專利名稱：一種耐輻射電纜用半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電纜屏蔽材料，更具體地說，本發(fā)明涉及一種耐輻射電纜用半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料及其制備方法，屬于電纜屏蔽材料技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
在電線電纜行業(yè)，導(dǎo)體屏蔽和絕緣屏蔽主要采用半導(dǎo)電高分子材料，即是在高分子基體材料中加入導(dǎo)電填料，如乙炔炭黑、導(dǎo)電石墨粉、導(dǎo)電碳纖維等。這兩種屏蔽在電力電纜中通常以EVA為基體。EVA為熱塑性彈性體，其柔軟程度不及橡膠，常應(yīng)用于固定敷設(shè)的電纜中，而對于移動式電纜，EVA因其VA含量的限制而顯得捉襟見肘。原因在于VA含量越高，EVA彈性越好越柔軟，但其價(jià)格更貴且加工性能較差(因其對溫度敏感而容易粘輥)。因此，移動式電纜的導(dǎo)體屏蔽和絕緣屏蔽通常采用橡膠做為基體。目前，電線電纜行業(yè)常用橡膠有氯化聚乙烯橡膠(CM)、乙丙橡膠(EPDM)和硅橡膠。將導(dǎo)電填料加入氯化聚乙烯橡膠制成的半導(dǎo)電屏蔽材料，因其硬度和門尼粘度較大而給煉膠和擠橡帶來困難。其原因一方面在于導(dǎo)電填料的結(jié)構(gòu)性強(qiáng)，另一方面在于氯化聚乙烯橡膠因分子鏈具有極性而致使自身的門尼粘度較大。為解決這個(gè)問題，通常采用的做法是將導(dǎo)電填料加入門尼粘度低的乙丙橡膠中，或者加入硅橡膠中。由于導(dǎo)電填料和乙丙橡膠的價(jià)格都比較昂貴，因此生產(chǎn)成本劇增。從控本增效的角度出發(fā)，有些廠家用硅橡膠作為基體來生產(chǎn)半導(dǎo)電屏蔽膠料，并取得了良好的效果。然而，行業(yè)內(nèi)都從耐熱性、導(dǎo)電性、成本這三個(gè)方面來考量半導(dǎo)電屏蔽材料的性能，這對通常的電纜屏蔽來講是完全可行的，而對有輻射的場合這些屏蔽材料則顯得性能不足。本發(fā)明從耐輻射的角度考慮，選用苯撐硅橡膠和苯醚撐硅橡膠作為基體，再加入相應(yīng)導(dǎo)電炭黑，制成耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料。該屏蔽材料除了耐高溫，導(dǎo)電性好的優(yōu)點(diǎn) 夕卜，還可以在一定劑量的倫琴射線下?lián)碛休^好的力學(xué)性能保持率?？蓱?yīng)用于核電站、紫外光照、熱輻射等對電纜的耐熱性和耐輻射性有要求的場合。國家知識產(chǎn)權(quán)局于2009. 5. 13公開了一件申請?zhí)枮?00810244511. 2，名稱為“一種硅橡膠聚烯烴合金電纜材料的工業(yè)制備方法”的發(fā)明專利，該專利公開了一種硅橡膠聚烯烴合金電纜材料的工業(yè)制備方法，包括捏合混煉、雙輥混煉以及過濾、薄通、切條和擠出，捏合混煉包括(一)在其真空捏合機(jī)中對硅橡膠和干燥后的白炭黑進(jìn)行混煉得到補(bǔ)強(qiáng)混煉膠(I)，(二)在電控溫捏合機(jī)中對聚烯烴與自由基捕捉劑和補(bǔ)強(qiáng)混煉膠(I)進(jìn)行混煉得到改性混煉膠(II);雙輥混煉是在雙輥機(jī)中對改性混煉膠(II)、甲基乙烯基硅油和羥基硅油進(jìn)行混煉,再加入交聯(lián)劑繼續(xù)混煉得到橡膠合金電纜材料。本材料抗拉強(qiáng)度大于6. OMPa,抗撕強(qiáng)度13. 6kN/m以上，可長時(shí)期耐受100-120°C的環(huán)境溫度，不僅可作為電纜絕緣材料，尤其適合作為耐高溫型電纜護(hù)套材料。對比文件的缺點(diǎn)如下
1、良好的絕緣性能致使它不能用作電纜屏蔽材料；
2、需要特殊的混煉工藝制備，使其生產(chǎn)成本增大，材料使用受限；3、所用原料為硅橡膠和聚烯烴，硅橡膠為橡膠，聚烯烴為塑料，這兩種材料的相容性較差，因而產(chǎn)品容易開裂和老化；
4、上述專利中的電纜材料無法在需要耐熱和耐輻射的場合使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中的屏蔽材料不耐光照、不耐輻射等問題，提供一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料及其制備方法，該半導(dǎo)電屏蔽材料具有耐熱、耐輻射、力口工性能好的特點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，其具體的技術(shù)方案如下
一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，其特征在于包括以下按照重量份數(shù)計(jì)的原料組分
硅橡膠100份
導(dǎo)電炭黑20 40份
白炭黑40 50份
過氧化二異丙苯I. O 2. 5份
助硫化劑2. O 3. O份
二苯基娃二醇5 15份
硬脂酸I. O 2. O份
氧化鋅4 6份
三氧化二鐵2 5份；
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠或者苯撐硅橡膠；
苯醚撐硅橡膠和苯撐硅橡膠是在聚硅氧烷主鏈上分別引入苯醚撐和苯撐基團(tuán)的一類硅橡膠。苯醚撐基和苯撐基的引入，使硅橡膠的耐輻射性能大大提高，同時(shí)因芳環(huán)的存在使分子鏈的剛性增大，因而耐熱性和機(jī)械性能較好。優(yōu)先選用苯醚撐硅橡膠，因?yàn)楸矫褤喂柘鹉z的耐輻射性能要優(yōu)于苯撐硅橡膠；
所述的助硫化劑為三烯丙基氰脲酸酯(TAIC)；
三烯丙基氰脲酸酯(TAIC)的優(yōu)點(diǎn)是能與硫化劑過氧化二異丙苯(DCP)的交聯(lián)有效配合，當(dāng)DCP發(fā)揮交聯(lián)作用時(shí)，由于TAIC具有三個(gè)分子鏈端雙鍵，而這三個(gè)雙鍵通過碳碳單鍵都接在同一個(gè)分子環(huán)上，形成三個(gè)遙爪狀結(jié)構(gòu)，能夠起到促進(jìn)作用，提高交聯(lián)速度和交聯(lián)程度。優(yōu)選的，本發(fā)明所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠。上述苯醚撐硅橡膠的標(biāo)準(zhǔn)為苯醚撐基含量30% 60%，甲基含量10% 15%，乙烯基含量O. 1% O. 3%O所述的導(dǎo)電炭黑為常規(guī)的標(biāo)準(zhǔn)為平均粒徑小于20nm，比電阻介于O. 35
O.50 Ω ^cm之間的導(dǎo)電炭黑。優(yōu)選的，本發(fā)明所述的導(dǎo)電炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%,比電阻為
O.35 Ω · cm, pH 值為 7. 4。所述二苯基硅二醇，是一種低分子量物質(zhì)，可作為抗輻射添加劑使用。優(yōu)選的，本發(fā)明所述的白炭黑為氣相法白炭黑，二氧化硅含量> 99%，pH值3. 7 4.5,吸油值3. 46 3. 60cm3/g,比表面積350 410m2/g,為一種補(bǔ)強(qiáng)劑。所述硬脂酸，為常規(guī)產(chǎn)品，加入硅橡膠中與氧化鋅起活化作用。所述氧化鋅，為常規(guī)產(chǎn)品，與硬脂酸配合使用，起活化作用。所述三氧化二鐵，為常規(guī)產(chǎn)品，加入硅橡膠可改善其耐熱老化性能。一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，其特征在于包括以下工藝步驟
A、稱料
按照配方稱取原料待用，將導(dǎo)電炭黑放入100 105°C的烘箱中加熱2 3h ; B、混煉
依次向開煉機(jī)中加入硅橡膠、硬脂酸、氧化鋅、三氧化二鐵、導(dǎo)電炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和過氧化二異丙苯進(jìn)行混煉，過氧化二異丙苯加入后薄通4 5次即可下膠出片；
C、停放和返煉
混煉后的膠片經(jīng)停放，然后在室溫下進(jìn)行返煉，返煉采用開煉機(jī)，待膠料變軟，表面光滑平整后，即可下膠出片；
D、硫化
返煉后的膠片放入平板硫化機(jī)的模具中硫化得到硫化片；
E、檢測
硫化片至少放置16h后，進(jìn)行相關(guān)性能檢測。優(yōu)選的，在步驟B中，所述的開煉機(jī)的輥筒速比為1:1. 35 1:1.4。優(yōu)選的，在步驟B中，所述的混煉的溫度為40°C以下。優(yōu)選的，在步驟C中，所述的停放時(shí)間為24 36小時(shí)。優(yōu)選的，在步驟C中，在所述的下膠出片前，混煉膠在開煉機(jī)上過輥4次，每次過輥后沿混煉膠縱向?qū)φ?，并讓膠片總以同一方向過輥，調(diào)整輥距使壓出膠片的厚度為2. O
2.5mm左右。優(yōu)選的，在步驟D中，所述的硫化的溫度為160 165°C，硫化時(shí)間為13 15min，硫化期間保持模腔壓力不小于3. 5MPa。本發(fā)明帶來的有益技術(shù)效果
I、本發(fā)明選用的硅橡膠耐輻射性能好，用作電線電纜屏蔽層時(shí)，可在輻射場合長時(shí)間發(fā)揮其規(guī)定功能。2、本發(fā)明選用的硅橡膠塑性高、柔軟度好，做為半導(dǎo)電屏蔽材料的基體材料，可避免因?qū)щ娞亢诮Y(jié)構(gòu)性強(qiáng)而導(dǎo)致膠片變硬的弊端，從而使得半導(dǎo)電屏蔽材料具有良好的生產(chǎn)加工性能。3、本發(fā)明選擇的硅橡膠耐高溫可達(dá)250 300°C，在作為導(dǎo)體屏蔽材料時(shí)，可在導(dǎo)體的正常工作溫度下長期使用，甚至在過電壓和短路情況下不至于損壞，而且本發(fā)明的屏蔽材料的制備工藝簡單，投入很小。4、本發(fā)明選用三氧化二鐵作為耐熱添加劑，可在不明顯影響苯醚撐硅橡膠耐輻射性能的前提下，改善其耐熱老化性能。5、本發(fā)明選用的硫化劑為過氧化二異丙苯(DCP)，助硫化劑為三烯丙基異氰脲酸酯(TAIC)，一方面加入TAIC后可提高硫化效率，另一方面，與同樣采用DCP做硫化劑的乙丙絕緣材料有較好的生產(chǎn)匹配性。6、本發(fā)明選用的低分子量的二苯基硅二醇作為添加劑，二苯基硅二醇可在一定程度內(nèi)改善硅橡膠的耐輻射性能，同時(shí)也不會對硅橡膠膠料的硫化產(chǎn)生不利影響。
7、本發(fā)明選用硬脂酸和氧化鋅作為活化劑，可改善各組分在膠料中的分散均勻性，同時(shí)，硬脂酸作為內(nèi)潤滑劑，可降低硅橡膠的粘輥性能，方便進(jìn)行生產(chǎn)加工。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I
一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，包括以下按照重量份數(shù)計(jì)的原料組分
硅橡膠100份
導(dǎo)電炭黑20份
白炭黑40份
過氧化二異丙苯I. O份
助硫化劑2. O份
二苯基娃二醇5份
硬脂酸I. O份
氧化鋅4份
二氧化二鐵2份；
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠或者苯撐硅橡膠；所述的助硫化劑為三烯丙基氰脲酸酯。實(shí)施例2
一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，包括以下按照重量份數(shù)計(jì)的原料組分
硅橡膠100份
導(dǎo)電炭黑40份
白炭黑50份
過氧化二異丙苯2. 5份
助硫化劑3. O份
二苯基娃二醇15份
硬脂酸2. O份
氧化鋅6份
二氧化二鐵5份；
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠或者苯撐硅橡膠；所述的助硫化劑為三烯丙基氰脲酸酯。實(shí)施例3
一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，包括以下按照重量份數(shù)計(jì)的原料組分 硅橡膠100份
導(dǎo)電炭黑30份
白炭黑45份過氧化二異丙苯I. 75份
助硫化劑2. 5份
二苯基娃二醇10份
硬脂酸I. 5份
氧化鋅5份 三氧化二鐵3. 5份；
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠或者苯撐硅橡膠；所述的助硫化劑為三烯丙基氰脲酸酯。實(shí)施例4
一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，包括以下按照重量份數(shù)計(jì)的原料組分
硅橡膠100份
導(dǎo)電炭黑33份
白炭黑41份
過氧化二異丙苯I. 8份
助硫化劑2. 7份
二苯基硅二醇12份
硬脂酸I. 2份
氧化鋅5. 6份
二氧化二鐵2. I份；
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠或者苯撐硅橡膠；所述的助硫化劑為三烯丙基氰脲酸酯。實(shí)施例5
在實(shí)施例1-4的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠。所述的導(dǎo)電炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%，比電阻為O. 35 Ω · cm, pH值為7. 4。所述的白炭黑為氣相法白炭黑，二氧化硅含量彡99%，pH值3. 7，吸油值3. 46cm3/g，比表面積350m2/g。實(shí)施例6
在實(shí)施例1-4的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠。所述的導(dǎo)電炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%，比電阻為O. 35 Ω · cm, pH值為7. 4。所述的白炭黑為氣相法白炭黑，二氧化硅含量彡99%，pH值4. 5，吸油值3. 60cm3/g，比表面積410m2/g。實(shí)施例7
在實(shí)施例1-4的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠。所述的導(dǎo)電炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%,比電阻為0.35 Ω · cm, pH值為7. 4。所述的白炭黑為氣相法白炭黑，二氧化硅含量彡99%，pH值4. 1，吸油值3. 53cm3/g，比表面積380m2/g。實(shí)施例8
在實(shí)施例1-4的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠。所述的導(dǎo)電炭黑的水分彡I. 75%，灰分彡I. 75%，比電阻為O. 35 Ω · cm, pH值為7. 4。所述的白炭黑為氣相法白炭黑，二氧化娃含量彡99%, pH值4,吸油值3. 5cmVg 比 表面積400m2/g。實(shí)施例9
一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，包括以下工藝步驟
A、稱料
按照配方稱取原料待用，將導(dǎo)電炭黑放入100°C的烘箱中加熱2h ；
B、混煉
依次向開煉機(jī)中加入硅橡膠、硬脂酸、氧化鋅、三氧化二鐵、導(dǎo)電炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和過氧化二異丙苯進(jìn)行混煉，過氧化二異丙苯加入后薄通4次即可下膠出片；

C、停放和返煉混煉后的膠片經(jīng)停放，然后在室溫下進(jìn)行返煉，返煉采用開煉機(jī)，待膠料變軟，表面光滑平整后，即可下膠出片。D、硫化
返煉后的膠片放入平板硫化機(jī)的模具中硫化得到硫化片；
E、檢測
硫化片至少放置16h后，進(jìn)行相關(guān)性能檢測。實(shí)施例10
一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，包括以下工藝步驟
A、稱料
按照配方稱取原料待用，將導(dǎo)電炭黑放入105°C的烘箱中加熱3h ；
B、混煉
依次向開煉機(jī)中加入硅橡膠、硬脂酸、氧化鋅、三氧化二鐵、導(dǎo)電炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和過氧化二異丙苯進(jìn)行混煉，過氧化二異丙苯加入后薄通5次即可下膠出片；

C、停放和返煉混煉后的膠片經(jīng)停放，然后在室溫下進(jìn)行返煉，返煉采用開煉機(jī)，待膠料變軟，表面光滑平整后，即可下膠出片。D、硫化
返煉后的膠片放入平板硫化機(jī)的模具中硫化得到硫化片；
E、檢測硫化片至少放置16h后，進(jìn)行相關(guān)性能檢測。實(shí)施例11
一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，包括以下工藝步驟
A、稱料
按照配方稱取原料待用，將導(dǎo)電炭黑放入101°C的烘箱中加熱2. 5h ；
B、混煉
依次向開煉機(jī)中加入硅橡膠、硬脂酸、氧化鋅、三氧化二鐵、導(dǎo)電炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和過氧化二異丙苯進(jìn)行混煉，過氧化二異丙苯加入后薄通4次即可下膠出片；

C、停放和返煉混煉后的膠片經(jīng)停放，然后在室溫下進(jìn)行返煉，返煉采用開煉機(jī)，待膠料變軟，表面光滑平整后，即可下膠出片。D、硫化
返煉后的膠片放入平板硫化機(jī)的模具中硫化得到硫化片；
E、檢測
硫化片至少放置16h后，進(jìn)行相關(guān)性能檢測。實(shí)施例12
一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，包括以下工藝步驟
A、稱料
按照配方稱取原料待用，將導(dǎo)電炭黑放入104°C的烘箱中加熱2. 75h ；
B、混煉
依次向開煉機(jī)中加入硅橡膠、硬脂酸、氧化鋅、三氧化二鐵、導(dǎo)電炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和過氧化二異丙苯進(jìn)行混煉，過氧化二異丙苯加入后薄通5次即可下膠出片；

C、停放和返煉混煉后的膠片經(jīng)停放，然后在室溫下進(jìn)行返煉，返煉采用開煉機(jī)，待膠料變軟，表面光滑平整后，即可下膠出片。D、硫化
返煉后的膠片放入平板硫化機(jī)的模具中硫化得到硫化片；
E、檢測
硫化片至少放置16h后，進(jìn)行相關(guān)性能檢測。實(shí)施例13
在實(shí)施例9-12的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
在步驟B中，所述的開煉機(jī)的輥筒速比為I: I. 35。在步驟B中，所述的混煉的溫度為20 V。在步驟C中，所述的停放時(shí)間為24小時(shí)。在步驟C中，在所述的下膠出片前，混煉膠在開煉機(jī)上過輥4次，每次過輥后沿混煉膠縱向?qū)φ?，并讓膠片總以同一方向過輥，調(diào)整輥距使壓出膠片的厚度為2. Omm左右。在步驟D中，所述的硫化的溫度為160°C，硫化時(shí)間為13min，硫化期間保持模腔壓力為 3. 5MPa。實(shí)施例14
在實(shí)施例9-12的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
在步驟B中，所述的開煉機(jī)的輥筒速比為1:1.4。在步驟B中，所述的混煉的溫度為390C。 在步驟C中，所述的停放時(shí)間為36小時(shí)。在步驟C中，在所述的下膠出片前，混煉膠在開煉機(jī)上過輥4次，每次過輥后沿混煉膠縱向?qū)φ?，并讓膠片總以同一方向過輥，調(diào)整輥距使壓出膠片的厚度為2. 5mm左右。在步驟D中，所述的硫化的溫度為165°C，硫化時(shí)間為15min，硫化期間保持模腔壓力為5MPa。實(shí)施例15
在實(shí)施例9-12的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
在步驟B中，所述的開煉機(jī)的輥筒速比為I: I. 38。在步驟B中，所述的混煉的溫度為30 V。在步驟C中，所述的停放時(shí)間為30小時(shí)。在步驟C中，在所述的下膠出片前，混煉膠在開煉機(jī)上過輥4次，每次過輥后沿混煉膠縱向?qū)φ郏⒆屇z片總以同一方向過輥，調(diào)整輥距使壓出膠片的厚度為2. 25mm左右。在步驟D中，所述的硫化的溫度為162°C，硫化時(shí)間為14min，硫化期間保持模腔壓力為4MPa。實(shí)施例16
在實(shí)施例9-12的基礎(chǔ)上，優(yōu)選的
在步驟B中，所述的開煉機(jī)的輥筒速比為I: I. 36。在步驟B中，所述的混煉的溫度為35 V。在步驟C中，所述的停放時(shí)間為35小時(shí)。在步驟C中，在所述的下膠出片前，混煉膠在開煉機(jī)上過輥4次，每次過輥后沿混煉膠縱向?qū)φ?，并讓膠片總以同一方向過輥，調(diào)整輥距使壓出膠片的厚度為2. Imm左右。在步驟D中，所述的硫化的溫度為164°C，硫化時(shí)間為14. 5min，硫化期間保持模腔壓力為4. 5MPa。實(shí)施例17
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備包括以下步驟
I、稱料。稱取所述硅橡膠100份，導(dǎo)電炭黑20 40份，白炭黑40 50份，硫化劑
I.O 2. 5份，硫化助劑2. O 3. O份，二苯基硅二醇5 15份，硬脂酸I. O 2. O份，氧化鋅4 6份，三氧化二鐵2 5份待用。要求硫化劑的稱量應(yīng)精確至O. 02g,其它各組分的稱量應(yīng)精確至±1%。導(dǎo)電炭黑在稱量之前要進(jìn)行調(diào)節(jié)，即將導(dǎo)電炭黑放入105±5°C的烘箱中加熱2h。在調(diào)節(jié)過程中，導(dǎo)電炭黑應(yīng)放置在一個(gè)開放的尺寸適宜的容器中，以使其堆積厚度不超過10mm。2、混煉。優(yōu)先選用輥筒速比I: I. 35的開煉機(jī)，輥筒必須通有冷卻水，混煉溫度宜在40°C以下，以防止焦燒或硫化劑的揮發(fā)損失。加料順利依次為硅橡膠、小料、導(dǎo)電炭黑、氣相白炭黑、二苯基硅二醇、硫化劑和硫化助劑。硫化劑和硫化助劑加入后薄通五次即可下膠出片。由于硅橡膠比較軟，薄通時(shí)不能象普通橡膠那樣拉下薄片，須采用鋼、尼龍或耐磨塑料刮刀刮下。3、停放和返煉?；鞜捄蟮哪z片應(yīng)經(jīng)過一段時(shí)間的停放(一般不少于24小時(shí))，使各種配合劑(特別是結(jié)構(gòu)控制劑)能與生膠充分發(fā)生作用。經(jīng)停放后，膠料變硬，塑性降低，使用前必須進(jìn)行返煉。返煉采用開煉機(jī)，待膠料變軟，表面光滑平整后，即可下膠出片。下膠前，混煉膠要在開煉機(jī)上過輥四次，每次過輥后沿混煉膠縱向?qū)φ?，并讓膠片總以同一方向過輥以獲得壓延效應(yīng)。調(diào)整輥距使壓出膠片的厚度為2. 5mm左右，以用于制備啞鈴片試樣。返煉應(yīng)在室溫下進(jìn)行，溫度較高則膠料發(fā)粘容易粘輥。4、硫化。返煉后的膠片可直接用于硫化壓片，裁剪適宜大小的膠片放入平板硫化機(jī)的模具中硫化。硫化條件為160°C，15min，硫化期間保持模腔壓力不小于3. 5MPa。5、檢測。硫化片至少放置16h后，方可進(jìn)行相關(guān)性能檢測。
實(shí)施例18
檢測組配方見表I所示，制備方法見上述制備步驟。表I檢測組配方
權(quán)利要求
1.一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，其特征在于包括以下按照重量份數(shù)計(jì)的原料組分硅橡膠100份 導(dǎo)電炭黑20 40份 白炭黑40 50份 過氧化二異丙苯I. O 2. 5份 助硫化劑2. O 3. O份 二苯基娃二醇5 15份 硬脂酸I. O 2. O份氧化鋅4 6份 三氧化二鐵2 5份； 所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠或者苯撐硅橡膠；所述的助硫化劑為三烯丙基氰脲酸酯。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，其特征在于所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，其特征在于所述的導(dǎo)電炭黑的水分≤I. 75%，灰分≤I. 75%，比電阻為O. 35Ω · cm, pH值為7. 4。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種電纜用耐輻射半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料，其特征在于所述的白炭黑為氣相法白炭黑，二氧化硅含量≥99%，pH值3. 7 4. 5，吸油值3. 46 3.60cm3/g,比表面積 350 410m2/g。
5.一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，其特征在于包括以下工藝步驟 A、稱料 按照配方稱取原料待用，將導(dǎo)電炭黑放入100 105°C的烘箱中加熱2 3h ; B、混煉 依次向開煉機(jī)中加入硅橡膠、硬脂酸、氧化鋅、三氧化二鐵、導(dǎo)電炭黑、白炭黑、二苯基硅二醇、三烯丙基氰脲酸酯和過氧化二異丙苯進(jìn)行混煉，過氧化二異丙苯加入后薄通4 5次即可下膠出片； C、停放和返煉 混煉后的膠片經(jīng)停放，然后在室溫下進(jìn)行返煉，返煉采用開煉機(jī)，待膠料變軟，表面光滑平整后，即可下膠出片； D、硫化 返煉后的膠片放入平板硫化機(jī)的模具中硫化得到硫化片； E、檢測 硫化片至少放置16h后，進(jìn)行相關(guān)性能檢測。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，其特征在于在步驟B中，所述的開煉機(jī)的輥筒速比為I: I. 35 1:1.4。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，其特征在于在步驟B中，所述的混煉的溫度為40°C以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，其特征在于在步驟C中，所述的停放時(shí)間為24 36小時(shí)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，其特征在于在步驟C中，在所述的下膠出片前，混煉膠在開煉機(jī)上過輥4次，每次過輥后沿混煉膠縱向?qū)φ郏⒆屇z片總以同一方向過輥，調(diào)整輥距使壓出膠片的厚度為2. O 2. 5_左右。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種電纜用耐輻射型半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料的制備方法，其特征在于在步驟D中，所述的硫化的溫度為160 165°C，硫化時(shí)間為13 15min，硫化期間保持模腔壓力不小于3. 5MPa。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種耐輻射電纜用半導(dǎo)電硅橡膠屏蔽材料及其制備方法，屬于電纜屏蔽材料技術(shù)領(lǐng)域。包括以下按照重量份數(shù)計(jì)的原料組分硅橡膠100份、導(dǎo)電炭黑20～40份、白炭黑40～50份、過氧化二異丙苯1.0～2.5份、助硫化劑2.0～3.0份、二苯基硅二醇5～15份、硬脂酸1.0～2.0份、氧化鋅4～6份、三氧化二鐵2～5份；所述的硅橡膠為苯醚撐硅橡膠或者苯撐硅橡膠；所述的助硫化劑為三烯丙基氰脲酸酯。本發(fā)明的硅橡膠屏蔽材料耐輻射性能好，用作電線電纜屏蔽層時(shí)，可在輻射場合長時(shí)間發(fā)揮其規(guī)定功能。
文檔編號C08K5/09GK102964841SQ20121051188
公開日2013年3月13日 申請日期2012年12月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月4日
發(fā)明者張圣博, 李廣元, 沈盧東, 盛業(yè)武, 陳光高, 王娟, 陳超 申請人:四川明星電纜股份有限公司