專利名稱：一種噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)結構的合成方法
技術領域：
本發(fā)明屬于化學領域。具體地，本發(fā)明涉及一種噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)砌塊的合成方法。
背景技術：
噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)砌塊在有機電子器件(如有機發(fā)光材料、光電材料、場效應半導體、有機太陽能電池等)中發(fā)揮相當重要的作用。然而，傳統的合成噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)砌塊的方法中，通常是由預活化的芳烴金屬試劑(如芳基硼化合物、芳基錫化合物等)和鹵代芳烴為原料制得(例如，(a)de Meijere1A. ;Diederich, F.Metal-Catalyzed Cross-Coupling Reactions, 2nd ed. ffiley-VCH, ffeinheim, 2004. (b)Cheng, Y. -J. ; Yan, S. -H. ; Hsu, C. -S. Chem. Rev. 2009, 109, 5868. (c) Carsten, B. ; He, F. ; Son，H. -J. ;Xu, T. ;Yu, L. Chem. Rev. 2011，111, 1493.)。但是，這些方法通常具有反應步驟冗長、官能團兼容性不好、某些反應需要用到一些劇毒的錫試劑等缺點。因此，探索一種安全、簡便地噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)砌塊的制備方法具有顯著的意義。

發(fā)明內容
本 發(fā)明的目的是提供一種制備噻吩環(huán)/呋喃環(huán)及其衍生物-雜芳環(huán)砌塊的安全、簡便方法。本發(fā)明提供了一種式C所示的化合物的制備方法，其包括步驟于惰性溶劑中，以鈀鹽為催化劑，在氧化劑存在下，將式A化合物與式B化合物進行反應，從而形成式C化合物；
權利要求
1.一種式C所示的化合物的制備方法，其特征在于，包括步驟于惰性溶劑中，以鈀鹽為催化劑，在氧化劑存在下，將式A化合物與式B化合物進行反應，從而形成式C化合物；
2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的式A化合物為選自下組的化合物
3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的式B化合物為選自下組的化合物
4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，!^、!^、!^、!^、!^、^各自獨立地為選自下組的基團氫、氰基、鹵素、C^8烷基、鹵代的C1-S燒基、C2_8稀基、1 代的C2_8稀基、C2_8塊基、被1 素或苯基取代的C2_8塊基、Ck燒氧基、鹵代的Ci_8烷氧基、-(CO) NR6R7、- (CO) OC1^8烷基、Ci_8烷基-羰基、甲酰基、苯基或被一個或多個選自鹵素、C1^6烷基、C1^6烷氧基、-(CO) NR6R7、- (CO) OCm烷基、C1^8烷基-羰基、甲?；幕鶊F所取代的苯基、噻吩或被一個或多個選自鹵素、C^6烷基、C^6烷氧基、-(CO) NR6R7、- (CO)OCV8烷基、C^8烷基-羰基、甲酰基的基團所取代的噻吩、呋喃或被一個或多個選自鹵素、CV6烷基、CV6烷氧基、-(CO)NR6R7, -(CO)OCV8烷基、C1^8烷基_羰基、甲酰基的基團所取代的呋喃、-C=C-(CO) OCh 烷基；和/或R4為選自下組的基團氧、氛基、齒素、CV8燒基、齒代的CV8燒基、C2_8稀基、齒代的C2_8稀基、C2_8塊基、齒代的C2_8塊基、Cp8燒氧基、齒代的Cp8燒氧基、_(C0)NR6R7、- (CO)OCV8烷基、CV8烷基-羰基、甲?；?、苯基或被一個或多個選自鹵素、Ch6烷基、CV6烷氧基、-(CO)NR6R7, -(CO)OCV8烷基、C1^8烷基-羰基、甲酰基的基團所取代的苯基、-C=C-(CO)OC^8燒基；和/或R5為選自下組的基團氧、氛基、1 素、C^8燒基，1 代的CV8燒基、C2_8稀基、齒代的c2_8烯基、C2_8炔基、鹵代的C2_8炔基、-(CO) OCh8烷基、C1^8烷基-羰基、苯基或被一個或多個選自鹵素、C1^6烷基、C1^6烷氧基、-(CO) NR6R7, - (CO) OCm烷基、C1^8烷基_羰基、甲酰基的基團所取代的苯基、-C=C- (CO) OC1^8烷基、芐基。
5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的式A化合物、鈀鹽、氧化劑、式B化合物的摩爾比為1-3 :0. 01-1 :0. 1-4 1-3. O。
6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的鈀鹽選自下組PdM2、PdLnCl2,Pd (PPh3) 4 或 Pd2 (dba) 3 ；其中，M為醋酸根、三氟醋酸根、三氟磺酸根、特戊酸根或鹵素；L為選自下組的配體烯丙基、單齒或者雙齒的膦配體、單齒或者雙齒的含氮配體；1 < η < 2。
7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的氧化劑包括銀鹽、銅鹽、對苯醌或其衍生物或氧氣。
8.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的惰性溶劑包括選自下組的溶劑N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、1，3-二甲基-3，4，5,6-四氫_2_嘧啶酮、I，4- 二氧六環(huán)、N，N- 二甲基乙酰胺、或其組合。
9.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的反應任選地在添加劑存在下進行，其中所述的添加劑選自下組的酸、堿、配體、或其組合。
10.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述的反應在40°C-140°c下進行。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)結構的合成方法。具體地，本發(fā)明提供的合成方法，由噻吩環(huán)或呋喃環(huán)或其衍生物、以及雜芳環(huán)化合物出發(fā)，在鈀鹽和氧化劑的存在下，高收率地制得各種噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)砌塊化合物。該方法具有原料簡單、易得，催化劑用量少，底物適用范圍廣，操作簡便，反應效率高等優(yōu)點。制得的噻吩環(huán)/呋喃環(huán)-雜芳環(huán)砌塊在光電材料、發(fā)光劑和太陽能電池等方面都有著廣泛的應用。
文檔編號C07D333/22GK103030627SQ20131000547
公開日2013年4月10日 申請日期2013年1月7日 優(yōu)先權日2013年1月7日
發(fā)明者張新剛, 賀春陽 申請人:中國科學院上海有機化學研究所, 東華大學