，然后在1350°C下燒結2小時成瓷，即可得到Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷材料。
[0037]實施例1:
[0038]將分析純度的原料SrC03、CaC03、Li2C03、CeOjP T1 2按配方 0.9(l_x)SrO-0.1 (l-x)Ca0-x/4Li20-x/2Ce02-Ti02(其中 x = 0.70)中的摩爾比配制后，充分混合球磨(200轉/分鐘)4個小時，然后120°C下烘干、過120目的篩、壓塊，在空氣氛圍下經1150°C保溫4.5個小時，得到樣品燒塊；
[0039]然后將樣品燒塊粉碎后再進行二次球磨，球磨時間為5小時，在120°C下烘干后造粒(將粉體與聚乙烯醇的水溶液混合，然后制成微米級的球形顆粒)，經60目與120目篩網雙層過篩，即可得到所需瓷料；將瓷料按需要壓制成型，然后在1350°C空氣下燒結2h成瓷，即可得到Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷及其制備方法材料。
[0040]該組陶瓷材料的性能達到如下指標:
[0041]1350°C空氣中燒結成瓷，微波下的介電性能ε 158 (1.464GHz)，品質因子Q =1120，Qf = 1，640GHz，微波下的諧振頻率溫度系數(shù) TCF = +80ppm/°C (25。。?85。。)。
[0042]實施例2:
[0043]將分析純度的原料SrC03、CaC03、Li2C03、CeOjP T1 2按配方 0.9(l_x)SrO-0.1 (l-x)Ca0-x/4Li20-x/2Ce02-Ti02(其中 x = 0.75)中的摩爾比配制后，充分混合球磨(200轉/分鐘)4個小時，然后120°C下烘干、過120目的篩、壓塊，在空氣氛圍下經1150°C保溫4.5個小時，得到樣品燒塊；
[0044]然后將樣品燒塊粉碎后再進行二次球磨，球磨時間為5小時，在120°C下烘干后造粒(將粉體與聚乙烯醇的水溶液混合，然后制成微米級的球形顆粒)，經60目與120目篩網雙層過篩，即可得到所需瓷料；將瓷料按需要壓制成型，然后在1350°C空氣下燒結2h成瓷，即可得到Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷及其制備方法材料。
[0045]該組陶瓷材料的性能達到如下指標:
[0046]1350°C空氣中燒結成瓷，微波下的介電性能ε 150 (1.468GHz)，品質因子Q =920，Qf = 1，350GHz，微波下的諧振頻率溫度系數(shù) TCF = +1.5ppm/°C (25。。?85。。)。
[0047]實施例3:
[0048]將分析純度的原料SrC03、CaC03、Li2C03、CeOjP T1 2按配方 0.9(l_x)SrO-0.1 (l-x)Ca0-x/4Li20-x/2Ce02-Ti02(其中 x = 0.76)中的摩爾比配制后，充分混合球磨(200轉/分鐘)4個小時，然后120°C下烘干、過120目的篩、壓塊，在空氣氛圍下經1150°C保溫4.5個小時，得到樣品燒塊；
[0049]然后將樣品燒塊粉碎后再進行二次球磨，球磨時間為5小時，在120°C下烘干后造粒(將粉體與聚乙烯醇的水溶液混合，然后制成微米級的球形顆粒)，經60目與120目篩網雙層過篩，即可得到所需瓷料；將瓷料按需要壓制成型，然后在1350°C空氣下燒結2h成瓷，即可得到Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷及其制備方法材料。
[0050]該組陶瓷材料的性能達到如下指標:
[0051]1350°C空氣中燒結成瓷，微波下的介電性能ε 147 (1.467GHz)，品質因子Q =947，Qf = 1，390GHz，微波下的諧振頻率溫度系數(shù) TCF = -5.6ppm/°C (25。。?85。。)。
[0052]實施例4:
[0053]將分析純度的原料SrC03、CaC03、Li2C03、CeOjP T1 2按配方 0.9(l_x)Sr0-0.1 (l-x)Ca0-x/4Li20-x/2Ce02-Ti02(其中 x = 0.80)中的摩爾比配制后，充分混合球磨(200轉/分鐘)4個小時，然后120°C下烘干、過120目的篩、壓塊，在空氣氛圍下經1150°C保溫4.5個小時，得到樣品燒塊；
[0054]然后將樣品燒塊粉碎后再進行二次球磨，球磨時間為5小時，在120°C下烘干后造粒(將粉體與聚乙烯醇的水溶液混合，然后制成微米級的球形顆粒)，經60目與120目篩網雙層過篩，即可得到所需瓷料；將瓷料按需要壓制成型，然后在1350°C空氣下燒結2h成瓷，即可得到Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷及其制備方法材料。
[0055]該組陶瓷材料的性能達到如下指標:
[0056]1350°C空氣中燒結成瓷，微波下的介電性能ε 140 (1.472GHz)，品質因子Q =978，Qf = 1，440GHz，微波下的諧振頻率溫度系數(shù) TCF = -80ppm/°C (25°C?85°C )。
[0057]以上內容是結合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的【具體實施方式】僅限于此，對于本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干簡單的推演或替換，都應當視為屬于本發(fā)明由所提交的權利要求書確定專利保護范圍。
【主權項】
1.一種Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷，其特征在于，該微波介質陶瓷的化學組成為:0.9 (1-X) SrO-0.1 (l-χ) Ca0-x/4Li20_x/2Ce02-Ti02，其中 0.70 彡 x 彡 0.80。2.根據(jù)權利要求1所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷，其特征在于，所述的微波介質陶瓷中，以鈣鈦礦結構為基礎，Sr、Ca、L1、Ce占據(jù)A位，Ti占據(jù)B位。3.根據(jù)權利要求1所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷，其特征在于，所述微波介質陶瓷的相對介電常數(shù)為140?158，微波性能Qf = 1，350GHz?1，640GHz，諧振頻率溫度系數(shù)為-80ppm/°C ?+80ppm/°C。4.一種Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 1)按0.9 (1-x) SrO-0.1 (l-χ) Ca0-x/4Li20_x/2Ce02-Ti02i^ 中的摩爾比，取鍶、鈣和鋰的碳酸鹽以及鈰和鈦的氧化物，混合后經一次球磨，然后烘干、過篩并壓制成塊狀體，在1150°C下保溫4.5h，得到樣品燒塊;其中，0.70彡X彡0.80 ; 2)將樣品燒塊粉碎后經二次球磨，再經烘干、造粒、過篩，然后將過篩后的顆粒壓制成型，在1350°C下燒結2h成瓷，得到Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷。5.根據(jù)權利要求4所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述的鍶、鈣和鋰的碳酸鹽分別為SrC03、CaC03& Li 20)3;鈰和鈦的氧化物分別為CeO 2和Ti02。6.根據(jù)權利要求4所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，在進行一次球磨和二次球磨時，每次球磨的時間為4h?5h，烘干的溫度為100°C?120°C。7.根據(jù)權利要求4所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述的過篩，步驟1)為過120目的篩網，步驟2)為雙層過篩:過60目與120目的篩網。8.根據(jù)權利要求4所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述的造粒是將粉體與聚乙烯醇的水溶液混合，然后制成微米級的球形顆粒。9.根據(jù)權利要求4所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述的步驟2)的燒結是在空氣氛圍下的燒結。10.根據(jù)權利要求4所述的Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷的制備方法，其特征在于，所述的步驟2)的壓制成型是壓制成塊狀或圓柱狀。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種Ti基高介電常數(shù)微波介質陶瓷及其制備方法，屬于電子陶瓷及其制備領域。該陶瓷材料結構表達式為：0.9(1-x)SrO-0.1(1-x)CaO-x/4Li2O-x/2CeO2-TiO2，其中0.70≤x≤0.80。本發(fā)明采用了最簡單有效的固相反應燒結的方法來制備，首先是選取合適比例的配方，選取合適的初始氧化物，通過一次球磨使得各種氧化物混合均勻，通過預燒結過程使得氧化物進行初步的反應，通過二次球磨細化反應物的顆粒尺寸，最后通過燒結過程得到所需要的陶瓷樣品。通過這樣一種簡單易行的有效的制備方法，得到的陶瓷樣品的介電常數(shù)隨成分在140～158之間變化，Qf分布在1,350GHz～1,640GHz，諧振頻率溫度系數(shù)近零且易調控(-80ppm/℃～+80ppm/℃)，燒結溫度1350℃。
【IPC分類】C04B35/462, C04B35/50, C04B35/622
【公開號】CN105399420
【申請?zhí)枴緾N201510844431
【發(fā)明人】龐利霞, 劉衛(wèi)國, 周迪, 王欣, 紀紅芬
【申請人】西安工業(yè)大學
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年11月26日