專利名稱：透明導電性膜、其制造方法、電子裝置用部件及電子裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及透明導電性膜、其制造方法、包含該透明導電性膜的電子裝置用部件、以及具備該電子裝置用部件的電子裝置。
背景技術：
以往，已知有在由透明塑料形成的基板上具有透明導電體層的透明導電性膜。作為上述透明導電性膜的透明導電體層形成材料，主要使用了錫摻雜氧化銦(ITO)，但銦是稀有金屬，因此近年來提出了氧化鋅系導電材料作為代替ITO的透明導電材料。然而，氧化鋅系導電材料存在與ITO相比在高溫高濕度條件下薄層電阻值容易劣化這樣的問題。為了解決該問題，專利文獻I中公開了，在塑料基材上設置的硬涂層上，形成了摻雜有硅的氧化鋅皮膜的透明導電體。然而，對于這樣的透明導電體，有時導電材料的結晶性降低而損害導電性。專利文獻2中公開了具有通過含有相對于鋅為特定量的鎵等來提高耐熱性的透明導電膜的透明發(fā)熱體。然而，在形成該透明發(fā)熱體的透明導電膜時，存在必須使鋅以特殊的條件含有鎵，制造條件受到限制這樣的問題。專利文獻3中提出了通過設置增加了氧化度的耐熱導電性層來提高耐熱性的帶有透明導電膜的基板。然而，未能控制高溫高濕度環(huán)境下的薄層電阻值。此外，非專利文獻I中記載了，在氧化鎵-氧化鋅系透明導電體中，通過使氧化鎵的摻雜量非常多，并且使厚度為400nm，從而控制高溫高濕度環(huán)境下的薄層電阻值的技術。然而，該文獻所記載的方法中，由于將透明導電體成膜為400nm，因此生產(chǎn)性顯著差，此外摻雜的氧化鎵量非常多，從原材料的成本方面考慮也不現(xiàn)實。
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現(xiàn)有技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本特開平8-45352號公報 專利文獻2:日本特開平6-187833號公報 專利文獻3:日本特開2009-199812號公報 非專利文獻
非專利文獻 1: APPLIED PHYSICS LETTERS 89,091904(2006)。

發(fā)明內容
發(fā)明所要解決的課題
本發(fā)明是鑒于上述的以往技術而提出的，其目的是提供具有優(yōu)異的阻氣性和透明性，并且即使在高溫高濕度環(huán)境下薄層電阻值也低，耐彎折性和導電性優(yōu)異的透明導電性膜、其制造方法、包含該透明導電性膜的電子裝置用部件、以及具備該電子裝置用部件的電子
>J-U ρ α裝直。用于解決課題的手段本發(fā)明人等為了解決上述課題而進行了深入研究，結果發(fā)現(xiàn)下述透明導電性膜具有優(yōu)異的阻氣性和透明性，此外，即使在高溫高濕度環(huán)境下薄層電阻值也低，導電性優(yōu)異，所述透明導電性膜是具有基材層、阻氣層和透明導電體層的透明導電性膜，上述阻氣層由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料構成，并具有下述區(qū)域(A)，所述區(qū)域(A)從表面向著深度方向，層中的氧原子的存在比例逐漸減少，碳原子的存在比例逐漸增加，上述區(qū)域(A)具有以特定的比例包含氧原子、碳原子和硅原子的至少2種部分區(qū)域。此外發(fā)現(xiàn)，這樣的透明導電性膜的阻氣層可以通過向包含聚硅烷化合物的層注入離子來簡便并且高效率地形成，從而完成本發(fā)明。這樣，根據(jù)本發(fā)明，可提供下述⑴ (9)的透明導電性膜、(10) (12)的透明導電性膜的制造方法、(13)的電子裝置用部件、和(14)的電子裝置。(I) 一種透明導電性膜，其特征在于，其為具有基材層、阻氣層和透明導電體層的透明導電性膜，
所述阻氣層由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料構成，并具有下述區(qū)域(A)，所述區(qū)域(A)從表面向著深 度方向，層中的氧原子的存在比例逐漸減少，碳原子的存在比例逐漸增加，
所述區(qū)域(A)包含相對于氧原子、碳原子和硅原子的總存在量，氧原子的存在比例為20 55%、碳原子的存在比例為25 70%、硅原子的存在比例為5 20%的部分區(qū)域(Al)，和氧原子的存在比例為I 15%、碳原子的存在比例為72 87%、硅原子的存在比例為7 18%的部分區(qū)域(A2)。(2)根據(jù)⑴所述的透明導電性膜，其特征在于，所述區(qū)域㈧在包含聚硅烷化合物的層的表層部形成。(3) 一種透明導電性膜，其特征在于，其為具有基材層、阻氣層和透明導電體層的透明導電性膜，
所述阻氣層具有向包含聚硅烷化合物的層注入離子而得到的層。(4)根據(jù)⑵或(3)所述的透明導電性膜，其特征在于，所述聚硅烷化合物為包含下述式(I)所示的重復單元的化合物。
權利要求
1.透明導電性膜，其特征在于，其為具有基材層、阻氣層和透明導電體層的透明導電性膜， 所述阻氣層由至少包含氧原子、碳原子和硅原子的材料構成，并具有下述區(qū)域(A)，所述區(qū)域(A)從表面向著深度方向，層中的氧原子的存在比例逐漸減少，碳原子的存在比例逐漸增加， 所述區(qū)域(A)包含相對于氧原子、碳原子和硅原子的總存在量，氧原子的存在比例為20 55%、碳原子的存在比例為25 70%、硅原子的存在比例為5 20%的部分區(qū)域(Al)，和氧原子的存在比例為I 15%、碳原子的存在比例為72 87%、硅原子的存在比例為7 18%的部分區(qū)域(A2)。
2.根據(jù)權利要求1所述的透明導電性膜，其特征在于，所述區(qū)域(A)在包含聚硅烷化合物的層的表層部形成。
3.透明導電性膜，其特征在于，其為具有基材層、阻氣層和透明導電體層的透明導電性膜， 所述阻氣層具有向包含聚硅烷化合物的層注入離子而得到的離子注入層。
4.根據(jù)權利要求2或3所述的透明導電性膜，其特征在于，所述聚硅烷化合物為包含下述式(I)所示的重復單元的化合物，
5.根據(jù)權利要求3所述的透明導電性膜，其特征在于，所述阻氣層離子注入層為通過等離子體離子注入法向包含聚硅烷化合物的層注入離子而得到的層。
6.根據(jù)權利要求3所述的透明導電性膜，其特征在于，所述離子是選自氫、氮、氧、氬、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烴中的至少一種氣體被離子化而成的。
7.根據(jù)權利要求1或3所述的透明導電性膜，所述透明導電體層由導電性金屬氧化物形成。
8.根據(jù)權利要求7所述的透明導電性膜，其特征在于，所述導電性金屬氧化物為鋅系氧化物。
9.根據(jù)權利要求1或3所述的透明導電性膜，其特征在于，在40°C、相對濕度90%氣氛下的水蒸氣透過率為小于0.5g/m2/天。
10.透明導電性膜的制造方法，其為權利要求2 9中任一項所述的透明導電性膜的制造方法，其具有下述工序:向表面部具有包含聚硅烷化合物的層的成型物的、所述包含聚硅烷化合物的層，注入離子而形成離子注入層。
11.根據(jù)權利要求10所述的透明導電性膜的制造方法，其特征在于，在注入離子而形成離子注入層的工序中，所述離子是選自氫、氧、氮、氬、氦、氙、氪、硅化合物和烴中的至少一種氣體被離子化而成的。
12.根據(jù)權利要求10所述的透明導電性膜的制造方法，其特征在于，注入離子而形成離子注入層的工序為通過等離子體離子注入法注入離子而形成離子注入層的工序。
13.電子裝置用部件，其包含權利要求1 9中任一項所述的透明導電性膜。
14.電子裝置，其具備權利要求13所述的電子裝置用部件。
全文摘要
本發(fā)明是透明導電性膜等，所述透明導電性膜是具有基材層、阻氣層和透明導電體層的透明導電性膜，上述阻氣層由至少包含氧O原子、碳C原子和硅Si原子的材料構成，并具有下述區(qū)域(A)，所述區(qū)域(A)從表面向著深度方向，層中的氧O原子的存在比例逐漸減少，碳C原子的存在比例逐漸增加，上述區(qū)域(A)包含相對于氧O原子、碳C原子和硅Si原子的總存在量，氧O原子的存在比例為20～55%、碳C原子的存在比例為25～70%、硅Si原子的存在比例為5～20%的部分區(qū)域(A1)，和氧O原子的存在比例為1～15%、碳C原子的存在比例為72～87%、硅Si原子的存在比例為7～18%的部分區(qū)域(A2)。
文檔編號C08J7/00GK103249859SQ20118004969
公開日2013年8月14日 申請日期2011年10月13日 優(yōu)先權日2010年10月15日
發(fā)明者永元公市, 近藤健, 永繩智史, 鈴木悠太 申請人:琳得科株式會社