專利名稱：：包含聚硼硅氧烷的光學半導體元件封裝用樹脂的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種包含聚硼硅氧垸的光學半導體元件封裝用樹脂；和涉及一種用該樹脂封裝的光學半導體裝置。
背景技術(shù)：
：最近，發(fā)光二極管(LED)用作低功耗、長壽命、小尺寸和輕質(zhì)光源的需求已經(jīng)增加，例如LED已經(jīng)廣泛地用于液晶屏的背光源、交通信號燈、室外大顯示屏、廣告標志牌等。此外，除了紅、綠、藍三原色的LED之外，白色LED目前已經(jīng)得到了發(fā)展，并且從節(jié)能和降低環(huán)境負擔的觀點來看，強烈期望其作為取代電燈泡或熒光燈的下一代光源。作為一種支承LED性能的重要的周邊材料，封裝材料起到密封和保護LED的作用，從而使得LED的性能不發(fā)生劣化。傳統(tǒng)上，環(huán)氧樹脂已經(jīng)廣泛地用作封裝材料，并且JP-A-2006-274249報道了包含特定組分的環(huán)氧樹脂組合物具有優(yōu)良的抗光劣化(photodeterioration)性。除了環(huán)氧樹脂以外，還公開了利用具有優(yōu)良耐光性和耐熱性的有機硅樹脂封裝高輸出或藍色和白色LED的技術(shù)(見JP-A-2006-202952)。另一方面，對于有機硅樹脂，已知有一種聚硼硅氧垸樹脂，其具有這樣的化學結(jié)構(gòu)有機硅的部分硅原子由硼原子取代。因為聚硼硅氧烷樹脂具有優(yōu)良的耐熱性，其被用作對耐熱性有要求的電線的絕緣涂層薄膜。JP-A-10-152561報道了通過特定硅化合物的兩階段的反應(yīng)獲得具有耐熱性和抗?jié)裥缘木叟鸸柩踣Ｈ欢?，由于環(huán)氧樹脂作為封裝材料不具有足夠的耐熱性，隨著LED的發(fā)光效率和光通量的增加，越來越多地使用更大的電流，這引起了樹脂劣化的問題。具體地講，在環(huán)氧樹脂用于封裝高輸出LED的情況下，由于LED芯片中產(chǎn)生的熱量，環(huán)氧樹脂變成黃色以至于引起發(fā)光亮度降低的問題。此外，在環(huán)氧樹脂用于封裝藍色或白色LED的情況下，會引起這樣的問題即環(huán)氧樹脂暴露于具有較大能量的短波長光(例如，波長為350-500nm的光)會引起光降解，由此變黃現(xiàn)象發(fā)生得更為嚴重。此外，有機硅樹脂雖然具有優(yōu)良的耐熱性，但是合成比較麻煩和復雜，并且原材料本身成本較高，以至于引起產(chǎn)品不能以低成本提供的問題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種光學半導體元件封裝用樹脂，其包含在耐熱性、透明度和耐光性方面都很優(yōu)秀的聚硼硅氧烷；和提供一種用該樹脂封裝的光學半導體裝置。作為為達到上述目的而進行廣泛研究的結(jié)果，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)聚硼硅氧烷樹脂在透明度、耐光性以及耐熱性方面都很優(yōu)秀，并且也可以達到LED的長的工作壽命，因此完成了本發(fā)明。即本發(fā)明涉及如下。(1)一種光學半導體元件封裝用樹脂，其包含通過使硅化合物與硼化合物反應(yīng)而獲得的聚硼硅氧烷。(2)根據(jù)(1)的樹脂，其中硅化合物為由下式(I)表示的雙官能硅化合物和由下式(II)表示的三官能硅化合物中的至少一種<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中Ri和W各自獨立地代表烷基、環(huán)烷基、烯基、炔基或芳基:乂1和乂2各自獨立地代表烷氧基、羥基或鹵素原子；其中RMt表垸基、環(huán)烷基、烯基、炔基或芳基，X3、XA和^各自獨立地代表烷氧基、羥基或鹵素原子。。)根據(jù)(i)的樹脂，其中硼化合物是由下式(in)表示的硼酸化合物或硼酸酯化合物<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage6</formula>0(III)1Y2其中Y1、￥2和ys各自獨立地代表氫原子或烷基。(4)一種光學半導體裝置，其包含根據(jù)(l)的樹脂和用該樹脂封裝的光學半導體元件。(5)根據(jù)(4)的光學半導體裝置，其為發(fā)光二極管裝置。根據(jù)本發(fā)明的光學半導體元件封裝用樹脂顯示出良好的優(yōu)點，即在耐熱性、透明度和耐光性方面都很優(yōu)秀。因此，使用該樹脂封裝的光學半導體裝置可以達到長的工作壽命。根據(jù)本發(fā)明的包含聚硼硅氧垸的樹脂可適合作為用于封裝光學半導體元件的材料，該光學半導體元件用于液晶屏的背光源、交通信號燈、室外大顯示屏、廣告標志牌等。圖1為在封裝處理前LED裝置的基板的剖視圖。圖2為在封裝處理后LED裝置的基板的剖視圖。附圖數(shù)字和標記的說明1光學半導體元件2基板3反射器4光學半導體元件封裝用樹脂具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的光學半導體元件封裝用樹脂包含通過使硅化合物與硼化合物反應(yīng)而獲得的聚硼硅氧烷。對于硅化合物，可提及的有與迄今在聚硅氧烷、聚硼硅氧烷等的制備中使用的那些相同的硅化合物，特別地，雙官能或三官能硅化合物是優(yōu)選的。對于雙官能硅化合物，由下式(I)表示的化合物是合適的<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(I)2其中W和W各自獨立地代表垸基、環(huán)垸基、烯基、炔基或芳基,并且X!和XZ各自獨立地代表垸氧基、羥基或鹵素原子。式(I)中的Ri和W各自獨立地代表烷基、環(huán)垸基、烯基、炔基或芳基，各官能團的碳原子數(shù)優(yōu)選為1-18、更優(yōu)選為1-12、進一步優(yōu)選為1-6。具體地講，其實例包括烷基，例如甲基、乙基、丙基和異丙基；環(huán)烷基，例如環(huán)戊基、環(huán)己基和降冰片基；烯基，例如乙烯基和烯丙基；炔基，例如乙炔基和丙炔基；和芳基，例如苯基、甲苯基和萘基。這些基團中，烷基和芳基是優(yōu)選的，并且優(yōu)選W和I^各自獨立地為甲基或苯基。式(I)中的X'和XZ各自獨立地代表烷氧基、羥基或鹵素原子，并且垸氧基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1-4、更優(yōu)選為1-2。具體地講，其實例包括甲氧基和乙氧基。此外，對于鹵素原子，優(yōu)選氯原子和溴原子，并且更優(yōu)選氯原子。對于由式(I)表示的雙官能硅化合物，可提及的有二苯基二甲氧基硅烷，二甲基二甲氧基硅烷，二苯基二羥基硅烷，二甲基二乙氧基硅烷，二苯基二乙氧基硅烷，二乙基二甲氧基硅烷，二乙基二乙氧基硅烷，二異丙基二甲氧基硅烷，二異丙基二乙氧基硅烷，甲基苯基二甲氧基硅烷，甲基苯基二乙氧基硅烷，二甲基二氯硅垸，二苯基二氯硅烷，二乙基二氯硅烷，二異丙基二氯硅垸，甲基苯基二氯硅垸等，并且它們可單獨使用或者兩種或多種組合使用。這些雙官能硅化合物中，優(yōu)選的是二甲基二甲氧基硅烷(其中Ri和RS各自為甲基，X'和xa各自為甲氧基)和二苯基二甲氧基硅垸(其中R"和W各自為苯基，X1和乂2各自為甲氧基)。對于三官能硅化合物，由下式(II)表示的化合物是合適的R3X5——Si~X3(II)X4其中RS代表垸基、環(huán)烷基、烯基、炔基或芳基，X3、乂4和乂5各自獨立地代表烷氧基、羥基或鹵素原子。式(II)中的w代表垸基、環(huán)烷基、烯基、炔基或芳基，并且各官能團的碳原子數(shù)優(yōu)選為1-18、更優(yōu)選為1-12、進一步優(yōu)選為1-6。對于這種官能團，可提及與作為式(I)中W和f的具體例子提及的那些相同的官能團。這些基團中，RS優(yōu)選為垸基或芳基，并且更優(yōu)選為甲基或苯基o式(n)中的x3、乂4和xs各自獨立地代表垸氧基、羥基或鹵素原子，并且垸氧基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1-4、更優(yōu)選為1-2。具體地講，可提及的烷氧基與作為式(l)中X'和乂2提及的烷氧基相同。此外，對于鹵素原子，優(yōu)選氯原子和溴原子，并且更優(yōu)選氯原子。對于由式(II)表示的三官能硅化合物，可提及苯基三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三氯硅垸、苯基三氯硅垸、苯基三乙氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅垸、乙基三氯硅烷、異丙基三甲氧基硅烷、異丙基三氯硅垸等，并且它們可單獨使用或者兩種或多種組合使用。這些三官能硅化合物中，優(yōu)選的是甲基三甲氧基硅烷(其中RS為甲基，X3、乂4和XS各自為甲氧基)和苯基三甲氧基硅烷(其中W為苯基，X3、乂4和乂5各自為甲氧基)。此外，在不損害本發(fā)明優(yōu)點的范圍內(nèi)，本發(fā)明的封裝用樹脂可包含與由式(I)表示的雙官能硅化合物和由式(II)表示的三官能硅化合物不同的硅化合物。為了獲得作為本發(fā)明目的的耐熱性、透明度和耐光性，由式(i)表示的雙官能硅化合物和由式(n)表示的三官能硅化合物在用于反應(yīng)的硅化合物中的總含量優(yōu)選為30重量％以上、更優(yōu)選50重量％以上、進一步優(yōu)選60-100重量％以上。在使用由式(I)表示的雙官能硅化合物和由式(II)表示的三官能硅化合物的情況下，由式(I)表示的雙官能硅化合物與由式(II)表示的三官能硅化合物的重量比(雙官能硅化合物/三官能硅化合物)優(yōu)選為20/1-1/10、更優(yōu)選為5/1-1/2。此外，對于聚硼硅氧烷，因為其耐光性和透明度的變化取決于使用的原材料的官能團，式(i)中W和W的官能團和式(n)中W的官能團優(yōu)選滿足這樣的關(guān)系，即烷基與芳基的摩爾比(烷基/芳基)為100/0-5/95，并且更優(yōu)選為100/0-15/85。對于硼化合物，可提及的有與迄今在聚硼硅氧垸的制備中使用的那些相同的硼化合物。具體地講，優(yōu)選的是由下式(ni)表示的硼酸化合物或硼酸酯化合物<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中Y1、丫2和丫3各自獨立地代表氫原子或烷基。式(III)中烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1-12、更優(yōu)選為1-6、并且進一步優(yōu)選為1-3。其具體的例子包括甲基、乙基、丙基和異丙基。這些基團中，優(yōu)選的是乙基和異丙基，并且更優(yōu)選的是乙基。對于式(in)表示的化合物，可提及硼酸、硼酸甲酯、硼酸乙酯、硼酸異丙酯等，并且它們可單獨使用或者兩種或多種組合使用。這些化合物中，優(yōu)選的是硼酸、硼酸乙酯和硼酸異丙酯，并且更優(yōu)選的是硼酸和硼酸乙酯。硅化合物與硼化合物的縮聚反應(yīng)可在以下條件下進行例如，在60-20(TC的溫度，在惰性氣氛下以及無溶劑存在。在使用多種硅化合物的情況下，雖然多種硅化合物可同時進行反應(yīng)，但因為反應(yīng)的變化取決于化合物的官能團，所以各化合物可單獨進行反應(yīng)。硅化合物與硼化合物的總重量比(硅化合物/硼化合物)優(yōu)選為500/1-1/1、更優(yōu)選為100/1-2/1、進一步優(yōu)選為20/1-2/1、并且還進一步優(yōu)選為5/1-2/1。在硅化合物與硼化合物進行縮聚反應(yīng)后，副產(chǎn)品可通過蒸發(fā)除去，例如通過在100-20(TC下進行1-12小時的熱處理，然后在200-300。C下進行l(wèi)-24小時的熱處理。對于獲得的反應(yīng)產(chǎn)物，根據(jù)紅外吸收光譜的測量確定硅氧烷和硼硅氧烷的峰值特征位于1127+10、1075+10、868+30、718+5、697+15cm"處。從模壓性能和加工性能的觀點來看，本發(fā)明樹脂的軟化點優(yōu)選為50-300°C、更優(yōu)選為80-250°C。在本說明書中，所述軟化點根據(jù)在以下實施例中描述的方法進行測量。此外，從改善耐光性的觀點來看，本發(fā)明樹脂的透明度(在450nm的透過率)優(yōu)選為90%以上，并且更優(yōu)選為95%以上。在本說明書中，所述透明度(在450nm的透過率)根據(jù)在以下實施例中描述的方法進行測量。因為這樣獲得的包含聚硼硅氧烷的樹脂不僅具有優(yōu)良的耐熱性，而且也具有優(yōu)良的透明度和耐光性，其可適用于光學半導體元件封裝用樹脂，該光學半導體元件用于液晶屏的背光源、交通信號燈、室外大顯示屏、廣告顯示屏等。因此，本發(fā)明也提供了包含上述光學半導體元件封裝用樹脂和封裝在該樹脂中的光學半導體元件的光學半導體裝置。在本文中，光學半導體元件的實例包括發(fā)光二極管，因此光學半導體裝置可為發(fā)光二極管裝置等。因為本發(fā)明的光學半導體裝置包括具有本發(fā)明的聚硼硅氧垸的樹脂，所述聚硼硅氧垸作為光學半導體元件封裝用樹脂具有優(yōu)良的耐熱性、透明度和耐光性，從而該裝置可在較高的發(fā)光亮度狀態(tài)下維持很長的一段時間而不會發(fā)生封裝樹脂的劣化，因此該裝置適合被使用。實施例樹脂的紅外吸收光譜樹脂根據(jù)使用FTIR儀器(FTIR-470,由JASCO公司制造)的直接ATR方法進行測量。樹脂的軟化點將樹脂在熱板上慢慢加熱到25(TC，在視覺上觀察這種狀態(tài)，并且測定當樹脂變軟以至于顯示出輕微流動性時的溫度作為軟化點。樹脂的透明度(在450mn的透過率)將樹脂溶解到甲乙酮中，并且將該溶液施加到玻璃板上并在150°C下干燥1小時以形成薄膜(薄膜厚度50Mm)。使用分光光度計(U-4100，由日立高新技術(shù)公司(HitachiHigh-TechnologiesCorporation)制造)對獲得的樣品的透過率進行測量。實施例1(聚硼硅氧垸A)在氮氣氣氛下，將12.73g的二苯基二甲氧基硅垸和1.07g的硼酸在S(TC下攪拌并反應(yīng)12小時。一旦將獲得的無色透明液體冷卻到室溫后，向其中添加3.45g的苯基三甲氧基硅烷和1.07g的硼酸，再次將溫度升高到8(TC，并且將整體攪拌并反應(yīng)3小時。其后，將形成的無色透明液體在熱空氣干燥器中于15(TC下進行1小時的熱處理，并進一步于20(TC下進行3小時的熱處理，通過蒸發(fā)除去副產(chǎn)品，從而獲得11.3g的聚硼硅氧垸A。在對聚硼硅氧垸A進行紅外吸收光譜測量時，在1127、1075、868、718和697cm'1處觀察到峰。實施例2(聚硼硅氧烷B)在氮氣氣氛下，將S.00g的二苯基二甲氧基硅垸和0.68g的硼酸在8(TC下攪拌并反應(yīng)24小時。一旦將獲得的無色透明液體冷卻到室溫后，向其中添加1.48g的甲基三甲氧基硅垸和0.68g的硼酸，再次將溫度升高到8(TC，并且將整體攪拌并反應(yīng)24小時。其后，將形成的無色透明液體在熱空氣干燥器中于15(TC下進行1小時的熱處理，并進一步于200'C下進行3小時的熱處理，通過蒸發(fā)除去副產(chǎn)品，從而獲得6.5g的聚硼硅氧烷B。在對聚硼硅氧烷B進行紅外吸收光譜測量時，在1131、1081、879、719和697cm"處觀察到峰。實施例3(聚硼硅氧烷C)在氮氣氣氛下，將6.25g的二甲基二甲氧基硅垸和1.07g的硼酸在8(TC下攪拌并反應(yīng)6小時。一旦將獲得的無色透明液體冷卻到室溫后，向其中添加3.45g的苯基三甲氧基硅烷和1.07g的硼酸，再次將溫度升高到8(TC，并且將整體攪拌并反應(yīng)24小時。其后，將形成的無色透明液體在熱空氣干燥器中于15(TC下進行1小時的熱處理，并進一步于20(TC下進行3小時的熱處理，通過蒸發(fā)除去副產(chǎn)品，從而獲得4.1g的聚硼硅氧垸C。在對聚硼硅氧垸C迸行紅外吸收光譜測量時，在1133、1083、888、717和698cm—1處觀察到峰值。實施例4(聚硼硅氧烷D)在氮氣氣氛下，將6.03g的二甲基二甲氧基硅垸和1.04g的硼酸在8(TC下攪拌并反應(yīng)6小時。一旦將獲得的無色透明液體冷卻到室溫后，向其中添加2.28g的甲基三甲氧基硅垸和1.04g的硼酸，再次將溫度升高到80'C，并且將整體攪拌并反應(yīng)24小時。其后，將形成的無色透明液體在熱空氣干燥器中于150'C下進行1小時的熱處理，并進一步于20(TC下進行3小時的熱處理，通過蒸發(fā)除去副產(chǎn)品，從而獲得2.2g的聚硼硅氧垸D。在對聚硼硅氧垸D進行紅外吸收光譜測量時，在1125、1069、844、717和697cm"處觀察到峰值。實施例5(聚硼硅氧烷E)在氮氣氣氛下，將7.02g的二甲基二甲氧基硅烷和1.80g的硼酸在80。C下攪拌并反應(yīng)18小時。將獲得的無色透明液體在熱空氣干燥器中于15(TC下進行1小時的熱處理，并進一步于20(TC下進行3小時的熱處理，通過蒸發(fā)除去副產(chǎn)品，從而獲得L2g的聚硼硅氧垸E。在對聚硼硅氧烷E進行紅外吸收光譜測量時，在1130、1075、855、717和698cm"處觀察到峰值。對比例1(環(huán)氧樹脂A)將45重量份具有7500環(huán)氧當量并具有雙酚A骨架(skeleton)(BFA)(EP1256，由日本環(huán)氧樹脂株式會社(JapanEpoxyResinsCo.,Ltd.)制造)的環(huán)氧樹脂、33重量份具有260環(huán)氧當量并具有脂環(huán)族骨架(EHPE3150，由日本大賽璐化學工業(yè)株式會社(DaicelChemicalIndustries,Ltd.)制造)的環(huán)氧樹脂、22重量份的4-甲基六氫鄰苯二甲酸酐(MH-700，由新日本化學株式會社(NewJapanChemicalCo.,Ltd.)制造)和1.2重量份的2-甲基咪唑(2MZ，由四國化學工業(yè)株式會社(ShikokuChemicalsCorporation)制造)溶解到甲乙酮溶劑中使得濃度達到50重量％，從而獲得用于涂覆的溶液。將該溶液施加到雙軸取向的聚酯薄膜(50/mi，由三菱化工聚酯(MitsubishiChemicalPolyester)制造)上使得厚度達到100/rni,并且將整體在130'C下干燥2分鐘，從而獲得包含環(huán)氧樹脂的薄片。其后，在100'C下，將以相同的方式獲得的三塊薄片進行熱層壓從而獲得厚度為300/mi的環(huán)氧薄片(環(huán)氧樹脂A)。根據(jù)以下測試實施例1的方法對獲得的樹脂的特性進行了研究。結(jié)果在表1中示出。測試例1(耐熱性)在250'C下，將各實施例和對比例的樹脂在熱空氣干燥器中放置100小時。在經(jīng)過100小時后，從視覺上觀察樹脂的透明度，相對于存放前的狀態(tài)未觀察到變化的樹脂被評價為"良好"，相對于存儲前的狀態(tài)觀察到變化的樹脂被評價為"差"。然后，使用獲得的樹脂進行封裝處理以制造LED裝置。就這一點而言，圖1示出了封裝處理前LED裝置的基板，圖2示出了封裝處理后LED裝置的基板。實施例6-10(LED裝置)通過下述的LED封裝制造實施例6-10的各LED裝置在基板上安裝1平方毫米的藍色LED元件和400fan高的反射器，該反射器位于LED元件周圍并距離LED元件5mm遠，將所述基板加熱到表1所示的封裝溫度，然后將表1所示的120mg的樹脂涂覆到LED元件上并熔融。對比例2(LED裝置)通過下述的LED封裝制造對比例1的LED裝置在基板上安裝1平方毫米的藍色LED元件和400/xm高的反射器，該反射器位于LED元件周圍并距離LED元件5mm遠，將所述基板加熱到表1所示的封裝溫度，然后將表1所示的樹脂涂覆到LED元件上并用0.5MPa的壓力進行封裝處理。根據(jù)以下測試例2中的方法對獲得的LED裝置的性能進行研究。結(jié)果在表1中示出。測試例2(耐光性)將300mA的電流通過各實施例和對比例的LED裝置，并且通過瞬時多光度系統(tǒng)(instantaneousmultiphotometricsystem,MCPD-3000,由大冢電子株式會社(OtsukaElectronicsCo.，Ltd.)制造)測量了在測試開始后即刻的亮度。其后，將該裝置處于帶電狀態(tài)，并且以類似的方式對經(jīng)過300小時后的亮度進行測量。根據(jù)下列等式計算出亮度保持以評價耐光性。就這一點而言，亮度保持為70。/。以上的LED裝置被評定為優(yōu)良的。亮度保持(％)=(經(jīng)過300小時后的亮度/測試開始后即刻的亮度)X100表l<table>complextableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>1)其為在作為原材料的硅化合物的官能團中垸基與芳基的摩爾比(烷基/芳基)。2)因為即使在250'C下樹脂也不軟化，因此其無法測量。從上述的結(jié)果來看，其表明了與對比例的LED裝置相比，實施例的LED裝置具有高的亮度保持性，因而具有優(yōu)良的耐光性。特別地，參照作為封裝樹脂原材料的硅化合物的官能團，因為在實施例8-10(實施例3-5的樹脂)的LED裝置中，烷基與芳基的摩爾比(烷基/芳基)為86/14或100/0，因此其透明性和耐光性更為優(yōu)良。盡管參考本發(fā)明的具體實施方式對其進行了詳細描述，但是只要不脫離本發(fā)明的范圍，顯然本領(lǐng)域技術(shù)人員可對其進行各種變化和修改。本專利申請基于2007年7月11日提交的日本專利No.2007-182486，其全部內(nèi)容以引用方式并入本文。此外，本文的所有參考文獻以整體并入本文。權(quán)利要求1.一種光學半導體元件封裝用樹脂，其包含通過硅化合物與硼化合物反應(yīng)而獲得的聚硼硅氧烷。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的樹脂，其中所述硅化合物為由下式(I)表示的雙官能硅化合物和由下式(II)表示的三官能硅化合物中的至少一種<formula>seeoriginaldocumentpage2</formula>(I)其中Ri和W各自獨立地代表垸基、環(huán)垸基、烯基、炔基或芳基,Xi和XZ各自獨立地代表垸氧基、羥基或鹵素原子；<formula>seeoriginaldocumentpage2</formula>(II)其中RM戈表烷基、環(huán)垸基、烯基、炔基或芳基，x3、xa和xs各自獨立地代表烷氧基、羥基或齒素原子。3.根據(jù)權(quán)利要求i所述的樹脂，其中所述硼化合物是由下式(in)表示的硼酸化合物或硼酸酯化合物<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>其中Y1、Y2和Y3各自獨立地代表氫原子或垸基。4.一種光學半導體裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要求1所述的樹脂和用該樹脂封裝的光學半導體元件。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述光學半導體裝置，其為發(fā)光二極管裝置。全文摘要本發(fā)明涉及一種光學半導體元件封裝用樹脂，其包含通過硅化合物與硼化合物反應(yīng)而獲得的聚硼硅氧烷；和涉及一種光學半導體裝置，其包含所述樹脂和用該樹脂封裝的光學半導體元件。根據(jù)本發(fā)明的光學半導體元件封裝用樹脂顯示出良好的優(yōu)點，即具有優(yōu)良的耐熱性、透明性和耐光性。文檔編號C08G77/56GK101343367SQ20081013577公開日2009年1月14日申請日期2008年7月11日優(yōu)先權(quán)日2007年7月11日發(fā)明者片山博之,赤沢光治申請人:日東電工株式會社