單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體加工領(lǐng)域，特別是一種單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)排氣改善方案設(shè)
i+o
【背景技術(shù)】
[0002]單晶硅棒制取過(guò)程產(chǎn)生S1等氣態(tài)的氧化物，在正常生產(chǎn)中使用真空泵負(fù)壓排氣方式排除。但排氣狀況因真空泵設(shè)備能力、排氣管道的限制，并隨著制取過(guò)程時(shí)間推移，部分S1在管道內(nèi)冷卻成固態(tài)聚集，惡化管道內(nèi)排氣狀況，隨著制取過(guò)程時(shí)間延續(xù)，會(huì)出現(xiàn)熱場(chǎng)內(nèi)管道口堵塞現(xiàn)象，影響單晶硅制取，嚴(yán)重時(shí)無(wú)法進(jìn)行單晶硅生長(zhǎng)。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種能避免單晶硅制取過(guò)程中堵塞現(xiàn)象的單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)。
[0004]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)，包括:單晶爐爐體，在所述單晶爐爐體內(nèi)壁上設(shè)熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)；排氣管道口，所述排氣管道口設(shè)置在所述單晶爐爐體上，所述排氣管道口排氣管道口貫穿所述單晶爐爐體及所述熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)；導(dǎo)氣護(hù)套，所述導(dǎo)氣護(hù)套嵌套在所述排氣管道口內(nèi)。
[0005]在所述導(dǎo)氣護(hù)套的一端設(shè)有凸緣，所述導(dǎo)氣護(hù)套通過(guò)所述凸緣卡接在所述排氣管道口內(nèi)。
[0006]所述排氣管道口的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述排氣管道口分別設(shè)置在所述單晶爐爐體的兩側(cè)。
[0007]本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)避免單晶硅制取過(guò)程中堵塞現(xiàn)象，可延長(zhǎng)單晶硅的制取過(guò)程時(shí)間，為長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)制取單晶硅提供保障。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖2為本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)局部放大圖；
[0010]圖3為本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)導(dǎo)氣護(hù)套結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)附圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0012]1-單晶爐爐體2-排氣管道口 3-導(dǎo)氣護(hù)套
[0013]4-熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0015]因單晶爐爐體本身水冷卻機(jī)制，連接處排氣管道口該處的溫度低，部分氣態(tài)S1降低溫度后成為透明狀或者淡黃固態(tài)，固態(tài)在排氣管道口凝聚，時(shí)間越長(zhǎng)，凝聚的固態(tài)S1越多，排氣管道口的氣流橫截面相對(duì)面積減小，氣體的流動(dòng)狀態(tài)改變，影響氣態(tài)S1的排出，且對(duì)輔助設(shè)備設(shè)施如泵的工作能力要求高，從而影響單晶爐生長(zhǎng)環(huán)境的壓力以及氧含量，對(duì)單晶硅晶體生長(zhǎng)不利。在排氣管道口設(shè)計(jì)相對(duì)應(yīng)的尺寸以及設(shè)計(jì)過(guò)程中的可行性確認(rèn)，改善排氣狀況，避免管道口 S1的聚集堵塞現(xiàn)象。
[0016]如圖1?圖3所示，本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)，包括:單晶爐爐體I以及安裝在單晶爐爐體I內(nèi)壁上的熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)4。排氣管道口 2排氣管道口 2貫穿兩側(cè)的單晶爐爐體I及熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)4，導(dǎo)氣護(hù)套3嵌套在排氣管道口 2內(nèi)。
[0017]本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)避免單晶硅制取過(guò)程中堵塞現(xiàn)象，可延長(zhǎng)單晶硅的制取過(guò)程時(shí)間，為長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)制取單晶硅提供保障。
[0018]以上已對(duì)本實(shí)用新型創(chuàng)造的較佳實(shí)施例進(jìn)行了具體說(shuō)明，但本實(shí)用新型創(chuàng)造并不限于所述實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明創(chuàng)造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)，其特征在于，包括: 單晶爐爐體，在所述單晶爐爐體內(nèi)壁上設(shè)熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)； 排氣管道口，所述排氣管道口設(shè)置在所述單晶爐爐體上，所述排氣管道口排氣管道口貫穿所述單晶爐爐體及所述熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)； 導(dǎo)氣護(hù)套，所述導(dǎo)氣護(hù)套嵌套在所述排氣管道口內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)，其特征在于，在所述導(dǎo)氣護(hù)套的一端設(shè)有凸緣，所述導(dǎo)氣護(hù)套通過(guò)所述凸緣卡接在所述排氣管道口內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)，其特征在于，所述排氣管道口的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述排氣管道口分別設(shè)置在所述單晶爐爐體的兩側(cè)。
【專利摘要】本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)，包括：?jiǎn)尉t爐體，在所述單晶爐爐體內(nèi)壁上設(shè)熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)；排氣管道口，所述排氣管道口設(shè)置在所述單晶爐爐體上，所述排氣管道口排氣管道口貫穿所述單晶爐爐體及所述熱場(chǎng)保溫結(jié)構(gòu)；導(dǎo)氣護(hù)套，所述導(dǎo)氣護(hù)套嵌套在所述排氣管道口內(nèi)。在所述導(dǎo)氣護(hù)套的一端設(shè)有凸緣，所述導(dǎo)氣護(hù)套通過(guò)所述凸緣卡接在所述排氣管道口內(nèi)。所述排氣管道口的數(shù)量為兩個(gè)，兩個(gè)所述排氣管道口分別設(shè)置在所述單晶爐爐體的兩側(cè)。本實(shí)用新型單晶爐熱場(chǎng)系統(tǒng)避免單晶硅制取過(guò)程中堵塞現(xiàn)象，可延長(zhǎng)單晶硅的制取過(guò)程時(shí)間，為長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)制取單晶硅提供保障。
【IPC分類】C30B15-00
【公開號(hào)】CN204385317
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420745387
【發(fā)明人】顧燕濱, 賀賢漢
【申請(qǐng)人】上海申和熱磁電子有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請(qǐng)日】2014年12月2日