專利名稱：層壓結構體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及層壓結構體。
背景技術：
為了提高含有層壓結構體的電致發(fā)光元件或光電轉換元件的特性，對在電致 發(fā)光元件的發(fā)光層與電極之間或光電轉換元件的電荷分離層與電極之間插入各種層進 行了研究。例如已知在發(fā)光層與電極之間具有包含非共軛高分子化合物的層的電致發(fā) 光元件，所述非共軛高分子化合物含有具有陽離子和2個雜原子的取代基(日本特表 2003-530676 號公報)。

發(fā)明內容
但是，上述電致發(fā)光元件的亮度還不充分。本發(fā)明的目的在于，提供可以提供以高亮度發(fā)光的電致發(fā)光元件的層壓結構 體。S卩，本發(fā)明第一提供層壓結構體，該層壓結構體具有第一電極和第二電極，在 該第一電極與該第二電極之間具有發(fā)光層或電荷分離層，在該發(fā)光層或電荷分離層與該 第一電極之間具有包含共軛高分子化合物的層，該共軛高分子化合物具有選自式(1)所 示的重復單元、式(3)所示的重復單元和式(5)所示的重復單元中的1種以上重復單元，
權利要求
1.層壓結構體，具有第一電極和第二電極，在該第一電極與該第二電極之間具有發(fā) 光層或電荷分離層，在該發(fā)光層或電荷分離層與該第一電極之間具有包含共軛高分子化 合物的層，該共軛高分子化合物具有選自式(1)所示的重復單元、式(3)所示的重復單元 和式(5)所示的重復單元中的1種以上重復單元，
2.如權利要求1所述的層壓結構體，其中，Ar1所示的二價芳基為從式1 6、式8、 式14、式27、式28、式38或式42所示的環(huán)除去2個氫原子而得到的基團，
3.如權利要求2所述的層壓結構體，其中，Ar1所示的二價芳基為從式1、式38或式 42所示的環(huán)除去2個氫原子而得到的基團。
4.如權利要求1所述的層壓結構體，其中，Ar2所示的二價芳基為從式1 6、式8、 式14、式27、式28、式38或式42所示的環(huán)除去2個氫原子而得到的基團，
5.如權利要求4所述的層壓結構體，其中，Ar2所示的二價芳基為從式1、式38或式 42所示的環(huán)除去2個氫原子而得到的基團。
6.如權利要求1所述的層壓結構體，其中，Ar3所示的二價芳基為從式1 6、式8、 式14、式27、式28、式38或式42所示的環(huán)除去2個氫原子而得到的基團，
7.如權利要求6所述的層壓結構體，其中，Ar3所示的二價芳基為從式1、式38或式 42所示的環(huán)除去2個氫原子而得到的基團。
8.如權利要求3所述的層壓結構體，其中，式(1)所示的重復單元為式(15)所示的重復單元，
9.如權利要求5所述的層壓結構體，其中，式(3)所示的重復單元為式(16)所示的 重復單元，
10.如權利要求7所述的層壓結構體，其中，式(5)所示的重復單元為式(17)所示的 重復單元，
11.如權利要求1 10中任意一項所述的層壓結構體，其中，共軛高分子化合物為進 一步具有式(20)所示的重復單元的共軛高分子化合物，
12.如權利要求1 11中任意一項所述的層壓結構體，其中，共軛高分子化合物中的 式(1)所示的重復單元、式(3)所示的重復單元和式(5)所示的重復單元的個數的總計， 在該共軛高分子化合物具有的全部重復單元的個數的總計為100摩爾時，為15 100摩 爾ο
13.如權利要求1 12中任意一項所述的層壓結構體，其中，共軛高分子化合物的數 均分子量為5 X IO3 5 X IO6。
14.如權利要求1 13中任意一項所述的層壓結構體，其中，共軛高分子化合物的最 低未占據分子軌道(LUMO)的軌道能量為_5.0eV _2.0eV。
15.如權利要求1 14中任意一項所述的層壓結構體，其中，共軛高分子化合物的最 高占據分子軌道(HOMO)的軌道能量為_6.0eV _3.0eV。
16.如權利要求1 15中任意一項所述的層壓結構體，其中，第一電極為陰極。
17.層壓體結構體，其具有第一電極和第二電極，在該第一電極與該第二電極之間具 有發(fā)光層或電荷分離層，在該發(fā)光層或電荷分離層與該第一電極之間具有包含不溶于溶 解度參數小于9.3的溶劑的共軛高分子化合物的層。
18.電致發(fā)光元件，含有權利要求1 17中任意一項所述的層壓結構體。
19.光電轉換元件，含有權利要求1 17中任意一項所述的層壓結構體。
20.含有式(15)所示的重復單元的共軛高分子化合物，
21.含有式(16)所示的重復單元的共軛高分子化合物，
22.含有式(17)所示的重復單元的共軛高分子化合物，
23.如權利要求20 22中任意一項所述的共軛高分子化合物，進一步具有式(20)所示的重復單元，
24.如權利要求20或23所述的共軛高分子化合物，其中，共軛高分子化合物中的式(15)所示的重復單元的個數的總計，在該共軛高分子化合物具有的全部重復單元的個數 的總計為100摩爾時，為15 100摩爾。
25.如權利要求21或23所述的共軛高分子化合物，其中，共軛高分子化合物中的式(16)所示的重復單元的個數的總計，在該共軛高分子化合物具有的全部重復單元的個數 的總計為100摩爾時，為15 100摩爾。
26.如權利要求22或23所述的共軛高分子化合物，其中，共軛高分子化合物中的式(17)所示的重復單元的個數的總計，在該共軛高分子化合物具有的全部重復單元的個數 的總計為100摩爾時，為15 100摩爾。
27.如權利要求20 26中任意一項所述的共軛高分子化合物，其中，數均分子量為 5X103 IXlO8。
28.如權利要求20 27中任意一項所述的共軛高分子化合物，其中，最低未占據分 子軌道(LUMO)的軌道能量為_5.0eV _2.0eV。
29.如權利要求20 28中任意一項所述的共軛高分子化合物，其中，最高占據分子 軌道(HOMO)的軌道能量為_6.0eV -3.0eV。
全文摘要
層壓結構體，該層壓結構體具有第一電極和第二電極，在該第一電極與該第二電極之間具有發(fā)光層或電荷分離層，在該發(fā)光層或電荷分離層與該第一電極之間具有包含共軛高分子化合物的層，該共軛高分子化合物具有選自式(1)所示的重復單元中的重復單元，(1)(式中，Ar1表示二價芳基，R1表示含有式(2)所示的基團的取代基，該Ar1可以具有R1以外的取代基，n1表示1以上的整數)-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)a1(Z1)b1(2)(式中，R2表示可以具有取代基的二價芳基，Q1表示可以具有取代基的二價有機基團，Y1表示碳陽離子、銨陽離子、膦?；栯x子或磺?；栯x子，M1表示F-、Cl-、Br-、I-、OH-、RaSO3-、RaCOO-、ClO-、ClO2-、ClO3-、ClO4-、SCN-、CN-、NO3-、SO42-、HSO4-、PO43-、HPO42-、H2PO4-、BF4-或PF6-，Z1表示金屬離子或可以具有取代基的銨離子，c1表示0或1，n2表示0以上的整數，其中，c1為0時n2為0，a1表示1以上的整數，b1表示0以上的整數，選擇a1和b1以使式(2)所示的取代基的電荷為0，Ra表示可以具有取代基的碳原子數為1～30的烷基或可以具有取代基的碳原子數為6～50的芳基)。-(R2)c1-(Q1)n2-Y1(M1)m1(Z1)b1(2)。
文檔編號C08G61/02GK102017219SQ20098011629
公開日2011年4月13日 申請日期2009年3月5日 優(yōu)先權日2008年3月7日
發(fā)明者東村秀之, 山內掌吾, 田中健太, 田中正信 申請人:住友化學株式會社