專利名稱：：電荷傳輸性清漆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電荷傳輸性清漆，更具體地說，涉及包括苯氨基-N，N'-二苯基醌二亞胺衍生物的電荷傳輸性清漆。
背景技術(shù)：
：已經(jīng)報道，當(dāng)提供銅酞斧(CuPC)層作為低分子量有機EL(在下文中簡稱0LED)器件中的空穴注入層時，可以實現(xiàn)初始特性例如驅(qū)動電壓的降低和發(fā)光效率以及壽命特性的改進(非專利文獻1:AppliedPhysicsLetters，美國，1996，Vol.69，pp.2160-2162)。另一方面，至于使用聚合物發(fā)光材料的有機EL器件(以下簡稱PLED),已經(jīng)報道，當(dāng)使用聚苯胺材料(專利文獻l:JP-A3-273087，和專利文獻2:Nature,英國，1992，Vol.357，pp.477-479))或聚塞吩材料(非專利文獻3:AppliedPhysicsLetters,美國，1998，Vol.72,pp.2660-2662)的薄膜作為空穴傳輸層時，可以獲得與OLED器件類似的效果。近年來，已發(fā)現(xiàn)利用高度可溶性低分子量低聚苯胺材料或低聚噻電荷傳輸性清漆。已經(jīng)報道，當(dāng)將由該清漆獲得的空穴注入層插入有機EL器件中時，獲得底基板的平滑效果和優(yōu)異的EL器件特性(專利文獻2:JP-A2002-151272和專利文獻3:WO2005/043962小冊子)。此種低分子量低聚物化合物本身粘度低，因此，如果使用普通的有機溶劑，成膜操作中的工藝余地變窄。因此，當(dāng)使用各種涂覆體系例如旋涂、噴墨涂覆、噴涂等和各種烘烤條件時，在成膜中難以確保高均勻性。雖然如此，當(dāng)使用不同類型的添加劑溶劑時，調(diào)節(jié)粘度和控制沸點和蒸氣壓變得可能，從而使成膜的表面能夠具有與各種類型的涂覆體系相應(yīng)的高均勻性(專利文獻4:W02004/043117小冊子和專利文獻5:W02005/107335小冊子)。在如上面所述添加各種類型的溶劑從而確保溶液均勻性之后不發(fā)生固體物質(zhì)沉淀的原因是基于此種低分子量低聚物化合物的高溶解度和非聚集性能。在這種意義上，待涂覆的電荷傳輸性材料的溶解特性是非常重要的。另一方面，已經(jīng)報道，預(yù)先氧化低聚苯胺化合物(初步氧化)以便部分地用作醌型結(jié)構(gòu)，使烘烤時間能夠縮短(專利文獻6:W02004/105446小冊子)。這種技術(shù)在可能需要在160'C或以下的低溫烘烤的薄膜基材上成膜是高度有效的。然而，這種初步氧化的低聚苯胺化合物溶解度低且聚集性能高，問題'。聚苯胺和低聚苯胺化合物通常在還;態(tài)^(隱色:翠綠亞胺(emeraldin))顯示最高的溶解度并在半氧化態(tài)下(翠綠亞胺)通常顯示最高的導(dǎo)電性。另一方面，當(dāng)氧化過度進行時，得到其中醌型結(jié)構(gòu)順序排列的perniglaniline態(tài)，結(jié)果導(dǎo)電性降低且溶解度進一步降低。在大多數(shù)情況下，初步氧化的聚苯胺和低聚苯胺化合物呈perniglaniline和翠綠亞胺的混合態(tài)。由于部分存在的perglaniline態(tài)，溶解度通常可能降低，聚集可能在溶液中發(fā)生，并且缺陷或不規(guī)則可能在形成為膜時發(fā)生。因此，當(dāng)使用初步氧化的聚苯胺和低聚苯胺化合物以便縮短烘烤時間，降低烘烤溫度等時，必須產(chǎn)生氧化態(tài)，其中形成了高度分散的半氧化態(tài)，而醌型結(jié)構(gòu)的序列沒有形成。這樣的形成通常是困難的并因此要求解決該問題。非專利文獻l:AppliedPhysicsLetters,美國，1996，Vol.69，pp.2160-2162非專利文獻2:Nature,英國，1992，Vol.357，pp.477-479非專利文獻3:AppliedPhysicsLetters,美國，1998，Vol.72，pp.2660-2662專利文件1:JP-A3-273087專利文獻2:JP-A2002-151272專利文件3:W02005/043962小冊子專利文件4:W02004/043117小冊子專利文獻5:W02005/107335小冊子專利文獻6:W02004/105446小冊子
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問題本發(fā)明是在這些情況下作出的并且其目的是提供包括氣化低聚苯胺的電荷傳輸性清漆，該氧化低聚苯胺在各種類型的有機溶劑中顯示高的溶解度以及還顯示非聚集性能，從而具有良好的過濾性能。解決問題的手段為了達到上述目的我們作出了深入的研究，并發(fā)現(xiàn)由以下式(1)表示的苯氛基-N，N'-二苯基醌二亞胺衍生物作為氧化化合物即使在低聚苯胺類似化合物中也特別顯示高的溶解度，即使在清漆內(nèi)也不聚集，顯示良好良好的過濾性能，并且當(dāng)形成為薄膜時，顯示高導(dǎo)電性和良好的OLED特性并且此種衍生物適合作為導(dǎo)電性材料或空穴注入材料，從而完成了本發(fā)明。更具體地說，本發(fā)明提供1.由苯氨基-N，『-二苯基醌二亞胺衍生物構(gòu)成的電荷傳輸性材料，所述苯氨基-N，『-二苯基醌二亞胺衍生物由以下式(1)表示[化學(xué)式1](i)(其中w表示氫原子或取代或未取代的一價烴基，w-ir獨立地表示氫原子、羥基、氨基、硅烷醇、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、取代或未取代的一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機曱硅烷基、有機硫基、?；?、砜基或面素原子)；2.包括1的電荷傳輸性材料的電荷傳輸性清漆；(S03H)m/n-(其中R2°-R"、X和m分別具有如上面所限定的相同含義，^表示103.2的電荷傳輸性清漆，其中W-R"各自是氫原子；4.2或3的電荷傳輸性清漆，其中所述清漆包括由式(8)表示的1，4-苯并二嚙烷磺酸化合物，由式(9)表示的1，4-苯并二喝烷磺酸化合物，具有由式(10)表示的重復(fù)單元的1，4-苯并二鳴烷化合物，或具有由式(11)表示的重復(fù)單元的1，4-苯并二喵烷磺酸化合物[化學(xué)式2](8)(12)(13)(其中wi和w2獨立地表示0、S、S(0)基、S(02)基，或未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基)，r^是等于Ai的價態(tài)的整數(shù)并且滿足KW的關(guān)系，且m是與1，4-苯并二噁烷骨架的苯環(huán)部分鍵接的磺酸基的數(shù)目]，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>取代或未取代的、二價或更高價烴基、二價或三價1，3，5-三漆基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，(^表示氫原子，鹵素原子(條件是X是單鍵)，S(條件是X是單鍵)，S(0)基，S(02)基，未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基，取代或未取代的烴基，1，3，5-三喚基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，112是等于(^的價態(tài)-1)的整數(shù)并且滿足1<!12的關(guān)系，和z'是等于Qi的價態(tài)的整數(shù)并且滿足Kzi的關(guān)系)，[化學(xué)式5](其中R2°-R24、X和m分別具有如上面所限定的相同含義，人3表示取代或未取代的、三價或更高價烴基、三價l，3，5-三嗪基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，V表示取代或未取代的、二價或更高價烴基、二價或三價1，3，5-三嗪基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，113是等于(A3的價態(tài)-2)的整數(shù)并且滿足1<!13的關(guān)系，pi是滿足l《pi的關(guān)系的整數(shù)，且p2是滿足0《ps的關(guān)系的整數(shù)，條件是滿足Kp、P、10000)，或[化學(xué)式6](其中R2°-R24、A2、X、m和n2分別具有如上面所限定的相同含義，R25-R"獨立地表示氫原子、取代或未取代的一價烴基或卣素原子，Q2表示取代或未取代的、二價或更高價烴基、二價或三價1，3，5-三*基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，(}3表示取代或未取代的烴基、1，3，5-三溱基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，22是等于(02的價態(tài)-1)的整數(shù)并且滿足l<z2的關(guān)系，q'是滿足Kq'的關(guān)系的整數(shù)，且42是滿足0<(12的關(guān)系的整數(shù)，條件是Kq、q、10000);5.2或3的電荷傳輸性清漆，包括由式(14)或(15)表示的芳基磺酸化合物[化學(xué)式7]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>[其中X表示0、S或NH，A表示X，或可以具有除n個(S03H)基以外的取代基的萘環(huán)或蒽環(huán)，B表示取代或未取代的烴基、1，3，5-三喚基或取代或未取代的由以下式U2)或(13)表示的基團w1-(12)13)(其中11和W2獨立地表示0、S、S(0)基、S(02)基，或未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基)，n是與A鍵接的磺酸基的數(shù)目并且是滿足l<n<4的整數(shù)，q表示B和X之間鍵的數(shù)目并且是滿足Kq的整數(shù)，且r表示重復(fù)單元的數(shù)目并且是滿足Kr的整數(shù)];6.通過使用用2-5中任一項的電荷傳輸性清漆制成的電荷傳輸性薄膜；7.包括l的電荷傳輸性材料的電荷傳輸性薄膜；8.包括6或7的電荷傳輸性薄膜的有機電致發(fā)光器件；和9.由式(1)表示的苯氨基-N，N'-二苯基醌二亞胺衍生物的制備方法R3R2r7r8r11R12r15r16(其中RtR"分別具有如上所限定的相同含義)，特征在于使由式(2)或(3)表示的4-羥基二苯胺化合物[化學(xué)式9]r3r2R7r8(其中R2-R"分別具有如上所限定的相同含義)和由式(4)或(5)表示的"氨基二苯胺[化學(xué)式10](其中w-ir分別具有如上所限定的相同含義)在鈦醇鹽催化劑存在下彼此反應(yīng)以制備由式(6)表示的苯基四苯胺化合物[化學(xué)式11]R3R2R7R8R11R12R15R16(其中R2-FT分別具有如上所限定的相同含義)，并進一步用氧化劑處理。本發(fā)明效果作為存在于本發(fā)明電荷傳輸性清漆中的電荷傳輸性材料的苯氨基-n，rr-二苯基醌二亞胺衍生物顯示高的溶解度和非聚集性能并因此可過濾性良好，且合成產(chǎn)率高。通過利用這種在有機溶劑中的高溶解度，可以通過不但使用極性溶劑，而且組合地使用較低極性醇溶劑、醚溶劑、酯溶劑或酮溶劑制備電荷傳輸性清漆。此外，可以容易地控制該清漆的液態(tài)物理性能。上述衍生物作為氧化低聚苯胺化合物具有稀有的高結(jié)晶性，以致通過重結(jié)晶操作而容易和高的純化變得可能。這樣，可以消除雜質(zhì)。此外，該清漆產(chǎn)生完全均勻的溶液，以致可以形成薄膜而不會引起缺陷或不規(guī)則發(fā)生。此外，與少量苯胺重復(fù)單元無關(guān)，上述衍生物當(dāng)與電子接受材料組合使用時顯示高的電荷可傳輸性，以致可以顯示良好的0led特性或pled特性。此外，當(dāng)與還原(隱色翠綠亞胺型)低聚苯胺類似化合物相比時，該衍生物當(dāng)在短時間內(nèi)烘烤或在低溫度下烘烤，或在惰性氣體例如氮氣的氣氛中烘烤時能夠展現(xiàn)它的功能。含有具有上述那些特性的苯氨基-n，n'-二苯基醌二亞胺衍生物作為電荷傳輸性材料的有機溶劑基電荷傳輸性清漆可適合用作電容器電極防護膜、質(zhì)子聚合物電池、太陽能電池和抗靜電膜。附圖簡述圖l是實施例6中獲得的電荷傳輸性薄膜的激光共焦縮微照片(物鏡x2Q透鏡)。圖2是比較例11中獲得的電荷傳輸性薄膜的激光共焦縮微照片(物鏡x20透鏡)。圖3是比較例12中獲得的電荷傳輸性薄膜的激光共焦縮微照片(物鏡x20透鏡)。本發(fā)明的最佳實施方式現(xiàn)將更詳細地描述本發(fā)明。本發(fā)明的電荷傳輸性清漆包括由式(1)表示的苯氨基-N，N'-二苯基醌二亞胺衍生物作為電荷傳輸性材料。由式(1)表示的苯氨基-N，N'—二苯基醌二亞胺衍生物具有電荷可傳輸性并且可以有利地用作電荷傳輸性材料，特別是作為空穴傳輸性材料。將指出的是，電荷可傳輸性與導(dǎo)電性具有相同含義。該電荷傳輸性清漆本身可以具有電荷可傳輸性或由該清漆獲得的固態(tài)膜可以具有電荷可傳輸性。[化學(xué)式13〗R3R2R7R8R11R12R15R16R5R6RR9R1。R1"R14R1。R18在式(1)中，Ri表示氬原子或取代或未取代的一價烴基。該一價烴基中碳原子的數(shù)目不受限制并且通常為l-20，優(yōu)選1-8。取代或未取代的一價烴基的具體實例包括烷基例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、叔丁基、正己基、正辛基、2-乙基己基、癸基等；環(huán)烷基例如環(huán)戊基、環(huán)己基等；雙環(huán)烷基例如雙環(huán)己基等；烯基例如乙烯基、l-丙烯基、2-丙烯基、異丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1或2或3-丁烯基、己烯基等；芳基例如苯基、二甲苯基、甲苯基、聯(lián)苯基、萘基等；芳烷基例如節(jié)基、苯乙基、苯環(huán)己基等；和上述的那些一價基，其中該一價基的部分或全部氫原子被卣素原子、羥基、烷氧基、磺酸酯基等取代。特別地，優(yōu)選使用氫原子、甲基或乙基作為R1。將指出的是，術(shù)語"未取代的"是指氫原子是鍵接的。取代基可以相互結(jié)合而提供環(huán)部分?；撬峄⒘姿峄?、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、取代或未取代的一價經(jīng)基、有機氧基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機硫基、?；㈨炕蜇账卦?。取代或未取代的一價烴基的具體實例與上述的那些相似。有機氧基的具體實例包括烷氧基、烯氧基、芳氧基等。這些烷基、烯基和芳基與作為上述取代基舉例的那些相似。有機氨基的具體實例包括烷基氨基例如曱基氨基、乙基氨基、丙基氨基、丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、壬基氨基、癸基氨基、月桂基氨基等；二烷基氨基例如二甲基氛基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二戊基氨基、二己基氨基、二庚基氨基、二辛基氨基、二壬基氨基、二癸基氨基等；二環(huán)烷基氨基例如環(huán)己基氨基等；和嗎啉基。有機甲硅烷基的具體實例包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、三戊基甲硅烷基、三己基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基曱硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基等。有機硫基的具體實例包括烷基硫基例如甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、壬硫基、癸硫基、月桂硫基等。?；木唧w實例包括甲酰基、乙酰基、丙?；⒍□；?、異丁?；?、戊?；愇祯；?、苯甲?；?。一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機硫基和?；奶荚拥臄?shù)目不是關(guān)鍵的并且通常為1-20,優(yōu)選l-8。上述取代基中，氫原子、取代或未取代的有機氧基、烷基和有機甲硅烷基是更優(yōu)選的。在本發(fā)明的電荷傳輸性清漆中，其它類型的電荷傳輸性材料可以與由式(1)表示的苯氨基-N，r-二苯基醌二亞胺衍生物混合以用作電荷傳輸性材料。其它類型的電荷傳輸性材料在類型方面不受限制，只要使用可以均勻溶解或分散在溶劑中的電荷傳輸性單體、低聚物或聚合物。優(yōu)選使用具有一類共軛單元的序列的低聚物或具有不同類型共軛單元的序列組合的低聚物。共軛單元不限于特定的單元，只要使用能夠輸送電荷的原子、芳族環(huán)或共軛基團。優(yōu)選地，提及取代或未取代的二價至四價苯胺基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、亞乙炔基、亞乙烯基、亞苯基、萘基、喁二唑、喹啉基、silol基、硅原子、吡啶基、亞苯基亞乙烯基、藥基、呻唑基、三芳基胺基、金屬或無金屬酞斧基、金屬或無金屬p卜啉基等。通過連接共軛單元形成的共軛鏈可以含有環(huán)部分。取代基獨立地表示氫、羥基、卣素基、氨基、硅烷醇、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機疏基、?；?、砜基等，并且這些官能團可以進一步被任何官能團取代。將指出，一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機曱硅烷基、有機硫基和?；木唧w實例與上述的那些相似。在這方面，各取代基的碳原子的數(shù)目不是關(guān)鍵的并且通常為1-20，優(yōu)選l-8。優(yōu)選的取代基包括氟、砜基、取代或未取代的有機氧基、烷基或有機甲硅烷基。為了改進溶解度，電荷傳輸性材料的分子量優(yōu)選不大于5000并且優(yōu)選不小于200以致確保低的揮發(fā)性和電荷可傳輸性的展現(xiàn)。適宜地使用在至少一種溶劑中顯示高溶解度的材料并且如果它們在至少一種溶劑中顯示高溶解度則可以具有5000-500,000的數(shù)均分子量。如上所述，雖然本發(fā)明的電荷傳輸性清漆應(yīng)該包括至少一種類電荷傳輸性材料充當(dāng)本發(fā)明電荷傳輸性體系的必要組分，但是優(yōu)選添加電子接受材料以致改進電荷可傳輸性和膜均勻性。電子接受材料具有與電荷接受摻雜材料相同的含義。優(yōu)選這些材料完全地溶于電荷傳輸性清漆中的溶劑。電子接受性材料(電荷接受性摻雜材料)在類型方面不受限制，只要它溶于至少一種溶劑并且優(yōu)選應(yīng)該具有高的電荷可接受性。摻雜材料的具體實例包括無機強酸例如氯化氫、硫酸、硝酸、磷酸等；路易斯酸例如氯化鋁(III)(A1C13)、四氯化鈦(IV)(TiCl4)、三溴化硼(BBr3)、三氟化硼醚配合物(BF3.0EtJ、氯化鐵(III)(FeCl3)、氯化銅(II)(CuCl2)、五氯化銻(V)(SbCl5)、五氟化砷(V)(AsF5)、五氟化磷(PF5)、三(4-溴苯基)六氯銻酸鋁(TBPAH)等；有機強酸例如苯磺酸、曱苯磺酸、樟腦磺酸、羥基苯磺酸、5-磺基水楊酸、十二烷基苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、由上述式(8)-(11)表示且在W02005/000832小冊子中描述的1，4-苯并二噍烷二磺酸衍生物、W02006/025342小冊子中描述的芳基磺酸衍生物、JP-A2005-108828中描述的二壬基萘磺酸衍生物和由上述式(14)和(15)表示且在W02006/025342小冊子中描迷的萘二磺酸衍生物；和有機或無機氧化劑例如7，7，8，3-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2，3-二氯-5，6-二氰基-1，4-苯醌(DDQ)、碘等，但不限于它們。優(yōu)選的電荷接受性摻雜材料包括有機強酸例如5-磺基水楊酸、十二烷基苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、由上述式(8)-(11)表示且在W02005/000832小冊子中描述的1，4-苯并二喁烷二磺酸衍生物、JP-A2005-108828中描述的二壬基萘磺酸衍生物和由上述式(14)和(15)表示且在WO2006/025342小冊子中描述的萘二磺酸衍生物。將指出的是，兩種或更多種摻雜材料可以組合地使用以致改進對基板的可濕性，在烘烤后形成高度平坦膜和賦予物理性能例如溶解度、耐熱性、光敏性等。式(8)-(11)中的一價烴基和面素原子與在上文中提及的那些相似。優(yōu)選的R"-R"獨立地表示氫原子、甲基、乙基、異丙基、叔丁基、2-乙基己基、氟原子和氯原子。X優(yōu)選是O。將指出的是，單鍵是指與X鄰接的原子或原子團彼此直接地鍵接。人:和Q'不受限制，只要它們獨立地是氫原子，鹵素原子(僅在X是單鍵的情形下)，S(僅在X是單鍵的情形下)，S(0)基，S(02)基，未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基，未取代或取代的烴基，1，3，5-三溱基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團。特別地，考慮到耐久性和電荷可傳輸性的改進，優(yōu)選使用氫原子、具有至少一個芳族環(huán)的取代或未取代的二價或更高價烴基、二價或三價1，3，5-三喚基、取代或未取代的二價二苯砜基。此外，更優(yōu)選使用氫原子、二價或三價取代或未取代的節(jié)基、二價取代或未取代的對苯二甲基、二價或三價取代或未取代的萘基、二價或三價1，3，5-三溱基、二價取代或未取代的二苯砜基、二價至四價全氟聯(lián)苯基、二價取代或未取代的2，2-雙((羥基丙氧基)苯基)丙基、取代或未取代的聚乙烯基節(jié)基等。W表示A1的價態(tài)并且不受限制，條件是它是滿足1<n1的整數(shù)。m表示與1，4-苯并二喁烷骨架的苯環(huán)部分鍵接的磺酸基的數(shù)目并且不受限制，只要KnK4。然而，m優(yōu)選是1或2以保證高的電子接受能力和高的溶解度。A2、A3、A4、02和03中的取代或未取代的烴基不受限制并且為了改進耐久性和電荷可傳輸性，有利地使用含有一個或多個芳族環(huán)的烴基，例如未取代的千基、取代或未取代的對苯二甲基、取代或未取代的萘基、全氟聯(lián)苯基、2，2-雙((羥基丙氧基)苯基)丙基、取代或未取代的聚乙烯基爺基等。這些基團可以作為具有在由各自基團所限定的范圍內(nèi)的價態(tài)使用。A2、A3、A4、Q2和Q3中的由上述式(12)或(13)表示的取代或未取代的基團不受限制，并且如同A'和Q1，優(yōu)選使用在由各自基團所限定的范圍內(nèi)的價態(tài)的二苯砜基。W等于(As的價態(tài)-1)的值并且不受限制，只要它是滿足l<n2的整數(shù)。113等于(A3的價態(tài)-2)的值并且不受限制，只要它是滿足l<n3的整數(shù)。1是滿足1<1的整數(shù)，且p2是滿足0《p2的整數(shù)，條件是滿足l《p、p2《10000，優(yōu)選1《p、p、5000的關(guān)系。qt是滿足K(^的整數(shù)，且(f是滿足(Kq2的整數(shù)，條件是滿足1《q丄+q、10000，優(yōu)選1<q丄+q2<5000的關(guān)系。z1等于Q1的價態(tài)并且不受限制，只要它是滿足1<z1的整數(shù)。22等于(02的價態(tài)-1)的值并且不受限制，只要它是滿足l<z2的整數(shù)。1，4-苯并二喁烷磺酸化合物的具體實例包括分別由以下式表示的1，4-苯并二喝烷磺酸化合物的低聚物(下文縮寫為BDS0)和1，4-苯并二噁烷磺酸化合物的聚合物(在下文中簡稱BDSP)，但不限于它們。[化學(xué)式15]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>[化學(xué)式16]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>在式(14)和(15)中，除X和(S03H)基以外的取代基的具體實例包括羥基、氨基、硅烷醇、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機曱硅烷基、有機硫基、?；㈨炕?、鹵素原子等，但不限于它們。這些一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機硫基、酰基和卣素原子的具體實例與前面提及的那些相似。將指出的是，上述取代基可以含有環(huán)部分，其中取代基相互結(jié)合在一起。X優(yōu)選是0。B不受限制，只要它表示未取代或取代的烴基、1,3,5-三嗪基或未取代或取代的由上述式(13)或(14)表示的基團，但不限于它們。在這種情況下，當(dāng)考慮到耐久性和電荷可傳輸性的改進時，優(yōu)選使用含有一個或多個芳族環(huán)的二價和更高價取代或未取代的烴基、二價或三價1，3，5-三喚基或取代或未取代的二價二苯砜基作為B。更具體地說，優(yōu)選提及二價或三價取代或未取代的芐基、二價取代或未取代的對苯二甲基、二價或三價取代或未取代的萘基、二價或三價1，3，5-三嗪基、二價取代或未取代的二苯砜基、二價至四價全氟聯(lián)苯基、二價取代或未取代的2，2-雙((羥基丙氧基)苯基)丙基和取代或未取代的聚乙烯基節(jié)基。n表示與A鍵接的磺酸基的數(shù)目并且不受限制，只要Kn《4，所述A表示芳基骨架。當(dāng)考慮賦予高電子接受能力和高溶解度時，n優(yōu)選是l或2。q表示B和X之間鍵的數(shù)目并且不受限制，只要它是滿足關(guān)系1《q的整數(shù)。然而，2《q是優(yōu)選的。r表示重復(fù)單元的數(shù)目并且不受限制，只要它是滿足1<r的整數(shù)。然而，2《r是優(yōu)選的。芳基磺酸化合物的具體實例包括由以下式表示的萘二磺酸化合物的低聚物(在下文中簡稱NSO)，但不限于它們。NSO—1用于制備電荷傳輸性清漆的溶劑包括水和有機溶劑例如曱醇、N，N-二甲基曱酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甲亞砜、氯仿、甲苯等。出于上面給出的原因，有機溶劑是優(yōu)選的并且特別優(yōu)選使用N，N-二曱基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮和1，3-二甲基-2-咪唑啉酮。為了改進粘度和對基板的可濕性和控制溶劑的表面張力、極性和沸點，可以向上面給出的溶劑中按l-90wt%，優(yōu)選1-50wt。/。的量添加在烘烤后賦予膜平坦性的溶劑，基于清漆中使用的全部溶劑。此類溶劑的具體實例包括環(huán)己醇、乙二醇、乙二醇二縮水甘油醚、1，3-辛二醇、二乙二醇、二丙二醇、三乙二醇、三丙二醇、1，3-丁二醇、2，3-丁二醇、1，4-丁二醇、丙二醇、1，3-丙二醇、己二醇、丁基溶纖劑、二乙二醇二乙醚、二丙二醇單甲醚、乙基卡必醇、曱基卡必醇、二丙酮醇、Y-丁內(nèi)酯、乳酸乙酯、乙腈、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、異丁醇、叔丁醇、丙酮、2-丁酮、二硫化碳、硝基甲烷等，但不限于它們。當(dāng)將電荷傳輸性清漆涂覆到基板上并從中蒸發(fā)溶劑時，可以在該基板上形成電荷傳輸性薄膜。涂覆法不受限制并且包括浸涂法、旋涂法、轉(zhuǎn)印法、輥涂法、刷涂法、噴墨法、噴涂法等。蒸發(fā)溶劑的方式不受限制并且例如通過使用熱板或通過使用烘箱在空氣或惰性氣體例如氮氣等的合適的氣氛中，或在真空中進行蒸發(fā)。這允許獲得具有均勻膜形成的表面的薄膜。烘烤溫度不受限制，只要可以蒸發(fā)溶劑，并且優(yōu)選在40-250匸下進行烘烤。在這種情況下，可以通過兩個或更多個階段改變溫度以致展現(xiàn)更均勻的成膜性能和允許反應(yīng)在基板上進行。也可以通過由式(1)表示的苯氨基-N，『-二苯基醌二亞胺衍生物的真空沉積形成電荷傳輸性薄膜。電荷傳輸性薄膜的厚度不受限制并且當(dāng)使用這種膜作為有機EL器件內(nèi)的電荷注入層時，厚度優(yōu)選為5-200nm。膜厚度可以通過以下方法改變其中改變清漆中的固體濃度的方法或其中在涂覆時改變基板上的清漆的量的方法。當(dāng)本發(fā)明電荷傳輸性清漆用來制造0LED器件時所使用的材料和制造方法可以是下面給出的那些，但不限于它們。所使用的電極基板優(yōu)選通過預(yù)先經(jīng)受液體洗滌例如用清潔劑、醇、純水等洗滌來清洗。例如，在陽極基板時，優(yōu)選就在使用之前進行表面處理例如臭氧處理、氧等離子體處理等。然而，如果陽極材料主要由有機物構(gòu)成，則可以不進行表面處理。當(dāng)將空穴傳輸性清漆用于0LED器件時，可以使用以下程序。將空穴傳輸性清漆涂覆到陽極基板上并通過上文中給出的那種方法蒸發(fā)溶劑，接著烘烤以在該電極上形成空穴傳輸性薄膜。將它引入真空沉積儀器，接著依次真空沉積空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極金屬，從而提供OLED器件。為了控制發(fā)光區(qū)域，可在任意層間設(shè)置栽流子阻擋層。陽極材料包括透明的電極材料，典型的是氧化銦錫(IT0)、氧化銦鋅(IZ0)等。優(yōu)選表面平整的透明電極。還可以使用具有高電荷可傳輸性的聚噻吩衍生物和聚苯胺衍生物。用來形成三芳基胺例如空穴傳輸層的材料包括(三苯胺)二聚體衍生物(TPD)、(oc-萘基二苯胺)二聚體(oc-NPD)、[(三苯胺)二聚體]螺二聚體(Spiro-TAD)等，星型胺4，4'，4〃-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、4，4、4"-三[l-萘基(苯基)氨基]三苯胺(l-TNATA)等，和低聚噻吩例如5，5"-雙-{4-[雙(4—甲基苯基)氨基]苯基}-2，2':5、2"-三噻吩(BMA-3T)等。用于形成發(fā)光層的材料包括三(8-羥基喹啉合)鋁(III)(Alq3)、雙(8-羥基喹啉合)鋅(II)(Znq2)、雙(2-曱基-8-羥基喹啉合)(對苯基苯酚合)鋁(III)(BAlq)、4，4'-雙(2，2-二苯基乙烯基)聯(lián)苯(DPVBi)等。發(fā)光層可以通過共沉積電子傳輸材料或空穴傳輸材料和發(fā)光摻雜劑來形成。電子傳輸材料包括Alq3、BAlq、DPVBi、(2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-喁二唑)(PBD)、三唑衍生物(TAZ)、浴銅靈(BCP)、silol衍生物等。發(fā)光摻雜劑包括喹吖啶酮、紅熒烯、香豆素540、4-(二氛基亞甲基)-2-甲基-6-(對-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、三(2-苯基吡啶)銥(III)(Ir(ppy)3)、(1，10-菲繞啉)-三(4,4,4-三氟-l-(2-噻吩基)丁烷-l，3-二酮合)銪(III)(Eu(TTA)3phen)等。形成栽流子阻擋層的材料包括PBD、TAZ、BCP等。形成電子注入層的材料包括氣化鋰(Li20)、氧化鎂(MgO)、氧化鋁(A1203)、氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氟化鍶(SrF2)、Liq、Li(acac)、乙酸鋰、苯曱酸鋰等。陰極材料包括鋁、鎂-銀合金、鋁-鋰合金、鋰、鈉、鉀、銫等。當(dāng)將電子傳輸清漆用于OLED器件時，進行以下方法。將電子傳輸性清漆涂覆到陰極基板上以形成電子傳輸性薄膜，將它引入真空沉積儀器，接著通過分別利用前面提及的那些材料形成電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層，并通過濺鍍形成陽極材料的膜以提供OLED器件。雖然使用本發(fā)明電荷傳輸性清漆制造PLED器件的方法不受限制，但是可以使用以下方法。更具體地說，替代對上面給出的OLED器件的制造中的空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層進行真空沉積操作，形成發(fā)光電荷傳輸性聚合物層，從而使包括由本發(fā)明電荷傳輸性清漆形成的電荷傳輸性薄膜的PLED器件能夠制造。具體地說，通過上面給出的程序?qū)㈦姾蓚鬏斝郧迤?空穴傳輸清漆)涂覆到陽極基板上以形成空穴傳輸性薄膜，在該薄膜的上面形成發(fā)光電荷傳輸性聚合物層，接著真空沉積陰極電極而提供PLED器件。或者，可以通過上面給出的程序?qū)㈦姾蓚鬏斝郧迤?電子傳輸性清漆)涂覆到陰極基板上以形成電子傳輸薄膜，在該薄膜的上面形成發(fā)光電荷傳輸性聚合物層，接著通過濺鍍、真空沉積、旋涂等方法形成陽極電極以提供PLED器件。用于陰極和陽極的材料與用于制造OLED器件的那些相似，并且可以進行類似的清洗處理和表面處理。對于發(fā)光電荷傳輸性聚合物層的形成，使用其中將溶劑添加到有或者沒有進一步添加發(fā)光摻雜劑的發(fā)光電荷傳輸性聚合物材料中以提供它的溶液或均勻分散體，接著涂覆到在其上已經(jīng)預(yù)先形成了空穴注入層的電極基板上并蒸發(fā)溶劑以形成該聚合物材料的膜的方法。發(fā)光電荷傳輸性聚合物材料包括聚芴衍生物例如聚(9，9-二烷基芴)(PDAF)等，聚亞苯基亞乙烯基衍生物例如聚(2-甲氧基-5-(2'-乙基己氧基)-1，4-亞苯基亞乙烯基)(MEH-PPV)等，聚瘞吩衍生物例如聚(3-烷基瘞吩)(PAT)等，聚乙烯^"唑(PVCz)等。溶劑包括甲苯、二甲苯、氯仿等，并且為了溶解或均勻分散，使用攪拌、加熱下的攪拌、超聲分散等的方法。涂覆方法不是關(guān)鍵的，對于涂覆方法，提及噴墨法、噴涂法、浸涂法、旋涂法、轉(zhuǎn)印法、輥涂法、涂刷法等。將指出的是，優(yōu)選在惰性氣體例如氮氣、氬氣等的氣氛中進行涂覆。在惰性氣體中或在真空中，在烘箱中或采用熱板通過加熱蒸發(fā)溶劑。接下來，舉例說明由上述式(1)表示的苯氨基-N，『-二苯基醌二亞胺f汙生物的制備方法。由式(1)表示的衍生物的制備方法在文獻(Macromol.RapidCommun.,20,560-563(1999))中進行了闡述。為了通過短的步驟以高純度獲得苯基三苯胺及其氧化產(chǎn)物，適宜地使用其中通過應(yīng)用文獻(Bull.Chem.Soc.Jpn.，67,1749-1752(1994))中描述的方法合成苯基三苯胺化合物，接著氧化反應(yīng)的方法。此外，進行烷基化反應(yīng)以致可以將一價烴基添加到游離氨基中。更具體地說，在第一步驟中，使由式(2)或(3)表示的4-羥基二苯胺化合物[化學(xué)式18]RJR'R'(其中R2-ir分別具有如上所限定的相同含義)和由式(4)或(5)表示的4-氨基二苯胺[化學(xué)式l9](其中RLR"分別具有如上所限定的相同含義)在鈦醇鹽催化劑存在下反應(yīng)以制備由式(6)表示的苯基四苯胺化合物R3R2R7R8R11R12R15R16(其中R2-IT分別具有如上所限定的相同含義)。在這種情況下，為了以高純度和高產(chǎn)率進行制備，優(yōu)選通過純化操作例如在減壓下蒸餾、重結(jié)晶等預(yù)先將由式(2)和(3)表示的4-羥基二苯胺化合物和由式(4)和(5)表示的4-氨基二苯胺化合物高度純化。為了抑制副反應(yīng)和未反應(yīng)的起始材料的殘余，該反應(yīng)中化合物(2)(或(3))和化合物(4)(或(5))之間的摩爾比優(yōu)選為2:1-1:2，更優(yōu)選1.2:1-1:1.2。催化劑是鈦醇鹽并且優(yōu)選包括Ti(0-n-Bu)3(OC6H4CH3)、Ti(0-n-Bu)4和Ti(0-n-Pr)4，其中Ti(0-n-Bu)3(OC6H4CH3)是更優(yōu)選的。相對于化合物(2)或(3)，催化劑的量優(yōu)選是1-5倍，更優(yōu)選1.2-3.0倍，按摩爾計。反應(yīng)溶劑不受限制，只要它不參與反應(yīng)并且優(yōu)選包括沸點不低于大約70X:的低極性溶劑，例如甲苯、二曱苯、氯苯、二氯苯、二氯乙烷等，其中甲苯或二甲苯是更優(yōu)選的。隨后，在第二步驟中，用氧化劑處理上面制備的苯基四苯胺化合物(6)以制備由以下式(7)表示的苯氨基-N,N，-二苯基醌二亞胺衍生物。R3R2R7R8R11R12R15R16(其中RLR"分別具有如上所限定的相同含義)。在這種情況下，雖然氧化劑在類型方面不受限制，只要它允許氧化反應(yīng)進行從而使醌型結(jié)構(gòu)能夠形成，使用無機氧化劑例如氧化銀(I)、氯化鐵(III)、硫酸鐵(III)等，氧氣或空氣是有利的，其中出于允許反應(yīng)完全地進行和在反應(yīng)之后的純化處理容易的觀點，氧化銀(I)是優(yōu)選的。相對于苯基三苯胺化合物(6)，氧化劑，特別是氣化銀(I)的量有利地是1.5-5倍，優(yōu)選1.7-3.0倍，按摩爾計，以致抑制起始材料和預(yù)期物質(zhì)的吸附和副反應(yīng)和引起反應(yīng)完全地進行。反應(yīng)溶劑在類型方面不受限制，只要它能夠溶解起始材料并且包括四氫呋喃(THF)、二喁烷、氯仿、1，2-二氯乙烷、二氯甲烷、乙腈、乙酸、乙酸乙酯、丙酮、二乙醚、二異丙醚、二甲氧基乙烷、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、N-甲基吡咯烷酮、二甲亞砜、曱苯、二甲苯等，其中THF和二鳴烷是優(yōu)選的。反應(yīng)溫度不受限制，只要它允許氧化反應(yīng)進行并且適宜地在0-50x:。在反應(yīng)完成后，應(yīng)該通過適當(dāng)手段例如HPLC、TLC等確認(rèn)氧化反應(yīng)進行直到形成預(yù)期的產(chǎn)物，并且優(yōu)選在與副產(chǎn)物和起始材料相比以最高比例形成預(yù)期產(chǎn)物的時候停止反應(yīng)。反應(yīng)時間通常為20分鐘到大約3小時。在反應(yīng)完成之后，經(jīng)由操作例如硅藻土過濾、減壓濃縮、重結(jié)晶等進行純化是可行的。此外，可以在有或沒有催化劑的存在下將親電子試劑作用于上述式(7)的化合物，從而在氨基上引入一價烴基。實施例下面示出合成實施例、實施例和比較例以更具體地描述本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被理解為限于以下實施例。NMR、MS和UV-VIS光i脊的測量儀器是下面指出的那些。腿4義器ECX-300,由JE0LLtd.制造測量溶劑二甲亞砜-d6，由JunseiChemicalCo.,Ltd.制造[2]MS儀器(MALDI-TOF):Voyager-DETMPRO,由AppliedBiosystems制造儀器(FAB):JMS-700T，由JEOLLtd.制造[3]UV-VIS儀器UV-3100PC,由ShimadzuCorporation制造合成實施例1氧化苯基三苯胺的合成根據(jù)以下程序，經(jīng)由通過利用4-羥基二苯胺(在下文中簡稱HDPA)和4-氨基二苯胺(在下文中簡稱ADPA)制備的苯基三苯胺(在下文中簡稱PTrA)制備氧化苯基三苯胺(在下文中簡稱ox-PTrA)。第二階段ox-PTrA第一步驟通過利用真空泵分別使HDPA(由TokyoKaseiKogyouCo.，Ltd.制造)和ADPA(由TokyoKaseiKogyouCo.,Ltd.制造)經(jīng)受在加熱下(HDPA:187-188。C，ADPA:185-188"C)的減壓蒸餾并允許冷卻并將所得的晶體用于反應(yīng)。將脫水甲苯(550ml)添加到50.36g(0.2719mol)HDPA和50.04g(0.2716mol)ADPA中，接著通過加熱到90T進行溶解。另一方面，通過利用蒸發(fā)器在65X:下在減壓(<10Pa)下攪拌138.80g(0.4078mol)Ti(0-n-Bu)4(由KantoChemicalCo.Inc.制造)和61.26g(0.4079mol)對甲苯基乙酸酯(由KantoChemicalCo.Inc.制造)的混合溶液2.5小時，從而制備充當(dāng)反應(yīng)催化劑的Ti(0-n-Bu)3(0-C6H4CH3)同時除去所得的乙酸丁酯。通過向其中添加200ml甲苯使如此獲得的Ti催化劑溶解并將所得的溶液加入上迷保持在90C的反應(yīng)體系中。在該加料之后，將反應(yīng)溶液加熱至100。C并按照原樣攪拌18小時。在允許冷卻到室溫之后，過濾反應(yīng)溶液并依次用700ml甲苯和300ml二乙醚洗滌所得的銀晶體，接著在減壓下干燥以獲得85.44g(0.2431mol,產(chǎn)率90%)粗PTrA。將2升二噁烷和8g活性碳添加到85.44g粗PTrA中并在加熱下在油浴中在100。C下攪拌以溶解該粗PTrA，接著在加熱條件下硅藻土過濾。向所得的濾液中添加500ml曱苯并冷卻至室溫。通過過濾收集所得的晶體并依次用200ml甲苯洗滌三次和用200ml二乙醚洗滌一次，接著在減壓下干燥以獲得70.88g(0."l7mol，重結(jié)晶產(chǎn)率83%，總產(chǎn)率74%)淺紫色PTrA晶體。如此獲得的PTrA的4-NMR光譜的測量結(jié)果顯示如下。力-NMR(300MHz，DMS0-d6):57.78(2H，s，NH)，7.68(1H，s，NH)，7.15(4H，dd，Ar-H)，6.85-7.05(12H，m，Ar-H)，6.68(2H，dd，Ar-H)第二步驟向20.00g(56.91iiimols)第一步驟中獲得的PTrA中添加400mlTHF，接著在室溫下攪拌以便溶解。向所得的淺紫色透明溶液中添加26.38g(113.8mmols)氧化4艮(I)(由KantoChemicalCo.，Inc.制造)并在室溫下攪拌50分鐘。使反應(yīng)溶液經(jīng)受硅藻土過濾并用THF洗滌，并在減壓下將合并的濾液濃縮到干燥以獲得粗ox-PTrA。向如此獲得的粗ox-PTrA中添加500ml甲苯并加熱到IOOX:以便溶解，向其中添加200ml己烷，接著允許在攪拌下冷卻到室溫。通過過濾來收集所得的晶體并依次用甲苯和己烷(1:1)的混合溶劑以及用己烷洗滌，各自在冰浴中冷卻，接著在減壓下干燥以獲得18.10g((51.80mmols)，產(chǎn)率91%)ox-PTrA的紅色晶體。如此獲得的ox-PTrA的卞-NMR光譜和MS讒的測量結(jié)果顯示如下。卞-NMR(300MHz，DMS0-d6):56.7-7.5(18H，m，Ar-H)，5.83and5.81(1H，s，NH)(E異構(gòu)體和Z異構(gòu)體的混合物).MS(MALDI-T0F+):350[M+H]+參考1向99.6mg(0，283mmo1)合成實施例1的第一步驟中獲得的PTrA中添加10mlTHF并在室溫下攪拌以便溶解。向所得的淺紫色透明溶液中添加80.4mg(0.347mmol，即相對于起始PTrA大約1.2當(dāng)量)并在室溫下攪拌。在室溫下攪拌15分鐘時，使用TLC(展開溶劑氯仿乙酸乙酯=9:1)跟蹤反應(yīng)，揭示PTrA以大約30%殘留并且在室溫下攪拌50分鐘之后發(fā)現(xiàn)沒有變化。此外，向其中添加54.5mg(0.235mmol，即相對于起始PTrA0.8當(dāng)量)并且在室溫下攪拌80分鐘，此時確認(rèn)起始材料消失。從上述結(jié)果將看出，為了制備預(yù)期化合物，即從起始低聚苯胺形成一種醌型結(jié)構(gòu)(在PTrA的氧化下僅可以形成一種醌型結(jié)構(gòu))，使用稍微過量當(dāng)量(大約1.2當(dāng)量)氧化銀(I)不是令人滿意的。對比合成實施例1氧化苯基四苯胺的合成根據(jù)W02006/006459小冊子中描述的程序合成苯基四苯胺(在下文中簡稱PTA)。當(dāng)用和ox-PTrA的合成中一樣的方法使用THF作為溶劑時，起始pta不溶解在其中，為此使用二喝烷并加熱到ioo'c以致溶解PTA，接著進行下面給出的反應(yīng)。向4.05g(9.15mmols)PTA中添加200ml二喁烷并在油浴中在100r下加熱以便溶解，接著進一步添加4.24g(18.3mmols)氧化銀(I)并在油浴中在IOO匸下攪拌30分鐘。使該反應(yīng)溶液經(jīng)受加熱的硅藻土過濾并濃縮所得的濾液到干燥以獲得848mg紫色粉末(產(chǎn)率21%)。如此形成的氧化PTA溶解度低并且固體殘留在硅藻土上，從而降低產(chǎn)率。如此獲得的粉末的重結(jié)晶是不可能的，以致提高純度可能做不到。該粉末的MS的測量結(jié)果顯示如下。MS(FAB+):440[M(ox-PTA)]+，441[M(ox-PTA)+H]+，442[M(PTA)]+，443[M(PTA)+H]+[化學(xué)式23]HHHHox-PTA在合成產(chǎn)率方面ox-PTA比ox-PTrA差，原因在于更低的溶解度和更高的聚集性能。此外，將看出純度低，原因在于低的結(jié)晶性和大量非純的成分。將指出的是，至于ox-PTA，在文獻中說明在使用PTA作為起始材料的氧化反應(yīng)之后存在二類具有不同醌型部分的異構(gòu)體(SyntheticMetals,84，65-66(1997))。對比合成實施例2氧化苯基四苯胺的合成根據(jù)文獻(Bull.Chem.Soc.Jpn.，67，1749-1752(1994))中描述的程序合成苯基五苯胺(在下文中簡稱PPA)。接下來，嘗試PPA的氧化反應(yīng)，其中如在合成ox-PTrA的場合下那樣使用THF作為溶劑，結(jié)果起始ppa不溶解并使用二喁烷和加熱到ioox:以溶解ppa，接著進行以下反應(yīng)。向2.03g(3.80mmols)PPA中添加250ml二嚙烷并在油浴中在100。C下加熱以便溶解，向其中添加1.76g(7.61mmols)氧化銀(I)并在油浴中攪拌30分鐘。在允許冷卻之后，使反應(yīng)溶液經(jīng)受硅藻土過濾并濃縮所得的濾液到干燥以獲得1.97g紫色粉末(產(chǎn)率97%)。如此獲得的粉末可能不再結(jié)晶并因此，可能不能提高純度。該粉末的MS的測量結(jié)果顯示如下。MS(FAB+):530[M(ox2-PPA)+H]+，531[M(ox-PPA)]+，532[M(ox-PPA)+H]+，533[M(PPA)]+，534[M(PPA)+H]+將看出，氧化PPA與ox-PTrA相比在結(jié)晶性方面低并且在純度方面也低，原因在于大量非純的成分。如此獲得的氧化PPA的混合物(ox-PPA和ox2-PPA)在下文中稱為ox-PPA。在摩爾的計算時，使用一氧化(ox-PPA)的結(jié)構(gòu)。電荷傳輸性清漆向100mg(0.286mmol)合成實施例1中獲得的ox-PTrA和218mg(0.859mmol)5-磺基水楊酸二水合物的混合物中添加1.79mlDMAc，接著在攪拌下在室溫下溶解。向該溶液中添加5.31ml通過加熱到50x:而熔融的環(huán)己醇并攪拌以獲得墨綠色透明溶液。使如此獲得的溶液濾過孔徑為0.2jum的PTFE過濾器(具有13mm的直徑的MX-13P，由實施例1ShowaDenkoK.K.制造)，此時在沒有堵塞的情況下的過濾是可能的以獲得墨綠色的透明電荷傳輸性清漆。從這種結(jié)果將看出ox-PTrA在溶劑(環(huán)己醇/DMAc(3:1))中具有良好的溶解度并且具有良好的可過濾性。當(dāng)在-25'C下儲存如此獲得的電荷傳輸性清漆一天時，發(fā)現(xiàn)沒有固體沉淀。實施例2電荷傳輸性清漆在沒有用PTFE過濾器過濾的情況下提供實施例1中獲得的墨綠色透明溶液作為電荷傳輸性清漆。比較例1電荷傳輸性清漆向100mg(0.227mmol)對比合成實施例1中獲得的ox-PTA和231mg(0.908mmol)5-磺基水楊酸二水合物的混合物中添加1.86mlDMAc并在室溫下攪拌，結(jié)果殘留固體，沒有完全溶解。向該混合物中添加5.51ml通過加熱到50t:而熔融的環(huán)己醇并攪拌以獲得墨綠色懸浮液。使如此獲得的懸浮液濾過孔徑為0.2pm的TFE過濾器，揭示在過濾大約0.5ml時發(fā)生堵塞并且全部體積的過濾是不可能的。獲得作為濾液的墨綠色透明電荷傳輸清漆。當(dāng)在-25C下儲存如此獲得的電荷傳輸性清漆一天時，結(jié)果觀察到?jīng)]有固體沉淀。將看出，當(dāng)與ox-PTrA相比時ox-PPA在溶解度方面更低并且具有更大含量的不溶性顆粒。比較例2電荷傳輸性清漆向100mg(0.188mmol)對比合成實施例2中獲得的ox-PPA和239mg(0.940mmo1)5-磺基水楊酸二水合物的混合物中添加1.90mlDMAc并在室溫下攪拌，結(jié)果殘留少量固體并因此，沒有完全地溶解。向該混合物中添加5.51ml通過加熱到50t)而熔融的環(huán)己醇并攪拌以獲得含少量不溶性物質(zhì)的墨綠色溶液。使所得的溶液濾過孔徑為0.2jam的PTFE過濾器，結(jié)果在過濾大約0.5ml時發(fā)生堵塞并因此，全部體積的過濾可能做不到。獲得作為濾液的墨綠色透明電荷傳輸性清漆。當(dāng)在-25C下儲存如此獲得的電荷傳輸性清漆一天時，固體從中沉淀出來。當(dāng)將該清漆加熱到大約501C時，發(fā)生再溶解。將看出，當(dāng)與ox-PTrA相比時ox-PPA在溶解度方面更低并且含更大量的不溶性顆粒。比較例3電荷傳輸性清漆向100mg(0.226mmol)還原苯基四苯胺(PTA)和230mg(0,904mmol)5-磺基水楊酸二水合物的混合物中添加1.87mlDMAc并在室溫下攪拌，向其中添加5.53ml通過加熱到50X:而熔融的環(huán)己醇并攪拌。使所得的淡綠透明溶液濾過孔徑為0.2|im的PTFE過濾器，此時在沒有堵塞的情況下的過濾是可能的，從而獲得淡綠透明電荷傳輸性清漆。比較例4電荷傳輸性清漆在沒有用PTFE過濾器過濾的情況下提供比較例1中獲得的墨綠色懸浮液為電荷傳輸性清漆。比較例5電荷傳輸性清漆在沒有用PTFE過濾器過濾的情況下提供比較例2中獲得的墨綠色溶液為電荷傳輸性清漆。實施例3-5電荷傳輸性薄膜將實施例1中獲得的清漆旋涂到IT0基板上并在空氣中在表1中所示的不同條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜(空穴傳輸性薄膜)，該ITO基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻的無定形固體制成的。實施例6電荷傳輸性薄膜將實施例2中獲得的清漆旋涂到ITO基板上并在空氣中在表1中所示的條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜(空穴傳輸性薄膜)，該IT0基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此荻得的電荷傳輸性薄膜是由均勻無定形固體制成的，尤其如圖l所示的。實施例7電荷傳輸性薄膜在氮氣的氣氛(具有10ppm或更低的氧濃度)中旋涂實施例1中獲得的清漆到IT0基板上并在表1所示的條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜，該ITO基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻無定形固體制成的。比較例6電荷傳輸性薄膜將比較例1中獲得的清漆旋涂到ITO基板上并在空氣中在表1中所示的條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜(空穴傳輸性薄膜)，該ITO基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻無定形固體制成的。比較例7電荷傳輸性薄膜將比較例2中獲得的清漆旋涂到ITO基板上并在空氣中在表1中所示的條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜(空穴傳輸性薄膜)，該ITO基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻無定形固體制成的。比較例8-10電荷傳輸性薄膜將比較例3中獲得的清漆旋涂到IT0基板上并在空氣中在表1中所示的不同條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜(空穴傳輸性薄膜)，該ITO基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勾的無定形固體制成的。比較例11電荷傳輸性薄膜將比較例4中獲得的清漆旋涂到ITO基板上并在空氣中在表1中所示的條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜(空穴傳輸性薄膜)，該IT0基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此獲得的電荷傳輸性薄膜如圖2所示在不規(guī)則性方面顯著并且膜厚度的測量是不可能的。比較例12電荷傳輸性薄膜將比較例5中獲得的清漆旋涂到ITO基板上并在空氣中在表1中所示的條件下烘烤而形成電荷傳輸性薄膜(空穴傳輸性薄膜)，該IT0基板就在該涂覆之前已經(jīng)經(jīng)受了臭氧清洗40分鐘。如此獲得的電荷傳輸性薄膜如圖3所示在不規(guī)則性方面顯著并且膜厚度的測量是不可能的。實施例3-7和比較例6-12中獲得的薄膜的厚度和電離電勢(在下文中簡稱Ip)在表l中示出。采用的清漆的粘度也在表l中示出。將指出的是，Ip是通過利用光電子光譜計AC-2(由RikenkeikiCo.,Ltd.制造)測量的。通過利用TokiSangyoCo.，Ltd.制造的E-型粘度計在25^C下測量粘度。通過利用由KosakalaboratoryLtd.制造的SurfcoderET-4000A測量膜厚度。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage38</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage39</column></row><table>如表1所示，通過利用比較例1中獲得的清漆形成的薄膜(比較例6)在Ip值方面比其它比較例的薄膜更大，由此推測由于在清漆的制備操作過程中固體物質(zhì)的沉淀和通過過濾除去該固體物質(zhì)而使ox-PTA和5-SSA之間的比例改變。通過利用比較例2中獲得的清漆形成的薄膜(比較例7)非常薄，性。認(rèn)為，當(dāng)與使用ox-PTA并在220TC下烘烤30分鐘的情況相比時，利用比較例3中獲得的清漆(使用還原PTA)通過在140t:下烘烤1小時獲得的薄膜(比較例8)的Ip如此低以致不允許氧化反應(yīng)令人滿意地進行。另一方面，將看出，利用ox-PTrA通過在140C下烘烤獲得的電荷傳輸性薄膜(實施例3)在Ip方面與在uox:下烘烤30分鐘的情況沒有顯著差異并且在更低烘烤溫度下顯示高的IP。實施例7中獲得的薄膜的Ip值為5.40eV，由此應(yīng)當(dāng)理解，即使沒有在空氣中進行烘烤，這種值也非常高。實施例8電荷傳輸性清漆向50mg(0.143mmol)ox-PTrA和102mg(0.107mmol)BDS0-3(根據(jù)W02005/000832小冊子中描述的方法制備并且由上述式表示)的混合物中添加3.38mlDMI并在室溫下攪拌以便溶解。此外，將0.85ml1，2-丙二醇、2.79ml通過加熱到50匸而熔融的環(huán)己醇和1,69mlDMI添加到該混合物中并攪拌以獲得墨綠色透明溶液。使如此荻得的溶液濾過孔徑為0.2jam的PTFE過濾器，此時可能在沒有堵塞的情況下進行過濾，從而獲得墨綠色透明電荷傳輸性清漆。實施例9電荷傳輸性清漆向20mg(0.057mmol)合成實施例1中獲得的ox-PTrA、20mg(0.057mmol)合成實施例1的第一步驟中獲得的PTrA和81mg(0.085mmol)BDS0-3的混合物中添加2.69mlDMI并在室溫下攪拌以i更溶解。此外，將0.68ml丙二醇和2.22ml通過加熱到50匸而熔融的環(huán)己醇添加到該混合物中并攪拌以獲得墨綠色透明溶液。使如此獲得的溶液濾過孔徑為0.2jum的PTFE過濾器，此時可能在沒有堵塞的情況下進行過濾，從而獲得墨綠色透明電荷傳輸性清漆。實施例10電荷傳輸性清漆向51mg(0.146mmol)合成實施例1中獲得的ox-PTrA和98mg(0.109mmol)NS0-2(根據(jù)WO2006/025342小冊子中描述的方法制備并且由上述式表示)的混合物中添加1.95mlDMI并在室溫下攪拌以便溶解。此外，將3.27ml通過加熱到50"C而熔融的環(huán)己醇添加到該混合物中并攪拌以獲得墨綠色透明溶液。使如此獲得的溶液濾過孔徑為0.2Mm的PTFE過濾器，此時可能在沒有堵塞的情況下進行過濾，從而獲得墨綠色透明電荷傳輸性清漆。比較例13電荷傳輸性清漆向50mg(0.113mmol)PTA(還原)和107mg(0.113mmol)BDSO-3的混合物中添加1.74mlDMI并在室溫下攪拌以便溶解。此外，將0.94ml1,2-丙二醇和2.87ml通過加熱到50。C而熔融的環(huán)己醇添加到該混合物中并攪拌以獲得淡綠色透明溶液。使如此獲得的溶液濾過孔徑為0.2pm的PTFE過濾器，此時可能在沒有堵塞的情況下進行過濾，從而獲得為淡綠色透明溶液的電荷傳輸性清漆。實施例11電荷傳輸性薄膜根據(jù)實施例3-5中描述的相應(yīng)方法使用實施例8中獲得的清漆形成電荷傳輸性薄膜。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻無定形固體制成的。實施例12電荷傳輸性薄膜根據(jù)實施例3-5的相應(yīng)方法使用實施例9中獲得的清漆形成電荷傳輸性薄膜。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻的無定形固體制成的。實施例13電荷傳輸性薄膜根據(jù)實施例3-5的相應(yīng)方法使用實施例10中獲得的清漆形成電荷傳輸性薄膜。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻的無定形固體制成的。比較例14電荷傳輸性薄膜根據(jù)比較例8-10的相應(yīng)方法使用比較例13中獲得的清漆形成電荷傳輸性薄膜。如此獲得的電荷傳輸性薄膜是由均勻無定形固體制成的。實施例14-170LED器件將實施例8中獲得的清漆旋涂到在與實施例3中相同的條件下處理過的IT0玻璃基板上并在空氣中在表2中所示的不同條件下烘烤而形成空穴傳輸薄膜。將該其上形成有薄膜的基板引入真空沉積儀器中，接著依次沉積oc-NPD、Alq3、LiF和Al，而提供OLED器件。膜厚度分別是35nm、50nm、0.5nm和100nm并且沉積操作在壓力達到8x10—4Pa或更低之后進行。沉積ot-NPD和AU3的速率為0.35-0.40nm/秒，沉積LiF的速率為0.015-0.025nm/秒，沉積Al的速率為0.2-0.4nm/秒。沉積操作之間的移動在真空中進行。實施例18將實施例9中獲得的清漆旋涂到在與實施例3中相同的條件下處理過的IT0玻璃基板上并在空氣中在表2中所示的條件下下烘烤而形成空穴傳輸性薄膜。用和實施例14中一樣的方法使用這一薄膜制造0LED器件。實施例19將實施例10中獲得的清漆旋涂到在與實施例3中相同的條件下處理過的IT0玻璃基板上并在空氣中在表2中所示的條件下下烘烤而形成空穴傳輸性薄膜。用和實施例14中一樣的方法使用這一薄膜制造OLED器件。實施例20將實施例10中獲得的清漆旋涂到在與實施例3中相同的條件下處理過的ITO玻璃基板上并在空氣中在表2中所示的條件下烘烤而形成空穴傳輸性薄膜。將所得的薄膜引入氮氣手套箱(氧濃度為10ppm或更低)，并在該薄膜上滴加聚合物發(fā)藍光材料(SPB-02T，由Merck&Co.，Ltd,制造)的1.5wt。/。二甲苯溶液，旋涂并烘烤而形成70nm厚度的發(fā)光層。將所得的層壓膜附貼的ITO基板引入壓力降低到10—4Pa或更低的真空沉積儀器中，接著依次真空沉積鋇(厚度0.9nm)、銀(厚度130nm)作為陰極而制得PLED器件。比較例15、16OLED器件將比較例9中獲得的清漆旋涂到在與實施例3中相同的不同條件下處理過的IT0玻璃基板上并在空氣中在表2中所示的不同條件下下烘烤而形成空穴傳輸薄膜。隨后，將其上已經(jīng)形成了薄膜的基板引入真空沉積儀器，接著在與實施例14中相同的條件下依次真空沉積oc-NPD、Alq3、LiF和Al而提供OLED器件。比較例17OLED器件將在與實施例3中相同的條件下處理的IT0玻璃基板引入真空沉積儀器，接著在與實施例14中相同的條件下依次真空沉積ot-NPD、Alq3、LiF和Al而提供OLED器件。比較例180LED器件將在與實施例3中相同的條件下處理過的ITO玻璃基板引入真空沉積儀器，并在其上以"nm的厚度真空沉積銅酞胥(CuPC)，接著在與實施例14中相同的條件下依次真空沉積a-NPD、Alq3、LiF和Al而提供0LED器件。沉積CuPC的真空度和沉積速率與a-NPD和Alq3的那些相同。比較例19OLED器件將聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸水溶液(PED0T，由BayerAG制造的CH8000)旋涂到在與實施例3中相同的條件下處理過的ITO玻璃基板上并在空氣中在表2中所示的條件下烘烤以形成均勻的空穴傳輸性薄膜。此外，在與實施例14中相同的條件下依次真空沉積ct-NPD、Alq3、LiF和Al以制得OLED器件。實施例14-20和比較例15-19中獲得的有機EL器件的特性也在表2中示出。將指出的是，通過利用有機EL發(fā)光效率測量儀器(EL1003，由PreciseGaugesCo.,Ltd.制造)測量器件特性。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage44</column></row><table>如表2所示，將看出，在實施例14中獲得的OLED器件的特性在7.0V的電壓下在電流值方面比比較例15中獲得的OLED器件更高，其中在140。C下烘烤時的空穴注入特性更高。更具體地說，將看出，釆用Ip如此低以致不允許氧化反應(yīng)令人滿意地進行的電荷傳輸性薄膜，空穴注入特性低。在7.0V的電壓下，在包括電流密度、亮度和電流效率的特性方面，比較例17-19中獲得的OLED器件差于實施例14-19中獲得的器件。將看出，實施例20中獲得的PLED器件像所述OLED器件在低電壓下顯示高亮度。實施例21真空沉積將實施例1中獲得的ox-PTrA引入到真空沉積儀器(由Aoyama制造)的真空沉積源上的坩堝中，接著將壓力降低到5xl(TPa或更低。使10-12A的電流通過真空蒸發(fā)源(FB-2，由JapanVacsMetalCo.，Ltd.制造)的燈絲以加熱該坩堝，此時開始真空沉積以在石英基板上形成50nm厚度的薄膜。UV-VIS(波長250-800nm)吸收峰波長310nm，583nm權(quán)利要求1.由苯氨基-N，N′-二苯基醌二亞胺衍生物構(gòu)成的電荷傳輸性材料，所述苯氨基-N，N′-二苯基醌二亞胺衍生物由以下式(1)表示[化學(xué)式1]其中R1表示氫原子或取代或未取代的一價烴基，R2-R19獨立地表示氫原子、羥基、氨基、硅烷醇、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、取代或未取代的一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機硫基、?；㈨炕螓u素原子。2.包含權(quán)利要求1所限定的電荷傳輸性材料的電荷傳輸性清漆。3.根據(jù)權(quán)利要求2的電荷傳輸性清漆，其中w-ir各自是氫原子。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3的電荷傳輸性清漆，其中所述清漆包含由式(8)表示的1，4-苯并二喁烷磺酸化合物，由式(9)表示的1，4-苯并二噁烷磺酸化合物，具有由式(10)表示的重復(fù)單元的1，4-苯并二喁烷化合物，或具有由式(11)表示的重復(fù)單元的1，4-苯并二喁烷磺酸化合物[化學(xué)式2]其中R2。-R"獨立地表示氫原子、取代或未取代的一價烴基或卣素原子，X表示單鍵、0、S或NH，A!表示氫原子，X是單鍵時的面素原子，X是單鍵時的S，S(0)基，S(0,)基，未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基，取代或未取代的烴基，1，3，5-三喚基或取代或未取代的由下式(12)或(13)表示的基團[化學(xué)式3]其中\(zhòng)^和W4蟲立地表示0、S、S(0)基、S(02)基，或未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基，W是等于Ai的價態(tài)的整數(shù)并且滿足Kn'的關(guān)系，且m是與該1,4-苯并二噁烷骨架的苯環(huán)部分鍵接的磺酸基的數(shù)目，[化學(xué)式4]其中R2°-R"、X和m分別具有如上面所限定的相同含義，A2表示取代或未取代的二價或更高價烴基、二價或三價1，3，5-三溱基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，(^表示氫原子，X是單鍵時的囟素原子，X是單鍵時的S，S(0)基，S(02)基，未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基，取代或未取代的烴基，1，3，5-三嚷基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，112是等于(Az的價態(tài)-1)的整數(shù)并且滿足1<112的關(guān)系，且z'是等于Q1的價態(tài)的整數(shù)并且滿足1<z1的關(guān)系，[化學(xué)式5]其中R2°-R24、X和m分別具有如上面所限定的相同含義，人3表示取(15)其中X表示0、S或NH，A表示X，或可以具有除n個(S03H)基以外的取代基的萘環(huán)或蒽環(huán)，B表示取代或未取代的烴基、1，3，5-三代或未取代的、三價或更高價烴基、三價l，3，5-三。秦基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，^表示取代或未取代的、二價或更高價烴基、二價或三價1，3，5-三喚基或取代或未取代的由上述式(l2)或(13)表示的基團，113是等于(A3的價態(tài)-2)的整數(shù)并且滿足1<113的關(guān)系，p'是滿足Kp'的關(guān)系的整數(shù)，且p卩是滿足0《pz的關(guān)系的整數(shù)，條件是滿足Kp、p、10000，或[化學(xué)式6](ii)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中R2°-R"、A2、X、m和W分別具有如上面所限定的相同含義，R"-R"獨立地表示氫原子、取代或未取代的一價烴基或卣素原子，Q2表示取代或未取代的、二價或更高價烴基、二價或三價1，3，5-三嗪基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，(53表示取代或未取代的烴基、1，3，5-三喚基或取代或未取代的由上述式(12)或(13)表示的基團，zs是等于(Q2的價態(tài)-1)的整數(shù)并且滿足l<z2的關(guān)系，41是滿足1<41的關(guān)系的整數(shù)，且q2是滿足(Kq'的關(guān)系的整數(shù)，條件是Kq'+q、10000。5.根據(jù)權(quán)利要求2或3的電荷傳輸性清漆，包含由式(14)或(15)表示的芳基磺酸化合物，[化學(xué)式7]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>溱基或取代或未取代的由以下式(12)或(13)表示的基團[化學(xué)式8](12)(13)其中wi和W2獨立地表示0、S、S(0)基、S(02)基，或未取代的或與取代基鍵接的N、Si、P或P(0)基，n是與A鍵接的磺酸基的數(shù)目并且是滿足l<n<4的整數(shù)，q表示B和X之間鍵的數(shù)目并且是滿足1<q的整數(shù)，且r表示重復(fù)單元的數(shù)目并且是滿足1<r的整數(shù)。6.通過利用權(quán)利要求2-5中任一項限定的電荷傳輸性清漆制成的電荷傳輸性薄膜。7.包含權(quán)利要求1所限定的電荷傳輸性材料的電荷傳輸性薄膜。8.包括權(quán)利要求6或7所限定的電荷傳輸性薄膜的有機電致發(fā)光器件。9.由式(1)表示的苯氨基-N，r-二苯基醌二亞胺的制備方法，[化學(xué)式12]R3R2R7R8R11R12R15R其中R'表示氬原子或取代或未取代的一價烴基，R2-R"獨立地表示氫原子、羥基、氨基、硅烷醇、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、取代或未取代的一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機硫基、?；?、砜基或卣素原子，其中使由式(2)或(3)表示的4-羥基二苯胺化合物[化學(xué)式9]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(3)其中R2-IT分別具有如上所限定的相同含義，和由式(4)或(5)表示的4-氨基二苯胺[化學(xué)式10]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中R2-R"分別具有如上所限定的相同含義，在鈦醇鹽催化劑存在下彼此反應(yīng)以制備由式(6)表示的苯基四苯胺化合物[化學(xué)式11]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中R2-R"分別具有如上所限定的相同含義，并進一步用氧化劑處理。全文摘要包含由式(1)表示的苯氨基-N，N′-二苯基醌二亞胺衍生物作為電荷傳輸性物質(zhì)的電荷傳輸性清漆。變得可能提供包含氧化低聚苯胺的電荷傳輸清漆，該氧化低聚苯胺具有在各種有機溶劑中的高溶解度以還具有良好的過濾性能，因為該清漆沒有聚集性能。(其中R¹表示氫原子或取代或未取代的一價烴基；且R²-R¹⁹獨立地表示氫原子、羥基、氨基、硅烷醇、硫醇基、羧基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、硝基、取代或未取代的一價烴基、有機氧基、有機氨基、有機甲硅烷基、有機硫基、酰基、砜基或鹵素原子。)文檔編號C07C251/22GK101489991SQ20078002704公開日2009年7月22日申請日期2007年7月17日優(yōu)先權(quán)日2006年7月18日發(fā)明者加藤拓,吉本卓司,山田智久申請人:日產(chǎn)化學(xué)工業(yè)株式會社