一種陶瓷組合物及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明設及一種陶瓷組合物及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 高頻率用電介體磁器，近年來廣泛利用于例如電介體共振器和MIC用電介體基板 等中。在該種類的高頻率用電介體磁器中，為了實現(xiàn)小型化，要求相對介電常數(shù)er和Q值 大。
[0003] 另一方面，在高頻率用電介體磁器中，如果在導體材料中使用高烙點的鶴和鋼，貝U 由于運些高烙點金屬的比電阻大，因此，特別是存在在陶瓷多層基板的高頻率特性上產(chǎn)生 限界的缺點，而且價格高。因此，作為導體材料，要求使用Ag和化等低電阻并且廉價的低 烙點金屬。
[0004] 但是，為了將導體材料和陶瓷材料同時般燒而得到陶瓷燒結(jié)體，需要將陶瓷材料 在比運些低烙點金屬的烙點低的溫度下進行般燒。 陽〇化]因此，正在積極進行作為陶瓷成分與玻璃成分的復合材料的低溫般燒用陶瓷材料 的研究，推進使用該材料的陶瓷多層基板的實用化。
[0006]例如，在專利文獻1中，提出了一種陶瓷原料組合物，其中，包含：10~45重量％ 的由xBa〇-yTi〇2-zRe〇3/2(其中，X、yW及Z表示摩爾％，8《X《18、52. 5《y《65、W及 20《Z《40，x+y+z=100，Re為稀±元素）表示的Ba〇-Ti〇2-Re〇3/2類陶瓷組合物、5~40 重量％的氧化侶、4~17. 5重量％的Bz化、28~50重量％的Si化、0~20重量％的Alz化 W及36~50重量％的MO(其中，MO為選自Ca0、Mg0、SrOW及BaO中的至少一種），包含 40~65重量％的棚娃酸玻璃組合物，并且所述Ba〇-Ti〇2-Re〇3/2類陶瓷組合物與所述氧化 侶的合計量為35重量％W上。
[0007] 在該專利文獻1中，通過使其含有棚娃酸玻璃組合物，可W抑制般燒時的陶瓷的 收縮行為，另外，由于玻璃粘度高，因此，可W抑制與其他低溫般烷基板相互擴散。另外，通 過使其含有上述陶瓷組合物，可W得到具有相對介電常數(shù)er約為15的高相對介電常數(shù)的 陶瓷原料組合物。
[0008] 但是，上述專利文獻1的陶瓷原料組合物，雖然相對介電常數(shù)er比較高，約為15， 但為了應對目前模塊商品等更小型化的要求，需要更高的相對介電常數(shù)er。
[0009] 然而，為了提高相對介電常數(shù)er，需要降低玻璃組合物的含量，提高由填料組成 的陶瓷粉末的含量。另一方面，玻璃組合物的含量降低時，由于玻璃組合物的流動性降低， 因此通過般燒處理陶瓷燒結(jié)體變得容易收縮。因此，為了容易控制般燒時的收縮行為，需要 增加玻璃組合物的含量。目P，存在難W實現(xiàn)般燒時的陶瓷燒結(jié)體的收縮行為的控制和高相 對介電常數(shù)的情況。
[0010] 本發(fā)明是鑒于上述情況而進行的，其目的在于提供可W在控制般燒時的收縮行為 的同時使介電特性與W往相比顯著提高、并且可W確保可靠性的陶瓷組合物、使用該陶瓷 組合物的陶瓷生片、W及陶瓷電子部件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 本發(fā)明人為了實現(xiàn)上述目的而進行了深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，除了特定組成的棚 娃酸玻璃之外，在規(guī)定范圍內(nèi)添加相對介電常數(shù)er高的SrTi〇3或化TiO3,另外在規(guī)定量 W下的范圍內(nèi)使其含有特定的燒結(jié)助劑成分，由此，容易抑制燒結(jié)時的陶瓷燒結(jié)體的收縮 行為的同時，可W得到相對介電常數(shù)er為50W上、且Q值900W上的具有良好介電特性 的低溫般燒用陶瓷組合物。
[0012] 為了達到上述目的，本發(fā)明采用了如下技術方案：
[0013] 一種陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成：
[0014] B]0] 6~。 AkO'; 16 ~20 S巧化 規(guī)~40 LdO 3~15C
[0015] 所述B203的含量例如為6、7、8、9、10或11。
[0016]所述Al2〇3的含量例如為 16. 5、17、17. 5、18、18. 5、19 或 19. 5
[0017]所述CaO的含量例如為 3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13 或 14。
[0018]所述SrTi〇3或的含量例如為、31、32、33、34、35、36、37、38、40、41、42、43或44。
[0019] 優(yōu)選地，一種陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成：
[0020] 6~說 AbO:; 18 ~20 S訂i〇3 35-40 CaO 3~12。
[0021] 本發(fā)明中的陶瓷生片，上述陶瓷組合物成形為片狀。
[0022] 本發(fā)明中的陶瓷電子部件，具有由上述陶瓷組合物的燒結(jié)體構成的第1陶瓷層。 陽〇2引發(fā)明效果
[0024] 本發(fā)明通過采用上述技術方案可W得到容易控制般燒時的陶瓷燒結(jié)體的收縮行 為的同時介電特性提高的陶瓷組合物，可W得到能夠同時實現(xiàn)上述收縮行為的控制和介電 特性的陶瓷組合物。具體而言，可W得到具有相對介電常數(shù)er為50W上、Q值為900W 上、絕緣電阻IogIR為12W上的特性、并且容易控制般燒時的收縮行為的燒結(jié)性良好的陶 瓷組合物。
[0025] 因此，可W實現(xiàn)應對目前模塊商品等更小型化的高品質(zhì)、且介電特性良好的陶瓷 生片W及陶瓷電子部件。
【具體實施方式】
[00%] 下面通過【具體實施方式】來進一步說明本發(fā)明的技術方案。 陽〇27] 實施例1
[0028] 一種陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成：
[0029] B.O. 臺 Al2〇3： 1 巧 C紙 3 S訂i〇i 微
[0030] 實施例2
[0031] 一種陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成：
[0032] B203 12 AbO:, 20 CaO 巧 S訊化 40
[0033] 實施例3
[0034] 一種陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成：
[0035] 斬0， 8 Ab〇3 IS CaO 1 呀 SrTiOg, 巧
[0036] 對比例1
[0037]其余與實施例1相同，除SrTi〇3或/和化TiO3的含量為50。 陽0測對比例2
[0039]其余與實施例1相同，除B203的含量為25。 W40] 對實施例1~3的陶瓷組合物進行性能測試，實施例1~3的陶瓷組合物的相對 介電常數(shù)er為50W上且Q值900W上，而對比例1和2的陶瓷組合物的相對介電常數(shù)為 40,且Q值為750,明顯低于實施例1~3。
[0041] 申請人聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細方法，但本發(fā)明并不局 限于上述詳細方法，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細方法才能實施。所屬技術領域的 技術人員應該明了，對本發(fā)明的任何改進，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的 添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內(nèi)。
【主權項】
1. 一種陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成： B20；, 6~12 /\120, 16 ~20 SrTiO, 30-40 CaO 3-15,2. 如權利要求1所述的陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成： b2o, Al2〇3 丨 8~20 SrTiO, 35~40 CaO 3~~ 1 l 〇3. 陶瓷生片，權利要求1-2之一所述的陶瓷組合物成形為片狀。4. 陶瓷電子部件，具有由權利要求1-2之一所述的陶瓷組合物的燒結(jié)體構成的第1陶 瓷層。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種陶瓷組合物，所述陶瓷組合物按重量份數(shù)由如下組分組成：B2O36～12、Al2O316～20、SrTiO330～40。本發(fā)明通過采用上述技術方案可以得到容易控制煅燒時的陶瓷燒結(jié)體的收縮行為的同時介電特性提高的陶瓷組合物，可以得到能夠同時實現(xiàn)上述收縮行為的控制和介電特性的陶瓷組合物。具體而言，可以得到具有相對介電常數(shù)εr為45以上、Q值為800以上、絕緣電阻logIR為12以上的特性、并且容易控制煅燒時的收縮行為的燒結(jié)性良好的陶瓷組合物。
【IPC分類】C04B35/47
【公開號】CN105272221
【申請?zhí)枴緾N201510783907
【發(fā)明人】華文蔚
【申請人】華文蔚
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年11月14日