專利名稱：回收高沸點(diǎn)廢料的方法
回收高沸點(diǎn)廢料的方法 相關(guān)申請的交叉引用
無。

背景技術(shù)：
高沸點(diǎn)硅化合物例如在它們的分子中具有Si-si鍵、si-o-si鍵或si-c;-si鍵(其
中下標(biāo)a是l或更大)的化合物作為在它們的分子中生產(chǎn)化學(xué)中間體甲硅烷(monosilane)的工業(yè)方法中不希望的副產(chǎn)物形成。出于本申請的目的，術(shù)語"甲硅烷"是指具有一個硅原子有4個與其鍵合的取代基的硅烷物質(zhì)。甲硅烷包括但不限于三氯硅烷(HSiCl》、四氯硅烷(SiCl4)、二甲基二氯硅烷((CH3)2SiCg、二甲基氫氯硅烷((CH3)2HSiCl)、甲基氫二氯硅烷(CH3HSiCl2)和甲基三氯硅烷(CH3SiCl3)。術(shù)語"高沸點(diǎn)聚合物"是指具有多于l個硅原子的化合物，并且它們以上述高沸點(diǎn)硅化合物進(jìn)行例示。高沸點(diǎn)聚合物具有高于氯甲硅烷沸點(diǎn)的沸點(diǎn)例如7(TC及以上、或8(TC及以上。高沸點(diǎn)聚合物存在于由制造氯甲硅烷和甲基氯甲硅烷的工業(yè)方法(例如直接法)產(chǎn)生的作為廢料流的殘余物中。高沸點(diǎn)聚合物還存在于制造硅的工業(yè)方法(例如制造太陽能級硅和/或半導(dǎo)體級多晶硅的方法)產(chǎn)生的殘余物中。術(shù)語"殘余物"是指含有高沸點(diǎn)聚合物的任何料流。 在制造氯甲硅烷的工業(yè)方法中，氯化氫(HC1)與冶金級硅(Si)在非催化反應(yīng)系統(tǒng)中反應(yīng)產(chǎn)生三氯甲硅烷(HSiCl3)。另一種方法涉及氯甲烷與冶金級Si在用銅化合物催化和用許多不同金屬添加劑例如鋅、錫和磷促進(jìn)的系統(tǒng)中反應(yīng)形成甲基氯甲硅烷(MCS)。初始反應(yīng)中和下游過程中失去部分硅和氯(HSiCl3方法為HC1形式或者M(jìn)CS方法為CH3C1形式)，從而形成副產(chǎn)物高沸點(diǎn)聚合物。 HSiCl3方法殘余物可以包含具有式HbSi2Cl(6—b)乙硅烷，其中下標(biāo)b具有0至6或者0至4范圍的值；和具有式H。Si20Cl(6—。)的二硅氧烷，其中下標(biāo)c具有0至6范圍的值。在HSiCl3方法中，這些高沸點(diǎn)聚合物包括四氯二硅氧烷(HCl2SiOSiCl2H， 1125120(:14)、五氯二硅氧烷(HCl2SiOSiCl3， HSi20Cl》、六氯二硅氧烷(Cl3SiOSiCl3， Si20Cl6)、六氯乙硅烷(Si2Cl6)、五氯乙硅烷(HSi2Cls)、四氯乙硅烷(H2Si2Cl4)和三氯乙硅烷(H3Si2Cl3)。
MCS方法殘余物可以包含具有式MedSi^l(e—d)的乙硅烷，其中下標(biāo)d具有0至6范圍的值，和具有式M Si2XCl(6—d的二硅氧烷和/或硅雜烷二基化合物，其中下標(biāo)e具有0至6范圍的值，X是氧原子或二價烴基。在MCS方法中，這些高沸點(diǎn)聚合物包括Si^le、四甲基二氯乙硅烷(Me4Si^g、三甲基三氯乙硅烷(Me3Si^l》、四甲基四氯丙硅烷(Me4Si3Cl》、四甲基二氯二亞甲基硅烷(Me2ClSiCH2SiMe2Cl)、三甲基三氯二亞甲基硅烷(Me2ClSiCH2SiMeCl2)、三甲基三氯二亞乙基硅烷(Me2ClSi (CH2)2SiMeCl2)、三甲基三氯二亞丙基硅烷(Me2ClSi(CH2)3SiMeCl2)、 Me2ClSiCH2Si (Me) (Cl)SiMeCl2、 Me2ClSiCH2Si (Me) (CI)CH2SiMeCl2和三甲基三氯二硅氧烷(Me3Si20Cl3);其中Me表示甲基。 可從HSiCl3和MCS方法回收高沸點(diǎn)聚合物例如乙硅烷，并通過氫化、氯化或氫氯化將其轉(zhuǎn)變?yōu)橛杏玫募坠柰?，但需要催化劑使該反?yīng)具有經(jīng)濟(jì)性。在MCS系統(tǒng)中，最經(jīng)濟(jì)有利的系統(tǒng)是在含有高沸點(diǎn)聚合物的該方法殘余物中使用原位催化劑氫化甲基氯乙硅烷?？墒筂CS方法殘余物為下游處理做好準(zhǔn)備，使得其富有對氫化有利的原位催化劑。在HSiCl3
3方法中，典型地通過驟冷和/或焚燒處理含有高沸點(diǎn)聚合物的HSiCl3方法殘余物。
發(fā)明簡述 —種方法，包括1)將含有催化量的原位催化劑的第一方法殘余物與不含催化量的原位催化劑的第二方法殘余物合并；和2)使步驟1)的產(chǎn)物中的高沸點(diǎn)聚合物反應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
出于本申請的目的，將參照含有催化量的原位催化劑的MCS方法殘余物與不含催
化量的原位催化劑的HSiCl3方法殘余物對該方法進(jìn)行描述。然而，本公開是示例性的，并
且不限制前述權(quán)利要求書給出的本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員會認(rèn)識到，可以實(shí)施該方
法的改變形式，這些形式包括但不限于對于含有催化量的原位催化劑的第一方法殘余物和
/或不含催化量的原位催化劑的第二方法殘余物使用不同的殘余物。例如，當(dāng)硅方法殘余物
不含催化量的原位催化劑時，可以使用硅方法殘余物(例如來自生產(chǎn)太陽能級硅或半導(dǎo)體
級多晶硅的化學(xué)氣相沉積法)作為第二方法殘余物來代替HSiCl3方法殘余物。作為替代，
烷基鹵代甲硅烷方法可用于生產(chǎn)含催化量的原位催化劑的第一方法殘余物，其中烷基可以
是甲基以外的基團(tuán)例如乙基或丙基，和/或鹵原子可以是氯以外的原子例如溴、氟或碘。 將上述高沸點(diǎn)聚合物轉(zhuǎn)變?yōu)橛杏玫募坠柰榈姆椒ǎ?a)將HSiCl3方法殘余物和MCS方法殘余物合并以形成高沸點(diǎn)殘余物； b)將該高沸點(diǎn)殘余物與氫氣接觸?？稍诜磻?yīng)器中通過在345kPa_68， 900kPa壓力
下將高沸點(diǎn)殘余物、氫氣和任何另外的反應(yīng)物(如果添加)加熱至150°C -IOO(TC的溫度保
持1秒至5小時保持時間來實(shí)施步驟b)，從而產(chǎn)生包含甲硅烷的產(chǎn)物。 該方法提供的優(yōu)點(diǎn)是催化劑原位存在于MCS方法殘余物中，其中所述催化劑對于
從MCS方法殘余物和HSiCl3方法殘余物獲得甲硅烷是有效的。不希望受理論束縛，認(rèn)為催
化劑在MCS方法殘余物中比在HSiCl3方法殘余物中具有更大的溶解性，因此在將HSiCl3方
法殘余物和MCS方法殘余物合并時可獲得對于HSiCl3方法殘余物的更佳催化活性。催化
劑促進(jìn)由高沸點(diǎn)殘余物中的高沸點(diǎn)聚合物形成甲硅烷。該催化劑可促進(jìn)在硅原子間烷基和
鹵素的再分布(和/或在硅原子間氫和鹵素的再分布)。該催化劑可促進(jìn)氫化、硅-硅鍵的
斷裂、硅_碳鍵的斷裂和/或硅_氧鍵的斷裂。為實(shí)現(xiàn)這些反應(yīng)， 一種或多種提供上述活性
的催化物質(zhì)可用作催化劑。 路易斯酸或其等效物可用于給催化劑提供再分布活性。有效實(shí)現(xiàn)再分布的催化劑物質(zhì)的例子包括三氯化鋁、五氯化銻、四氯化鋯、四氯鉀鋁、鹵化季膦、鹵化季銨、鹵化銨、氯化亞銅、硼酸和鹵化硼。適宜的再分布催化劑在本領(lǐng)域中是已知的并且公開于例如美國專利4， 393， 229和5， 175， 329中。 用于氫化的適宜催化劑物質(zhì)包括三氯化鋁、五氯化銻；銅物質(zhì)例如氯化亞銅、金屬銅(Cu) 、 Cu鹽和Cu鹽與有機(jī)配體的絡(luò)合物；鎳物質(zhì)例如金屬鎳(Ni)、負(fù)載的Ni、有機(jī)金屬Ni化合物、絡(luò)合的Ni鹽和無機(jī)Ni化合物；鈀物質(zhì)例如金屬鈀(Pd)、負(fù)載的Pd、有機(jī)金屬Pd化合物、絡(luò)合的Pd鹽和無機(jī)Pd化合物；鉑物質(zhì)例如金屬鉑(Pt)、負(fù)載的Pt、有機(jī)金屬Pt化
合物、絡(luò)合的Pt鹽和無機(jī)Pt化合物；和它們的組合。負(fù)載的Ni、負(fù)載的Pd、負(fù)載的Pt可
以負(fù)載在氧化鋁、碳、氧化硅或沸石上。例如，碳上的Pd或氧化鋁上的Pt是負(fù)載催化劑的
例子。氫化催化劑在本領(lǐng)域中是已知的并且描述于例如美國專利5， 175， 329 ;5， 292， 909 ;5， 292， 912 ;5， 321， 147 ;5， 326， 896和5， 627， 298中。不希望受理論束縛，認(rèn)為MCS方法殘余物中原位存在的催化物質(zhì)(例如，銅物質(zhì))可用于催化HC1和來自HSiCl3方法殘余物的高沸點(diǎn)聚合物以及來自MCS方法殘余物的高沸點(diǎn)聚合物的氫氯化反應(yīng)。
上述催化物質(zhì)還可促進(jìn)硅_硅鍵、任選地硅_碳鍵和任選地硅_氧鍵的斷裂。因此，可以不必向催化劑中添加另外的催化物質(zhì)來促進(jìn)由高沸點(diǎn)硅化合物形成甲硅烷。催化劑的量足以催化上述氫化、再分布和斷裂反應(yīng)中的至少一種。精確量取決于各種因素，這些因素包括待催化的反應(yīng)、高沸點(diǎn)殘余物的組成和所需的甲硅烷產(chǎn)品。催化物質(zhì)可以在例如MCS方法中原位形成，催化物質(zhì)可以添加到高沸點(diǎn)殘余物中，或此二者。催化劑的量(原位的、添加的、或者其二者)基于高沸點(diǎn)殘余物的重量可以為0.01% _20%催化劑，或者基于相同基準(zhǔn)為0.5-5%。除非另外指明，本申請中的所有量、比例和百分?jǐn)?shù)以重量計(jì)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可認(rèn)識到，可向高沸點(diǎn)殘余物中添加三氯化鋁或者其可通過形成三氯化鋁的物質(zhì)原位形成。在實(shí)施HSiCl3方法和MCS方法以及從中分離甲硅烷級分形成高沸點(diǎn)殘余物期間可原位形成全部或部分三氯化鋁。三氯化鋁對于催化氫化、再分布和斷裂反應(yīng)是有效的。
HSiCl3方法殘余物可得自HC1和Si準(zhǔn)金屬反應(yīng)產(chǎn)物的汽提或蒸餾?？蓪SiCl3方法殘余物與MCS方法殘余物直接合并。作為替代，可以在步驟a)之前將HSiCl3方法殘余物進(jìn)行預(yù)處理。預(yù)處理可包括另外的汽提或蒸餾步驟以在步驟a)之前從HSiCl3方法殘余物除去全部或部分HSiCl3和/或SiCl4，預(yù)處理可包括過濾以除去固體，或這二者。HSiCl3方法殘余物可以包含具有式HbSi2Cl(6—b)的乙硅烷，其中下標(biāo)b具有0至6或0至4范圍的值；和具有式H。Si20Cl(6—。)的二硅氧烷，其中下標(biāo)c具有0至6范圍的值。乙硅烷例舉Si2Cl6、HSi2Cl5、H2Si2Cl4和H3Si2Cl3。 二硅氧烷可以例舉H2Si20Cl4、HSi20Cl5和Si20Cl6?；贖SiCl3方法殘余物中乙硅烷和二硅氧烷的總重量計(jì)，HSiCl3方法殘余物可以包含0-15 %H2Si20Cl4、5-35% HSi20Cl5、 15-25% Si20Cl^P 35-75% Si2Cl6。 HSiCl3方法殘余物還可以包含固體，該固體不溶于上述高沸點(diǎn)聚合物。例如，該固體可以是具有4個或更多硅原子的聚氯硅氧烷或更高級別的聚氯硅烷。該固體還可包含硅顆粒。作為替代，在預(yù)處理后HSiCl3方法殘余物可以包含68%乙硅烷、31%二硅氧烷；0. 5%其它高沸點(diǎn)硅化合物；和0. 5%含硅固體顆粒。在預(yù)處理之前，HSiCl3方法殘余物可以包含至多75%的氯甲硅烷例如HSiCl3和SiC"以及至多30%的含硅固體顆粒，余量為上述高沸點(diǎn)聚合物和其它高沸點(diǎn)硅化合物。可用于本文所述方法的HSiCl3方法殘余物的例子例如公開于美國專利6， 013， 235和美國臨時專利申請序列No. 61/119， 391中。 MCS方法殘余物可以包含具有式MedSi2Cl(6—d)的乙硅烷，其中下標(biāo)d具有0至6范圍的值，和/或具有式M Si2XCl(6—d的二硅氧烷和/或硅雜烷二基化合物，其中下標(biāo)e具有0至6范圍的值，X是氧原子或二價烴基。MCS方法殘余物可以包含Si^le、Me^i^12、Me3Si2Cl3、 Me4Si3Cl4、 Me2ClSiCH2SiMe2Cl 、 Me2ClSiCH2SiMeCl2、 Me2ClSi (CH2) 2SiMeCl2、Me2ClSi (CH2)3SiMeCl2、 Me2ClSiCH2Si (Me) (Cl)SiMeCl2、 Me2ClSiCH2Si (Me) (CI) CH2SiMeCl2和Me3Si20Cl3。 MCS方法殘余物中存在的各物質(zhì)的精確量可根據(jù)MCS方法條件而改變，然而，MCS方法殘余物可以包含50X-60%乙硅烷和15-25 %烯化硅(silalkylene)以及原位催化劑、含硅固體和其它金屬。MCS方法殘余物的例子可以包含0-4X Me3SiCl、0-2 % MeHSiCl2、0-5 % EtMeSiCl2、0_5 % PrMeSiCl2、0_9 % Me4Si2Cl2、5_40 % Me3Si2Cl3、15-54 % MeCl Si MeCl"0-9 % Me ClSiCH SiClMe"0-15 % Me ClSiCH SiCl Me、0_20 %MeCl2SiCH2SiCl2Me、0-5% MeCl2Si0SiCl2Me、9_26 %其它高沸點(diǎn)物質(zhì)和0-40%固體，條件是總量加起來至多100%，其中Et表示乙基而Pr表示丙基?？捎糜诒疚乃龇椒ǖ腗CS方法殘余物的例子例如公開于美國專利5， 175， 329 ;5,430， 168 ;5,606,090 ;5,627， 298 ;5， 629， 438 ;5， 907， 050 ;5， 922， 894和6， 013， 824中。 用于上述方法中與MCS方法殘余物合并產(chǎn)生高沸點(diǎn)殘余物的HSiCl3方法殘余物
的量大于o，精確的量將取決于各種因素，這些因素包括兩種方法殘余物的組成、殘余物是
否經(jīng)預(yù)處理、和MCS方法殘余物中存在的原位催化劑、以及是否添加任何另外的催化劑。然而，每100重量份MCS方法殘余物，HSiCl3方法殘余物的量可以為大于0到100重量份HSiCl3方法殘余物；每100重量份MCS方法殘余物，或者5-100重量份HSiCl3方法殘余物，或者5-50重量份，以及或者5-10重量份HSiCl3方法殘余物。用于該方法的高沸點(diǎn)殘余物可以具有7(TC或以上或者8(TC或以上的沸點(diǎn)。 可用任何常規(guī)的適于與氯硅烷接觸的可加壓反應(yīng)器進(jìn)行該方法。該方法可按間歇法或連續(xù)法進(jìn)行。可例如用連續(xù)攪拌罐式反應(yīng)器、鼓泡塔反應(yīng)器、滴流床反應(yīng)器或活塞流反應(yīng)器進(jìn)行該方法。 工藝條件將取決于各種因素，這些因素包括高沸點(diǎn)殘余物的組成和需要產(chǎn)生的甲硅烷。然而，反應(yīng)器內(nèi)的壓力可以為345kPa-68，900kPa、或者689kPa_34， 475kPa、或者1， 000kPa-15， 000kPa、或者2000kPa-10， 500kPa、或者4， 000kPa_8， OOOkPa。反應(yīng)器內(nèi)的溫度可以為150-1000。C、或者150-400。C、或者200-500。C、或者200-250。C、或者215-280。C、或者235-245 t:、或者275-500°C以及或者300-350°C 。不希望受理論束縛，認(rèn)為可改變壓力和溫度來影響形成的甲硅烷。例如，當(dāng)使用下限大于250psig(1725kPa)的壓力和150-500°C 、或者250-400°C以及或者320-380°C的溫度時，反應(yīng)可有利于二甲基二氯硅烷而不是甲基三氯硅烷。在這些溫度和壓力下的保持時間取決于各種因素，這些因素包括所選反應(yīng)器的類型、其中的精確溫度和壓力、和存在的催化物質(zhì)的量及類型，然而，保持時間可以為l秒到5小時。 加入到反應(yīng)器中的氫氣的量不是關(guān)鍵的，可以是足以實(shí)現(xiàn)所述氫化水平的任何量。然而，基于高沸點(diǎn)殘余物的重量計(jì)，該量可以為0.05_10%或1_5%氫氣。任選地，反應(yīng)器可用另外的反應(yīng)物補(bǔ)充。該另外的反應(yīng)物可以是富氯物質(zhì)例如HC1、 HSiCl3、 SiCl4、CH3SiCl3、 CH3C1或其組合(或者為HSiCl3、 SiCl4、 Si2Cl6或其組合)；或SiH官能的物質(zhì)例如HSiCl3、 CH3HSiCl2 ;富烷基物質(zhì)例如四甲基硅烷(SiMe4)、三甲基氯硅烷(Me3SiCl)、二甲基二氯硅烷(Me2SiCl2)或其組合；或者不同的富氯物質(zhì)、SiH官能的物質(zhì)和/或富烷基物質(zhì)的組合。所選的另外反應(yīng)物(如果有一些)將取決于各種因素，這些因素包括例如在斷裂和/或再分布和/或氫化反應(yīng)后需要產(chǎn)生的甲硅烷。不希望受理論束縛，認(rèn)為用富氯物質(zhì)補(bǔ)充可向乙硅烷和聚硅烷上再分布更多的CI并且使它們更易于滲入(seise)和/或控制產(chǎn)物中甲硅烷的分布，從而有利于獲得商業(yè)上更有用的物質(zhì)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠使用例如美國專利5， 175， 329 ;5， 292， 912 ;5， 321， 147 ;5， 606， 090和5， 907， 050中描述的方法，選擇所述合適的反應(yīng)物和工藝條件以控制甲硅烷的分布。作為替代，使用例如美國專利4， 962， 219和6， 013， 824中所述的反應(yīng)物和工藝條件時，用富烷基物質(zhì)進(jìn)行補(bǔ)充可產(chǎn)生富含烷基例如甲基的甲硅烷。本領(lǐng)域技術(shù)人員無需過度實(shí)驗(yàn)將能夠選擇合適的溫度和壓力條件以及任何另外的反應(yīng)物來獲得產(chǎn)物中所需的甲硅烷物質(zhì)。
當(dāng)就富氯物質(zhì)、SiH官能的物質(zhì)和富烷基物質(zhì)選擇成分時，本領(lǐng)域技術(shù)人員可認(rèn)識 到，它們中可以存在重疊，例如在使用具有多于1個鍵合至硅原子的氯原子、氫原子和烷基 的甲硅烷時。本領(lǐng)域技術(shù)人員將能夠基于包括需要產(chǎn)生的甲硅烷在內(nèi)的多種因素，從中區(qū) 分并且選擇合適的物質(zhì)來對反應(yīng)物進(jìn)行補(bǔ)充。 上述方法還可包括步驟c)，從步驟b)的產(chǎn)物中回收一種或多種甲硅烷物質(zhì)?？赏?過使用分離液體混合物所用的常規(guī)方法例如蒸餾來通過分離進(jìn)行步驟c)。甲硅烷物質(zhì)可以 包括HSiCl3、SiCl4、 (CH3)2SiCl2、CH3HSiCl2禾P (CH3)2HSiCl。
實(shí)施例 包括下面實(shí)施例來說明本發(fā)明。然而，根據(jù)本公開，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，可對 公開的許多具體實(shí)施方案作出改變，且仍獲得同樣或類似的結(jié)果而不背離權(quán)利要求書給出 的本發(fā)明的主旨和范圍。 HSiCl3方法殘余物料流含有30vol^固體，余量為由如下組成的液體13.6% HSiCl3、73. 9 % SiCl4、0. 3 % HCl2SiOSiCl2H、6. 9 % HCl2SiOSiCl3、3. 6 % Cl3SiOSiCl3、 1.5% Si2Cl6和0. 2%未表征的其它高沸點(diǎn)物質(zhì)。 將總共5重量份的HSiCl3方法殘余物與60重量份來自形成高沸點(diǎn)殘余物方法的 MCS方法殘余物合并。將該殘余物合并、過濾以將固體含量降至5%或更小，以每小時0. 4 重量份的進(jìn)料速率經(jīng)15天時段進(jìn)料到氫化反應(yīng)器中。反應(yīng)器溫度為200°C _250°C ，反應(yīng)器 壓力為56-58巴(barg) (5， 600-5， 800kPa)。高沸點(diǎn)殘余物在反應(yīng)器中的保持時間為2_5小 時。 本文所述的方法將來自HSiCl3方法和MCS方法的廢料以簡單的一步技術(shù)合并。該 方法可提供的優(yōu)點(diǎn)是減少兩個單獨(dú)的HSiCl3和MCS回收方法所需的資金費(fèi)用，并且優(yōu)點(diǎn)是 使用MCS系統(tǒng)的原位催化劑(例如上述銅物質(zhì))來催化來自HSiCl3的高沸點(diǎn)聚合物反應(yīng) 以產(chǎn)生有用的HSiCl3和/或SiCl4以及有用的甲基氯甲硅烷。
權(quán)利要求
一種方法，包括a)將含有催化量的原位催化劑的第一方法殘余物與不含催化量的原位催化劑的第二方法殘余物合并；和b)使步驟a)的產(chǎn)物與氫氣接觸，從而產(chǎn)生包含甲硅烷的產(chǎn)物。
2. 權(quán)利要求l的方法，其中第一方法殘余物是甲基氯甲硅烷方法殘余物。
3. 權(quán)利要求1或2的方法，其中第二方法殘余物是HSiCl3方法殘余物。
4. 權(quán)利要求1或2的方法，其中第二方法殘余物是硅方法殘余物。
5. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中在步驟a)中合并以每100重量份第一方法殘余 物計(jì)大于0至100重量份的第二方法殘余物。
6. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，還包括在步驟a)之前將第二方法殘余物進(jìn)行預(yù)處理。
7. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，還包括在步驟c)從產(chǎn)物中回收一種或多種甲硅烷， 其中所述甲硅烷選自HSiCl3、SiCl4、 (CH3)2SiCl2、CH3HSiCl2禾口 (CH3)2HSiCl。
8. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中在150°C -IOO(TC的溫度下操作的反應(yīng)器中進(jìn) 行該方法。
9. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中在345-68， 900kPa壓力下操作的反應(yīng)器中進(jìn)行 該方法。
10. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，其中在反應(yīng)器中的保持時間為1秒至5小時。
11. 前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法，還包括用選自富氯物質(zhì)、SiH官能的物質(zhì)、富烷基 物質(zhì)及其組合的反應(yīng)物進(jìn)行補(bǔ)充。
12. 權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)的方法，還包括用選自HSiCl3、SiCh、Si^le及其組合的 富氯物質(zhì)進(jìn)行補(bǔ)充。
13. 權(quán)利要求2至10中任一項(xiàng)的方法，其中甲基氯甲硅烷方法殘余物含有銅物質(zhì)，并且 該方法還包括用HC1進(jìn)行補(bǔ)充。
14. 權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)的方法，還包括用選自HSiCl3、CH3HSiCl2及其組合的SiH 官能的物質(zhì)進(jìn)行補(bǔ)充。
15. 權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)的方法，還包括用選自四甲基硅烷、三甲基氯硅烷、二甲 基二氯硅烷及其組合的富烷基物質(zhì)進(jìn)行補(bǔ)充。
全文摘要
將來自不同氯甲硅烷生產(chǎn)方法的廢料流合并且以單一回收方法進(jìn)行反應(yīng)。用該單一回收方法可獲得有用的甲硅烷物質(zhì)。
文檔編號C07F7/12GK101786629SQ20091012672
公開日2010年7月28日 申請日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月22日
發(fā)明者J·A·布雷森, W·P·布萊蒂 申請人:陶氏康寧公司