充或鍍覆的。
[0005] 本文所使用的"電路子組件"還包括其他類(lèi)型的子組件，例如連接層（bond ply)、 樹(shù)脂涂覆傳導(dǎo)性層、無(wú)覆層的介電基板層、覆蓋膜和電路層壓板。電路層壓板具有傳導(dǎo)性 層，例如銅，該傳導(dǎo)性層固定附著在固化后的聚合物介電層上。雙覆層電路層壓板具有兩個(gè) 傳導(dǎo)性層，分別在聚合物介電層的每一側(cè)上。使層壓板的傳導(dǎo)性層（例如通過(guò)蝕刻）圖案 化而提供電路。多層電路包括多個(gè)傳導(dǎo)性層，其中至少一個(gè)傳導(dǎo)性層包含傳導(dǎo)性布線圖案。 通常，多層電路是通過(guò)利用連接層將一個(gè)或多個(gè)電路層層壓在一起，通過(guò)利用隨后被蝕刻 的樹(shù)脂涂覆傳導(dǎo)性層來(lái)累積附加層，或者通過(guò)加入無(wú)覆層介電層來(lái)累積附加層并隨后進(jìn)行 額外的金屬化來(lái)形成的。在層壓過(guò)程中，未固化的或B-階段（部分固化的）的連接層、樹(shù) 脂涂覆傳導(dǎo)性層和累積層被固化。在多層電路形成后，可以使用已知的成孔和鍍覆技術(shù)來(lái) 產(chǎn)生傳導(dǎo)性層之間的有用電通路。
[0006] 常規(guī)的垂直集成的互連電路子組件包括稱(chēng)作子組合體的不同電路子組件。通常有 兩種類(lèi)型的子組合體：接合芯子組合體和信號(hào)芯子組合體。兩種類(lèi)型的子組合體都包括布 置于兩個(gè)介電層之間的傳導(dǎo)性功率層。可以在子組合體中形成多個(gè)通孔。對(duì)于信號(hào)芯子組 合體來(lái)說(shuō)，然后利用半加成處理（semi-additive process)來(lái)將布線層布置在介電層上。在 接合芯子組合體中，然后用傳導(dǎo)性金屬來(lái)鍍覆通孔，和/或用電傳導(dǎo)性膠來(lái)填充通孔。使子 組合體在彼此之上相對(duì)齊，并且將子組合體粘附或?qū)訅涸谝黄饋?lái)形成子組件。被鍍金屬和/ 或電傳導(dǎo)性膠然后在接合芯子組合體和信號(hào)芯子組合體之間形成傳導(dǎo)性接合部，從而提供 了通過(guò)垂直集成互連的子組件的多個(gè)電通路。由于子組件中的z軸的電互連性質(zhì)，該子組 件可以提供比SBU子組件能夠使用的布線密度更高的布線密度。
[0007] 適合在上述電路子組件和電路材料中使用的介電材料必須滿足各種嚴(yán)格的要求。 尤其是對(duì)多頻帶中的較小的、且花費(fèi)較少的電子操作的需求一直在增長(zhǎng)。在一些情況下，1C 封裝已變?yōu)閷?duì)實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步減小半導(dǎo)體尺寸以及增加頻率的障礙。較高的頻率需要具有非常 低的損耗（Df，也稱(chēng)作損耗正切和耗散因子）的介電材料。低損耗材料在其傳輸特性期間對(duì) 電信號(hào)的衰減的貢獻(xiàn)很小，著反過(guò)來(lái)可以降低對(duì)1C功率和峰值結(jié)溫的要求。然而，常規(guī)的 介電材料在較高頻率（例如，千兆赫茲）具有相對(duì)高的損耗。例如，常用的累積介電膜（來(lái) 自Ajinomoto的GX13型）在5. 8GHz具有0· 019的損耗（日期為2007年六月的ABF材料 上的Ajinomoto數(shù)據(jù)表），該水平可能對(duì)許多高頻/高速應(yīng)用來(lái)說(shuō)是有問(wèn)題的。此外，累積 電介質(zhì)中的吸收水可能對(duì)電性能具有不利影響，尤其是使得損耗增加，并從而造成了電氣 可靠性問(wèn)題。因此，現(xiàn)在和將來(lái)的累積應(yīng)用需要一種具有非常低的吸水率的介電材料。上 述GX13累積介電膜具有大于1%的吸水率，而這對(duì)于許多高頻/高速應(yīng)用來(lái)說(shuō)是無(wú)法接受 的。這種高吸水率還可能導(dǎo)致熱可靠性問(wèn)題。此外，常規(guī)介電材料的電容密度可能根據(jù)頻 率和溫度而變化，這可能影響封裝的性能。
[0008] 而且，介電層部分地用于吸收作為封裝與芯之間、或芯中的層之間的熱膨脹系數(shù) (CTE)失配的結(jié)果而出現(xiàn)的任何熱或機(jī)械應(yīng)力。因此，用于較高性能應(yīng)用的理想介電材料通 常具有與低模量和高延伸率相結(jié)合的低CTE，以提供不太可能受到可能與CTE失配有關(guān)的 扭曲和操作問(wèn)題的影響的子組件。對(duì)于高性能累積層來(lái)說(shuō)，其他所需特性包括良好的高溫 穩(wěn)定性、良好的導(dǎo)熱性（散熱）、低的z軸CTE以及可控的熔融流。最后一個(gè)特性在累積介 電層的處理和使用中是關(guān)鍵性的。
[0009] 當(dāng)前使用中的介電材料，諸如上述的GX13,具有累積應(yīng)用所尋找的許多所需特性， 但它不滿足用于增加高頻/高速的應(yīng)用的所有期望的需要。特別是，這些材料承受了具有 大大高于期望的介電損耗和吸水率以及低于期望的高溫?zé)嵝阅堋?br> [0010] 在本領(lǐng)域中仍然需要用于電路和電路子組件的制造中的、具有良好的機(jī)械特性、 良好的高溫穩(wěn)定性、低吸水率以及在高頻處的低損耗的組合。如果材料具有高導(dǎo)熱性，并且 在不含鹵化阻燃劑的情況下具有卓越的阻燃性，這將是另外一個(gè)益處。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 在一個(gè)實(shí)施例中，一種電路子組件，包括：芯，其中，芯包括：
[0012] 具有第一表面和相反的第二表面的芯介電基板層，其中芯介電基板層的組合物基 于1，2_聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和
[0013] 布置在芯介電基板層的第一表面上的第一芯布線層；以及介電層，介電層布置在 第一芯布線層上，其中，介電層由介電組合物形成，在以介電組合物的總體積計(jì)的情況下， 介電組合物包括：
[0014] 30至65體積百分比的介電填料，其占介電組合物的至少15重量百分比wt%，其 中介電填料具有〇. 1到15微米的平均顆粒尺寸；和
[0015] 35至85體積百分比的熱固性組合物，熱固性組合物包括：
[0016] 30至50重量百分比的未改性聚芳醚，
[0017] 20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物，和
[0018] 20至40重量百分比的彈性體嵌段共聚物。
[0019] 在另一個(gè)實(shí)施例中，一種用于制造電路子組件的方法，包括：
[0020] 提供芯，芯包括：
[0021 ] 具有第一表面和相反的第二表面的芯介電基板層，其中芯介電基板層的組合物基 于1，2_聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和
[0022] 布置在芯介電基板層的第一表面上的第一芯布線層；以及
[0023] 將介電層層壓到第一芯布線層上，其中，介電層由介電組合物形成，在以介電組合 物的總體積計(jì)的情況下，介電組合物包括：
[0024] 30至65體積百分比的介電填料，其占介電組合物的至少15重量百分比wt%，其 中介電填料具有〇. 1到15微米的平均顆粒尺寸；和
[0025] 35至85體積百分比的熱固性組合物，熱固性組合物包括：
[0026] 30至50重量百分比的未改性聚芳醚，
[0027] 20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物，和
[0028] 20至40重量百分比的彈性體嵌段共聚物。
[0029] 通過(guò)以下附圖、詳細(xì)說(shuō)明和示例進(jìn)一步示出了本發(fā)明。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030] 現(xiàn)在參考示例性附圖，其中，在這些圖中相同的元件采用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表 示：
[0031] 圖1示出了順次累積的電路子組件的示例性實(shí)施例；
[0032] 圖2示出了順次累積的電路子組件的另一個(gè)示例性實(shí)施例；
[0033] 圖3示出了包含多層電路芯的順次累積的電路子組件的示例性實(shí)施例；
[0034] 圖4示出了用于形成垂直集成互連的電路子組件的電路子組件的子組合體的示 例性實(shí)施例；
[0035] 圖5示出了由圖4的子組合體形成的垂直集成互連的電路子組件的示例性實(shí)施 例；
[0036] 圖6示出了單覆層層壓板的示例性實(shí)施例；
[0037] 圖7示出了雙覆層層壓板的示例性實(shí)施例；
[0038] 圖8示出了具有圖案化的傳導(dǎo)性層的雙覆層層壓板電路子組件的示例性實(shí)施例；
[0039] 圖9示出了包含兩個(gè)雙覆層電路層壓板的示例性多層電路的示例性實(shí)施例。

【具體實(shí)施方式】
[0040] 本文公開(kāi)了在電路子組件和由此形成的電路的制造中有用的介電組合物。該介 電組合物包括至少15重量百分比wt. %的熱固性組合物中的介電填料，該熱固性組合物 包含：聚芳醚；聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物（優(yōu)選為羧基化聚丁二烯或聚異戊二烯聚合 物）；以及可選的彈性體嵌段共聚物，其包括衍生自烯基芳族化合物和共軛二烯的單元。聚 芳醚也可以可選地被羧基官能化。這些成分的組合提供了用于廣泛類(lèi)型的電路子組件中的 改善的介電組合物，包括SBU電路子組件中的芯和/或累積層、垂直集成互連的電路子組件 的子組合體、以及印刷布線板和其他類(lèi)型的電路中的連接層、樹(shù)脂涂覆傳導(dǎo)性層、介電基板 和覆蓋膜。這些電路子組件與高頻及高切換速度1C相兼容。此外，固化后的介電組合物具 有低吸濕率和所需的機(jī)械特性，并且可以是無(wú)鹵的，而且仍然達(dá)到V-0的UL94評(píng)級(jí)。
[0041] 介電組合物因此解決了當(dāng)前半導(dǎo)體封裝應(yīng)用所需要的較高的性能需求。例如，介 電材料（例如，完全固化的介電組合物）具有比當(dāng)前在SBU子組件中所使用介電材料（例 如，Ajinomoto的GX13型）在高頻處（例如，在10GHz處）的更低的介電損耗以及更高的 穩(wěn)定性。較低的介電損耗使得SBU子組件能夠用于較高的頻率應(yīng)用中。介電材料的較高的 熱穩(wěn)定性允許材料暴露于諸如焊接和引線接合（wire bonding)的高溫操作，而不會(huì)出現(xiàn) 變形或起泡。
[0042] 還發(fā)現(xiàn)，可以將介電材料制造為具有高的介電常數(shù)（Dk)(例如在10GHz處為從約 5到約12)，從而使得介電材料適合用作與高頻電容器和電感器一起使用的SBU子組件中的 芯粘合層和/或介電層。此外，較高Dk的介電材料還可以被用作SBU子組件中的累積層， 這些累積層包括具有較高Dk的芯和/或芯粘合層的累積層。
[0043] 發(fā)明人于此發(fā)現(xiàn)，除了具有良好的加工特點(diǎn)之外還具有前述特性的介電組合物的 制造中的關(guān)鍵因素是：對(duì)介電組合物中存在的填料的類(lèi)型、尺寸以及質(zhì)量的選擇。這些因 素對(duì)調(diào)節(jié)介電組合物的特性（包括層壓板上的流、阻燃性、CTE、導(dǎo)熱性、Dk、Df、模量和延伸 率）來(lái)說(shuō)都很重要。填料的組合常被用于獲得所需的特性的平衡。
[0044] 用于介電組合物中的示例性填料包括單獨(dú)或組合使用的二氧化鈦（金紅石 和銳鈦）、鈦酸鋇、鈦酸鍶、二氧化硅（包括熔融無(wú)定形二氧化硅）、剛玉、硅灰石、芳綸 纖維（例如，杜邦（DuPont)的凱夫拉（注冊(cè)商標(biāo)）（KEVLAR?)、玻璃纖維、Ba 2Ti902Q、玻 璃球、石英、氮化硼、氮化鋁、碳化硅、氧化鈹、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鎂、聚磷酸三聚氰 胺、氰尿酸三聚氰胺、蜜白胺（Melam)、氰尿酰胺（Melon)、蜜勒胺（Melem)、胍、磷腈、 硅氮烷、D0P0 (9, 10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-1-氧化物）、D0P0 (10-5二羥苯基， 10-氫-9oxaphosphaphenanthrenel〇-氧化物）、云母、滑石、納米粘土、錯(cuò)娃酸鹽（天 然的和合成的）和氣相二氧化娃（例如，可得自卡博特集團(tuán)（Cabot Corporation)的 Cab-0-Sil)。具體的填料包括金紅石二氧化鈦、表面處理的/涂覆的氫氧化鎂和無(wú)定形二 氧化硅。
[0045] 填料可以為固體、多孔或中空顆粒的形式。填料的顆粒尺寸影響許多重要特性，這 些重要特性包括固化前和固化期間的流變能力、最大封裝餾分、熱膨脹系數(shù)、模量、延伸率 以及阻燃性。在一個(gè)實(shí)施例中，填料具有0.1到15微米（尤其是0.2到10微米）的平均 顆粒尺寸?？梢允褂镁哂须p峰、三峰或更高的平均顆粒尺寸分布的填料的組合。
[0046] 為了提高填料和聚合物之間的附著力，可以利用一種或多種偶聯(lián)劑如硅烷、鋯酸 鹽或鈦酸鹽來(lái)處理填料?？梢詫?duì)填料進(jìn)行預(yù)處理，或者可以將偶聯(lián)劑加入到熱固性組合物， 如下所要詳細(xì)描述的。
[0047] 介電組合物包括至少15vol % (容積百分比）的填料組合物，剩余為熱固性組合 物。填料的具體量和填料的選擇取決于介電組合物的想要的用途。無(wú)論如何，發(fā)明人已發(fā) 現(xiàn)，至少需要15 V〇l%的填料來(lái)達(dá)到介電組合物的可以接受的熱膨脹系數(shù)。此外，通過(guò)選擇 合適的填料類(lèi)型、顆粒尺寸分布以及超過(guò)最小的15 V〇l%的加載水平，對(duì)于許多應(yīng)用可以獲 得全部的所需的特性的平衡。
[0048] 介電組合物還包括熱固性組合物。熱固性組合物包括聚芳醚，聚芳醚可以是均聚 物或共聚物的形式，包括接枝或嵌段共聚物?？梢允褂酶鞣N形式的組合。聚芳醚包括多種 式（1)的結(jié)構(gòu)單元：
[0049]

【權(quán)利要求】
1. 一種電路子組件，包括： 芯，其中，所述芯包括： 具有第一表面和相反的第二表面的芯介電基板層，其中所述芯介電基板層的組合物基 于1,2-聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和 布置在所述芯介電基板層的所述第一表面上的第一芯布線層；以及 介電層，所述介電層布置在所述第一芯布線層上，其中，所述介電層由介電組合物形 成，在以所述介電組合物的總體積計(jì)的情況下，所述介電組合物包括： 30至65體積百分比的介電填料，其占所述介電組合物的至少15重量百分比wt %，其 中所述介電填料具有〇. 1到15微米的平均顆粒尺寸；和 35至85體積百分比的熱固性組合物，所述熱固性組合物包括： 30至50重量百分比的未改性聚芳醚， 20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物，和 20至40重量百分比的彈性體嵌段共聚物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，所述芯還包括布置在所述芯介電基板層 的所述第二表面上的第二芯布線層，并且附加介電層布置在所述第二芯布線層上，其中，所 述附加介電層由所述介電組合物形成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1-2中任意一項(xiàng)所述的電路子組件，其中，所述芯為多層芯。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中所述介電基板層的組合物基于聚四氟乙 烯。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中所述介電基板層的組合物基于液晶聚合 物。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中所述介電基板層的組合物基于1，2-聚丁二 烯。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，所存在的所述介電填料的量為介電組合物的30 至60體積百分比。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，所述介電組合物在不含鹵化阻燃劑的情 況下通過(guò)UL94V0測(cè)試。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，所述介電填料包括至少以下之一：二氧化 娃、二氧化鈦、氫氧化鎂、鈦酸銀、鈦酸鋇、Ba 2Ti902(l、氮化硼、氮化錯(cuò)和氧化錯(cuò)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，所述熱固性組合物還包括額外的羧基官 能化的聚芳醚。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路子組件，其中，所述額外的羧基官能化的聚芳醚是聚 芳醚和環(huán)酐的反應(yīng)產(chǎn)物。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路子組件，其中，所述額外的羧基官能化的聚芳醚是聚 芳醚和馬來(lái)酸酐的反應(yīng)產(chǎn)物。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，所述羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊二 烯聚合物是聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物和環(huán)酐的反應(yīng)產(chǎn)物。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路子組件，其中，所述羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊 二烯聚合物是馬來(lái)酸酐化的聚丁二烯-苯乙烯或馬來(lái)酸酐化的聚異戊二烯-苯乙烯共聚 物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，所述熱固性組合物包括42. 86至71. 43 重量百分比wt %的聚芳醚和28. 57至57. 14wt %的所述羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊二 烯聚合物，均以聚芳醚和聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物的組合重量計(jì)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，彈性體嵌段共聚物包括衍生自烯基芳族 化合物和共軛二烯的單元。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的電路子組件，其中，所述烯基芳族化合物為苯乙烯，以及所 述共軛二烯為聚丁二烯。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路子組件，其中，所述彈性體嵌段共聚物是：苯乙烯-丁 二烯二嵌段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-異戊二烯二嵌段共聚 物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丁烯）-苯乙烯三嵌段共聚 物、苯乙烯-(乙烯-丙烯）-苯乙烯三嵌段共聚物、苯乙烯-(乙烯-丁烯）二嵌段共聚物 或包括至少以上共聚物之一的組合。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的電路子組件，其中，所述嵌段共聚物為苯乙烯-丁二烯二嵌 段共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物或其組合。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的電路子組件，其中，所述嵌段共聚物為苯乙烯-丁二烯二嵌 段共聚物和苯乙烯-丁二烯-苯乙烯三嵌段共聚物的組合。
21. -種用于制造電路子組件的方法，包括： 提供芯，所述芯包括： 具有第一表面和相反的第二表面的芯介電基板層，其中所述芯介電基板層的組合物基 于1，2_聚丁二烯、聚四氟乙烯或液晶聚合物，和 布置在所述芯介電基板層的所述第一表面上的第一芯布線層；以及 將介電層層壓到所述第一芯布線層上，其中，所述介電層由介電組合物形成，在以所述 介電組合物的總體積計(jì)的情況下，所述介電組合物包括： 30至65體積百分比的介電填料，其占所述介電組合物的至少15重量百分比wt %，其 中所述介電填料具有〇. 1到15微米的平均顆粒尺寸；和 35至85體積百分比的熱固性組合物，所述熱固性組合物包括： 30至50重量百分比的未改性聚芳醚， 20至40重量百分比的羧基官能化的聚丁二烯或聚異戊二烯聚合物，和 20至40重量百分比的彈性體嵌段共聚物。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述芯還包括布置在所述芯介電基板層的所 述第二表面上的第二芯布線層，且所述方法還包括將所述附加介電層層壓在所述第二芯布 線層上，其中，所述附加介電層由所述介電組合物形成。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21-22中任意一項(xiàng)所述的方法，還包括對(duì)層壓后的介電層進(jìn)行金屬 化。
【文檔編號(hào)】C08K3/36GK104053302SQ201410256145
【公開(kāi)日】2014年9月17日 申請(qǐng)日期:2010年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2009年6月11日
【發(fā)明者】?？枴·保羅, 斯科特·D·肯尼迪, 迪爾克·M·巴爾斯 申請(qǐng)人:羅杰斯公司